電気光学装置、投射型表示装置、電気光学装置の製造方法
【課題】画素電極表面でのヒロックの発生や、平坦化絶縁膜において凹部を埋める部分での空洞の発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供すること。
【課題手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れている。
【課題手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射性の画素電極が形成された素子基板を備えた電気光学装置、該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置等の電気光学装置では、基板本体の一方面側に画素トランジスター、層間絶縁膜、画素電極がこの順に設けられた素子基板が用いられている。例えば、電気光学装置のうち、反射型の液晶装置に用いられる素子基板は、基板本体の一方面側に画素トランジスター、層間絶縁膜、反射性の画素電極、配向膜がこの順に設けられた構成になっている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、液晶装置において、配向膜としてシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜が用いられる場合、反射性の画素電極の表面にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる絶縁膜が平坦化絶縁膜として形成されることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３９８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、反射性の画素電極の上層側に平坦化絶縁膜を形成する際、平坦化絶縁膜を成膜する際の熱が原因で、画素電極および平坦化絶縁膜に大きな熱応力が発生すると、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生し、画素電極表面の平滑度が低下するという問題点がある。例えば、反射性の画素電極をアルミニウム膜により形成し、平坦化絶縁膜をノンドープシリコン酸化膜により形成すると、アルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）と、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）との差が大きいため、画素電極および平坦化絶縁膜に大きな熱応力が発生する。その結果、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生して画素電極表面の平滑度が低下するため、画素電極の反射率が低下してしまう。
【０００６】
また、反射性の画素電極の上層側にノンドープシリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜を形成すると、ノンドープシリコン酸化膜の段差被覆性が低い。このため、画素電極の表面にコンタクトホールに起因する凹部が形成されている場合、ノンドープシリコン酸化膜において凹部を埋める部分に空洞が発生しやすく、かかる空洞が平坦化絶縁膜表面に露出すると、液晶の配向が乱れ、表示画像のコントラストを低下させるという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画素電極表面でのヒロックの発生や、平坦化絶縁膜において凹部を埋める部分での空洞の発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、素子基板用の基板本体の一方面側に設けられた複数の画素トランジスターと、前記素子基板の一方面側に前記画素トランジスターに対応して設けられた複数の反射性の画素電極と、該画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成している平坦化絶縁膜と、を有し、前記平坦化絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する層が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板用の基板本体の一方面側に画素トランジスターに対応して反射性の画素電極を形成する画素電極形成工程と、該画素電極の表面側に、少なくとも前記画素電極に接する層がリンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程と、を有していることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、反射性の画素電極の上層側（基板本体が位置する側とは反対側）に設けられた平坦化絶縁膜において、少なくとも画素電極上に積層された層が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなる。かかるドープトシリコン酸化膜の熱膨張係数（２〜４×１０-6／℃）は、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）等に比して、画素電極を構成するアルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）や他の金属材料の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜を成膜しても、画素電極および平坦化絶縁膜に大きな熱応力が発生しないので、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。従って、ヒロック等の欠陥が原因で画素電極表面の平滑度が低下して画素電極の反射率が低下するのを回避することができる。また、ドープトシリコン酸化膜は、段差被覆性に優れているため、画素電極の表面にコンタクトホールに起因する凹部が形成されている場合でも、ドープトシリコン酸化膜において凹部を埋める部分に空洞が発生しにくい。それ故、空洞が平坦化絶縁膜表面で露出することが原因で、液晶の配向が乱れて表示画像のコントラストが低下する等の発生を防止することができる。
【００１１】
本発明において、前記平坦化絶縁膜は、厚さ方向の全体がドープトシリコン酸化膜からなる構成を採用することができる。
【００１２】
本発明において、前記平坦化絶縁膜（ドープトシリコン酸化膜）の表面には、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜が積層されていることが好ましい。ドープトシリコン酸化膜は、画素電極でのヒロックの発生防止や空洞の発生防止という点では優れているが、水分を吸着しやすい。このため、ドープトシリコン酸化膜に吸着した水分が、配向膜を通じて液晶層に混入してしまい、表示不良を引き起こす等の可能性がある。しかるに、平坦化絶縁膜（ドープトシリコン酸化膜）の表面にノンドープシリコン酸化膜を積層すれば、かかる水分の液晶層への混入等を防止できるという利点がある。
【００１３】
本発明において、前記平坦化絶縁膜は、前記画素電極に接する第１絶縁膜と、該第１絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第２絶縁膜と、を備え、前記第１絶縁膜は、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜であって、当該第１絶縁膜の表面には、前記基板本体が位置する側の凹凸に起因する凹凸が形成され、前記第２絶縁膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜であって、当該第２絶縁膜は、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成していることが好ましい。ドープトシリコン酸化膜は、画素電極でのヒロックの発生防止や空洞の発生防止という点では優れているが、水分を吸着しやすい。このため、ドープトシリコン酸化膜に吸着した水分が、配向膜を通じて液晶層に混入してしまい、表示不良を引き起こす等の可能性がある。しかるに、平坦化絶縁膜（ドープトシリコン酸化膜）の表面にノンドープシリコン酸化膜を積層すれば、かかる水分の液晶層への混入を防止できる等の利点がある。また、ドープトシリコン酸化膜の表面を研磨して平坦化すると、研磨装置がリンやボロンで汚染されてしまい、その後の研磨工程に支障が発生するが、ノンドープシリコン酸化膜の表面を研磨して平坦化するのであれば、研磨装置がリンやボロンで汚染されることを防止することができる。
【００１４】
本発明において電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記素子基板の一方面側に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、が設けられ、前記素子基板の最表面には配向膜が設けられることになる。
【００１５】
