半導体装置
【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバI
Cの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第1のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第2のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第1のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第2のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。
Cの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第1のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第2のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第1のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第2のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1のトランジスタと、第1のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第5の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第8の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第7の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
第1のトランジスタと、第1のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第5の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第7の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第7の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2において、
第8のトランジスタを有し、
前記第8のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第8のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第8のトランジスタのゲートは、前記第7の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第3の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第3の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第3の配線と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項4若しくは請求項5に記載の表示装置、又は請求項6に記載の液晶表示装置と、FPCと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項8】
請求項7に記載の表示モジュールと、操作スイッチと、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項1】
第1のトランジスタと、第1のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第5の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第8の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第7の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
第1のトランジスタと、第1のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第5の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第7の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第7の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2において、
第8のトランジスタを有し、
前記第8のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第8のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第8のトランジスタのゲートは、前記第7の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第3の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第3の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第3の配線と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項4若しくは請求項5に記載の表示装置、又は請求項6に記載の液晶表示装置と、FPCと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項8】
請求項7に記載の表示モジュールと、操作スイッチと、を有することを特徴とする電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
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【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【公開番号】特開2012−168536(P2012−168536A)
【公開日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−29166(P2012−29166)
【出願日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【分割の表示】特願2011−241436(P2011−241436)の分割
【原出願日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【分割の表示】特願2011−241436(P2011−241436)の分割
【原出願日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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