【課題】酸化物半導体を用いた、高信頼性で且つ低コストで製造できる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、表示装置を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタアレイ基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の水素拡散防止膜と、前記第１の水素拡散防止膜上に形成された、酸化物半導体層を有する複数の薄膜トランジスタと、を備え、前記第１の酸化物拡散防止膜が前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層とほぼ同一の組成からなる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 表示装置において、光硬化型樹脂からなるシール材の領域に重なる引き出し配線部分のシール材に充分に光照射できると共に、引き出し配線の抵抗値が比較的小さく、シール材の領域において引き出し配線の一部分が断線しても抵抗値の増加が少なく、冗長性に優れたシール材の領域における引き出し配線構造を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置１００を構成するアレイ基板１０と対向基板２０とが、光硬化型樹脂からなるシール材４０で貼り合わされ、少なくとも１種類の引き出し配線６は、シール材４０の領域において、引き出し配線６方向に平行な第１の枝配線部７ａの端部と、引き出し配線６方向に対して斜め方向の第２の枝配線部７ｂの端部とを繋げることにより構成された六角形状の配線経路８を複数並べて配置した蜂の巣構造をしている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置１０における可撓性基板９０と複数個の外部回路接続端子との間の抵抗を均一にする。
【解決手段】 電気光学装置１０は、電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板１１および対向基板１２を有する。素子基板１１には電気光学物質を駆動する回路が形成されている。素子基板１１は、各層間に絶縁層を挟んだ複数層の配線層ＷＲ_Ｌ２およびＷＲ_Ｌ１を有する。また、記素子基板１１は、同じ高さに位置する複数のＩＴＯパッド３−ｉを有する。複数のＩＴＯパッド３−ｉの各々の下部には、絶縁層を挟んで配線層ＷＲ_Ｌ２およびＷＲ_Ｌ１をのうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、絶縁層を貫通して当該ＩＴＯパッドを当該配線層ＷＲ_Ｌ２またはＷＲ_Ｌ１に電気的に接続する複数のコンタクトホールＣＨ_Ｌ２またはＣＨ_Ｌ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】上部遮光膜を備えなくともチャネル形成領域を遮光することができる表示層装置。
【解決手段】チャネル形成領域上にシリコンを含むゲート絶縁膜１０３を有し、ゲート絶縁膜を介して、チャネル形成領域上にゲート電極１０４と、容量配線とを有し、その上にシリコンを含む第２絶縁膜１０６を有し、第２絶縁膜上に、Ａｌを含む第２配線を有し、その上に酸化シリコンを有する第３絶縁膜を有し、第３絶縁膜上に、Ａｌを含む第３配線を有する表示装置であって、第２配線及び第３配線はチャネル形成領域を遮光することができる。 （もっと読む）

【課題】シール材に沿って延在させた周辺電極において、イオン性不純物が表示品位に影響を与えやすい領域に対して周辺電極のイオン性不純物に対するトラップ能力を高めた液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。周辺電極８ａにおいて、シール材１０７の液晶注入口１０７ａに設けた封止材１０５と対向する第１部分８ａ1の電極幅寸法Ｗbを他の部分の電極幅寸法Ｗaより大に設定してある。 （もっと読む）

