表示装置
【課題】表示装置に信号を入力する端子の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
複数の走査信号線と前記走査信号線に交差する複数の映像信号線とが形成される表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに第１の端子配線を介して信号を供給する複数の端子からなる端子群と、を備える表示装置であって、前記端子は、前記第１の端子配線の端部に形成され、面状の端子表面が露出される第１部分と、前記第１部分に隣接し、前記第１部分の周りに形成される第２部分と、で構成されており、前記第２部分は、絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と同層又は前記絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と異なる導電性薄膜からなり、前記第１の端子配線と前記第１の電極との接続部から離間した位置において、前記第１の端子配線と電気的に接続される表示装置である。
【解決手段】
複数の走査信号線と前記走査信号線に交差する複数の映像信号線とが形成される表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに第１の端子配線を介して信号を供給する複数の端子からなる端子群と、を備える表示装置であって、前記端子は、前記第１の端子配線の端部に形成され、面状の端子表面が露出される第１部分と、前記第１部分に隣接し、前記第１部分の周りに形成される第２部分と、で構成されており、前記第２部分は、絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と同層又は前記絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と異なる導電性薄膜からなり、前記第１の端子配線と前記第１の電極との接続部から離間した位置において、前記第１の端子配線と電気的に接続される表示装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係わり、特に、外部から信号を入力するための端子部に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板のうち、一方の基板の液晶側の面に、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設されるゲート線（走査信号線）と、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設されるドレイン線（映像信号線）が形成され、これら各信号線で囲まれた矩形状の領域を画素の領域として構成している。表示領域はこれら各画素の集合体によって形成される。それぞれの画素には、少なくとも、ゲート線からの走査信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを通してドレイン線からの映像信号が供給される画素電極を備えている。これらゲート線及びドレイン線はそれぞれ表示領域の端部において端子配線（引き出し配線）と接続され、該端子配線の他端に形成されるパッドと称される端子と電気的に接続されている。これら端子配線は表示領域を除く周辺領域に配置され、一方の基板の辺部に端子が配置されている
これらの端子は、例えば、特許文献１に示すように、端子配線の上層に配置される絶縁膜の一部に当該端子配線はよりも小さい幅の開口部が形成され、該開口部に対応した導電層を形成することにより、導電層と端子配線とを電気的に接続している。このとき、導電層が配置される領域では、端子配線の延在方向に沿って当該端子配線の辺部に下層の絶縁膜が露出される２つの溝（長孔）が形成され、２つの長孔に挟まれた領域の端子配線の上層にのみ、前記導電層が形成され、長孔の両側（両脇）の端子配線の上層には絶縁膜が形成されている。
【０００３】
このような構成からなる端子部では、端子から端子配線を介してドレイン線が接続され、該ドレイン線は各薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されている。一方、端子から他端側に延在される端子配線は、基板の辺縁部に近接して配置される配線層ＣＬに電気的に接続され、各端子も同様にして、同じ配線層ＣＬに接続され、全ての端子が短絡されている。この配線層ＣＬは、ガラス基板の切断と共に切り離され、これによりそれぞれの端子が短絡されない、すなわち電気的に分離される構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３３３６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、表示領域の外側の領域の一部に、ゲート線やドレイン線の断線等を検査するための点灯検査回路が形成されているものが知られている。例えば、点灯検査回路は端子配線と接続されないゲート線及びドレイン線の端部に形成される検査用薄膜トランジスタと、該検査用薄膜トランジスタをオンする検査信号線と、このオンされた検査用薄膜トランジスタを通して検査信号をゲート線あるいはドレイン線に検査信号を供給する検査信号線とからなる。これら各検査信号線も端子配線と共に表示領域を除く周辺領域に配置され、検査信号を入力する端子も、端子配線の端子と共に一方の基板の辺部に配置されている。
【０００６】
この点灯検査回路を用いた液晶表示パネルの検査では、液晶表示パネルの切断後に、検査用の端子から検査信号を入力することにより、表示領域内にマトリクス状に配列されるそれぞれの画素の点消灯を検査している。
【０００７】
すなわち、検査用の端子は検査信号を入力する場合においてのみ外部より検査信号が入力され、検査終了後は検査信号線のみが使用されている。すなわち、従来の液晶表示パネルでは、検査終了後の通常使用時には端子配線として使用され、検査時には検査用信号線と使用される配線を有しており、この検査用配線にのみ、配線途中に端子部が形成され、通常使用時には、端子部は使用されない構成となっている。
【０００８】
しかしながら、前述するように、端子部は外部からの検査信号を入力するために、上層に導電層で形成されるのみで、他の信号線部分と同じように上層に絶縁膜が形成されない構成となっている。さらには、他の端子配線の端子部とは異なり、端子部に駆動回路やフレキシブル配線基板等が接続されない構成となっている。このために、液晶表示パネルが高温高湿の環境下で使用された場合等では、端子配線の上層に形成される導電層等の絶縁膜から露出する個所が、空気中の水分と導電膜に印加される電界との相互作用によって腐食し、この腐食の進行により下層に形成される端子配線にも影響を及ぼして、端子配線が断線してしまうことが懸念されている。
【０００９】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、表示装置に信号を入力する端子の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決すべく、複数の走査信号線と前記走査信号線に交差する複数の映像信号線とが形成される表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに第１の端子配線を介して信号を供給する複数の端子からなる端子群と、を備える表示装置であって、前記端子は、前記第１の端子配線の端部に形成され、面状の端子表面が露出される第１部分と、前記第１部分に隣接し、前記第１部分の周りに形成される第２部分と、で構成されており、前記第２部分は、絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と同層又は前記絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と異なる導電性薄膜からなり、前記第１の端子配線と前記第１の電極との接続部から離間した位置において、前記第１の端子配線と電気的に接続される表示装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、表示装置に信号を入力する端子の信頼性を向上させることができる。
【００１２】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子領域のパターン図である。
【図３】図２中に矩形枠Ａ，Ｂで示す領域の拡大図である。
【図４】本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための端子部の拡大図である。
【図５】本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための模式図である。
【図６】本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるパッド部の詳細構成を説明するための平面図である。
【図７】図６に示すＤ−Ｄ線での断面図である。
【図８】図６に示すＥ−Ｅ線での断面図である。
【図９】本発明の実施形態１の端子を形成する第１層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施形態１の端子を形成する第２層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施形態１の端子を形成する第３層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図である。
【図１２】本発明の実施形態２の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態２の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための模式図である。
【図１４】本発明の実施形態３の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図である。
【図１５】本発明の実施形態４の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施形態４のパッド部の詳細構成を説明するための図である。
【図１７】図１６に示すＧ−Ｇ線での断面図である。
【図１８】図１６に示すＨ−Ｈ線での断面図である。
【図１９】本発明の実施形態５の表示装置における端子を構成するシールド線の構成を説明するための図である。
【図２０】本発明の実施形態５の表示装置における端子を構成するシールド線の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
〈実施形態１〉
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の表示装置の全体構成を説明する。ただし、以下の説明では、本願発明を非発光型の液晶表示装置に適用した場合について説明するが、これに限定されることはなく、自発光型の有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置にも適用可能である。また、以下の説明では、図示しない周知の点灯検査回路に検査信号を入力するための検査用の端子ＱＤに本願発明を適用した場合について説明するが、駆動回路の入出力端子が接続される端子やフレキシブル配線基板と接続される端子等の他の端子にも適用可能である。ただし、本願発明は、工場出荷後すなわち通常使用時に端子表面が露出された状態となる検査用の端子に適用した場合に、最も効果的である。
【００１６】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、画素電極ＰＸや薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、図示しないカラーフィルタやブラックマトリクスが形成され、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される図示しない液晶層とで構成される液晶表示パネルを有し、該液晶表示パネルの光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。
【００１７】
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布された図示しないシール材で固定され、液晶も封止される構成となっている。また、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第１基板ＳＵＢ１の辺部（端子領域ＴＡ）には、検査用の端子ＱＤや半導体チップで構成される駆動回路等の出力端子が接続される端子等が形成されている。表示領域ＡＲに配置される各画素は端子を介して入力される駆動信号（走査信号や映像信号等）で駆動される。なお、以下の説明では、液晶表示パネルの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。
【００１８】
