【課題】特に２次元状に配された光センサを有してなる光センサ装置において、ＴＦＴの経時劣化や温度変化による影響を良好に補正できる光センサ装置及びそれを備える表示装置を提供すること。
【解決手段】ＴＦＴセンサＴ０、Ｔ１を２次元状に配置し、センサドライバ２０により分割エリア１１毎にＴＦＴセンサＴ０、Ｔ１の対を選択してＴＦＴセンサＴ１からのドレイン電流の取り込みを行う。ＴＦＴセンサＴ１からドレイン電流を取り込む際には、このＴＦＴセンサＴ１の各電極の電圧とこのＴＦＴセンサＴ１と対をなすＴＦＴセンサＴ０の各電極の電圧とを等電圧とした状態で取り込みを行うことにより、ＴＦＴセンサＴ１の経時劣化や温度変化による影響を補正する。 （もっと読む）

【課題】基板側から順に、Ａｌ合金膜と、当該Ａｌ合金膜と直接接続する薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、を有し、ＴｉやＭｏなどの高融点金属を省略してＡｌ合金膜を酸化物半導体層と直接接続しても低コンタクト抵抗を実現できる新規な表示装置用Ａｌ合金膜を有する配線構造を提供する。
【解決手段】上記配線構造において、半導体層は酸化物半導体からなり、Ａｌ合金膜は、Ｎｉおよび／またはＣｏを含むものである。 （もっと読む）

【課題】太陽光に晒される環境下においても使用できる耐光性を有する光書込型表示媒体及び光書込型表示装置を提供する。
【解決手段】光書込型表示媒体１００は、光透過性を有する一対の電極２，８と、書込光照射側から順に下部電荷発生層３Ｃ／電荷輸送層３Ｂ／上部電荷発生層３Ａの３層構造を有する光スイッチング層３と、メモリ性を有する表示層７とを備え、電荷輸送層３Ｂは、電荷輸送材料として下記一般式で示される化合物を含む。
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【課題】複数のコレステリック液晶層を一対の電極間に挟み、各電極に電圧が印加されると個々のコレステリック液晶層が独立に駆動する液晶表示素子において、各液晶層間における配向状態を変化させる電圧の各々のしきい値の差を拡げて、独立駆動を容易にすることにある。
【解決手段】
本発明の表示媒体は、積層液晶層３００を有し、液晶層２５０Ｇが液晶層２５０Ｂよりも、配向状態が変化する各しきい値が低いものとし、さらに等方相転移温度Ｔｃｉが低くなるように、液晶層２５０Ｂ、２５０Ｇを形成することにより、各液晶層間における配向状態を変化させる電圧の各々のしきい値の差を拡げて、独立駆動が容易になる。 （もっと読む）

【課題】配向膜の膜厚不良部の存在によって液晶の制御性が失われる領域が拡大するのを防止した液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造システム、および、液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】２枚の基板に液晶層が挟持された液晶表示装置を製造する方法において、液晶層を配向させる配向膜を２枚の基板の少なくとも一方に塗布する工程と、配向膜の膜厚不良部を検査する工程と、膜厚不良部の存在する位置に対応する画素において、液晶を駆動するための電界が印加されにくくなるように処理を施す工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置と光センサとを備えた電気光学装置において、回路規模の増大や開
口率の低下を招くことなく、外光および表示すべき映像が暗くても、画面と指示物との接
触や近接を検出可能とする。
【解決手段】電気光学装置５００は、液晶素子ＬＣとこれを照らすバックライト２とを有
し、バックライト２から発して液晶素子ＬＣを透過した光を画面から出射させて画面に画
像を表示する液晶表示装置と、液晶表示装置の画面から入射した光を受光し、受光した光
の強度を検出するセンシング単位回路ＵＢとを備え、センシング単位回路ＵＢに検出され
た強度に基づいて、指示物で指示された位置を検出する。さらに、電気光学装置５００は
、表示単位回路ＵＡに、水平有効走査期間では映像データに応じた階調を、水平帰線期間
では最高輝度の階調を表示させる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減すると共に、酸化物半導体層を酸化する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。また、酸化物半導体層中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。
【解決手段】半導体層１、ソース電極２、ドレイン電極３、透明導電膜４を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極２とドレイン電極３は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたＧｅ：０．３〜１．２原子％、Ｎｉ：０．１〜１．０原子％未満、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１原子％〜１．０ 原子％を含有するＡｌ合金薄膜より成り、半導体層１と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】ある応力がかかっても回路全体としての動作特性が変化しない薄膜の半導体素子を実現し、これによって、動作マージンが広く大型化が容易なフレキシブルな半導体装置、電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板１００上に薄膜トランジスタ８を有し、この薄膜トランジスタ８は、基板１００の湾曲に対してチャネル内のキャリアの移動度が相補的に変化する第１のチャネル領域１ｃおよび第２のチャネル領域１ｃを有している。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜前にゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減した後、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】異方性導電テープの走行位置精度を向上し、高い貼り付け位置精度を有する異方性導電フィルム貼り付け装置を提供する。
【解決手段】セパレータと異方性導電フィルムとの積層構造を有する異方性導電テープ１０３を用い、圧着刃１０５により異方性導電フィルムをパネルに設けられた電極上に貼り付ける異方性導電フィルム貼り付け装置において、パネル上での異方性導電テープの走行位置をガイドするテープ位置決めピン又はローラ１１４が、装置本体であって、異方性導電テープの進行方向に対して、圧着刃１０５の前後の位置に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ又はダミー基板の再生にて、ダミー基板を酸処理に投入した場合、エッチング液の補充或いは更新の適切な時点を見過ごし、透明導電膜の除去不良を発生させないエッチング液の管理方法、ガラス基板再生装置。
【解決手段】カラーフィルタ又はダミー基板の透明導電膜３の膜厚を連続測定して累計膜厚を算出し、累計膜厚が、予め設定された累計膜厚（１）に達した時点で、エッチング液を補充、或いは更新するエッチング液の管理方法。上記管理方法に基づいたエッチング液の管理機構１０を具備するガラス基板再生装置。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域として酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱して低抵抗化し、低抵抗な酸化物半導体層を形成する。また、低抵抗な酸化物半導体層においてゲート電極層と重なる領域を選択的に高抵抗化して高抵抗な酸化物半導体領域を形成する。酸化物半導体層の高抵抗化は、該酸化物半導体層に接して、スパッタ法により酸化珪素を形成することによって行う。 （もっと読む）

