【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】画素領域の平坦性が改善され、画素領域で液晶分子が均一に配向し、表示ムラのない、良好な表示品質の電気光学装置を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜１３と、第１の絶縁膜１３の上に形成され、保持容量電極が配置された保持容量領域Ｓと、第１の絶縁膜１３と保持容量電極とを覆って形成された第２の絶縁膜１４と、第２の絶縁膜１４の上に配置された複数の画素電極１５とを備え、第１の絶縁膜１３に凹部９を形成し、凹部９の底面９ａに保持容量領域Ｓを形成する。第２の絶縁膜１４の前駆体膜１４ａでは、下層の保持容量１６の形状が反映した、保持容量領域Ｓで広範囲に盛り上がった凸形状が軽微になる。平坦化処理を施すことで、広範囲に盛り上がった凸形状は解消され、平坦な表面の第２の絶縁膜１４を得ることができる。従って、画素領域Ｅでは液晶分子が均一に配向し、表示ムラのない、良好な表示品質の電気光学装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】熱処理による特性変動を抑制した酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、絶縁層と、絶縁層上のゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられ酸化物層より形成された半導体層と、半導体層の上において、ゲート電極を挟むように離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、ソース電極及びドレイン電極のいずれかに接続され、前記酸化物層より形成され前記半導体層よりも電気抵抗が低い画素電極と、画素電極に与えられる電気信号によって光学特性の変化と発光との少なくともいずれかを生ずる光学素子と、画素電極の下に設けられゲート絶縁膜と同じ材料で形成された膜と、を備え、ゲート電極の上のゲート絶縁膜の半導体層の側の表面は、画素電極の下に設けられた膜の画素電極の側の表面よりも平滑性が高い表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおいて、電流リークによる不良品を低減する。
【解決手段】表示パネルの製造方法は、基板の主表面上に複数の層を形成したものを用いて表示パネルを製造する方法であって、前記複数の層のうち最終製品に残存する各層を前記主表面に近いものから順に第１構造層、第２構造層、第３構造層、…、第ｎ構造層と呼ぶこととしたときに、１≦ｋ≦ｎ−１を満たす全てのｋに関して、第ｋ構造層を成膜する工程Ｓ（ｋ，１）と、前記第ｋ構造層を成膜する工程より後で第ｋ＋１構造層を成膜する工程より前に、前記第ｋ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｋ，３）とを、それぞれ含み、さらに、第ｎ構造層を成膜する工程Ｓ（ｎ，１）と、前記第ｎ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｎ，３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】画素アレイ部と駆動回路部とで電気光学物質の厚みに局部的なばらつきが生じ難い表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置を構成する一方の基板は、画素アレイ部、及び、駆動回路部を含み、画素アレイ部は、マトリクス状に配列された画素を有し、各画素は、画素電極、及び、画素電極を駆動する画素用薄膜トランジスタ４を備えており、各画素は、画素用薄膜トランジスタ４が形成された非開口領域、並びに、開口領域に分けられ、画素用薄膜トランジスタ４は、層間絶縁膜１０及び平坦化膜５で覆われており、開口領域には、非開口領域に形成された平坦化膜５が延在しており、画素アレイ部の開口領域における平坦化膜５の厚さは、駆動回路部における平坦化膜５の厚さよりも厚く、画素アレイ部の開口領域の上方に位置する電気光学物質層３の部分の厚さと、駆動回路部の上方に位置する電気光学物質層３の部分の厚さは同じである。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とＴＦＴとの電気的な干渉を抑制する
構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及び
ゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前
記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン
電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された電磁シー
ルド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁
膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソ
ース配線と前記画素電極との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダミー画素電極を設けた場合でも、イオン性不純物トラップ用の周辺電極を適正な位置に配置することのできる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、画像形成領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、周辺回路部１０６の一部が構成されており、周辺領域１０ｂにおいて、周辺回路部１０６に対して上層側で重なる領域にはダミー画素電極９ｂが形成されている。また、周辺領域１０ｂにおいて、ダミー画素電極９ｂに対して上層側で重なる領域には、対向基板２０の共通電極２１やダミー画素電極９ｂに印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型液晶表示装置、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置などの、ＴＦＴ基板側が受光面または発光面となるフレキシブルディスプレイに用いることができるＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、光透過性および絶縁性を有し、樹脂を含有する平坦化層と、上記平坦化層の一方の面にパターン状に形成され、フレキシブル性を有する金属層と、上記平坦化層の上記金属層側とは反対側の面に形成されたＴＦＴ素子および画素電極とを有し、上記画素電極が形成されている画素電極形成領域の少なくとも一部と、上記金属層が形成されていない金属層非形成領域の少なくとも一部とが重なるように配置されていることを特徴とするＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 ラビング処理により生じる配向膜剥がれを防止し、高品位の画像表示を可能とする。
【解決手段】 液晶表示装置の表示エリア以外の駆動用配線エリアや額縁部において、特にメタル配線を設置したことによる段差部分にＩＴＯ膜を配置し、そのＩＴＯ膜上に配向膜を設置させる。これにより、駆動用配線エリアや額縁部の段差部においても配向膜の密着性が向上し、ラビング処理によって生じる段差部分の配向膜剥がれが低減する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１方向に形成された少なくとも１本のゲートラインを含むゲート１１と、ゲート上に形成されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に形成された少なくとも１つのソース１３及びドレイン１４と、を含み、ソース１３及びドレイン１４のうち少なくともいずれか一つは、延長部分１３ｂ、１４ｂを含み、延長部分１３ｂ、１４ｂは、少なくとも１本のゲートラインと平行するように、第１方向に形成される。ゲート１１は、ライン状に均一厚を有し、その側面と上面との間に曲面を含み、１本または２本以上のゲートラインを含む形態となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜等の電極との密着性に優れ、耐熱性に優れた表示素子用硬化膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］メルカプト基を有するポリシロキサン、及び［Ｂ］キノンジアジド化合物を含有するポジ型感放射線性組成物であり、さらに、［Ａ］メルカプト基を有するポリシロキサン中のＳｉ原子に対するメルカプト基の含有率が、５モル％を超え６０モル％以下であるポジ型感放射線性組成物である。 （もっと読む）