また、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。なお、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、ガラス基板に限定されることはなく、石英ガラスやプラスチック（樹脂）のような他の絶縁性基板であってもよい。
【００１９】
実施形態１の液晶表示装置では第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給されるゲート線（走査信号線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路からの映像信号（階調信号）が供給されるドレイン線（映像信号線）ＤＬが形成されている。これらゲート線ＧＬ及びドレイン線ＤＬは、例えば、アルミニウム等の金属薄膜で形成されているが、他の導電材料で形成した導電膜で形成してもよい。ゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬとで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域（以下、画素領域と記す）を構成し、これにより、各画素は表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。
【００２０】
各画素は、例えば図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、少なくとも表示領域の全面に形成され、Ｘ方向の左右（第１基板ＳＵＢ１の端部）の両側又は一端からコモン線ＣＬを介して、映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。ただし、薄膜トランジスタＴＦＴは、いわゆる逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、映像信号線ＤＬと接続される側をドレイン電極ＤＴ、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極ＳＴと記す。
【００２１】
画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式あるいは横電界方式と称される。また、このような構成の液晶表示装置において、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。なお、ＴＮ（Twisted Nematic）方式やＶＡ（Vertical Alignment）方式等の他の駆動方式の液晶表示装置であってもよい。
【００２２】
各ゲート線ＧＬ及びドレイン線ＤＬは、表示領域ＡＲを超えて伸延されており、表示領域ＡＲと第１基板ＳＵＢ１の辺縁部との間の領域である、いわゆる額縁領域に形成される端子配線ＳＩＧを介して、第１基板ＳＵＢ１の端子領域ＴＡに形成される端子とそれぞれ接続されている。なお、以下の説明では、ゲート線ＧＬ又はドレイン線ＤＬと端子配線ＳＩＧとが同一の工程で同層に形成される場合であっても、額縁領域に形成される信号線は、端子配線ＳＩＧと記す。また、以下の説明では、端子配線ＳＩＧとして、金属薄膜を用いる場合について説明するが、他の導電性薄膜で形成してもよい。
【００２３】
図２は本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子領域のパターン図であり、図３は図２中に矩形枠Ａ，Ｂで示す領域の拡大図である。特に、図３（ａ）は図２に示す矩形枠Ａの拡大図であり、図３（ｂ）は図２に示す矩形枠Ｂの拡大図である。
【００２４】
図２に示すように、検査用の端子ＱＤは端子領域ＴＡの両側に配置され、他の端子よりも端子面積が大きく形成されている。これは、検査用の端子ＱＤは外部から信号を入力する際に、端子ＱＤに検査用のプローブピンを当接させ、該プローブピンを介して所望の検査信号を端子ＱＤに入力するためである。このような構成とすることにより、例えば、駆動回路やフレキシブル配線基板等の比較的に高価なモジュール部材を液晶表示パネルに取り付ける前に検査を行うことにより、不良品である液晶表示パネルへのモジュール部材の取り付けに要する工数（時間）や、取り付けたモジュール部材を取り外して再利用する際の工数を低減させることができる。
【００２５】
また、実施形態１の端子ＱＤは、配線ＳＩＧの途中に形成されており、検査信号が入力されないすなわち通常の表示動作時等には、他の端子から入力された表示用の駆動信号等が導通される。さらには、実施形態１の液晶表示装置においては、検査用の端子ＱＤの外形形状が正方形に形成され、隣接する端子ＱＤが第１基板ＳＵＢ１の端子領域ＴＡ内において、図中上下方向にずれて形成されている。
【００２６】
図３（ａ），（ｂ）から明らかなように、実施形態１の液晶表示装置では、端子ＱＤに入力される信号に応じて端子ＱＤに接続される端子配線（以下、単に配線と記す）ＳＩＧの配線幅が異なる構成となっている。例えば、電源や共通信号線等に係わる配線ＳＩＧでは、配線抵抗による電圧降下を小さくするために、配線ＳＩＧの幅を大きく形成している。例えば、このような配線ＳＩＧに接続される端子ＱＤでは、後に詳述するシールド線の配線幅を、他の端子ＱＤのシールド線の幅よりも広く（大きく）形成する等の構成としてもよい。このように、シールドの幅を大きくすることによって、信号線としても機能するシールド線の抵抗を低減させることが可能となるためである。
【００２７】
また、配線ＳＩＧの途中に端子ＱＤが形成される構成となっているが、後に詳述するように、検査用のプローブピンの当接されるパッド部と、端子ＱＤを介して配置される図中上下の配線ＳＩＧを電気的に接続する信号線（シールド線）とは、別々の構成部材で形成される構成となっている。
【００２８】
〈端子部の詳細構成〉
図４は本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための端子部の拡大図であり、図５は本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための模式図である。以下、図４及び図５に基づいて、実施形態１の端子の構成について詳細に説明する。ただし、図４の記載においては、パッド電極Ｍ３の下層に形成されるコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２とパッド電極Ｍ３との位置を明確するために、パッド電極Ｍ３に重畳してコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２を記載している。また、以下の説明では、端子配線ＳＩＧの内で、端子（パッド電極Ｍ３）よりも図中上側に形成される端子配線を配線ＳＩＧ１と記し、端子よりも図中下側に形成される端子配線を配線ＳＩＧ２と記す。また、端子ＱＤを構成するシールド線ＳＨと配線ＳＩＧとを同層の金属薄膜で形成する場合について説明するが、これに限定されることはなく、他の層に形成される導電膜で形成してもよい。
【００２９】
図４及び図５に示すように、実施形態１の端子ＱＤは、平面的に、矩形状に形成され基板面から露出されるパッド電極（第３の電極）Ｍ３を有するパッド部（第１部分）ＰＡＤと、該パッド部ＰＡＤの外周を囲むようにして環状（四角環状）に形成されるシールド線（第２部分）ＳＨとから構成される。このとき、実施形態１の端子ＱＤでは、配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとは同層に形成される導電性の金属薄膜で形成され、図４中丸印Ｃに示す個所（図５中に示す接続部ＣＮ１に相当する）において、図４中上側に伸延する配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとが電気的に接続されている。また、図中丸印Ｃ’で示す個所（図５中に示す接続部ＣＮ２に相当する）において、図４中下方に伸延する配線ＳＩＧ２とシールド線ＳＨとが接続されている。このように、実施形態１の端子ＱＤでは、パッド部ＰＡＤを環状（四角環状）に囲むようにして形成されるシールド線ＳＨを介して、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２とを電気的に接続している。
【００３０】
一方、パッド部ＰＡＤの上面に露出されるパッド電極Ｍ３は、後に詳述する絶縁膜に形成されるコンタクトホール（接続孔）ＣＨ１，ＣＨ２を介して、配線ＳＩＧ１と電気的に接続されている。また、パッド電極Ｍ３は、例えば、酸化インジウム系のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されている。ただし、パッド電極Ｍ３はＩＴＯに限定されることはなく、例えば、酸化亜鉛系（ＺｎＯ）のＡＺＯ（Aluminum doped Zinc Oxide）やＧＺＯ（Gallium doped Zinc Oxide）等、及び酸化スズ系等の透明導電膜材料を用いた構成であってもよい。
【００３１】
実施形態１の端子ＱＤは、パッド部ＰＡＤが形成される面内方向すなわち第１基板ＳＵＢ１の面内方向において、隣接する配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとの間隔よりも、該シールド線ＳＨとパッド電極Ｍ３との間隔の方が小さく形成されている。このように、パッド電極Ｍ３の近傍にシールド線ＳＨを形成することにより、その表面が露出されるパッド電極Ｍ３に隣接する配線ＳＩＧから印加される電界をシールド線ＳＨで保護する構成としている。このとき、後に詳述するように、シールド線ＳＨの上層には絶縁膜が形成されており、この絶縁膜により水分等の侵入から保護されている。
【００３２】
すなわち、平面内において、環状（四角環状）のシールド線ＳＨでパッド電極Ｍ３を囲む構成とする。この構成により、このシールド線ＳＨの電界シールド効果により隣接する配線ＳＩＧとパッド電極Ｍ３との間の電界を遮蔽することが可能となる。このとき、シールド線ＳＨとパッド電極Ｍ３とは配線ＳＩＧ１を介して電気的に接続されているので、シールド線ＳＨとパッド電極Ｍ３との間に電界が生じることはない。従って、水分に電界が加わることによって進行するパッド電極Ｍ３の腐食を大幅に抑制することが可能となり、端子ＱＤの信頼性を向上させることが可能となる。
【００３３】
一方、隣接する配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとの間には電界が生じることとなるが、後に詳述するように、配線ＳＩＧ及びシールド線ＳＨの上層には絶縁膜が形成され、この絶縁膜にそれぞれが覆われており水分の侵入が防止されるので、シールド線ＳＨ及び配線ＳＩＧの腐食を共に防止できる。
【００３４】
また、 実施形態１の端子ＱＤは、パッド電極Ｍ３の辺部にコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２が形成されると共に、その形状もパッド電極Ｍ３の辺縁部に沿った長形としている。このようなコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２の形状及び配置とすることにより、パッド電極Ｍ３の中央部に実線で示す領域ＳＭに、平坦な領域を形成し、プローブピンとの接触性能を向上させる構成としている。なお、実施形態１では正方形のパッド電極Ｍ３の４つの辺部にそれぞれ一対のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２が形成されているので、正方形となっているが、パッド電極Ｍ３の形状は任意であり、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２の形成位置及びその形状も任意であるので、平坦な領域ＳＭの形状も正方形に限定されない。
【００３５】
〈パッドの詳細構成〉
次に、図６に本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるパッド部の詳細構成を説明するための平面図、図７に図６に示すＤ−Ｄ線での断面図、図８に図６に示すＥ−Ｅ線での断面図を示す。また、図９に本発明の実施形態１の端子を形成する第１層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図、図１０に本発明の実施形態１の端子を形成する第２層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図、図１１に本発明の実施形態１の端子を形成する第３層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図を示し、以下、図６〜図１１に基づいて、実施形態１の端子を構成するパッド部の詳細構成を説明する。
【００３６】
図７及び図８に示すように、実施形態１の端子を構成するパッド部は、絶縁膜ＩＮＴ１，ＩＮＴ２を介して重畳配置される３層の導線性薄膜により構成されている。第１基板ＳＵＢ１の上面に配置される第１層目の導電性薄膜層は、図９に示すように、パッド電極Ｍ３の辺部に沿った正方形であり、かつ環状に形成される四角環状の第１の環状電極（第１の電極）Ｍ１である。該第１の環状電極Ｍ１は薄膜トランジスタのゲート電極を形成するための金属薄膜の形成工程で形成されており、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２やシールド線ＳＨと同層に形成されている。従って、新たな工程を追加することなく、シールド線ＳＨと共に第１の環状電極Ｍ１を形成することが可能となる。