本発明において、前記配向膜は無機配向膜であることが好ましい。かかる構成によれば、有機配向膜と違ってラビング処理を行う必要がないので、ラビング処理に起因するコストの増大や配向特性のばらつき等が発生しない。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置が液晶装置であって、かかる液晶装置をライトバルブとして用いる投射型表示装置では、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置（反射型液晶装置）を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターとして用いた電界効果型トランジスターは、流れる電流の方向が反転するに伴ってソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板の構成を説明するにあたって、素子基板の基板本体が位置する側を下層側とし、素子基板の基板本体が位置する側とは反対側を上層側として説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、反射型の液晶装置であり、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの反射型の液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２３】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画素領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２４】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面側において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に対応して設けられた画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。なお、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を揃え、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２５】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００２６】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部１０９が形成されている。かかる基板間導通部１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび後述する基板間導通用電極を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通部１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２７】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性導電膜により形成してある。このため、本形態の電気光学装置１００では、対向基板２０側から入射した光は、素子基板１０側で反射して対向基板２０側から出射される間に変調されて画像を表示する。
【００２８】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２９】
以下、本形態の電気光学装置１００では、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いれられ、液晶パネル１００ｐがＶＡモード用に構成されている場合を中心に説明する。
【００３０】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３２】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３３】
素子基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００３４】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００３５】
下電極層４ａの上層側には、シリコン窒化膜等からなる誘電体層４２が形成されている。誘電体層４２の上層側には、誘電体層４２を介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（上電極層）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２および下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２および容量線５ｂ（上電極層）は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。このため、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。
【００３６】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００３７】
（画素電極９ａや平坦化絶縁膜等の構成）
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、アルミニウム膜等の反射性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。なお、第３層間絶縁膜４４の表面には、図２（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図３には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された反射性導電膜からなる。
【００３８】
本形態において、画素電極９ａとしては、アルミニウム膜の単層膜、チタン窒化膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜、チタン膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜等が用いられている。かかる画素電極９ａのうち、アルミニウム膜の下層側にチタン窒化膜やチタン膜を形成すれば、画素電極９ａの下面側での反射を防止でき、迷光の発生を防止できるという利点や、アルミニウム膜表面が平滑となり、アルミニウム膜の反射率が向上するという利点がある。
【００３９】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間には、平坦化絶縁膜１７が形成されている。かかる平坦化絶縁膜１７は、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆを埋めている。また、平坦化絶縁膜１７の表面は平坦面になっており、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成している。このため、平坦面上に斜方蒸着を行って配向膜１６を形成することができるので、配向膜１６を構成する斜方蒸着膜を好適に形成することができる。
【００４０】
本形態では、平坦化絶縁膜１７として、リンがドープされたリンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンがドープされたボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロンおよびリンがドープされたボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜１７０からなる。かかるドープトシリコン酸化膜１７０は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）に比して、画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さい。
【００４１】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、ドープトシリコン酸化膜１７０およびノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数は以下のレベル
ドープトシリコン酸化膜１７０＝２〜４×１０-6／℃
ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
である。
【００４２】
（対向基板２０等の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜２７が形成されている。保護膜２７は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜２６が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４３】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４４】
（電気光学装置１００の製造方法）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。本形態の電気光学装置１００を製造するにあたって、素子基板１０の製造方法では、図４（ａ）に示すように、画素トランジスター３０、保持容量５５、データ線６ａ、第３層間絶縁膜４４等を形成した後、第３層間絶縁膜４４にコンタクトホール７ｄを形成する。
【００４５】
次に、第３層間絶縁膜４４の上層に画素電極９ａを形成するための導電膜を形成した後、導電膜をパターニングし、図４（ｂ）に示すように、画素電極９ａを形成する（画素電極形成工程）。
【００４６】
次に、図４（ｃ）に示すように、画素電極９ａの表面側に常圧ＣＶＤ法等によりドープトシリコン酸化膜１７０からなる絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）を厚く形成する（絶縁膜形成工程）。その結果、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆは、平坦化絶縁膜１７によって埋められる。かかるドープトシリコン酸化膜１７０を形成する際の成膜温度は、例えば、３５０〜４５０℃である。また、平坦化絶縁膜１７（ドープトシリコン酸化膜１７０）として、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｏ3等であり、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、Ｏ3等であり、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｏ3等である。