【課題】電極の引出し加工が容易であり、かつマイグレーションの発生を抑制できる画像表示素子を提供する。
【解決手段】前面パネル１と、これに対向する裏面パネル２と、前面パネル１及び裏面パネル２間に配置された複数の画素と、画素を制御する複数の電極とを有し、前面パネル１と裏面パネル２が画素及び電極を挟んで貼り合わされて構成され、金属膜配線５を介して電極を駆動回路に接続する画像表示素子において、電極端子４が露出するように分割されると共に、この分割部分に断面Ｖ字型の溝部３が形成されており、金属膜配線５は、裏面パネル２の上部２ａの面に形成されており、電極端子４と金属膜配線５は、溝部３を構成する傾斜面に沿って塗布された導電ペースト１０により接続されている。 （もっと読む）

【課題】コレステリック液晶層に対する一方の極性の単位パルス波形と他方の極性の単位パルス波形が非対称な交流電圧の印加に起因する画質低下を抑制する、光書込装置、光書き込み型表示装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】面積割合が１よりも大きく、かつ面積割合が１のときの光反射率差に対応する面積割合未満の予め定められた範囲内の交流電圧が電極１５及び電極２２間に印加されるように電圧印加部２６を制御する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示素子のドライバとして適用されるシフトレジスタを安定動作させる。
【解決手段】 液晶表示素子１の表示領域１１は、マトリクス状に配置されたｍ×ｎ個の画素を有しており、主走査方向に伸延するｎ本のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎと、副走査方向に伸延するｍ本のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍが一方の基板上に形成されている。ゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎのそれぞれと、そこに直接的にまたは間接的に接続されたＴＦＴ、画素容量、補償容量などの素子から構成される回路は分布定数的な電気的特定を有している。液晶表示素子１には、表示領域１１のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎと同等に分布定数的な電気的特性を有するように構成されたゲートラインＧＬｎ＋１、ＧＬｎ＋２が設けられている。ゲートドライバ２は、表示領域１１のゲートラインＧＬｎを選択した次の水平期間で、ダミー素子領域１２のゲートラインＧＬｎ＋１を選択する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を簡便に向上できる温度調整機能付きの液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明かかる液晶表示装置は、対向基板１０上に形成されたヒーター電極１５と、ヒーター電極１５上に絶縁層を介して形成され、ＴＦＴアレイ基板４０の画素電極に対向配置される対向電極１６と、ヒーター電極１５の形成領域上の絶縁層が除去されている第１除去部２０ａと、ヒーター電極１５の形成領域外の絶縁層が除去されている第２除去部２０ｂと、ＴＦＴアレイ基板４０と、第１除去部２０ａ内のヒーター電極１５とに接続するよう、第１除去部２０ａに形成されたヒーター電極用導電層３５と、ＴＦＴアレイ基板４０と、絶縁層上から第２除去部２０ｂ内に延在されている対向電極１６とに接続するよう、第２除去部２０ｂにヒーター電極用導電層３５と同じ導電材料によって形成された対向電極用導電層３６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】外部光あるいはバックライト光の明るさの程度に拘わらず、遮光体の検知を確実に行うことのできる液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶表示パネルは、表示領域にマトリックス状に配置された複数の画素と表示領域に配置された複数の光センサ回路とを備え、複数の光センサ回路の各々は光センサ素子を有し、バックライトの光強度は、第１の強度と前記第１の強度と異なる第２の強度とを有し、第１の強度と第２の強度とは所定の期間毎に周期的に切り替わり、光センサ回路は、光量を検知する受光期間と受光期間に検知した光量を読み出す読み出し期間とを有し、受光期間は所定の期間の整数倍であり、光センサ素子は受光期間に光に対する感度を持つ光センサ動作状態と光に対する感度を持たない光センサ非動作状態とを有し、光センサ動作状態と前記光センサ非動作状態とはバックライトの光強度の切り替わりに同期して、所定の期間毎に周期的に切り替わる。 （もっと読む）