【課題】非表示領域に形成したダミー画素電極に共通電位を印加した場合でも、共通電位
の変化がビデオ信号線などの駆動回路用高速信号線に影響を及ぼすことのない電気光学装
置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の非表示領域１０ｂには、共通電極
２１と同電位が印加されたダミー画素電極９ｂと、ダミー画素電極９ｂに下層側で平面的
に重なるビデオ信号線７５とが形成されているが、ビデオ信号線７５とダミー画素電極９
ｂとの間には、グランド電位が印加されたシールド電極６ｃが介在している。このため、
画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂに印加される共通電位ＬＣＣＯＭの極性が反転す
るなど、共通電位ＬＣＣＯＭが変化するような場合でも、かかる共通電位ＬＣＣＯＭの変
化がビデオ信号線７５に影響を及ぼさない。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ等の半導体装置の特性を向上させ、信頼性の優れた半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）基板１０上に選択的にゲート電極２０を形成する工程と、（ｂ）ゲート電極２０を被覆してゲート絶縁膜３０を形成する工程と、（ｃ）ゲート絶縁膜３０を介してゲート電極２０上に、ゲート絶縁膜３０上の非晶質シリコン膜４０と、非晶質シリコン膜４０上の微結晶シリコン膜４１とを有するチャネル層４２を形成する工程と、（ｄ）チャネル層４２上に、ソース領域７３、ドレイン領域７４を離間して形成する工程とを備え、工程（ｃ）は、非晶質シリコン膜４０に、ソース領域７３、ドレイン領域７４と同一導電型の不純物であるリンを添加する工程である。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜からの分解ガスの発生を抑制する。
【解決手段】基板１０ａに複数のスイッチング素子５を形成するスイッチング素子形成工程と、各スイッチング素子５を覆うように有機絶縁膜１６を形成する有機絶縁膜形成工程と、有機絶縁膜１６上に各スイッチング素子５にそれぞれ接続された複数の画素電極をマトリクス状に形成する画素電極形成工程とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、有機絶縁膜１６に基板１０ａの表面から紫外光Ｌａを照射して、有機絶縁膜１６を脱色する第１紫外光照射工程と、有機絶縁膜１６に基板１０ａの裏面から紫外光Ｌｂを照射して、有機絶縁膜１６を脱気する第２紫外光照射工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数のモジュールの組み合わせにおいて、電磁干渉を抑制する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、導電性を有する導電ベゼルに装着される表示モジュールを提供する。表示モジュールは、表示パネルと、表示パネルの駆動を行うための駆動信号を表示パネルに送信する駆動基板と、駆動基板の導電ベゼルへの接地状態を可変に設定可能な接地状態設定部材と、を備える。表示モジュールが装着される相手側モジュールとの間に発生する相互作用に応じて、接地状態を変更することによって完成品としての電磁適合性を容易に満足させることができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学用基板の信号線の構成を適正化することにより、高速シリアル転送を採
用した場合の信号特性の向上やノイズの低減を図ることのできる電気光学パネル、電気光
学装置、および電子機器を提供することにある。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上には、第１信号線１１ｅ〜１１ｈと、この第
１信号線１１ｅ〜１１ｈよりも広い幅寸法の第２信号線１１ａ〜１１ｄとが形成されてい
る。このため、幅寸法の広い第２信号線１１ａ〜１１ｄを高速シリアル転送に用い、幅寸
法の狭い第１信号線１１ｅ〜１１ｈについては、第２信号線１１ａ〜１１ｄに比して転送
速度が遅いシリアル転送用の信号線、あるいはパラレル転送用の信号線として用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μｍまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、画素領域と；ゲート電極と、上部面を有するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上部面に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁膜の上部面に配置されて、ソース電極とドレイン電極間でチャネル領域を定義して、低分子有機半導体物質からなった半導体層を含み、基板上に画素領域に隣接するように位置する薄膜トランジスタと；チャネル領域を覆っており、ソース電極とドレイン電極それぞれの上部面と一致したりまたはその下に位置する上部面を有する第１保護膜を含む液晶表示装置を提供することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ耐湿性・耐薬品性に優れた、酸化亜鉛系導電膜及び酸化インジウム系透明導電膜を積層してなる積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ａ）と酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなる積層型透明導電膜において、前記透明導電膜層（Ｂ）がアモルファス構造であり、このような積層型透明導電膜は透明導電膜層（Ａ）の成膜を、１×１０^−４Ｐａ〜１．０１３×１０^５Ｐａの到達真空度にてスパッタリング法にて行うことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路に対する静電気の影響を確実に防止すると共に、構造上の制約を受けない電気光学装置及びこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学物質を挟んで対向する一対の基板２１，２２を有し、一方の基板２２に他方の基板２１より外方に延在する延在部３０を形成した電気光学パネル２０を有する電気光学装置であって、