【００４７】
次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）の表面を研磨し、その表面を平坦化する。その際、画素電極９ａの表面が露出しない程度に絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）を残す。その結果、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成することになる。かかる平坦化工程では、化学機械研磨を利用でき、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。
【００４８】
このようにして平坦化絶縁膜１７を形成した後は、外部接続端子（図示せず）等を形成した後、平坦化絶縁膜１７の表面に斜方蒸着を行い、図３に示すように配向膜１６を形成する。
【００４９】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、少なくとも画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。より具体的には、本形態においては、反射性の画素電極９ａの上層側には、厚さ方向の全体がドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７が設けられており、ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数（２〜４×１０-6／℃）は、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）等に比して、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。従って、ヒロック等の欠陥が原因で画素電極９ａの表面の平滑度が低下して画素電極９ａの反射率が低下するのを回避することができる。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れているため、画素電極９ａの表面にコンタクトホール７ｄに起因する凹部９ｆが形成されている場合でも、ドープトシリコン酸化膜１７０において凹部９ｆを埋める部分に空洞が発生しにくい。それ故、空洞が平坦化絶縁膜１７の表面で露出することが原因で画素電極９ａ上の液晶の配向が乱れて表示画像のコントラストが低下するのを防止することができる。
【００５０】
また、本形態では、配向膜１６、２６が無機配向膜であるため、有機配向膜と違ってラビング処理を行う必要がない。それ故、ラビング処理に起因するコストの増大や配向特性のばらつき等が発生しない。
【００５１】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。図６は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５２】
図５に示すように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、画素電極９ａとしては、アルミニウム膜の単層膜、チタン窒化膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜、チタン膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜等が用いられている。
【００５３】
また、画素電極９ａの表面には、実施の形態１と同様、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、あるいはボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７が形成されている。
【００５４】
本形態では、平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が積層されており、かかる保護膜１８の上層に配向膜１６（無機配向膜／斜方蒸着膜）が積層されている。かかる構成によれば、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成しているため、保護膜１８の表面は研磨処理を行わなくても平坦面になっている。このため、平坦面上に斜方蒸着を行って配向膜１６を形成することができるので、配向膜１６を構成する斜方蒸着膜を好適に形成することができる。
【００５５】
かかる構成の電気光学装置１００を製造するには、実施の形態１で説明した方法により、図６（ａ）に示すように、ドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７を形成した後、図６（ｂ）に示すように、平坦化絶縁膜１７の表面に減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等によりノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８を形成する。かかる保護膜１８（ノンドープシリコン酸化膜）を形成する際に減圧ＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば、６５０〜７５０℃であり、使用する原料ガスは、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4等である。また、保護膜１８（ノンドープシリコン酸化膜）を形成する際にプラズマＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば、２５０〜４５０℃であり、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ等である。しかる後は、保護膜１８の表面に斜方蒸着を行い、図３に示すように配向膜１６を形成する。
【００５６】
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、少なくとも画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。より具体的には、本形態においては、反射性の画素電極９ａの上層側には、厚さ方向の全体がドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７が設けられており、ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数等に比して、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５７】
また、本形態では、ドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が形成されているため、電気光学装置１００の信頼性が高い。すなわち、ドープトシリコン酸化膜１７０は、画素電極９ａでのヒロックの発生防止や空洞の発生防止という点では優れているが、水分を吸着しやすい。このため、ドープトシリコン酸化膜１７０から水分が放出されると、かかる水分が液晶層５０に侵入する可能性があるが、平坦化絶縁膜１４７（ドープトシリコン酸化膜１７０）の表面にノンドープシリコン酸化膜（保護膜１８）を積層すれば、かかる水分の液晶層５０への侵入をノンドープシリコン酸化膜（保護膜１８）によって防止できるという利点がある。
【００５８】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。図８は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５９】
図７に示すように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、画素電極９ａとしては、アルミニウム膜の単層膜、チタン窒化膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜、チタン膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜等が用いられている。
【００６０】
また、画素電極９ａの表面には、実施の形態１と同様、平坦化絶縁膜１７が形成されており、かかる平坦化絶縁膜１７の上層に配向膜１６（無機配向膜／斜方蒸着膜）が積層されている。このため、平坦面上に斜方蒸着を行って配向膜１６を形成することができるので、配向膜１６を構成する斜方蒸着膜を好適に形成することができる。
【００６１】
ここで、平坦化絶縁膜１７は、画素電極９ａ上に積層された第１絶縁膜１７ａと、第１絶縁膜１７ａ上に積層された第２絶縁膜１７ｂとを備えている。本形態において、第１絶縁膜１７ａは、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜１７０であって、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆを概ね埋めている。また、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜１７０）の表面には、下層側の凹凸に起因する凹凸が形成されている。これに対して、第２絶縁膜１７ｂは、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜１７１であって、第２絶縁膜１７ｂは、画素電極９ａに重なる部分の表面と、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成している。
【００６２】
かかる構成の電気光学装置１００を製造するには、第３層間絶縁膜４４の上層に画素電極９ａを形成するための導電膜を形成した後、導電膜をパターニングし、図８（ａ）に示すように、画素電極９ａを形成する（画素電極形成工程）。
