【課題】酸化物半導体層の還元および酸素欠陥による劣化を防止でき、これにより長期に安定した特性を維持可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】非晶質酸化物からなる酸化物半導体層７と、この酸化物半導体層７に接して設けられたソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄとを備えている。そして特に、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが、イリジウム（Ｉｒ）または酸化イリジウム（ＩｒＯ₂）を用いて構成されている。また、酸化物半導体層７は、酸化物材料からなる絶縁ゲート絶縁膜５および絶縁膜１１で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトホールを有するゲート駆動回路をアレイ基板上に形成した液晶表示装置において、カラーフィルタ基板の遮光層が溶失することを防ぎ、表示品質の低下を防止した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート線駆動回路にコンタクトホール部を有し、カラーフィルタ基板に金属材料により形成された遮光層を有する液晶表示装置において、アレイ基板上のコンタクトホール部に対向する領域において、カラーフィルタ基板の遮光層を覆って絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電容量型のタッチセンサを備えた表示装置において、シールド層を用いずに物体の検出精度を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】静電容量の変化に応じてタッチ検出電極から得られる検出信号Ｖdetに基づいて、物体の接触位置を検出する。また、検出回路８において、コモン駆動信号Ｖcomにおける極性反転前の検出信号Ｖdetを用いて、極性反転後における検出動作を行う。これにより、従来のようなシールド層を用いることなく、上記反転後ノイズの影響を取り除きつつ、極性反転後の検出動作を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】低光量領域の光照射に対してより広い不感帯領域を有する特性となる駆動方法を提供すること。
【解決手段】液晶層に、ホメオトロピック配向となるしきい値を越える電圧が印加され、この電圧の印加と同期して、感光層のインピーダンスを変化させる第１の強度の光が表示媒体に照射される。この電圧の印加が無くなると、第１の強度よりも低い第２の強度を有し、フォーカルコニック配向となるしきい値を超える残留電圧がしきい値以上の時間継続して印加されないための光が表示媒体に照射される。 （もっと読む）

【課題】液晶分子のドメインを安定的に形成することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１信号線、第２信号線は、第１絶縁基板上に形成されていて、第２信号線は、第１信号線と絶縁されて交差している。画素電極は、画素ごとに形成され、画素は、第１信号線と第２信号線が交差して定義される。薄膜トランジスタは、第１信号線、第２信号線及び画素電極と連結されている。共通電極は、第２絶縁基板において第１絶縁基板と対向している側に形成されている。液晶層は、第１絶縁基板と第２絶縁基板との間に形成されている。ドメイン規制手段は、第２絶縁基板において第１絶縁基板と対向している側と第１絶縁基板の上とのうちの少なくとも一方に形成されている。ドメイン規制手段は、液晶層の液晶分子を画素の領域において複数のドメインに分割する。ドメイン規制手段は、節目を有する。節目は、凹部及び凸部の少なくとも一方である。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増加やソフトの複雑化を行うことなく、指等の指示手段の位置を精度良く特定することができる液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】任意の個数の画素部７２毎に配置され、光強度を検出する複数の光センサー部１５０ａと、光センサー部１５０ａの検出値を、当該光センサー部１５０ａに対応する画素部７２の表示階調に応じて補正する補正部１５０ｂとを備える。補正部１５０ｂは、画素部７２の蓄積容量（保持容量）Ｃｓと光センサー部１５０ａの蓄積容量Ｃｋとを一定期間接続して、蓄積容量Ｃｓの電荷に応じて蓄積容量Ｃｋを充電することで、光センサー部１５０ａの検出値を補正する。 （もっと読む）

【課題】正確にリーク電流を計測可能な表示装置、および検査装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル１は、表示領域２の外周側に設けられるゲートダミー画素１４Ｄｇおよびソースダミー画素１４Ｄｓと、これらゲートダミー画素１４Ｄｇおよびソースダミー画素１４ＤｓのダミーＴＦＴ１３Ｄｇ，１３Ｄｓに接続されて、その導通状態の切り替えるテストスイッチ線３１と、複数のゲート線Ｇのうち、互いに隣接しないゲート線Ｇに設けられるダミー画素電極１２Ｄｇに接続されて、ゲート線Ｇを２相以上に分割するテストゲート線３２と、複数のソース線Ｓのうち、互いに隣接しないソース線Ｓに設けられるダミー画素電極１２Ｄｓに接続されて、ソース線Ｓを２相以上に分割するテストソース線３３と、テストゲート線３２、テストソース線３３、および前記テストスイッチ線３１を結線するテスト共通電極線３５と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】液晶層のイオン汚染による画質劣化の抑制された表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示媒体１２によれば、液晶層１７と光吸収層１９との層間に、非水溶性樹脂から構成された非水溶性樹脂層３２が設けられている。このため、光吸収層１９側から液晶層１７側へ、または光吸収層１９の層形成のときに、イオン成分が光吸収層１９側から液晶層１７へ拡散することが抑制され、液晶層１７のイオン汚染による液晶層１７の挙動が不安定となることが抑制される。従って、液晶層１７のイオン汚染による画質劣化が抑制される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なＡｌ配線材料を用いて、生産コストの低下および生産性の向上を図ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、Ａｒガスを用いたスパッタリングによって純ＡｌまたはＡｌ合金を第１層として成膜する工程と、前記第１層の上層に、Ａｒ＋Ｎ₂混合ガスまたはＡｒ＋ＮＨ₃混合ガスを用いたスパッタリングによって、前記第１層の材料に加えて窒化アルミニウムも部分的に含む第２層を成膜する工程と、別途形成するコンタクトホールを介して透明膜電極と第１電極の前記第２層とを電気的に接続する工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、及び電子機器を提供する。また、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０を挟持してなり、スイッチング素子基板１０の液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、および電子機器を提供する。また本発明は、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０および対向基板間に液晶層を挟持してなり、スイッチング素子基板ＴＦＴの液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極２２と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２を基板の厚さ方向に揺動させ、可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】粘着テープによって基板に仮圧着された電子部品を本圧着するときに、電子部品が受ける熱影響を低減した実装装置を提供する。
【解決手段】上下方向に駆動可能に設けられＴＣＰ１３が仮圧着された側辺部を外方へ突出させて基板Ｗを保持する保持テーブル１１と、保持テーブルに保持された基板の一方の面に仮圧着されたＴＣＰを支持する支持面２０を有し、支持面が第１の温度で加熱される固定ツール１９と、固定ツールと対向する位置に上下方向に駆動可能に設けられて第１の温度よりも高い第２の温度で加熱され支持面によって支持される基板のＴＣＰが仮圧着された部分に対応する他方の面を加圧加熱して粘着テープ１２を溶融硬化させてＴＣＰを基板に本圧着する加圧面１５を有する加圧ツール１６を具備する。 （もっと読む）

