【課題】極性反転駆動を行う際、極性反転に伴って、画素電極に導通する保持容量を切り換えることのできる電気光学装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間では、第１保持容量８０ａが画素電極９ａに導通状態となるので、第１電極８１、第１誘電体層８６（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ₂）、第２誘電体層８７（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第２電極８２に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間では、第２保持容量８０ｂが画素電極９ａに導通状態となるので、第４電極８４、第４誘電体層８９（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ₂）、第３誘電体層８８（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第３電極８３に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。 （もっと読む）

【課題】高い動作信頼性を有する表示素子を提供する。
【解決手段】この液晶表示素子は、透明基板と、その一方の面に形成された透明電極とを有する透明電極基板と、液晶層と、液晶層を挟んで透明電極と対向する領域に位置する複数の画素電極、およびそれ以外の領域に位置する第１の導電膜を含む第１の層と、第１の導電膜と重複する領域に位置する第２の導電膜を含む第２の層とを順に有する画素電極基板とを備える。ここで、第１および第２の導電膜の少なくとも一方が電気的に孤立している。 （もっと読む）

【課題】単極性のＴＦＴを用いて構成するデジタル型式の表示装置において、消費電流を低減することの出来る回路を提供する。
【解決手段】デジタル映像信号の保持を行うラッチ回路であって、ＴＦＴ１０１の入力電極にデジタル映像信号が入力されると、ＴＦＴ１０１の出力電極からは非反転出力信号が出力され、ＴＦＴ１０２およびＴＦＴ１０３の出力電極からは反転出力信号が出力されるラッチ回路を提供する。出力を非反転、反転の２系統得られるため、後段のバッファを駆動する際に、電源間の直流パスが生ずる期間を短くすることが出来、消費電流の低減に寄与する。 （もっと読む）

【課題】光の干渉による色ムラや表示ムラが低減され、明るい表示品質が得られる液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置は、素子基板１０と、素子基板１０と対向配置された透光性の対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、素子基板１０の液晶層５０側に形成された光反射性の複数の画素電極１５と、対向基板２０の液晶層５０側に形成された導電性の第１透光性膜２２ａと、第１透光性膜２２ａの液晶層５０側に形成され、第１透光性膜２２ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜２２ｂと、第２透光性膜２２ｂの液晶層５０側に形成され、第２透光性膜２２ｂよりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜２２ｃと、を備え、複数の画素電極１５を有する画素領域における液晶層５０の厚みｄが、所定の値ｄ₀に対して±１０％以内となっている。 （もっと読む）

【課題】１画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の副画素、第２の副画素及び第３の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第１の容量配線と、第２の容量配線と、第３の容量配線とを設け、第１の副画
素〜第３の副画素にそれぞれ、第１の容量素子〜第３の容量素子の一方の電極及び第１の
容量配線〜第３の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第１の容量配線及び第
２の容量配線の電位を変化させ、第３の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
。 （もっと読む）