【００６３】
次に、図８（ｂ）、（ｃ）に示す絶縁膜形成工程を行い、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜１７０）と第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜１７１）とが積層された絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）を形成する。より具体的には、図８（ｂ）に示すように、画素電極９ａの表面側に常圧ＣＶＤ法等によりドープトシリコン酸化膜１７０（第１絶縁膜１７ａ）を厚く形成する（第１絶縁膜形成工程）。その結果、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆは、ドープトシリコン酸化膜１７０によって埋められる。但し、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面には、下層側の凹凸（凹部９ｅ、９ｆ）に起因する凹凸が形成されている。次に、図８（ｃ）に示すように、ドープトシリコン酸化膜１７０の上層に、減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等によりノンドープシリコン酸化膜１７１（第２絶縁膜１７ｂ）を厚く積層する（第２絶縁膜形成工程）。その結果、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面に形成されている凹部がノンドープシリコン酸化膜１７１により埋められる。
【００６４】
次に、図８（ｄ）に示すように、化学機械研磨により、ドープトシリコン酸化膜１７０とノンドープシリコン酸化膜１７１とが積層された絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）の表面を研磨し、ノンドープシリコン酸化膜１７１の表面を平坦化する。その際、画素電極９ａの表面が露出しない程度に絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）を残す。その結果、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成することになる。
【００６５】
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、少なくとも画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。より具体的には、本形態においては、平坦化絶縁膜１７がドープトシリコン酸化膜１７０とノンドープシリコン酸化膜１７１とが積層された構造になっているが、反射性の画素電極９ａの上層側に積層されているのは、ドープトシリコン酸化膜１７０であり、かかるドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、ノンドープシリコン酸化膜１７１の熱膨張係数等に比して、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６６】
また、本形態では、ドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が形成されているため、ドープトシリコン酸化膜１７０から液晶層５０に水分が放出されるのをノンドープシリコン酸化膜１７１によって防止することができる。
【００６７】
また、本形態では、ノンドープシリコン酸化膜１７１の表面を研磨するが、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面は研磨しない。このため、研磨装置がリンやボロンで汚染されることを防止することができる。
【００６８】
［実施の形態３の変形例］
上記実施の形態３では、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面については研磨せずに、ノンドープシリコン酸化膜１７１の表面のみを研磨したが、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面、およびノンドープシリコン酸化膜１７１の表面の双方を研磨してもよい。かかる構成でも、平坦化絶縁膜１７がドープトシリコン酸化膜１７０とノンドープシリコン酸化膜１７１とが積層された構造になっているが、反射性の画素電極９ａの上層側に積層されているのは、ドープトシリコン酸化膜１７０である。
【００６９】
［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００の素子基板１０として、反射型の液晶装置の素子基板１０に本発明を適用したが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置やプラズマ表示装置等、他の電気光学装置の素子基板に本発明を適用してもよい。
【００７０】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図９は、本発明を適用した電気光学装置１００（反射型液晶装置）を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００７１】
図９に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【００７２】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の電気光学装置１００（反射型の液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの電気光学装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【００７３】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【００７４】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００７５】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
９ａ・・画素電極、９ｅ、９ｆ・・凹部、１０・・素子基板、１６・・配向膜、１７・・平坦化絶縁膜、１７ａ・・第１絶縁膜、１７ｂ・・第２絶縁膜、１８・・保護膜、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、１７０・・ドープトシリコン酸化膜、１７１・・ノンドープシリコン酸化膜、１０００・・投射型表示装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射性の画素電極が形成された素子基板を備えた電気光学装置、該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置等の電気光学装置では、基板本体の一方面側に画素トランジスター、層間絶縁膜、画素電極がこの順に設けられた素子基板が用いられている。例えば、電気光学装置のうち、反射型の液晶装置に用いられる素子基板は、基板本体の一方面側に画素トランジスター、層間絶縁膜、反射性の画素電極、配向膜がこの順に設けられた構成になっている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、液晶装置において、配向膜としてシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜が用いられる場合、反射性の画素電極の表面にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる絶縁膜が平坦化絶縁膜として形成されることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３９８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、反射性の画素電極の上層側に平坦化絶縁膜を形成する際、平坦化絶縁膜を成膜する際の熱が原因で、画素電極および平坦化絶縁膜に大きな熱応力が発生すると、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生し、画素電極表面の平滑度が低下するという問題点がある。例えば、反射性の画素電極をアルミニウム膜により形成し、平坦化絶縁膜をノンドープシリコン酸化膜により形成すると、アルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）と、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）との差が大きいため、画素電極および平坦化絶縁膜に大きな熱応力が発生する。その結果、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生して画素電極表面の平滑度が低下するため、画素電極の反射率が低下してしまう。
【０００６】