【課題】導電性、透過率が高く、かつ実用上十分な優れた密着性および耐久性を有し、低温成膜が可能でアニール前後の抵抗率変化の少ない透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明基板３２の少なくとも一方の面上に、無機酸化物層２、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層１をこの順に積層した透明導電薄膜において、無機酸化物層２が、高屈折率金属酸化物層２２、低屈折率無機酸化物層２１の順に積層され、前記ＩＴＯ薄膜層が２層１１，１２からなり、高屈折率金属酸化物層２２の屈折率が１．７〜２．８、膜厚が５〜５０ｎｍであり、低屈折率無機酸化物層２１の屈折率が１．２〜１．５、膜厚が１０〜１００ｎｍであり、ＩＴＯ薄膜層１の最表面の層１１の酸化スズの含有量が、ＩＴＯ薄膜層の他の層１２の酸化スズの含有量より大きいことを特徴とする、透明導電薄膜。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

【課題】金属配線と金属酸化物を有する層を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 （もっと読む）

【課題】耐光性及び反射特性の劣化の抑制された表示媒体、及び表示装置を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に設けられ、照射された露光光の強度分布に応じた電気的特性分布を示す光導電層と、前記一対の電極間に設けられ、該一対の電極に印加された電圧による前記光導電層の電気的特性分布に応じて分布した分圧が印加され、該分圧に応じた光学的特性分布による画像の表示される表示層と、前記光導電層と前記表示層との間に、少なくとも該光導電層に接触して配置され、イオン濃度が５×１０^−５Ｃ／ｃｍ^３以上１０×１０^−５Ｃ／ｃｍ^３以下の隔離層と、を備えた表示媒体である。 （もっと読む）

【課題】低温環境下における液晶の応答速度の低下を緩和するとともに、加熱用電極への印加電圧に起因するシャッタ用電極への電気的影響を低減することが可能な液晶シャッタおよびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶シャッタＸ１は、第１基板１０と、第２基板２０と、封止部材と、第１電極４０と、第２電極５０と、接地配線６０と、を備えている。第１基板１０は透光性を有する。第２基板２０は、透光性を有し、且つ、第１基板１０に対向配置される。封止部材は、第１基板１０と第２基板２０との間に液晶を封止するためのものである。第１電極４０は、第１基板１０上に位置する第１電極部４１と、第１基板１０あるいは第２基板２０上に位置する第２電極部４２とを有し、液晶ＬＣに電圧を印加するためのものである。第２電極５０は、第１基板１０上に位置し、液晶ＬＣに熱を供給するためのものである。接地配線６０は、第１電極４０の第１電極部４１と第２電極５０との間に位置している。 （もっと読む）

【課題】プリンティング工程に発生する不良を防止する表示装置の製造方法が提供される。
【解決手段】表示装置の製造方法は画素領域及び前記画素領域周囲に形成されるパッド領域が定義される基板を提供する段階；前記基板上に導電層を形成する段階；前記導電層上にローラをローリングしてマスクパターンを形成する段階；及び前記マスクパターン使用して、前記導電層をパターニングして、前記画素領域に配線及び前記パッド領域にパッドを形成する段階とを含んで、前記パッドは前記配線の第１幅に対応する第２幅を有するパターンとなる。 （もっと読む）

【課題】周辺駆動回路による画素部への影響を低減させつつ、表示不良の発生を防止することができる液晶表示パネル及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】複数の画素電極と周辺駆動回路とを同一面上に有するアクティブマトリクス基板１と、これらの画素電極及び周辺駆動回路に対向する対向電極５０を一方の面の略全面に設けた対向基板２とを備え、アクティブマトリクス基板１において、周辺駆動回路のうち少なくとも画像信号線１１に画像信号を供給する水平駆動回路２１と対向基板２との間に、所定電位に接続される導電体３０を介在させた。 （もっと読む）