【００３７】
また、第１の環状電極Ｍ１は配線ＳＩＧ１の端部に形成されており、図中下側の配線ＳＩＧ２とは配線ＳＩＧ１及びシールド線ＳＨを介して電気的に接続されることとなる。すなわち、実施形態１においては、シールド線ＳＨと２つの配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２とがパッド部ＰＡＤのそれぞれ異なる辺部において電気的に接続されると共に、シールド線ＳＨと２つの配線ＳＩＧ１、ＳＩＧ２とが接続される辺部はパッド部ＰＡＤの辺部の内で対向する位置に形成される辺部となっている。ただし、第１の環状電極Ｍ１と配線ＳＩＧとが電気的に接続される接続部ＣＮ１は、シールド線ＳＨと配線ＳＩＧとが接続される２つの辺部の内のいずれか一方の辺部であり、実施形態１では図中上側の辺部となる。
【００３８】
図７及び図８に示すように、第１の環状電極Ｍ１の上層には絶縁膜（第１の絶縁膜）ＩＮＴ１が形成され、該絶縁膜ＩＮＴ１の上層に第２の環状電極（第２の電極）Ｍ２が形成されている。このとき、第２の環状電極Ｍ２は絶縁膜ＩＮＴ１を介して第１の環状電極Ｍ１と重畳して形成されており、絶縁膜ＩＮＴ１に形成されるコンタクトホール（第１のコンタクトホール）ＣＨ１を介して第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とが電気的に接続される構成となっている。このとき、実施形態１においては、配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとが接続される辺部（図６中の上下）とは異なる辺部（図６中の左右）であり、対向する辺部にそれぞれコンタクトホールＣＨ１が形成されている。この構成により、第２の環状電極Ｍ２に腐食が生じた場合であっても、この腐食が接続部ＣＮ１に到達するまでの期間、すなわち、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとの断線及びシールド線ＳＨを介した配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２との断線に至るまでの期間を延ばすことができる。
【００３９】
また、実施形態１においては、第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とを２つのコンタクトホールＣＨ１でそれぞれ接続する、すなわち、異なる層に形成される導電性薄膜を２個所以上で接続する構成としている。このような冗長構成とすることにより、導電性薄膜材料によって異なることとなる腐食条件を有する導電性薄膜をパッド部ＰＡＤに用いた場合であっても、腐食耐性を向上させることが可能となる。
【００４０】
また、図１０に示すように、第２の環状電極Ｍ２は四角環状の導電性薄膜で形成されており、実施形態１においては、例えば、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する金属薄膜の形成工程で形成される。
【００４１】
第２の環状電極Ｍ２の上層には絶縁膜（第２の絶縁膜）ＩＮＴ２が形成され、該絶縁膜ＩＮＴ２の上層に図１１に示す平板状のパッド電極Ｍ３が形成されている。このとき、パッド電極Ｍ３は絶縁膜ＩＮＴ２を介して第２の環状電極Ｍ２と重畳して形成され、絶縁膜ＩＮＴ２に形成されるコンタクトホール（第２のコンタクトホール）ＣＨ２を介して第２の環状電極Ｍ２とパッド電極Ｍ３とが電気的に接続されている。このとき、コンタクトホールＣＨ２は、配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとが接続される辺部（図６中の上下）と同じ辺部に形成されている。従って、パッド電極Ｍ３に腐食が生じ、この腐食がコンタクトホールＣＨ２を介して下層の第２の環状電極Ｍ２に至り、該第２の環状電極Ｍ２に腐食が発生した場合であっても、この腐食が第１の環状電極Ｍ１に到達するまでの期間を大きくできる。すなわち、コンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２とは９０°回転した位置に形成されると共に、第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とは絶縁膜ＩＮＴ１を介して形成され、さらには第１の環状電極Ｍ１及び第２の環状電極Ｍ２の形状が環状となっているので、第２の環状電極Ｍ２に沿って進行する腐食がコンタクトホールＣＨ２を介して第１の環状電極Ｍ１に容易に到達することを防止できるからである。
【００４２】
このように、実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の対向面側に露出されるパッド電極Ｍ３と配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２とを電気的に接続する際に、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２及びパッド電極Ｍ３とは異なる層に形成される第２の環状電極Ｍ２を介して接続する構成としている。さらには、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２と第２の環状電極Ｍ２、及び第２の環状電極Ｍ２とパッド電極Ｍ３との接続をそれぞれ平面的に異なる位置に形成するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２を介して行う構成としているので、高温高湿の環境下で使用した場合等にパッド電極Ｍ３に生じる腐食が配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２に容易に到達してしまうことを防止できる。すなわち、パッド電極Ｍ３に生じた腐食が配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとの接続部に到達する速度を遅延させることができ、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２との断線を遅延させることができるので、信頼性を向上させることができる。
【００４３】
すなわち、実施形態１の液晶表示装置においては、端子ＱＤが配置される配線（図６中上側の配線）ＳＩＧ１を３つに分岐させ、両側に分岐した配線でシールド線ＳＨを形成する。このとき、２つのシールド線ＳＨの間にパッド部ＰＡＤを形成し、分岐した残りの配線ＳＩＧ１をパッド部に接続すると共に、分岐させシールド線ＳＨとした２つの配線（シールド線ＳＨ）でパッド部ＰＡＤを環状に囲むようにし、その後に２つのシールド線ＳＨを結合させて配線ＳＩＧ２と接続する。この構成により、パッド部ＰＡＤを平面的にシールド線ＳＨで環状に囲むことができるので、隣接する配線ＳＩＧ１からパッド部ＰＡＤに印加される電界をシールド線ＳＨで遮蔽することが可能となり、高温高湿の環境下で使用した場合等にパッド電極Ｍ３に生じる腐食を抑制することができる。
【００４４】
また、実施形態１の構成からなる端子ＱＤを備える配線が、隣接する他の配線よりも高い電圧が印加される配線とする、すなわち、隣接する他の配線よりも高い電圧が印加される配線に実施形態１の構成の端子ＱＤを設ける。その結果、金属薄膜で形成される配線に対して、アノード熔解に起因する配線の腐食の防止効果を向上させることができるという格別の効果を得ることができる。
【００４５】
〈実施形態２〉
図１２は本発明の実施形態２の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図、図１３は本発明の実施形態２の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための模式図である。以下、図１２及び図１３に基づいて、実施形態２の端子について説明する。ただし、実施形態２の端子ＱＤはシールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１との接続位置及びシールド線ＳＨの形状を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、シールド線ＳＨについて詳細に説明する。
【００４６】
図１２及び図１３に示すように、実施形態２の端子ＱＤは、図中上側から伸延される配線ＳＩＧ１の端部である丸印Ｊで示す個所において、配線ＳＩＧ１とパッド部とが接続される。また、丸印Ｋで示す個所すなわち接続部ＣＮ１において、シールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１とが電気的に接続される。さらには、丸印Ｋ’で示す個所すなわち接続部ＣＮ２において、シールド線ＳＨと配線ＳＩＧ２とが接続される。また、実施形態２のシールド線ＳＨも、配線ＳＩＧ１との接続領域を除く他の領域においては、実施形態１と同様に、パッド部ＰＡＤを囲む四角環状に形成されている。従って、実施形態２の端子ＱＤにおいても、実施形態１と同様の効果を得られる。
【００４７】
特に、実施形態２の端子ＱＤでは、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとの接続部ＣＮ１が、第１基板ＳＵＢ１の面内方向にパッド部から所定の距離Ｌ２だけ離間した位置に形成される構成となっている。すなわち、パッド電極Ｍ３の辺縁部からシールド線ＳＨの内側の辺縁部までの距離Ｌ１よりも大きな距離Ｌ２だけ離間した接続部ＣＮ１において、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとが接続される構成となっている。
【００４８】
この構成とするために、実施形態２の端子ＱＤでは、配線ＳＩＧ１の近傍においてシールド線ＳＨを屈曲させて配線ＳＩＧ１の延在方向に伸延させた後に、再度、配線ＳＩＧ１の方向へ屈曲させてシールド線ＳＨを配線ＳＩＧ１に接続する構成となっている。また、配線ＳＩＧ１が延在する方向への伸延部をシールド線ＳＨにも設けることにより、実施形態２の端子ＱＤでは、パッド電極Ｍ３に腐食が生じた場合であっても、その腐食がシールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１との接続部ＣＮ１に到達し、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとの電気的接続を破壊するまでの期間を実施形態よりも大きくすることができるので、さらに信頼性を向上できるという格別の効果を得られる。
【００４９】
〈実施形態３〉
図１４は本発明の実施形態３の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図であり、以下、図１４に基づいて、実施形態３の端子について説明する。ただし、実施形態３の端子はシールド線に接続される配線の構成を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、シールド線及び配線の構成について詳細に説明する。
【００５０】
図１４に示すように、実施形態３の端子ＱＤは、図中上側から伸延される配線ＳＩＧ１の端部にパッド部が形成されると共に、丸印Ｍで示す領域においてのみシールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１とが電気的に接続されている。すなわち、実施形態３においては、シールド線ＳＨにはパッド電極Ｍ３又は配線ＳＩＧ１からの信号が入力されるのみで、シールド線ＳＨを介して他の配線に信号が入出力されない、すなわちシールド線ＳＨは電気的経路を形成しない構成となっている。
【００５１】
このとき、シールド線ＳＨは第１基板ＳＵＢ１の面内方向に対してパッド部ＰＡＤを囲むように四角環状に形成されているので、実施形態１と同様の効果を得られる。
【００５２】
なお、パッド部の構成を実施形態に示す構成とした場合も、実施形態２と同様に、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとが接続される領域Ｍを、第１基板ＳＵＢ１の面内方向にパッド部から大きく離間した位置に形成する構成としてもよい。
【００５３】
〈実施形態４〉
図１５は本発明の実施形態４の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図、図１６は本発明の実施形態４のパッド部の詳細構成を説明するための図であり、以下、図１５及び図１６に基づいて、実施形態４の端子について説明する。ただし、実施形態４の端子はパッド部の構成を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、パッド部の構成について詳細に説明する。
【００５４】