【課題】基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、基板の主表面を被覆する被覆層にエッチング液を供給して被覆層を加工する装置である。エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。第一給液部２１１は、被覆層の表層部分を除去可能な量のエッチング液を被覆層に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板上の場所によってばらつきのないより均一な膜のパターニング形状を得るエッチング方法およびエッチング処理装置、を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、１断目エッチング処理槽６１において、温度ｔ１を有するエッチング液を用いて、金属膜の表層を除去する工程と、金属膜の表層を除去する工程の後に、２〜４段目エッチング処理槽６２〜６４において、温度ｔ１よりも高い温度ｔ２を有するエッチング液を用いて、金属膜をパターニングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線に対する電磁遮蔽の効果を高める。
【解決手段】基板材２０の上面には、各々が他の電気部品に接続される端子Ｔを有する一対の電源配線１４ａ，１４ｂと、各々が他の電気部品に接続される端子Ｔを有する少なくとも一対の差動配線１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂとが配置されている。基板材２０の一端部において、電源配線１４ａ，１４ｂの一対の端子Ｔの両方を囲み、差動配線の一対の端子Ｔの両方を囲むように、第１のグランドパターン２１が基板材２０の上面に配置されている。上面にある電源配線１４ａ，１４ｂおよび差動配線１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂに重なるように、基板材２０の下面には第２のグランドパターン２２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置に信号を入力する端子の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
複数の走査信号線と前記走査信号線に交差する複数の映像信号線とが形成される表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに第１の端子配線を介して信号を供給する複数の端子からなる端子群と、を備える表示装置であって、前記端子は、前記第１の端子配線の端部に形成され、面状の端子表面が露出される第１部分と、前記第１部分に隣接し、前記第１部分の周りに形成される第２部分と、で構成されており、前記第２部分は、絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と同層又は前記絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と異なる導電性薄膜からなり、前記第１の端子配線と前記第１の電極との接続部から離間した位置において、前記第１の端子配線と電気的に接続される表示装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩ
Ｃの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、透明性に優れ、更にコントラスト比が高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第１の透明基板及び第２の透明基板と、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜は、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、前記導電性無機粒子の平均粒子径が、３０〜１８０ｎｍであり、前記導電性無機粒子の前記透明導電膜の全体に対する重量含有率が、７１％以上８５％未満であり、前記透明導電膜を配置した前記第１の透明基板のヘイズ値が、１．４％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定してブルー相を発現することのできる液晶表示装置を作製する。
【解決手段】液晶組成物を含む液晶層を挟持して、シール材によって第１の基板と第２の基板とを固着し、熱処理により液晶層の配向状態を等方相とし、液晶層に光を照射して、液晶層の高分子安定化処理を行うとともに、光照射中に液晶層の配向状態を等方相からブルー相へと相転移を行う。これによって、ブルー相以外の配向状態を示す欠陥（配向欠陥）を抑制した液晶表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】安定した電流駆動能力を発揮させる。
【解決手段】アレイ基板２０の製造方法は、基板上にゲート電極２４ａを形成するゲート電極形成工程と、ゲート電極２４ａ上に不純物を含有するゲート絶縁膜２４ｂ、半導体膜ＳＭ、導電膜ＣＯの順で成膜する成膜工程と、導電膜ＣＯ上にレジストＲＳを塗布し、そのレジストＲＳに対してフォトマスクを介して露光を行った後に現像を行うことでレジストＲＳをパターニングするレジストパターニング工程と、パターニングされたレジストＲＳをマスクとして導電膜ＣＯをエッチングすることで開口領域ＯＰを挟んで配されるソース電極２４ｄ及びドレイン電極２４ｅを形成する導電膜パターニング工程と、開口領域ＯＰから半導体膜ＳＭを介してゲート絶縁膜２４ｂに含有される不純物を脱離させる不純物脱離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光照射されてトランジスタの電気特性が変動した場合でも、その電気特性をほぼ光照射前の状態にする手法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタのゲート電極に、正のバイアス電圧を１０ｍｓｅｃ以上印加することにより、光照射されて変動した当該トランジスタの電気特性をほぼ光照射前の状態にすることが可能になる。なお、当該トランジスタのゲート電極に対する正のバイアス電圧印加は、当該トランジスタが受光する光量を参照して適切なタイミングで行う。これより光照射されても表示品位の低下が抑制された表示装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、ソースライン電位を安定化することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】電位設定部２は、制御信号ＰＯＬ_２がハイレベルの時には、１行分のｎ個の画素の画素値に応じた各電位を電位出力端Ｄ_１〜Ｄ_ｎから出力し、電位出力端Ｄ_ｎ＋１をハイインピーダンス状態にする。このとき、スイッチ１２は、ソースラインＳ_ｎ＋１をＶ_ｐ設定用配線５またはＶ_ｎ設定用配線６に接続させる。また、電位設定部２は、ＰＯＬ_２がローレベルの時には、１行分のｎ個の画素の画素値に応じた各電位を電位出力端Ｄ_２〜Ｄ_ｎ＋１から出力し、電位出力端Ｄ_１をハイインピーダンス状態にする。このとき、スイッチ１１は、ソースラインＳ_１をＶ_ｐ設定用配線５またはＶ_ｎ設定用配線６に接続させる。 （もっと読む）

【課題】高電圧に対する高い耐久性と信頼性を有する酸化物半導体薄膜トランジスタを提供することが可能な、新規かつ改良された酸化物半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、基板の上部に形成されて第１面積を有するゲート電極、ゲート電極をカバーするためにゲート電極の上部に形成されるゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜の上部に形成されて第１面積より狭い第２面積を有する活性層、活性層のソース領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるソース電極、活性層のドレーン領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるドレーン電極及び活性層、ソース電極及びドレーン電極をカバーする保護膜を含む。従って、酸化物半導体薄膜トランジスタは高電圧に対する高耐久性及び信頼性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを用いて、高速動作が可能で、信頼性も高い半導体装置を歩留まりよく作製する。
【解決手段】絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを微細化する。微細化されたマスクを用いて凸部を有する絶縁層を形成し、これを用いて、微細なチャネル長（Ｌ）を有するトランジスタを形成する。また、トランジスタを作製する際に、微細化された凸部の上面と重なるゲート絶縁膜の表面に平坦化処理を行う。これにより、トランジスタの高速化を達成しつつ、信頼性を向上させることが可能となる。また、絶縁膜を凸部を有する形状とすることで、自己整合的にソース電極及びドレイン電極を形成することができ、製造工程の簡略化、また生産性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）