【課題】スペーサーの剥れを抑制可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板上に設けられた複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線の交差部に設けられたスイッチング素子と、前記走査線、前記信号線及び前記スイッチング素子を覆うように前記アレイ基板上に形成され、有機絶縁膜と前記有機絶縁膜上に形成され表示領域を形成する画素電極と、前記画素電極と前記スイッチング素子を電気的に接続するよう前記有機絶縁膜に設けられたスルーホールと、前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と対向基板の間に配置され、両基板間を保持するスペーサーと、前記アレイ基板と前記対向基板に挟持された液晶層とを備える。前記スペーサーが有機絶縁膜に被覆されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 画像を表示でき、入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出できる電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器は、表示パネルと、それぞれコンデンサ３７を含んだ複数のセンサ回路３２を有したセンサモジュールと、複数のセンサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、複数のセンサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断する制御モジュールと、を備える。制御モジュールは、複数のセンサ回路３２のコンデンサ３７の第１電極Ｅ１に振動成分を持つプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を与え、第２電極Ｅ２に上記振動成分と同位相の振動成分を持つ基準電圧ＶＳＳを与えることにより書込み動作を行い、入力手段による入力動作に応じて第１電極Ｅ１に生じる静電容量結合の強弱に起因したコンデンサ３７の静電容量変動を読み取ることにより読み取り動作を行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、透明性、導電性、膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性、膜強度の劣化が少なく、安定性に優れ、かつ発光均一性の劣化が少なく発光寿命に優れる有機ＥＬ素子を与える透明電極を提供することにある。
【解決手段】基材上にパターン上に形成された金属材料からなる第１導電層と、導電性ポリマーを含有する第２導電層を有する透明導電膜において、前記第２導電層にオキサゾリン基を有する構造単位を含むバインダー樹脂を含有することを特徴とする透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】高い溶解性を示し、加工性に優れたものであって、高い導電性と透明性とを有する透明導電膜の材料として有用である導電性チエノピラジン共重合体組成物を提供する。
【解決手段】化学式(I)で表される繰り返し単位を有するチエノピラジン共重合体とドーパントとを含有する導電性チエノピラジン共重合体組成物。


[式(I)中、Ｒ^１及びＲ^２は夫々水素原子、アリール基、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｗ及びＹは夫々２価のチオフェン環、ｎ及びｍは０〜１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は夫々下記化学式(II)Ｒ^７−[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]_ｂ−(Ｘ^２)_ｃ−・・・（II）(式(II)中、Ｒ^７は水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｘ^１及びＸ^２は同一又は異なる酸素原子若しくは硫黄原子、[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]は繰り返し単位毎にＸ^１と−(ＣＨ_２)_ａ−とが同一又は異なり、ａは１〜２０、ｂは０〜２０、ｃは０〜１)で示される側鎖基] （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のチャネル領域の、水素拡散による低抵抗化を抑制するトップゲート型酸化物半導体ＴＦＴ及びこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上に、ソース電極層と、ドレイン電極層と、酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎの少なくとも１種類の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなるゲート電極層と、水素を含む保護層と、を有し、ゲート絶縁層は酸化物半導体層のチャネル領域の上に形成され、ゲート電極層はゲート絶縁層の上に形成され、保護層はゲート電極層の上に形成されていることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＩを小型の構成で抑制する。
【解決手段】液晶パネルと、液晶パネルに接続されたフレキシブル基板２５を有する液晶表示部と、フレキシブル基板２５に接続し、フレキシブル基板２５を介して液晶パネルに信号を送信するメインプリント基板１０と、液晶パネルを背面にメインプリント基板１０を前面に支持するシャーシ部材１５と、シャーシ部材１５の上面に配置される操作プリント基板４６とを備え、フレキシブル基板２５は、シャーシ部材１５の上面において操作プリント基板４６の外側を通る。 （もっと読む）