図１５に示すように、実施形態４の端子においても四角環状のシールド線ＳＨに囲まれる領域内にパッド部が形成されており、パッド電極Ｍ３が第１基板ＳＵＢ１の対向面側に露出され、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２及びシールド線ＳＨは絶縁膜ＩＮＴ１，ＩＮＴ２の下層に形成され、保護される構成となっている。また、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２とシールド線ＳＨとは同層の金属薄膜で形成され、パッド部の図中の上部において配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとが接続されると共に、パッド部の図中の下部において配線ＳＩＧ２とシールド線ＳＨとが接続される。
【００５５】
一方、パッド電極Ｍ３の辺部の内で、シールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２との接続部Ｆ，Ｆ’が配置されないパッド電極Ｍ３の辺部にはコンタクトホールＣＨ１が形成されると共に、パッド電極Ｍ３の中央領域を含む領域において、下層の電極とパッド電極Ｍ３とを電気的に接続するためのコンタクト領域（第３のコンタクトホール）として機能する開口部ＯＰが形成されている。
【００５６】
次に、図１７に図１６に示すＧ−Ｇ線での断面図、図１８に図１６に示すＨ−Ｈ線での断面図を示し、以下、図１５〜図１８に基づいて、実施形態４のパッド部の詳細構成を説明する。
【００５７】
図１７及び図１８に示すように、実施形態４のパッド部においても、第１基板ＳＵＢ１の表面に形成される四角環状の第１の環状電極Ｍ１と、絶縁膜ＩＮＴ１を介して第１の環状電極Ｍ１に重畳して形成される第２の環状電極Ｍ２とを有する構成となっている。また、実施形態４のパッド部は、第２の環状電極Ｍ２の上層に形成され、その辺部が第２の環状電極Ｍ２に重畳するように形成される面状の面状電極（第４の電極）Ｍ４と、絶縁膜ＩＮＴ２を介して面状電極Ｍ４と重畳して形成されるパッド電極Ｍ３とを有する構成となっている。
【００５８】
このとき、図１７に示すように、第１の環状電極Ｍ１に重畳する領域に形成されるコンタクトホールＣＨ１を介して、第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とが電気的に接続されている。また、図１７及び図１８に示すように、面状電極Ｍ４は第２の環状電極Ｍ２の上層に形成されているので、第２の環状電極Ｍ２と面状電極Ｍ４とが重畳される領域すなわち面状電極Ｍ４の辺部において、第２の環状電極Ｍ２と面状電極Ｍ４とは電気的に接続されている。さらには、面状電極Ｍ４の上層には絶縁膜ＩＮＴ２が形成され、この絶縁膜ＩＮＴ２に形成される開口部ＯＰ３を介して、絶縁膜ＩＮＴ２の上層に形成されるパッド電極Ｍ３と面状電極Ｍ４とが電気的に接続されている。
【００５９】
ただし、面状電極Ｍ４はパッド電極Ｍ３と同様の透明導電膜材料であるＩＴＯで形成されているが、面状電極Ｍ４とパッド電極Ｍ３とは異なる工程で形成される。例えば、ＩＰＳ方式の液晶表示パネルの形成では、薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極の形成に続く画素電極の形成工程で面状電極Ｍ４を形成し、共通電極の形成工程でパッド電極Ｍ３を形成できるので、製造工程を増加させることなく、パッド部を形成できる。なお、面状電極Ｍ４及びパッド電極Ｍ３の形成工程は、これに限定されることはなく、他の工程で形成する場合であってもよい。また、面状電極Ｍ４はＩＴＯに限定されることはなく、他の酸化物化合物からなる導電性薄膜材料で形成してもよい。
【００６０】
この構成からなる実施形態４の液晶表示装置では、第１の環状電極Ｍ１は実施形態１と同様に絶縁膜ＩＮＴ１で保護されることとなり、一方、第２の環状電極Ｍ２は面状電極Ｍ４で保護されることとなる。また、面状電極Ｍ４の辺部は絶縁膜ＩＮＴ２で保護されると共に、パッド電極Ｍ３は面状電極Ｍ４の中央部と共に辺部も保護する。
【００６１】
このように、実施形態４の液晶表示装置においても、配線ＳＩＧ１の端部に第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在する第１の環状電極Ｍ１が形成され、該第１の環状電極Ｍ１を覆う絶縁膜ＩＮＴ１を介して第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在する第２の環状電極Ｍ２が形成される構成となっている。また、第２の環状電極Ｍ２の上層には第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在する面状電極Ｍ４が形成され、該面状電極Ｍ４を覆う絶縁膜ＩＮＴ２を介してパッド電極Ｍ３が形成される構成となっている。このとき、絶縁膜ＩＮＴ１を介して重畳される第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とを電気的に接続するコンタクトホールＣＨ１の形成位置と、絶縁膜ＩＮＴ２を介して重畳される面状電極Ｍ４とパッド電極Ｍ３とを電気的に接続する開口部ＯＰ３とが、第１基板ＳＵＢ１の面内方向に対してずれた位置に形成されているので、前述する実施形態１の効果に加えて、高温高湿の環境下で使用した場合等に生じるパッド電極Ｍ３に生じる腐食が配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２に到達するまでの期間をさらに遅らせることができる。その結果、信頼性をさらに向上させることができる。
【００６２】
〈実施形態５〉
図１９及び図２０は本発明の実施形態５の表示装置における端子を構成するシールド線の構成を説明するための図であり、特に、図１９及び図２０に示す端子はＣ字状に形成されるシールド線の一方の端部に配線が接続される端子構成を説明する図である。なお、図１９及び図２０は実施形態１，２の図５及び図１３に対応する実施形態５の端子の詳細構成を説明するための模式図である。
【００６３】
前述する実施形態１〜４では、パッド部の外形形状に沿った環状のシールド線ＳＨでパッド部の周りを環状に囲む構成としているが、実施形態５の端子では、パッド部の周囲に形成されるシールド線ＳＨの一部が連続しない非環状すなわちＣ字状に形成され、該Ｃ字状のシールド線ＳＨでパッド部の周りを囲む構成としている。すなわち、実施形態１〜４のシールド線ＳＨでは、配線ＳＩＧ１からシールド線ＳＨを介して配線ＳＩＧ２に至る線路が２つの線路を有する構成となっているが、実施形態５のシールド線ＳＨでは、配線ＳＩＧ１からシールド線ＳＨを介して配線ＳＩＧ２に至る配線の線路が１つとなっている。
【００６４】
図１９（ａ）に示す構成では、シールド線ＳＨはパッド部ＰＡＤの辺縁部から所定距離だけ離間して形成され、図中下側の辺部において当該シールド線ＳＨの一部が欠落した四角形をなすＣ字状に形成されている。すなわち、実施形態１の四角環状に形成されるシールド線ＳＨの一部が欠落した形状となっており、特に、配線ＳＩＧ２が形成される側にシールド線ＳＨの開放端が形成されている。特に、図１９（ａ）に示す構成では、Ｃ字状のシールド線ＳＨの一端が配線ＳＩＧ２に接続部ＣＮ２で接続され、当該シールド線ＳＨの延在部の途中の接続部ＣＮ１で配線ＳＩＧ１と電気的に接続され、さらに延在した後に他端は接続部ＣＮ２の近傍に形成され、他端でシールド線ＳＨが開放される構成となっている。ただし、配線ＳＩＧ２とシールド線ＳＨとを接続する接続部ＣＮ２はシールド線ＳＨの端部に限定されることはなく、シールド線ＳＨの延在部分であってもよい。
【００６５】
このような構成からなる端子においても、パッド部ＰＡＤと隣接する配線ＳＩＧとの間にシールド線ＳＨが配置されると共に、シールド線ＳＨの電圧はパッド部ＰＡＤの電圧と同じ電圧となるので、実施形態１と同様の効果を得ることができる。ただし、図１９（ａ）に示すシールド線ＳＨの構成では、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２とはパッド部ＰＡＤの図中左側のシールド線ＳＨのみで電気的に接続される。
【００６６】
また、図１９（ｂ）に示すシールド線ＳＨは、図１９（ａ）と同様にＣ字状の形状であり、特に、配線ＳＩＧ１が形成される側にシールド線ＳＨの一部が欠落する開放端が配置されている。すなわち、図１９（ｂ）に示す構成では、Ｃ字状のシールド線ＳＨの一端が配線ＳＩＧ１に接続部ＣＮ１で接続され、延在部の途中の接続部ＣＮ２で配線ＳＩＧ２と電気的に接続され、さらに延在した後に他端が接続部ＣＮ１の近傍で開放される構成となっている。この構成においても、パッド部ＰＡＤと隣接する配線ＳＩＧとの間にシールド線ＳＨが配置されると共に、シールド線ＳＨの電圧はパッド部ＰＡＤの電圧と同じ電圧となるので、実施形態１と同様の効果を得ることができる。ただし、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとを接続する接続部ＣＮ１はシールド線ＳＨの端部に限定されることはなく、シールド線ＳＨの延在部分であってもよい。
【００６７】
一方、図２０（ａ）〜図２０（ｃ）に示す端子の構成では、シールド線ＳＨがパッド部ＰＡＤの辺部に沿った四角形のＣ字状に形成されると共に、パッド部ＰＡＤの角部で配線ＳＩＧ１と接続される構成となっている。
【００６８】
図２０（ａ）に示す端子は、配線ＳＩＧ１とパッド部ＰＡＤとは当該パッド部ＰＡＤの角部で電気的に接続されると共に、この角部を共有するパッド部ＰＡＤの２つの辺縁部の内で、配線ＳＩＧ１の延在方向と一致しないすなわち配線ＳＩＧ１と交差する辺縁部に対向して配置されるシールド線ＳＨの一端とが接続部ＣＮ１で電気的に接続され、他端はこの角部の近傍で開放される構成となっている。このとき、図２０（ａ）に示す端子では、配線ＳＩＧ１とパッド部ＰＡＤが接続される角部において、この角部を共有するパッド部ＰＡＤの辺縁部の延長線上を超えないように、シールド線ＳＨの一端及び他端が形成されている。この構成においても、パッド部ＰＡＤと隣接する配線ＳＩＧとの間にシールド線ＳＨが配置されると共に、シールド線ＳＨはパッド部ＰＡＤの電圧と同じ電圧が印加されることとなるので、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
また、図２０（ｂ）に示す端子は、配線ＳＩＧ１に接続しない側の他方の端部が、配線ＳＩＧ１とパッド部ＰＡＤが接続される角部を共有するパッド部ＰＡＤの辺縁部の延長線上を超えて形成されている構成が異なるのみとなる。従って、図２０（ｂ）に示す端子においても、前述する図２０（ａ）に示す端子と同様に、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００７０】
また、図２０（ｃ）に示す端子は、配線ＳＩＧ１とパッド部ＰＡＤとは当該パッド部ＰＡＤの角部で電気的に接続されている。また、図２０（ｃ）に示す端子においても、シールド線ＳＨはパッド部ＰＡＤを囲むようにしてその周囲に形成されると共に、配線ＳＩＧ１が配置される側の辺部に開口端が形成される構成となっている。このシールド線ＳＨの開口端の内で、パッド部ＰＡＤと配線ＳＩＧ１との接続位置に近い側の開口端である一方の端部が配線ＳＩＧ１と接続部ＣＮ１で電気的に接続され、他方の端部は接続部ＣＮ１の近傍で開放される構成となっている。このとき、図２０（ｃ）に示すように、図中下側の辺部の中央部分の接続部ＣＮ２でシールド線ＳＨと配線ＳＩＧ２とを接続する場合、接続部ＣＮ１と接続部ＣＮ２との距離を短くすることが可能となるので、前述する実施形態１の効果に加えて、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２とを電気的に接続するために用いるシールド線ＳＨの部分を短くできるという効果を得ることもできる。
【００７１】
また、実施形態１〜４の端子構成においても、配線ＳＩＧ１とパッド部とを当該パッド部の角部において電気的に接続する構成としてもよい。
【００７２】
なお、実施形態１〜５の表示装置においては、第１の環状電極Ｍ１及び第２の環状電極Ｍ２として四角環状の導電性薄膜で形成する場合について説明したが、実施形態５のシールド線ＳＨと同様に、第１の環状電極Ｍ１及び／又は第２の環状電極Ｍ２はその一部が欠落したＣ字状に形成される線状の電極であってもよい。
【００７３】
また、実施形態１〜５の表示装置においては、配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとを同層の金属薄膜で形成する構成としたが、これに限定されることはなく、配線ＳＩＧとは異なる層に形成される導電性薄膜でシールド線ＳＨを形成する構成であってもよい。ただし、本実施形態では、シールド線ＳＨを介して、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２とを電気的に接続する構成となっているので、シート抵抗の小さい金属薄膜でシールド線ＳＨを形成することが好ましい。金属薄膜でシールド線ＳＨを形成することにより、シールド線ＳＨを介して電気的に接続される配線全体の抵抗値を低減させことができ、信号遅れ等を低減できるからである。
【００７４】
さらには、実施形態１〜５の表示装置を適宜、組み合わせた構成であってもよい。
【００７５】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【００７６】
ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板、ＰＸ……画素電極、ＴＡ……端子領域
ＳＩＧ，ＳＩＧ１，ＳＩＧ２……端子配線、ＤＬ……ドレイン線（映像信号線）
ＧＬ……ゲート線（走査信号線）、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＣＬ……コモン線
ＣＴ……共通電極、ＡＲ……表示領域、ＱＤ……端子、ＳＭ……平坦な領域
ＣＨ１，ＣＨ２……コンタクトホール、ＳＨ……シールド線、Ｍ３……パッド電極
ＣＮ１，ＣＮ２……接続部、ＰＡＤ……パッド部、ＩＮＴ１，ＩＮＴ２……絶縁膜
Ｍ１……第１の環状電極、Ｍ２……第２の環状電極、Ｍ４……面状電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係わり、特に、外部から信号を入力するための端子部に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板のうち、一方の基板の液晶側の面に、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設されるゲート線（走査信号線）と、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設されるドレイン線（映像信号線）が形成され、これら各信号線で囲まれた矩形状の領域を画素の領域として構成している。表示領域はこれら各画素の集合体によって形成される。それぞれの画素には、少なくとも、ゲート線からの走査信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを通してドレイン線からの映像信号が供給される画素電極を備えている。これらゲート線及びドレイン線はそれぞれ表示領域の端部において端子配線（引き出し配線）と接続され、該端子配線の他端に形成されるパッドと称される端子と電気的に接続されている。これら端子配線は表示領域を除く周辺領域に配置され、一方の基板の辺部に端子が配置されている
これらの端子は、例えば、特許文献１に示すように、端子配線の上層に配置される絶縁膜の一部に当該端子配線はよりも小さい幅の開口部が形成され、該開口部に対応した導電層を形成することにより、導電層と端子配線とを電気的に接続している。このとき、導電層が配置される領域では、端子配線の延在方向に沿って当該端子配線の辺部に下層の絶縁膜が露出される２つの溝（長孔）が形成され、２つの長孔に挟まれた領域の端子配線の上層にのみ、前記導電層が形成され、長孔の両側（両脇）の端子配線の上層には絶縁膜が形成されている。
【０００３】
このような構成からなる端子部では、端子から端子配線を介してドレイン線が接続され、該ドレイン線は各薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されている。一方、端子から他端側に延在される端子配線は、基板の辺縁部に近接して配置される配線層ＣＬに電気的に接続され、各端子も同様にして、同じ配線層ＣＬに接続され、全ての端子が短絡されている。この配線層ＣＬは、ガラス基板の切断と共に切り離され、これによりそれぞれの端子が短絡されない、すなわち電気的に分離される構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３３３６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、表示領域の外側の領域の一部に、ゲート線やドレイン線の断線等を検査するための点灯検査回路が形成されているものが知られている。例えば、点灯検査回路は端子配線と接続されないゲート線及びドレイン線の端部に形成される検査用薄膜トランジスタと、該検査用薄膜トランジスタをオンする検査信号線と、このオンされた検査用薄膜トランジスタを通して検査信号をゲート線あるいはドレイン線に検査信号を供給する検査信号線とからなる。これら各検査信号線も端子配線と共に表示領域を除く周辺領域に配置され、検査信号を入力する端子も、端子配線の端子と共に一方の基板の辺部に配置されている。
【０００６】
この点灯検査回路を用いた液晶表示パネルの検査では、液晶表示パネルの切断後に、検査用の端子から検査信号を入力することにより、表示領域内にマトリクス状に配列されるそれぞれの画素の点消灯を検査している。
【０００７】
すなわち、検査用の端子は検査信号を入力する場合においてのみ外部より検査信号が入力され、検査終了後は検査信号線のみが使用されている。すなわち、従来の液晶表示パネルでは、検査終了後の通常使用時には端子配線として使用され、検査時には検査用信号線と使用される配線を有しており、この検査用配線にのみ、配線途中に端子部が形成され、通常使用時には、端子部は使用されない構成となっている。
【０００８】
しかしながら、前述するように、端子部は外部からの検査信号を入力するために、上層に導電層で形成されるのみで、他の信号線部分と同じように上層に絶縁膜が形成されない構成となっている。さらには、他の端子配線の端子部とは異なり、端子部に駆動回路やフレキシブル配線基板等が接続されない構成となっている。このために、液晶表示パネルが高温高湿の環境下で使用された場合等では、端子配線の上層に形成される導電層等の絶縁膜から露出する個所が、空気中の水分と導電膜に印加される電界との相互作用によって腐食し、この腐食の進行により下層に形成される端子配線にも影響を及ぼして、端子配線が断線してしまうことが懸念されている。
【０００９】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、表示装置に信号を入力する端子の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決すべく、複数の走査信号線と前記走査信号線に交差する複数の映像信号線とが形成される表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに第１の端子配線を介して信号を供給する複数の端子からなる端子群と、を備える表示装置であって、前記端子は、前記第１の端子配線の端部に形成され、面状の端子表面が露出される第１部分と、前記第１部分に隣接し、前記第１部分の周りに形成される第２部分と、で構成されており、前記第２部分は、絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と同層又は前記絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と異なる導電性薄膜からなり、前記第１の端子配線と前記第１の電極との接続部から離間した位置において、前記第１の端子配線と電気的に接続される表示装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、表示装置に信号を入力する端子の信頼性を向上させることができる。
【００１２】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子領域のパターン図である。
【図３】図２中に矩形枠Ａ，Ｂで示す領域の拡大図である。
【図４】本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための端子部の拡大図である。
【図５】本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための模式図である。
【図６】本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるパッド部の詳細構成を説明するための平面図である。
【図７】図６に示すＤ−Ｄ線での断面図である。
【図８】図６に示すＥ−Ｅ線での断面図である。
【図９】本発明の実施形態１の端子を形成する第１層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施形態１の端子を形成する第２層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施形態１の端子を形成する第３層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図である。
【図１２】本発明の実施形態２の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態２の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための模式図である。
【図１４】本発明の実施形態３の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図である。
【図１５】本発明の実施形態４の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施形態４のパッド部の詳細構成を説明するための図である。
【図１７】図１６に示すＧ−Ｇ線での断面図である。
【図１８】図１６に示すＨ−Ｈ線での断面図である。
【図１９】本発明の実施形態５の表示装置における端子を構成するシールド線の構成を説明するための図である。
【図２０】本発明の実施形態５の表示装置における端子を構成するシールド線の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
〈実施形態１〉
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の表示装置の全体構成を説明する。ただし、以下の説明では、本願発明を非発光型の液晶表示装置に適用した場合について説明するが、これに限定されることはなく、自発光型の有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置にも適用可能である。また、以下の説明では、図示しない周知の点灯検査回路に検査信号を入力するための検査用の端子ＱＤに本願発明を適用した場合について説明するが、駆動回路の入出力端子が接続される端子やフレキシブル配線基板と接続される端子等の他の端子にも適用可能である。ただし、本願発明は、工場出荷後すなわち通常使用時に端子表面が露出された状態となる検査用の端子に適用した場合に、最も効果的である。
【００１６】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、画素電極ＰＸや薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、図示しないカラーフィルタやブラックマトリクスが形成され、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される図示しない液晶層とで構成される液晶表示パネルを有し、該液晶表示パネルの光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。
【００１７】
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布された図示しないシール材で固定され、液晶も封止される構成となっている。また、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第１基板ＳＵＢ１の辺部（端子領域ＴＡ）には、検査用の端子ＱＤや半導体チップで構成される駆動回路等の出力端子が接続される端子等が形成されている。表示領域ＡＲに配置される各画素は端子を介して入力される駆動信号（走査信号や映像信号等）で駆動される。なお、以下の説明では、液晶表示パネルの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。
【００１８】
また、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。なお、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、ガラス基板に限定されることはなく、石英ガラスやプラスチック（樹脂）のような他の絶縁性基板であってもよい。
【００１９】
実施形態１の液晶表示装置では第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給されるゲート線（走査信号線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路からの映像信号（階調信号）が供給されるドレイン線（映像信号線）ＤＬが形成されている。これらゲート線ＧＬ及びドレイン線ＤＬは、例えば、アルミニウム等の金属薄膜で形成されているが、他の導電材料で形成した導電膜で形成してもよい。ゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬとで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域（以下、画素領域と記す）を構成し、これにより、各画素は表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。
【００２０】