また、反射性の画素電極の上層側にノンドープシリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜を形成すると、ノンドープシリコン酸化膜の段差被覆性が低い。このため、画素電極の表面にコンタクトホールに起因する凹部が形成されている場合、ノンドープシリコン酸化膜において凹部を埋める部分に空洞が発生しやすく、かかる空洞が平坦化絶縁膜表面に露出すると、液晶の配向が乱れ、表示画像のコントラストを低下させるという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画素電極表面でのヒロックの発生や、平坦化絶縁膜において凹部を埋める部分での空洞の発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、素子基板用の基板本体の一方面側に設けられた複数の画素トランジスターと、前記素子基板の一方面側に前記画素トランジスターに対応して設けられた複数の反射性の画素電極と、該画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成している平坦化絶縁膜と、を有し、前記平坦化絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する層が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板用の基板本体の一方面側に画素トランジスターに対応して反射性の画素電極を形成する画素電極形成工程と、該画素電極の表面側に、少なくとも前記画素電極に接する層がリンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程と、を有していることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、反射性の画素電極の上層側（基板本体が位置する側とは反対側）に設けられた平坦化絶縁膜において、少なくとも画素電極上に積層された層が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなる。かかるドープトシリコン酸化膜の熱膨張係数（２〜４×１０-6／℃）は、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）等に比して、画素電極を構成するアルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）や他の金属材料の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜を成膜しても、画素電極および平坦化絶縁膜に大きな熱応力が発生しないので、画素電極の表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。従って、ヒロック等の欠陥が原因で画素電極表面の平滑度が低下して画素電極の反射率が低下するのを回避することができる。また、ドープトシリコン酸化膜は、段差被覆性に優れているため、画素電極の表面にコンタクトホールに起因する凹部が形成されている場合でも、ドープトシリコン酸化膜において凹部を埋める部分に空洞が発生しにくい。それ故、空洞が平坦化絶縁膜表面で露出することが原因で、液晶の配向が乱れて表示画像のコントラストが低下する等の発生を防止することができる。
【００１１】
本発明において、前記平坦化絶縁膜は、厚さ方向の全体がドープトシリコン酸化膜からなる構成を採用することができる。
【００１２】
本発明において、前記平坦化絶縁膜（ドープトシリコン酸化膜）の表面には、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜が積層されていることが好ましい。ドープトシリコン酸化膜は、画素電極でのヒロックの発生防止や空洞の発生防止という点では優れているが、水分を吸着しやすい。このため、ドープトシリコン酸化膜に吸着した水分が、配向膜を通じて液晶層に混入してしまい、表示不良を引き起こす等の可能性がある。しかるに、平坦化絶縁膜（ドープトシリコン酸化膜）の表面にノンドープシリコン酸化膜を積層すれば、かかる水分の液晶層への混入等を防止できるという利点がある。
【００１３】
本発明において、前記平坦化絶縁膜は、前記画素電極に接する第１絶縁膜と、該第１絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第２絶縁膜と、を備え、前記第１絶縁膜は、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜であって、当該第１絶縁膜の表面には、前記基板本体が位置する側の凹凸に起因する凹凸が形成され、前記第２絶縁膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜であって、当該第２絶縁膜は、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成していることが好ましい。ドープトシリコン酸化膜は、画素電極でのヒロックの発生防止や空洞の発生防止という点では優れているが、水分を吸着しやすい。このため、ドープトシリコン酸化膜に吸着した水分が、配向膜を通じて液晶層に混入してしまい、表示不良を引き起こす等の可能性がある。しかるに、平坦化絶縁膜（ドープトシリコン酸化膜）の表面にノンドープシリコン酸化膜を積層すれば、かかる水分の液晶層への混入を防止できる等の利点がある。また、ドープトシリコン酸化膜の表面を研磨して平坦化すると、研磨装置がリンやボロンで汚染されてしまい、その後の研磨工程に支障が発生するが、ノンドープシリコン酸化膜の表面を研磨して平坦化するのであれば、研磨装置がリンやボロンで汚染されることを防止することができる。
【００１４】
本発明において電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記素子基板の一方面側に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、が設けられ、前記素子基板の最表面には配向膜が設けられることになる。
【００１５】
本発明において、前記配向膜は無機配向膜であることが好ましい。かかる構成によれば、有機配向膜と違ってラビング処理を行う必要がないので、ラビング処理に起因するコストの増大や配向特性のばらつき等が発生しない。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置が液晶装置であって、かかる液晶装置をライトバルブとして用いる投射型表示装置では、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の画素の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置（反射型液晶装置）を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターとして用いた電界効果型トランジスターは、流れる電流の方向が反転するに伴ってソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板の構成を説明するにあたって、素子基板の基板本体が位置する側を下層側とし、素子基板の基板本体が位置する側とは反対側を上層側として説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、反射型の液晶装置であり、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの反射型の液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２３】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画素領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２４】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面側において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に対応して設けられた画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。なお、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を揃え、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２５】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００２６】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部１０９が形成されている。かかる基板間導通部１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび後述する基板間導通用電極を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通部１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２７】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性導電膜により形成してある。このため、本形態の電気光学装置１００では、対向基板２０側から入射した光は、素子基板１０側で反射して対向基板２０側から出射される間に変調されて画像を表示する。
【００２８】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２９】
以下、本形態の電気光学装置１００では、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いれられ、液晶パネル１００ｐがＶＡモード用に構成されている場合を中心に説明する。
【００３０】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３２】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３３】
素子基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００３４】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００３５】