【課題】画素に電流が流れ続けることによって発生する輝点欠陥の防止または画素の一部分に電流が集中することによる周辺画素への影響を抑えることができる表示装置を提供する。
【解決手段】電流を供給する配線１４と、前記配線に電気的に接続された画素電極１１とを有し、前記画素電極は、複数の異なる導電膜１１ａ，１１ｂの積層構造からなり、少なくとも前記配線と前記画素電極とが接続する領域において、前記画素電極が狭幅領域を有する。また、複数の異なる導電膜としては、例えば金属膜と透明導電膜との積層構造を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜と電極配線膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜と電極配線膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記透明導電膜の結晶最大粒径が２００ｎｍ以下である薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。さらに、ゲート絶縁膜の一部として金属酸化物膜を用いることで、酸化物半導体膜への水素または水のなどの不純物の再混入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の薄い第１の酸化物半導体膜を形成し、第１の加熱処理を行って第１の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第１の結晶層を形成し、第１の結晶層上に第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行って第１の結晶層からその上の第２の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第２の結晶層を形成し、第２の結晶層を形成した後、さらに酸素ドープ処理を行って第２の結晶層に酸素原子を供給する。 （もっと読む）

【課題】 スリットバーのスリットのピッチを小さくすることなく、プローブを狭ピッチで配置することができるようにすることにある。
【解決手段】 プローブ組立体は、左右方向に間隔をおいて下方に開放する複数の第１のスリットを備える第1のスリットバーを支持片の先端部下側に配置し、左右方向に間隔をおいて下方に開放する複数の第２のスリットを備える第２のスリットバーを、その第２のスリットが第１のスリットに対し左右方向及び前後方向に位置するように、第１のスリットバーに配置し、第１及び第２のプローブの前部針先領域の少なくとも一部を、それぞれ、第１及び第２のスリットに位置させている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層の下地絶縁層に、加熱により酸素を放出する絶縁層を用いる。前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング性が良好な表示装置用配線膜を提供する。
【解決手段】希土類金属元素、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＣａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を５原子％以上５０原子％以下の範囲で含むＭｏ合金と、純ＣｕまたはＣｕ合金との積層構造を有する表示装置用配線膜である。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】高解像度の映像を表現できるＣＯＧ方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ＬＯＧせん断でのインピーダンス整合とタイミングコントローラー出力端でのインピーダンス整合を利用して、硝子基板上の伝送線路の抵抗値と無関係にソースドライバーＩＣ入力端の反射波を最小化させることにより、軽量化と薄型化を維持しながらも周波数特性を向上させて、高解像度及び高品質の映像表現が可能であるようにさせたチップオングラス（ＣＯＧ）方式の液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＡ方式を用いたＩＰＳ液晶表示装置において、ＤＣ残像を抑え、かつ、画面の黄色シフトを防止する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１００の各画素には、ＴＦＴ、カラーフィルタ１０７Ｒ、１０７Ｇ、１０７Ｂ、対向電極１０８、絶縁膜１０９を挟んで画素電極１１０が形成されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間に液晶層３００が挟持されている。ＴＦＴ基板１００および対向基板２００において液晶層３００と接する面には、配向膜１１３が形成されている。配向膜１１３は、高い光導電特性を示す材料が使用されており、これによってＤＣ残像を抑える。一方、配向膜が短波長１１３の光を強く吸収することによる画面の黄色シフトを、カラーフィルタの厚さを色毎に変えることによって対策する。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの液晶表示装置の電源オフ後の焼付きなどの表示不良を防止できる簡便な構造の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る液晶表示装置は、電極間に印加した電圧によりフリンジ電界を発生させて液晶を駆動するフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示装置において、画素電極のそれぞれは隣り合う画素電極と所定の抵抗値を有する高抵抗部により互いに電気的に接続されたものである。 （もっと読む）

【課題】 外部回路に接続するための端子によるガラス基板の破損を防止すると共に、窓や間仕切り等に調光構造体を取付けるうえで作業性を向上することができる調光素子及び調光構造体を提供するものである。
【解決手段】 調光素子２０は、少なくとも一の基板が透明性を有する一対の対向する絶縁性基板２１と、当該一対の絶縁性基板２１上にそれぞれ配設される透明電極２２と、一対の絶縁性基板２１の対向する面における露出する透明電極２２に電気的に接続される引出電極２４と、一対の絶縁性基板２１間に挟持される調光層２３と、引出電極２４が一対の絶縁性基板２１から突出し、当該突出する引出電極２４に電気的に接続される金属片からなる端子２５を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０のチャネル領域２０Ａ上にゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜２０，ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜５０を形成すると共に、ソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域２１を形成する。低抵抗領域２１は、アルミニウム（Ａｌ）等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域２１を形成可能となり、安定した特性が得られる。 （もっと読む）