各画素は、例えば図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、少なくとも表示領域の全面に形成され、Ｘ方向の左右（第１基板ＳＵＢ１の端部）の両側又は一端からコモン線ＣＬを介して、映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。ただし、薄膜トランジスタＴＦＴは、いわゆる逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、映像信号線ＤＬと接続される側をドレイン電極ＤＴ、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極ＳＴと記す。
【００２１】
画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式あるいは横電界方式と称される。また、このような構成の液晶表示装置において、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。なお、ＴＮ（Twisted Nematic）方式やＶＡ（Vertical Alignment）方式等の他の駆動方式の液晶表示装置であってもよい。
【００２２】
各ゲート線ＧＬ及びドレイン線ＤＬは、表示領域ＡＲを超えて伸延されており、表示領域ＡＲと第１基板ＳＵＢ１の辺縁部との間の領域である、いわゆる額縁領域に形成される端子配線ＳＩＧを介して、第１基板ＳＵＢ１の端子領域ＴＡに形成される端子とそれぞれ接続されている。なお、以下の説明では、ゲート線ＧＬ又はドレイン線ＤＬと端子配線ＳＩＧとが同一の工程で同層に形成される場合であっても、額縁領域に形成される信号線は、端子配線ＳＩＧと記す。また、以下の説明では、端子配線ＳＩＧとして、金属薄膜を用いる場合について説明するが、他の導電性薄膜で形成してもよい。
【００２３】
図２は本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子領域のパターン図であり、図３は図２中に矩形枠Ａ，Ｂで示す領域の拡大図である。特に、図３（ａ）は図２に示す矩形枠Ａの拡大図であり、図３（ｂ）は図２に示す矩形枠Ｂの拡大図である。
【００２４】
図２に示すように、検査用の端子ＱＤは端子領域ＴＡの両側に配置され、他の端子よりも端子面積が大きく形成されている。これは、検査用の端子ＱＤは外部から信号を入力する際に、端子ＱＤに検査用のプローブピンを当接させ、該プローブピンを介して所望の検査信号を端子ＱＤに入力するためである。このような構成とすることにより、例えば、駆動回路やフレキシブル配線基板等の比較的に高価なモジュール部材を液晶表示パネルに取り付ける前に検査を行うことにより、不良品である液晶表示パネルへのモジュール部材の取り付けに要する工数（時間）や、取り付けたモジュール部材を取り外して再利用する際の工数を低減させることができる。
【００２５】
また、実施形態１の端子ＱＤは、配線ＳＩＧの途中に形成されており、検査信号が入力されないすなわち通常の表示動作時等には、他の端子から入力された表示用の駆動信号等が導通される。さらには、実施形態１の液晶表示装置においては、検査用の端子ＱＤの外形形状が正方形に形成され、隣接する端子ＱＤが第１基板ＳＵＢ１の端子領域ＴＡ内において、図中上下方向にずれて形成されている。
【００２６】
図３（ａ），（ｂ）から明らかなように、実施形態１の液晶表示装置では、端子ＱＤに入力される信号に応じて端子ＱＤに接続される端子配線（以下、単に配線と記す）ＳＩＧの配線幅が異なる構成となっている。例えば、電源や共通信号線等に係わる配線ＳＩＧでは、配線抵抗による電圧降下を小さくするために、配線ＳＩＧの幅を大きく形成している。例えば、このような配線ＳＩＧに接続される端子ＱＤでは、後に詳述するシールド線の配線幅を、他の端子ＱＤのシールド線の幅よりも広く（大きく）形成する等の構成としてもよい。このように、シールドの幅を大きくすることによって、信号線としても機能するシールド線の抵抗を低減させることが可能となるためである。
【００２７】
また、配線ＳＩＧの途中に端子ＱＤが形成される構成となっているが、後に詳述するように、検査用のプローブピンの当接されるパッド部と、端子ＱＤを介して配置される図中上下の配線ＳＩＧを電気的に接続する信号線（シールド線）とは、別々の構成部材で形成される構成となっている。
【００２８】
〈端子部の詳細構成〉
図４は本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための端子部の拡大図であり、図５は本発明の実施形態１の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための模式図である。以下、図４及び図５に基づいて、実施形態１の端子の構成について詳細に説明する。ただし、図４の記載においては、パッド電極Ｍ３の下層に形成されるコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２とパッド電極Ｍ３との位置を明確するために、パッド電極Ｍ３に重畳してコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２を記載している。また、以下の説明では、端子配線ＳＩＧの内で、端子（パッド電極Ｍ３）よりも図中上側に形成される端子配線を配線ＳＩＧ１と記し、端子よりも図中下側に形成される端子配線を配線ＳＩＧ２と記す。また、端子ＱＤを構成するシールド線ＳＨと配線ＳＩＧとを同層の金属薄膜で形成する場合について説明するが、これに限定されることはなく、他の層に形成される導電膜で形成してもよい。
【００２９】
図４及び図５に示すように、実施形態１の端子ＱＤは、平面的に、矩形状に形成され基板面から露出されるパッド電極（第３の電極）Ｍ３を有するパッド部（第１部分）ＰＡＤと、該パッド部ＰＡＤの外周を囲むようにして環状（四角環状）に形成されるシールド線（第２部分）ＳＨとから構成される。このとき、実施形態１の端子ＱＤでは、配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとは同層に形成される導電性の金属薄膜で形成され、図４中丸印Ｃに示す個所（図５中に示す接続部ＣＮ１に相当する）において、図４中上側に伸延する配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとが電気的に接続されている。また、図中丸印Ｃ’で示す個所（図５中に示す接続部ＣＮ２に相当する）において、図４中下方に伸延する配線ＳＩＧ２とシールド線ＳＨとが接続されている。このように、実施形態１の端子ＱＤでは、パッド部ＰＡＤを環状（四角環状）に囲むようにして形成されるシールド線ＳＨを介して、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２とを電気的に接続している。
【００３０】
一方、パッド部ＰＡＤの上面に露出されるパッド電極Ｍ３は、後に詳述する絶縁膜に形成されるコンタクトホール（接続孔）ＣＨ１，ＣＨ２を介して、配線ＳＩＧ１と電気的に接続されている。また、パッド電極Ｍ３は、例えば、酸化インジウム系のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されている。ただし、パッド電極Ｍ３はＩＴＯに限定されることはなく、例えば、酸化亜鉛系（ＺｎＯ）のＡＺＯ（Aluminum doped Zinc Oxide）やＧＺＯ（Gallium doped Zinc Oxide）等、及び酸化スズ系等の透明導電膜材料を用いた構成であってもよい。
【００３１】
実施形態１の端子ＱＤは、パッド部ＰＡＤが形成される面内方向すなわち第１基板ＳＵＢ１の面内方向において、隣接する配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとの間隔よりも、該シールド線ＳＨとパッド電極Ｍ３との間隔の方が小さく形成されている。このように、パッド電極Ｍ３の近傍にシールド線ＳＨを形成することにより、その表面が露出されるパッド電極Ｍ３に隣接する配線ＳＩＧから印加される電界をシールド線ＳＨで保護する構成としている。このとき、後に詳述するように、シールド線ＳＨの上層には絶縁膜が形成されており、この絶縁膜により水分等の侵入から保護されている。
【００３２】
すなわち、平面内において、環状（四角環状）のシールド線ＳＨでパッド電極Ｍ３を囲む構成とする。この構成により、このシールド線ＳＨの電界シールド効果により隣接する配線ＳＩＧとパッド電極Ｍ３との間の電界を遮蔽することが可能となる。このとき、シールド線ＳＨとパッド電極Ｍ３とは配線ＳＩＧ１を介して電気的に接続されているので、シールド線ＳＨとパッド電極Ｍ３との間に電界が生じることはない。従って、水分に電界が加わることによって進行するパッド電極Ｍ３の腐食を大幅に抑制することが可能となり、端子ＱＤの信頼性を向上させることが可能となる。
【００３３】
一方、隣接する配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとの間には電界が生じることとなるが、後に詳述するように、配線ＳＩＧ及びシールド線ＳＨの上層には絶縁膜が形成され、この絶縁膜にそれぞれが覆われており水分の侵入が防止されるので、シールド線ＳＨ及び配線ＳＩＧの腐食を共に防止できる。
【００３４】
また、 実施形態１の端子ＱＤは、パッド電極Ｍ３の辺部にコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２が形成されると共に、その形状もパッド電極Ｍ３の辺縁部に沿った長形としている。このようなコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２の形状及び配置とすることにより、パッド電極Ｍ３の中央部に実線で示す領域ＳＭに、平坦な領域を形成し、プローブピンとの接触性能を向上させる構成としている。なお、実施形態１では正方形のパッド電極Ｍ３の４つの辺部にそれぞれ一対のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２が形成されているので、正方形となっているが、パッド電極Ｍ３の形状は任意であり、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２の形成位置及びその形状も任意であるので、平坦な領域ＳＭの形状も正方形に限定されない。
【００３５】
〈パッドの詳細構成〉
次に、図６に本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるパッド部の詳細構成を説明するための平面図、図７に図６に示すＤ−Ｄ線での断面図、図８に図６に示すＥ−Ｅ線での断面図を示す。また、図９に本発明の実施形態１の端子を形成する第１層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図、図１０に本発明の実施形態１の端子を形成する第２層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図、図１１に本発明の実施形態１の端子を形成する第３層目の導電性薄膜の概略構成を説明するための図を示し、以下、図６〜図１１に基づいて、実施形態１の端子を構成するパッド部の詳細構成を説明する。
【００３６】
図７及び図８に示すように、実施形態１の端子を構成するパッド部は、絶縁膜ＩＮＴ１，ＩＮＴ２を介して重畳配置される３層の導線性薄膜により構成されている。第１基板ＳＵＢ１の上面に配置される第１層目の導電性薄膜層は、図９に示すように、パッド電極Ｍ３の辺部に沿った正方形であり、かつ環状に形成される四角環状の第１の環状電極（第１の電極）Ｍ１である。該第１の環状電極Ｍ１は薄膜トランジスタのゲート電極を形成するための金属薄膜の形成工程で形成されており、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２やシールド線ＳＨと同層に形成されている。従って、新たな工程を追加することなく、シールド線ＳＨと共に第１の環状電極Ｍ１を形成することが可能となる。
【００３７】
また、第１の環状電極Ｍ１は配線ＳＩＧ１の端部に形成されており、図中下側の配線ＳＩＧ２とは配線ＳＩＧ１及びシールド線ＳＨを介して電気的に接続されることとなる。すなわち、実施形態１においては、シールド線ＳＨと２つの配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２とがパッド部ＰＡＤのそれぞれ異なる辺部において電気的に接続されると共に、シールド線ＳＨと２つの配線ＳＩＧ１、ＳＩＧ２とが接続される辺部はパッド部ＰＡＤの辺部の内で対向する位置に形成される辺部となっている。ただし、第１の環状電極Ｍ１と配線ＳＩＧとが電気的に接続される接続部ＣＮ１は、シールド線ＳＨと配線ＳＩＧとが接続される２つの辺部の内のいずれか一方の辺部であり、実施形態１では図中上側の辺部となる。
【００３８】