【課題】反射部を構成する溝の構造を改良して、入射した光をより効率よく画素電極に向かわせることのできる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、第２基板２０の基板本体２０ｗ（透光性基板）には、隣り合う画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に向けて開口する第１溝２６０が形成されている。また、基板本体２０ｗの一方面２０ｓおよび第１溝２６０の側面２６１、２６２には透光膜２５が形成されており、かかる透光膜２５によって、第１溝２６０と平面視で重なる領域には、第１溝２６０より深くて第１溝２６０より幅が狭い第２溝２６５が形成されている。このため、第２溝２６５の側面２６６、２６７を反射面として利用し、画素間領域１０ｆに向かおうとする光を画素電極９ａに向かわせる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ等の酸化物半導体膜からなる薄膜半導体装置において、無酸素雰囲気中で加熱しても酸素が酸化物半導体膜に拡散してＴＦＴ特性を発現する薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】薄膜半導体装置は、ガラスの基板２０、ゲート電極２３Ｇ，ゲート絶縁膜２１、ソース電極２３Ｓ、ドレイン電極２３Ｄ、ＩＧＺＯの酸化物半導体膜２４、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）の酸素放出絶縁膜２５、保護膜２２からなる。薄膜半導体装置は、蛍光表示装置等の薄膜形成時における加熱工程、焼成工程、封着工程において加熱すると、酸素が酸素放出絶縁膜２５から放出されて酸化物半導体膜２４に拡散してＴＦＴ特性を発現する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法による窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第１のトランジスタ〜第４のトランジスタと、第１の配線〜第
４の配線を有する。第１の配線には電源電位ＶＤＤが供給され、第２の配線には電源電位
ＶＳＳが供給されている。第３の配線、第４の配線には２値の値を持つデジタル信号が供
給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位ＶＤＤと同電位となり、低
レベルのときには電源電位ＶＳＳと同電位である。第３の配線と第４の配線の電位の組み
合わせは４とおりあるが、第１のトランジスタ〜第４トランジスタは、いずれかの電位の
組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジス
タがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】画素電極の間隙からの光が駆動基板内部に到達しないようにすることにより、確実に光リークを低減する。
【解決手段】液晶表示装置１００は、駆動基板５上に形成されている複数の画素電極１１の下層に配置された層間絶縁膜１５における、隣接する画素電極１１の隙間の下方の位置に、その隙間よりも広い幅の遮光埋め込み層２８が形成されている。遮光埋め込み層２８は、隣接する画素電極１１の隙間から入射しようとする光Ｂを遮光し、層間絶縁膜１５への入射を阻止するため、駆動基板５に形成されている画素回路へ光が入射することはなく、よって光リーク不良を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】より小型化、低コスト化した液晶表示素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板１とガラス基板２は回路基板３上の電極パッド１４、電極パッド１５と導通をとるため、液晶１１を介し、均一な位置関係でシール材９により貼り合わせて液晶表示素子を構成している。前記シリコン基板１に形成された画素電極１２は貫通電極４を介して、導電性材料１６（例えば金ペースト、はんだ等）によって回路基板３の電極パッド１４と電気的に接続される。また、ガラス基板２に形成された対向電極６は、これと対向する位置に配置された前記シリコン基板１上の貫通電極８と導電性樹脂７を介して接続され、貫通電極８の下面側において導電性材料１６（例えば金ペースト、はんだ等）を介して回路基板３の電極パッド１５と接続されている。前記画素電極１２と前記対向電極６とはそれぞれ異なった電位が供給される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金層と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに半導体層との密着性に優れており、且つ電気抵抗率が低減された配線構造を提供すること。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記Ｃｕ合金層は、基板側から順に、合金成分としてＭｎと、Ｘ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、ＳｎおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種）を含有する第一層と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層、とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ソースフォロワ出力の線形領域を従来より拡大する。
【解決手段】画素１０内のソースフォロワ用ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１３及びＴｒ１４は、ゲートが保持容量Ｃs1、Ｃs2に接続されて常にオン状態で使用されるため、ソースフォロワ用ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１３及びＴｒ１４の閾値電圧Ｖthのみが＋０.５Ｖに設定され、ノーマリーオン状態とされる。ソースフォロワ用ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１３及びＴｒ１４の電流値は定電流負荷トランジスタＴｒ７で制御し、オンオフは定電流負荷トランジスタＴｒ７とスイッチング用ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５、Ｔｒ６で制御する。また、トランジスタＴｒ５、Ｔｒ６が介在し出力可能の電圧範囲が存在するため、ソースフォロワ用ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１３及びＴｒ１４の閾値電圧Ｖthのシフトによって線形性を保つ領域が最大になるように最適化する。 （もっと読む）

【課題】レイアウトの自由度を高め、基板上の熱源による表示品質の低下を防止できるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】走査線２２、データ線２４及び画素２６を含む画素回路と、半導体基板の一辺に沿って形成された複数のパッドを含む入力パッド部３０と、高速シリアルインターフェース回路４０と、高速シリアルインターフェース回路からの出力に基づいて階調データを生成するロジック回路５０と、階調データに基づいて複数のデータ線を駆動するデータ線駆動回路６０と、制御信号に基づいて走査線を駆動する走査線駆動回路７０とを有し、半導体基板の一辺と画素回路との間で、該一辺側から順に、入力パッド部、高速シリアルインターフェース回路及びロジック回路が配置され、ロジック回路と画素回路との間に、データ線駆動回路及び走査線駆動回路の一方が配置される。 （もっと読む）

【課題】 遮光だけでは抑制できない、入射してしまう光により生じる電子（ホール）による影響を抑制する。
【解決手段】 トランジスタのドレイン領域３４よりも、多数キャリアに対して、ドレイン領域における電圧とＱ（単位電荷量）との積の基準値よりも低いポテンシャルとされる領域３６を設けるか、もしくはドレイン領域の周りにポテンシャル障壁を設ける。かかる構成により、フローティングとなる反射電極３０と接続されたドレイン領域３４の回りのポテンシャル制御を行い、半導体基板内に発生した光キャリアがドレイン領域３４に導かれにくくする。 （もっと読む）

【課題】表示に寄与する画素とダミー画素との境界での表示上の不具合を抑える。
【解決手段】マトリクス状に配列する表示画素１１０ａに対して、ダミー画素１１０ｂは、平面視で表示画素１１０ａを囲むように配列する。駆動回路は、表示画素１１０ａの画素電極の各々に対して、フレームを単位として繰り返し供給された映像データであって、かつ、表示画素１１０ａの各々にそれぞれ対応した映像データで指定された階調レベルに応じた電圧をそれぞれ印加する。一方、ダミー画素１１０ｂの画素電極の各々に対しては、隣り合う表示画素１１０ａについて１フレーム前の映像データで指定された階調レベルに応じた電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）