【課題】オーバーコート層と、透明導電膜との段差に起因する液晶表示不良を抑制した液晶表示装置用カラーフィルタ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に、ブラックマトリクス、着色画素、これらを被覆するオーバーコート層、およびオーバーコート層上にパターン形成された透明導電膜、とを有する液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法であって、以下の工程を順次行うことを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法。（１）透明基板上に開口部を有するブラックマトリクスを形成する工程（２）ブラックマトリクスの開口部に赤、緑、青の各画素を形成する工程（３）透明基板上のブラックマトリクスの開口部に赤、緑、青の各画素が形成された基板上にオーバーコート層を形成する工程 （もっと読む）

【課題】画素電極表面でのヒロックの発生や、平坦化絶縁膜において凹部を埋める部分での空洞の発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供すること。
【課題手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れている。 （もっと読む）

【課題】素子基板の対向面の平坦性を確保し、対向基板の観察側から照射光に加え、素子基板の背面側からの照射光によってシール材を硬化させる。
【解決手段】素子基板の対向面における有効表示領域ａでは、反射性を有する画素電極１１８が所定のピッチでマトリクス状に配列する。平面視したときに有効表示領域ａよりも外側であってシール領域ｃよりも内側の無効表示領域ｂには、画素電極１１８と同一層からなる第１導電パターン１３１を設ける。シール領域ｃには画素電極１１８と同一層からなる第２導電パターン１３２を設ける。平面視したときの第２導電パターン１３２の面積密度は、第１導電パターン１３１の面積密度よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス表示装置に形成される平坦化膜に局所的な厚みの違いを設けてパネル構造を改善する。
【解決手段】一対の基板１，２と電気光学物質３とからなるパネル構造を有し、一方の基板１には薄膜トランジスタの集合と平坦化膜５と画素電極の集合とが形成されており、各画素電極には異なった表示色が割り当てられている表示装置の製造方法であって、平坦化膜５を形成する工程は、感光性材料から成る平坦化膜５を一方の基板上に塗工する塗工工程と、露光量の平面分布に変化をつけた状態で平坦化膜５の感光処理を行う露光工程と、感光した平坦化膜５を現像して平坦化膜５の厚さを露光量の平面分布に応じて異なるように加工し、以て、平坦化膜５の各画素電極に対応する部分の厚さを、各画素電極に割り当てられた表示色の波長に応じて異ならせる加工工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。
【解決手段】液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。非画素領域の入力端子パッド２６の周囲に、第１のメタル層からなる下層ダミーパターンＡと第２のメタル層からなる上層ダミーパターンＢが積み重ね形成されている。ダミーパターンＡ，Ｂ上の第３の層間絶縁膜１３の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。そのため、ＣＭＰ処理において一様の研磨レートが得られる。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性、高透明性の特性を有し、かつ耐薬品性が良好な硬化膜を得ることができる感光性シロキサン組成物の提供、および、上記の感光性シロキサン組成物から形成されたＴＦＴ基板用平坦化膜、タッチパネル用絶縁膜などの硬化膜、およびその硬化膜を有する表示素子などの素子の提供。
【解決手段】（ａ）オルガノシランの１種以上を反応させることによって合成されるポリシロキサン、（ｂ）キノンジアジド化合物、（ｃ）溶剤、および（ｄ）一般式（２）で表されるフルオレン化合物を含有する感光性シロキサン組成物。


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２はエポキシ基、アクリル基、またはメタクリル基から選ばれるいずれかの基を有する有機基であって、Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ同じであっても、異なっていても良い。） （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）