図７及び図８に示すように、第１の環状電極Ｍ１の上層には絶縁膜（第１の絶縁膜）ＩＮＴ１が形成され、該絶縁膜ＩＮＴ１の上層に第２の環状電極（第２の電極）Ｍ２が形成されている。このとき、第２の環状電極Ｍ２は絶縁膜ＩＮＴ１を介して第１の環状電極Ｍ１と重畳して形成されており、絶縁膜ＩＮＴ１に形成されるコンタクトホール（第１のコンタクトホール）ＣＨ１を介して第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とが電気的に接続される構成となっている。このとき、実施形態１においては、配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとが接続される辺部（図６中の上下）とは異なる辺部（図６中の左右）であり、対向する辺部にそれぞれコンタクトホールＣＨ１が形成されている。この構成により、第２の環状電極Ｍ２に腐食が生じた場合であっても、この腐食が接続部ＣＮ１に到達するまでの期間、すなわち、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとの断線及びシールド線ＳＨを介した配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２との断線に至るまでの期間を延ばすことができる。
【００３９】
また、実施形態１においては、第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とを２つのコンタクトホールＣＨ１でそれぞれ接続する、すなわち、異なる層に形成される導電性薄膜を２個所以上で接続する構成としている。このような冗長構成とすることにより、導電性薄膜材料によって異なることとなる腐食条件を有する導電性薄膜をパッド部ＰＡＤに用いた場合であっても、腐食耐性を向上させることが可能となる。
【００４０】
また、図１０に示すように、第２の環状電極Ｍ２は四角環状の導電性薄膜で形成されており、実施形態１においては、例えば、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する金属薄膜の形成工程で形成される。
【００４１】
第２の環状電極Ｍ２の上層には絶縁膜（第２の絶縁膜）ＩＮＴ２が形成され、該絶縁膜ＩＮＴ２の上層に図１１に示す平板状のパッド電極Ｍ３が形成されている。このとき、パッド電極Ｍ３は絶縁膜ＩＮＴ２を介して第２の環状電極Ｍ２と重畳して形成され、絶縁膜ＩＮＴ２に形成されるコンタクトホール（第２のコンタクトホール）ＣＨ２を介して第２の環状電極Ｍ２とパッド電極Ｍ３とが電気的に接続されている。このとき、コンタクトホールＣＨ２は、配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとが接続される辺部（図６中の上下）と同じ辺部に形成されている。従って、パッド電極Ｍ３に腐食が生じ、この腐食がコンタクトホールＣＨ２を介して下層の第２の環状電極Ｍ２に至り、該第２の環状電極Ｍ２に腐食が発生した場合であっても、この腐食が第１の環状電極Ｍ１に到達するまでの期間を大きくできる。すなわち、コンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２とは９０°回転した位置に形成されると共に、第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とは絶縁膜ＩＮＴ１を介して形成され、さらには第１の環状電極Ｍ１及び第２の環状電極Ｍ２の形状が環状となっているので、第２の環状電極Ｍ２に沿って進行する腐食がコンタクトホールＣＨ２を介して第１の環状電極Ｍ１に容易に到達することを防止できるからである。
【００４２】
このように、実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の対向面側に露出されるパッド電極Ｍ３と配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２とを電気的に接続する際に、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２及びパッド電極Ｍ３とは異なる層に形成される第２の環状電極Ｍ２を介して接続する構成としている。さらには、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２と第２の環状電極Ｍ２、及び第２の環状電極Ｍ２とパッド電極Ｍ３との接続をそれぞれ平面的に異なる位置に形成するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２を介して行う構成としているので、高温高湿の環境下で使用した場合等にパッド電極Ｍ３に生じる腐食が配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２に容易に到達してしまうことを防止できる。すなわち、パッド電極Ｍ３に生じた腐食が配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとの接続部に到達する速度を遅延させることができ、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２との断線を遅延させることができるので、信頼性を向上させることができる。
【００４３】
すなわち、実施形態１の液晶表示装置においては、端子ＱＤが配置される配線（図６中上側の配線）ＳＩＧ１を３つに分岐させ、両側に分岐した配線でシールド線ＳＨを形成する。このとき、２つのシールド線ＳＨの間にパッド部ＰＡＤを形成し、分岐した残りの配線ＳＩＧ１をパッド部に接続すると共に、分岐させシールド線ＳＨとした２つの配線（シールド線ＳＨ）でパッド部ＰＡＤを環状に囲むようにし、その後に２つのシールド線ＳＨを結合させて配線ＳＩＧ２と接続する。この構成により、パッド部ＰＡＤを平面的にシールド線ＳＨで環状に囲むことができるので、隣接する配線ＳＩＧ１からパッド部ＰＡＤに印加される電界をシールド線ＳＨで遮蔽することが可能となり、高温高湿の環境下で使用した場合等にパッド電極Ｍ３に生じる腐食を抑制することができる。
【００４４】
また、実施形態１の構成からなる端子ＱＤを備える配線が、隣接する他の配線よりも高い電圧が印加される配線とする、すなわち、隣接する他の配線よりも高い電圧が印加される配線に実施形態１の構成の端子ＱＤを設ける。その結果、金属薄膜で形成される配線に対して、アノード熔解に起因する配線の腐食の防止効果を向上させることができるという格別の効果を得ることができる。
【００４５】
〈実施形態２〉
図１２は本発明の実施形態２の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図、図１３は本発明の実施形態２の液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための模式図である。以下、図１２及び図１３に基づいて、実施形態２の端子について説明する。ただし、実施形態２の端子ＱＤはシールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１との接続位置及びシールド線ＳＨの形状を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、シールド線ＳＨについて詳細に説明する。
【００４６】
図１２及び図１３に示すように、実施形態２の端子ＱＤは、図中上側から伸延される配線ＳＩＧ１の端部である丸印Ｊで示す個所において、配線ＳＩＧ１とパッド部とが接続される。また、丸印Ｋで示す個所すなわち接続部ＣＮ１において、シールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１とが電気的に接続される。さらには、丸印Ｋ’で示す個所すなわち接続部ＣＮ２において、シールド線ＳＨと配線ＳＩＧ２とが接続される。また、実施形態２のシールド線ＳＨも、配線ＳＩＧ１との接続領域を除く他の領域においては、実施形態１と同様に、パッド部ＰＡＤを囲む四角環状に形成されている。従って、実施形態２の端子ＱＤにおいても、実施形態１と同様の効果を得られる。
【００４７】
特に、実施形態２の端子ＱＤでは、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとの接続部ＣＮ１が、第１基板ＳＵＢ１の面内方向にパッド部から所定の距離Ｌ２だけ離間した位置に形成される構成となっている。すなわち、パッド電極Ｍ３の辺縁部からシールド線ＳＨの内側の辺縁部までの距離Ｌ１よりも大きな距離Ｌ２だけ離間した接続部ＣＮ１において、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとが接続される構成となっている。
【００４８】
この構成とするために、実施形態２の端子ＱＤでは、配線ＳＩＧ１の近傍においてシールド線ＳＨを屈曲させて配線ＳＩＧ１の延在方向に伸延させた後に、再度、配線ＳＩＧ１の方向へ屈曲させてシールド線ＳＨを配線ＳＩＧ１に接続する構成となっている。また、配線ＳＩＧ１が延在する方向への伸延部をシールド線ＳＨにも設けることにより、実施形態２の端子ＱＤでは、パッド電極Ｍ３に腐食が生じた場合であっても、その腐食がシールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１との接続部ＣＮ１に到達し、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとの電気的接続を破壊するまでの期間を実施形態よりも大きくすることができるので、さらに信頼性を向上できるという格別の効果を得られる。
【００４９】
〈実施形態３〉
図１４は本発明の実施形態３の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図であり、以下、図１４に基づいて、実施形態３の端子について説明する。ただし、実施形態３の端子はシールド線に接続される配線の構成を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、シールド線及び配線の構成について詳細に説明する。
【００５０】
図１４に示すように、実施形態３の端子ＱＤは、図中上側から伸延される配線ＳＩＧ１の端部にパッド部が形成されると共に、丸印Ｍで示す領域においてのみシールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１とが電気的に接続されている。すなわち、実施形態３においては、シールド線ＳＨにはパッド電極Ｍ３又は配線ＳＩＧ１からの信号が入力されるのみで、シールド線ＳＨを介して他の配線に信号が入出力されない、すなわちシールド線ＳＨは電気的経路を形成しない構成となっている。
【００５１】
このとき、シールド線ＳＨは第１基板ＳＵＢ１の面内方向に対してパッド部ＰＡＤを囲むように四角環状に形成されているので、実施形態１と同様の効果を得られる。
【００５２】
なお、パッド部の構成を実施形態に示す構成とした場合も、実施形態２と同様に、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとが接続される領域Ｍを、第１基板ＳＵＢ１の面内方向にパッド部から大きく離間した位置に形成する構成としてもよい。
【００５３】
〈実施形態４〉
図１５は本発明の実施形態４の表示装置である液晶表示装置における端子の詳細構成を説明するための図、図１６は本発明の実施形態４のパッド部の詳細構成を説明するための図であり、以下、図１５及び図１６に基づいて、実施形態４の端子について説明する。ただし、実施形態４の端子はパッド部の構成を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、パッド部の構成について詳細に説明する。
【００５４】
図１５に示すように、実施形態４の端子においても四角環状のシールド線ＳＨに囲まれる領域内にパッド部が形成されており、パッド電極Ｍ３が第１基板ＳＵＢ１の対向面側に露出され、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２及びシールド線ＳＨは絶縁膜ＩＮＴ１，ＩＮＴ２の下層に形成され、保護される構成となっている。また、配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２とシールド線ＳＨとは同層の金属薄膜で形成され、パッド部の図中の上部において配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとが接続されると共に、パッド部の図中の下部において配線ＳＩＧ２とシールド線ＳＨとが接続される。
【００５５】
一方、パッド電極Ｍ３の辺部の内で、シールド線ＳＨと配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２との接続部Ｆ，Ｆ’が配置されないパッド電極Ｍ３の辺部にはコンタクトホールＣＨ１が形成されると共に、パッド電極Ｍ３の中央領域を含む領域において、下層の電極とパッド電極Ｍ３とを電気的に接続するためのコンタクト領域（第３のコンタクトホール）として機能する開口部ＯＰが形成されている。
【００５６】
次に、図１７に図１６に示すＧ−Ｇ線での断面図、図１８に図１６に示すＨ−Ｈ線での断面図を示し、以下、図１５〜図１８に基づいて、実施形態４のパッド部の詳細構成を説明する。
【００５７】