前記延在部３０に、前記電気光学パネル２０を駆動する駆動回路３１を配置し、該駆動回路３１に接続された回路基板３２を有し、前記回路基板３２には前記駆動回路３１に平面的に重ならない領域にグランド層３５を形成した。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上で上側導電膜にドライエッチングを行って開口パターンを形成する場合でも、開口パターンと重なる領域に適正な膜厚の絶縁膜を残すことのできる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および該電気的固体装置を素子基板として備えた液晶装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板の製造工程において、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを絶縁膜８上に形成するにあたって、上側導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ドライエッチングを行なう。絶縁膜８については必要膜厚よりも厚く形成しておき、ドライエッチングの際、絶縁膜８に有底の凹部８ａを形成する。その結果、凹部８ａの底部８ｂに、必要膜厚の絶縁膜８を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生の抑制を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上、チャネル領域（３０ａ２）、ソースドレイン領域（３０ａ１及び３０ａ３）、並びに前記チャネル領域（３０ａ２）及びソースドレイン領域間に形成されたＬＤＤ領域（３０ａ４及び３０ａ５）を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。ＬＤＤ領域の少なくとも一部の領域は、半導体層における前記一部の領域を除く他の領域に比べて、結晶欠陥の数が多くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上すると共に、画素電極のエッチャントによる溶食を防止する。
【解決手段】液晶表示装置１は、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、絶縁膜３１の表面に積層された第１透明電極２１と、反射領域１９に配置され、第１透明電極２１における一部の表面に積層された反射電極２３と、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、反射電極２３の表面全体に積層されると共に、反射電極２３の外側において第１透明電極２１の表面に積層された第２透明電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い抵抗層を有し、前記活性層と前記抵抗層との間に前記活性層の酸化物半導体よりも酸素との結合力の強い元素種を含む酸化物を含有する中間層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタの特性を良好にすると同時に、蓄積容量部に形成される金属−絶縁体−半導体構造（ＭＩＳ構造）を解消しキャパシタの値を安定化させることで、フォトマスク工程数を削減しても高い性能を維持できる薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 ４回以下のフォトマスク工程数で作製される薄膜トランジスタ部２１６と、蓄積容量部２１７とを有する薄膜トランジスタアレイ基板において、チャンネルの形成に寄与しない活性半導体層をシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】
表面に電子回路が形成された薄膜状の第１の基板の裏面と、柔軟性のある第２の基板の表面とは、８０℃で１．０×１０^３［Ｐａ］以上、２．１×１０^４［Ｐａ］以下の弾性率の接着剤で接着される。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子を備え、画素領域の開口率を低下させることなく、より良い冷却効果が得られる電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、素子基板１０と、素子基板１０に配列された画素４と、素子基板１０の画素４の領域に設けられた光反射層２６と、素子基板１０に設けられたペルチェ効果を有するペルチェ素子５０と、を備え、ペルチェ素子５０は、光反射層２６からなる金属層と、金属層５１と、金属層５２と、光反射層２６と金属層５１との間に設けられたＰ型半導体素子５３と、光反射層２６と金属層５２との間に設けられたＮ型半導体素子５４とを含む。 （もっと読む）

【課題】データ信号入力端子の上部に位置するＣＦガラス基板の切断に起因して後発生する、ソース信号線の膜剥がれ、膜浮きの低減、および膜剥がれ、膜浮きによる製造工程における品質歩留まりの低下の低減を可能にする液晶表示装置を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明の一実施形態における液晶表示装置は、上面上にマトリクス状に配置された複数のデータ信号線４と走査線を有する第１の基板８と、液晶９を介して第１の基板８の上面と対向配置され、第１の基板８の端部から退避した位置に切断端部２０を有する第２の基板５と、を備え、データ信号線４は、第２の基板５の切断端部２０の下部に対応する領域が、他の領域に比べ細く形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えばサンプリング回路等の周辺回路を構成するトランジスタのオンオフの切り替えに伴ってトランジスタの出力側に発生するノイズを低減する。
【解決手段】電気光学装置は、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に設けられ、第１のソース電極（７１Ｓ）、第１のドレイン電極（７１Ｄ）、及びゲート信号が入力される第１のゲート電極（７１Ｇ）を有する第１のトランジスタ（７１）と、第１のトランジスタと同一導電型のトランジスタであって、浮遊状態とされた第２のソース電極（８１Ｓ）、第１のドレイン電極に電気的に接続された第２のドレイン電極（８１Ｄ）、及びゲート信号が反転された反転ゲート信号が入力される第２のゲート電極（８１Ｇ）を有する第２のトランジスタ（８１）とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。
【解決手段】金属拡散防止膜51上に形成したシード層52を、レジストを用いて選択的に除去する。レジストを除去した後、シード層52を覆って無電解めっき法により銅配線層53と、銅配線層53上に位置するメタルマスク層54とを形成する。メタルマスク層54を用いて金属拡散防止膜51を選択的に除去する。良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、その上に上層絶縁膜１２を成膜する。次に、上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成する。この場合、チャネル長Ｌは２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔により決定され、チャネル幅Ｗはコンタクトホール１０、１１の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはない。 （もっと読む）

【課題】大きな応力を基板に残存させることなく、基板上に半導体装置を実装することの
できる実装構造体の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電気光学装置を提供する
こと。
【解決手段】電気光学装置１００の製造方法において、素子基板１０上にＩＣチップ４０
を実装するにあたって、圧着ヘッド６０によりＩＣチップ４０加圧した状態で、異方性導
電膜９１に含まれる熱硬化性樹脂を硬化温度以上の温度まで加熱する第１工程ＳＴ１と、
熱硬化性樹脂を冷却する第２工程ＳＴ２と、樹脂層をガラス転移温度を超えない温度まで
再度、加熱する第３工程ＳＴ３とを行なう。このため、第２工程ＳＴ２を終えた段階で素
子基板１０内部に残存する応力を第３工程ＳＴ３で消失させることができる。 （もっと読む）