下電極層４ａの上層側には、シリコン窒化膜等からなる誘電体層４２が形成されている。誘電体層４２の上層側には、誘電体層４２を介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（上電極層）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２および下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２および容量線５ｂ（上電極層）は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。このため、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。
【００３６】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００３７】
（画素電極９ａや平坦化絶縁膜等の構成）
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、アルミニウム膜等の反射性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。なお、第３層間絶縁膜４４の表面には、図２（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図３には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された反射性導電膜からなる。
【００３８】
本形態において、画素電極９ａとしては、アルミニウム膜の単層膜、チタン窒化膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜、チタン膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜等が用いられている。かかる画素電極９ａのうち、アルミニウム膜の下層側にチタン窒化膜やチタン膜を形成すれば、画素電極９ａの下面側での反射を防止でき、迷光の発生を防止できるという利点や、アルミニウム膜表面が平滑となり、アルミニウム膜の反射率が向上するという利点がある。
【００３９】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間には、平坦化絶縁膜１７が形成されている。かかる平坦化絶縁膜１７は、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆを埋めている。また、平坦化絶縁膜１７の表面は平坦面になっており、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成している。このため、平坦面上に斜方蒸着を行って配向膜１６を形成することができるので、配向膜１６を構成する斜方蒸着膜を好適に形成することができる。
【００４０】
本形態では、平坦化絶縁膜１７として、リンがドープされたリンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンがドープされたボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、ボロンおよびリンがドープされたボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜１７０からなる。かかるドープトシリコン酸化膜１７０は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜）に比して、画素電極９ａを構成する材料との熱膨張係数の差が小さい。
【００４１】
すなわち、画素電極９ａを構成する材料の熱膨張係数は以下のレベル
アルミニウム膜の熱膨張係数＝２３．１×１０-6／℃
チタン窒化膜の熱膨張係数＝９．３×１０-6／℃
チタン膜の熱膨張係数＝１１．０×１０-6／℃
である。これに対して、ドープトシリコン酸化膜１７０およびノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数は以下のレベル
ドープトシリコン酸化膜１７０＝２〜４×１０-6／℃
ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数＝０．５×１０-6／℃
である。
【００４２】
（対向基板２０等の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜２７が形成されている。保護膜２７は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜２６が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４３】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４４】
（電気光学装置１００の製造方法）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。本形態の電気光学装置１００を製造するにあたって、素子基板１０の製造方法では、図４（ａ）に示すように、画素トランジスター３０、保持容量５５、データ線６ａ、第３層間絶縁膜４４等を形成した後、第３層間絶縁膜４４にコンタクトホール７ｄを形成する。
【００４５】
次に、第３層間絶縁膜４４の上層に画素電極９ａを形成するための導電膜を形成した後、導電膜をパターニングし、図４（ｂ）に示すように、画素電極９ａを形成する（画素電極形成工程）。
【００４６】
次に、図４（ｃ）に示すように、画素電極９ａの表面側に常圧ＣＶＤ法等によりドープトシリコン酸化膜１７０からなる絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）を厚く形成する（絶縁膜形成工程）。その結果、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆは、平坦化絶縁膜１７によって埋められる。かかるドープトシリコン酸化膜１７０を形成する際の成膜温度は、例えば、３５０〜４５０℃である。また、平坦化絶縁膜１７（ドープトシリコン酸化膜１７０）として、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｏ3等であり、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、Ｏ3等であり、ボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｏ3等である。
【００４７】
次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）の表面を研磨し、その表面を平坦化する。その際、画素電極９ａの表面が露出しない程度に絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）を残す。その結果、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成することになる。かかる平坦化工程では、化学機械研磨を利用でき、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。
【００４８】
このようにして平坦化絶縁膜１７を形成した後は、外部接続端子（図示せず）等を形成した後、平坦化絶縁膜１７の表面に斜方蒸着を行い、図３に示すように配向膜１６を形成する。
【００４９】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、少なくとも画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。より具体的には、本形態においては、反射性の画素電極９ａの上層側には、厚さ方向の全体がドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７が設けられており、ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数（２〜４×１０-6／℃）は、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数（０．５×１０-6／℃）等に比して、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数（２３．１×１０-6／℃）との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。従って、ヒロック等の欠陥が原因で画素電極９ａの表面の平滑度が低下して画素電極９ａの反射率が低下するのを回避することができる。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れているため、画素電極９ａの表面にコンタクトホール７ｄに起因する凹部９ｆが形成されている場合でも、ドープトシリコン酸化膜１７０において凹部９ｆを埋める部分に空洞が発生しにくい。それ故、空洞が平坦化絶縁膜１７の表面で露出することが原因で画素電極９ａ上の液晶の配向が乱れて表示画像のコントラストが低下するのを防止することができる。
【００５０】
また、本形態では、配向膜１６、２６が無機配向膜であるため、有機配向膜と違ってラビング処理を行う必要がない。それ故、ラビング処理に起因するコストの増大や配向特性のばらつき等が発生しない。
【００５１】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。図６は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５２】
図５に示すように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、画素電極９ａとしては、アルミニウム膜の単層膜、チタン窒化膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜、チタン膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜等が用いられている。
【００５３】
また、画素電極９ａの表面には、実施の形態１と同様、リンドープトシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜）、ボロンドープトシリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）、あるいはボロン・リンドープトシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）等のドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７が形成されている。
【００５４】
本形態では、平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が積層されており、かかる保護膜１８の上層に配向膜１６（無機配向膜／斜方蒸着膜）が積層されている。かかる構成によれば、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成しているため、保護膜１８の表面は研磨処理を行わなくても平坦面になっている。このため、平坦面上に斜方蒸着を行って配向膜１６を形成することができるので、配向膜１６を構成する斜方蒸着膜を好適に形成することができる。
【００５５】
かかる構成の電気光学装置１００を製造するには、実施の形態１で説明した方法により、図６（ａ）に示すように、ドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７を形成した後、図６（ｂ）に示すように、平坦化絶縁膜１７の表面に減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等によりノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８を形成する。かかる保護膜１８（ノンドープシリコン酸化膜）を形成する際に減圧ＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば、６５０〜７５０℃であり、使用する原料ガスは、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4等である。また、保護膜１８（ノンドープシリコン酸化膜）を形成する際にプラズマＣＶＤ法を採用する場合、成膜温度は、例えば、２５０〜４５０℃であり、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ等である。しかる後は、保護膜１８の表面に斜方蒸着を行い、図３に示すように配向膜１６を形成する。
【００５６】
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、少なくとも画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。より具体的には、本形態においては、反射性の画素電極９ａの上層側には、厚さ方向の全体がドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７が設けられており、ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、ノンドープシリコン酸化膜の熱膨張係数等に比して、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５７】
また、本形態では、ドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が形成されているため、電気光学装置１００の信頼性が高い。すなわち、ドープトシリコン酸化膜１７０は、画素電極９ａでのヒロックの発生防止や空洞の発生防止という点では優れているが、水分を吸着しやすい。このため、ドープトシリコン酸化膜１７０から水分が放出されると、かかる水分が液晶層５０に侵入する可能性があるが、平坦化絶縁膜１４７（ドープトシリコン酸化膜１７０）の表面にノンドープシリコン酸化膜（保護膜１８）を積層すれば、かかる水分の液晶層５０への侵入をノンドープシリコン酸化膜（保護膜１８）によって防止できるという利点がある。
【００５８】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の画素の断面図である。図８は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５９】
図７に示すように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０でも、実施の形態１と同様、画素電極９ａとしては、アルミニウム膜の単層膜、チタン窒化膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜、チタン膜（下層側）およびアルミニウム膜（上層側）が積層された積層膜等が用いられている。
【００６０】
また、画素電極９ａの表面には、実施の形態１と同様、平坦化絶縁膜１７が形成されており、かかる平坦化絶縁膜１７の上層に配向膜１６（無機配向膜／斜方蒸着膜）が積層されている。このため、平坦面上に斜方蒸着を行って配向膜１６を形成することができるので、配向膜１６を構成する斜方蒸着膜を好適に形成することができる。
【００６１】
ここで、平坦化絶縁膜１７は、画素電極９ａ上に積層された第１絶縁膜１７ａと、第１絶縁膜１７ａ上に積層された第２絶縁膜１７ｂとを備えている。本形態において、第１絶縁膜１７ａは、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜１７０であって、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆを概ね埋めている。また、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜１７０）の表面には、下層側の凹凸に起因する凹凸が形成されている。これに対して、第２絶縁膜１７ｂは、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜１７１であって、第２絶縁膜１７ｂは、画素電極９ａに重なる部分の表面と、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成している。
【００６２】
かかる構成の電気光学装置１００を製造するには、第３層間絶縁膜４４の上層に画素電極９ａを形成するための導電膜を形成した後、導電膜をパターニングし、図８（ａ）に示すように、画素電極９ａを形成する（画素電極形成工程）。
【００６３】
次に、図８（ｂ）、（ｃ）に示す絶縁膜形成工程を行い、第１絶縁膜１７ａ（ドープトシリコン酸化膜１７０）と第２絶縁膜１７ｂ（ノンドープシリコン酸化膜１７１）とが積層された絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）を形成する。より具体的には、図８（ｂ）に示すように、画素電極９ａの表面側に常圧ＣＶＤ法等によりドープトシリコン酸化膜１７０（第１絶縁膜１７ａ）を厚く形成する（第１絶縁膜形成工程）。その結果、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部９ｅや、画素電極９ａにおいてコンタクトホール７ｄに起因して形成された凹部９ｆは、ドープトシリコン酸化膜１７０によって埋められる。但し、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面には、下層側の凹凸（凹部９ｅ、９ｆ）に起因する凹凸が形成されている。次に、図８（ｃ）に示すように、ドープトシリコン酸化膜１７０の上層に、減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等によりノンドープシリコン酸化膜１７１（第２絶縁膜１７ｂ）を厚く積層する（第２絶縁膜形成工程）。その結果、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面に形成されている凹部がノンドープシリコン酸化膜１７１により埋められる。
【００６４】
次に、図８（ｄ）に示すように、化学機械研磨により、ドープトシリコン酸化膜１７０とノンドープシリコン酸化膜１７１とが積層された絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）の表面を研磨し、ノンドープシリコン酸化膜１７１の表面を平坦化する。その際、画素電極９ａの表面が露出しない程度に絶縁膜（平坦化絶縁膜１７）を残す。その結果、平坦化絶縁膜１７では、隣り合う画素電極９ａの間に形成されている部分の表面と、画素電極９ａと重なる部分の表面とは連続した平坦面を形成することになる。
【００６５】
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、少なくとも画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。より具体的には、本形態においては、平坦化絶縁膜１７がドープトシリコン酸化膜１７０とノンドープシリコン酸化膜１７１とが積層された構造になっているが、反射性の画素電極９ａの上層側に積層されているのは、ドープトシリコン酸化膜１７０であり、かかるドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、ノンドープシリコン酸化膜１７１の熱膨張係数等に比して、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６６】
また、本形態では、ドープトシリコン酸化膜１７０からなる平坦化絶縁膜１７の上層にノンドープシリコン酸化膜からなる保護膜１８が形成されているため、ドープトシリコン酸化膜１７０から液晶層５０に水分が放出されるのをノンドープシリコン酸化膜１７１によって防止することができる。
【００６７】
また、本形態では、ノンドープシリコン酸化膜１７１の表面を研磨するが、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面は研磨しない。このため、研磨装置がリンやボロンで汚染されることを防止することができる。
【００６８】
［実施の形態３の変形例］
上記実施の形態３では、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面については研磨せずに、ノンドープシリコン酸化膜１７１の表面のみを研磨したが、ドープトシリコン酸化膜１７０の表面、およびノンドープシリコン酸化膜１７１の表面の双方を研磨してもよい。かかる構成でも、平坦化絶縁膜１７がドープトシリコン酸化膜１７０とノンドープシリコン酸化膜１７１とが積層された構造になっているが、反射性の画素電極９ａの上層側に積層されているのは、ドープトシリコン酸化膜１７０である。
【００６９】
［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００の素子基板１０として、反射型の液晶装置の素子基板１０に本発明を適用したが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置やプラズマ表示装置等、他の電気光学装置の素子基板に本発明を適用してもよい。
【００７０】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図９は、本発明を適用した電気光学装置１００（反射型液晶装置）を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００７１】
図９に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【００７２】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の電気光学装置１００（反射型の液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの電気光学装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【００７３】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【００７４】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００７５】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
９ａ・・画素電極、９ｅ、９ｆ・・凹部、１０・・素子基板、１６・・配向膜、１７・・平坦化絶縁膜、１７ａ・・第１絶縁膜、１７ｂ・・第２絶縁膜、１８・・保護膜、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、１７０・・ドープトシリコン酸化膜、１７１・・ノンドープシリコン酸化膜、１０００・・投射型表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板用の基板本体の一方面側に設けられた複数の画素トランジスターと、
前記素子基板の一方面側に前記画素トランジスターに対応して設けられた複数の反射性の画素電極と、
該画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成している平坦化絶縁膜と、
を有し、
前記平坦化絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する層が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記平坦化絶縁膜は、厚さ方向の全体がドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記平坦化絶縁膜の表面には、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜が積層されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記平坦化絶縁膜は、前記画素電極に接する第１絶縁膜と、該第１絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第２絶縁膜と、を備え、
前記第１絶縁膜は、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜であって、当該第１絶縁膜の表面には、前記基板本体が位置する側の凹凸に起因する凹凸が形成され、
前記第２絶縁膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜であって、当該第２絶縁膜は、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記基板本体の一方面側に対向配置された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
を有し、
前記素子基板の最表面には配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記配向膜は無機配向膜であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項８】
素子基板用の基板本体の一方面側に画素トランジスターに対応して反射性の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
該画素電極の表面側に、少なくとも前記画素電極に接する層がリンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
該絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
素子基板用の基板本体の一方面側に設けられた複数の画素トランジスターと、
前記素子基板の一方面側に前記画素トランジスターに対応して設けられた複数の反射性の画素電極と、
該画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成している平坦化絶縁膜と、
を有し、
前記平坦化絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する層が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記平坦化絶縁膜は、厚さ方向の全体がドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記平坦化絶縁膜の表面には、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜が積層されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記平坦化絶縁膜は、前記画素電極に接する第１絶縁膜と、該第１絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第２絶縁膜と、を備え、
前記第１絶縁膜は、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜であって、当該第１絶縁膜の表面には、前記基板本体が位置する側の凹凸に起因する凹凸が形成され、
前記第２絶縁膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜であって、当該第２絶縁膜は、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記基板本体の一方面側に対向配置された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
を有し、
前記素子基板の最表面には配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記配向膜は無機配向膜であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項８】
素子基板用の基板本体の一方面側に画素トランジスターに対応して反射性の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
該画素電極の表面側に、少なくとも前記画素電極に接する層がリンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
該絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−１０３３８６（Ｐ２０１２−１０３３８６Ａ）
【公開日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２５０５４９（Ｐ２０１０−２５０５４９）
【出願日】平成２２年１１月９日（２０１０．１１．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月９日（２０１０．１１．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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