図１７及び図１８に示すように、実施形態４のパッド部においても、第１基板ＳＵＢ１の表面に形成される四角環状の第１の環状電極Ｍ１と、絶縁膜ＩＮＴ１を介して第１の環状電極Ｍ１に重畳して形成される第２の環状電極Ｍ２とを有する構成となっている。また、実施形態４のパッド部は、第２の環状電極Ｍ２の上層に形成され、その辺部が第２の環状電極Ｍ２に重畳するように形成される面状の面状電極（第４の電極）Ｍ４と、絶縁膜ＩＮＴ２を介して面状電極Ｍ４と重畳して形成されるパッド電極Ｍ３とを有する構成となっている。
【００５８】
このとき、図１７に示すように、第１の環状電極Ｍ１に重畳する領域に形成されるコンタクトホールＣＨ１を介して、第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とが電気的に接続されている。また、図１７及び図１８に示すように、面状電極Ｍ４は第２の環状電極Ｍ２の上層に形成されているので、第２の環状電極Ｍ２と面状電極Ｍ４とが重畳される領域すなわち面状電極Ｍ４の辺部において、第２の環状電極Ｍ２と面状電極Ｍ４とは電気的に接続されている。さらには、面状電極Ｍ４の上層には絶縁膜ＩＮＴ２が形成され、この絶縁膜ＩＮＴ２に形成される開口部ＯＰ３を介して、絶縁膜ＩＮＴ２の上層に形成されるパッド電極Ｍ３と面状電極Ｍ４とが電気的に接続されている。
【００５９】
ただし、面状電極Ｍ４はパッド電極Ｍ３と同様の透明導電膜材料であるＩＴＯで形成されているが、面状電極Ｍ４とパッド電極Ｍ３とは異なる工程で形成される。例えば、ＩＰＳ方式の液晶表示パネルの形成では、薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極の形成に続く画素電極の形成工程で面状電極Ｍ４を形成し、共通電極の形成工程でパッド電極Ｍ３を形成できるので、製造工程を増加させることなく、パッド部を形成できる。なお、面状電極Ｍ４及びパッド電極Ｍ３の形成工程は、これに限定されることはなく、他の工程で形成する場合であってもよい。また、面状電極Ｍ４はＩＴＯに限定されることはなく、他の酸化物化合物からなる導電性薄膜材料で形成してもよい。
【００６０】
この構成からなる実施形態４の液晶表示装置では、第１の環状電極Ｍ１は実施形態１と同様に絶縁膜ＩＮＴ１で保護されることとなり、一方、第２の環状電極Ｍ２は面状電極Ｍ４で保護されることとなる。また、面状電極Ｍ４の辺部は絶縁膜ＩＮＴ２で保護されると共に、パッド電極Ｍ３は面状電極Ｍ４の中央部と共に辺部も保護する。
【００６１】
このように、実施形態４の液晶表示装置においても、配線ＳＩＧ１の端部に第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在する第１の環状電極Ｍ１が形成され、該第１の環状電極Ｍ１を覆う絶縁膜ＩＮＴ１を介して第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在する第２の環状電極Ｍ２が形成される構成となっている。また、第２の環状電極Ｍ２の上層には第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在する面状電極Ｍ４が形成され、該面状電極Ｍ４を覆う絶縁膜ＩＮＴ２を介してパッド電極Ｍ３が形成される構成となっている。このとき、絶縁膜ＩＮＴ１を介して重畳される第１の環状電極Ｍ１と第２の環状電極Ｍ２とを電気的に接続するコンタクトホールＣＨ１の形成位置と、絶縁膜ＩＮＴ２を介して重畳される面状電極Ｍ４とパッド電極Ｍ３とを電気的に接続する開口部ＯＰ３とが、第１基板ＳＵＢ１の面内方向に対してずれた位置に形成されているので、前述する実施形態１の効果に加えて、高温高湿の環境下で使用した場合等に生じるパッド電極Ｍ３に生じる腐食が配線ＳＩＧ１，ＳＩＧ２に到達するまでの期間をさらに遅らせることができる。その結果、信頼性をさらに向上させることができる。
【００６２】
〈実施形態５〉
図１９及び図２０は本発明の実施形態５の表示装置における端子を構成するシールド線の構成を説明するための図であり、特に、図１９及び図２０に示す端子はＣ字状に形成されるシールド線の一方の端部に配線が接続される端子構成を説明する図である。なお、図１９及び図２０は実施形態１，２の図５及び図１３に対応する実施形態５の端子の詳細構成を説明するための模式図である。
【００６３】
前述する実施形態１〜４では、パッド部の外形形状に沿った環状のシールド線ＳＨでパッド部の周りを環状に囲む構成としているが、実施形態５の端子では、パッド部の周囲に形成されるシールド線ＳＨの一部が連続しない非環状すなわちＣ字状に形成され、該Ｃ字状のシールド線ＳＨでパッド部の周りを囲む構成としている。すなわち、実施形態１〜４のシールド線ＳＨでは、配線ＳＩＧ１からシールド線ＳＨを介して配線ＳＩＧ２に至る線路が２つの線路を有する構成となっているが、実施形態５のシールド線ＳＨでは、配線ＳＩＧ１からシールド線ＳＨを介して配線ＳＩＧ２に至る配線の線路が１つとなっている。
【００６４】
図１９（ａ）に示す構成では、シールド線ＳＨはパッド部ＰＡＤの辺縁部から所定距離だけ離間して形成され、図中下側の辺部において当該シールド線ＳＨの一部が欠落した四角形をなすＣ字状に形成されている。すなわち、実施形態１の四角環状に形成されるシールド線ＳＨの一部が欠落した形状となっており、特に、配線ＳＩＧ２が形成される側にシールド線ＳＨの開放端が形成されている。特に、図１９（ａ）に示す構成では、Ｃ字状のシールド線ＳＨの一端が配線ＳＩＧ２に接続部ＣＮ２で接続され、当該シールド線ＳＨの延在部の途中の接続部ＣＮ１で配線ＳＩＧ１と電気的に接続され、さらに延在した後に他端は接続部ＣＮ２の近傍に形成され、他端でシールド線ＳＨが開放される構成となっている。ただし、配線ＳＩＧ２とシールド線ＳＨとを接続する接続部ＣＮ２はシールド線ＳＨの端部に限定されることはなく、シールド線ＳＨの延在部分であってもよい。
【００６５】
このような構成からなる端子においても、パッド部ＰＡＤと隣接する配線ＳＩＧとの間にシールド線ＳＨが配置されると共に、シールド線ＳＨの電圧はパッド部ＰＡＤの電圧と同じ電圧となるので、実施形態１と同様の効果を得ることができる。ただし、図１９（ａ）に示すシールド線ＳＨの構成では、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２とはパッド部ＰＡＤの図中左側のシールド線ＳＨのみで電気的に接続される。
【００６６】
また、図１９（ｂ）に示すシールド線ＳＨは、図１９（ａ）と同様にＣ字状の形状であり、特に、配線ＳＩＧ１が形成される側にシールド線ＳＨの一部が欠落する開放端が配置されている。すなわち、図１９（ｂ）に示す構成では、Ｃ字状のシールド線ＳＨの一端が配線ＳＩＧ１に接続部ＣＮ１で接続され、延在部の途中の接続部ＣＮ２で配線ＳＩＧ２と電気的に接続され、さらに延在した後に他端が接続部ＣＮ１の近傍で開放される構成となっている。この構成においても、パッド部ＰＡＤと隣接する配線ＳＩＧとの間にシールド線ＳＨが配置されると共に、シールド線ＳＨの電圧はパッド部ＰＡＤの電圧と同じ電圧となるので、実施形態１と同様の効果を得ることができる。ただし、配線ＳＩＧ１とシールド線ＳＨとを接続する接続部ＣＮ１はシールド線ＳＨの端部に限定されることはなく、シールド線ＳＨの延在部分であってもよい。
【００６７】
一方、図２０（ａ）〜図２０（ｃ）に示す端子の構成では、シールド線ＳＨがパッド部ＰＡＤの辺部に沿った四角形のＣ字状に形成されると共に、パッド部ＰＡＤの角部で配線ＳＩＧ１と接続される構成となっている。
【００６８】
図２０（ａ）に示す端子は、配線ＳＩＧ１とパッド部ＰＡＤとは当該パッド部ＰＡＤの角部で電気的に接続されると共に、この角部を共有するパッド部ＰＡＤの２つの辺縁部の内で、配線ＳＩＧ１の延在方向と一致しないすなわち配線ＳＩＧ１と交差する辺縁部に対向して配置されるシールド線ＳＨの一端とが接続部ＣＮ１で電気的に接続され、他端はこの角部の近傍で開放される構成となっている。このとき、図２０（ａ）に示す端子では、配線ＳＩＧ１とパッド部ＰＡＤが接続される角部において、この角部を共有するパッド部ＰＡＤの辺縁部の延長線上を超えないように、シールド線ＳＨの一端及び他端が形成されている。この構成においても、パッド部ＰＡＤと隣接する配線ＳＩＧとの間にシールド線ＳＨが配置されると共に、シールド線ＳＨはパッド部ＰＡＤの電圧と同じ電圧が印加されることとなるので、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
また、図２０（ｂ）に示す端子は、配線ＳＩＧ１に接続しない側の他方の端部が、配線ＳＩＧ１とパッド部ＰＡＤが接続される角部を共有するパッド部ＰＡＤの辺縁部の延長線上を超えて形成されている構成が異なるのみとなる。従って、図２０（ｂ）に示す端子においても、前述する図２０（ａ）に示す端子と同様に、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００７０】
また、図２０（ｃ）に示す端子は、配線ＳＩＧ１とパッド部ＰＡＤとは当該パッド部ＰＡＤの角部で電気的に接続されている。また、図２０（ｃ）に示す端子においても、シールド線ＳＨはパッド部ＰＡＤを囲むようにしてその周囲に形成されると共に、配線ＳＩＧ１が配置される側の辺部に開口端が形成される構成となっている。このシールド線ＳＨの開口端の内で、パッド部ＰＡＤと配線ＳＩＧ１との接続位置に近い側の開口端である一方の端部が配線ＳＩＧ１と接続部ＣＮ１で電気的に接続され、他方の端部は接続部ＣＮ１の近傍で開放される構成となっている。このとき、図２０（ｃ）に示すように、図中下側の辺部の中央部分の接続部ＣＮ２でシールド線ＳＨと配線ＳＩＧ２とを接続する場合、接続部ＣＮ１と接続部ＣＮ２との距離を短くすることが可能となるので、前述する実施形態１の効果に加えて、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２とを電気的に接続するために用いるシールド線ＳＨの部分を短くできるという効果を得ることもできる。
【００７１】
また、実施形態１〜４の端子構成においても、配線ＳＩＧ１とパッド部とを当該パッド部の角部において電気的に接続する構成としてもよい。
【００７２】
なお、実施形態１〜５の表示装置においては、第１の環状電極Ｍ１及び第２の環状電極Ｍ２として四角環状の導電性薄膜で形成する場合について説明したが、実施形態５のシールド線ＳＨと同様に、第１の環状電極Ｍ１及び／又は第２の環状電極Ｍ２はその一部が欠落したＣ字状に形成される線状の電極であってもよい。
【００７３】
また、実施形態１〜５の表示装置においては、配線ＳＩＧとシールド線ＳＨとを同層の金属薄膜で形成する構成としたが、これに限定されることはなく、配線ＳＩＧとは異なる層に形成される導電性薄膜でシールド線ＳＨを形成する構成であってもよい。ただし、本実施形態では、シールド線ＳＨを介して、配線ＳＩＧ１と配線ＳＩＧ２とを電気的に接続する構成となっているので、シート抵抗の小さい金属薄膜でシールド線ＳＨを形成することが好ましい。金属薄膜でシールド線ＳＨを形成することにより、シールド線ＳＨを介して電気的に接続される配線全体の抵抗値を低減させことができ、信号遅れ等を低減できるからである。
【００７４】
さらには、実施形態１〜５の表示装置を適宜、組み合わせた構成であってもよい。
【００７５】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【００７６】
ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板、ＰＸ……画素電極、ＴＡ……端子領域
ＳＩＧ，ＳＩＧ１，ＳＩＧ２……端子配線、ＤＬ……ドレイン線（映像信号線）
ＧＬ……ゲート線（走査信号線）、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＣＬ……コモン線
ＣＴ……共通電極、ＡＲ……表示領域、ＱＤ……端子、ＳＭ……平坦な領域
ＣＨ１，ＣＨ２……コンタクトホール、ＳＨ……シールド線、Ｍ３……パッド電極
ＣＮ１，ＣＮ２……接続部、ＰＡＤ……パッド部、ＩＮＴ１，ＩＮＴ２……絶縁膜
Ｍ１……第１の環状電極、Ｍ２……第２の環状電極、Ｍ４……面状電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査信号線と前記走査信号線に交差する複数の映像信号線とが形成される表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに第１の端子配線を介して信号を供給する複数の端子からなる端子群と、を備える表示装置であって、
前記端子は、前記第１の端子配線の端部に形成され、面状の端子表面が露出される第１部分と、
前記第１部分に隣接し、前記第１部分の周りに形成される第２部分と、で構成されており、
前記第２部分は、絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と同層又は前記絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と異なる導電性薄膜からなり、
前記第１の端子配線と前記第１の電極との接続部から離間した位置において、前記第１の端子配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の端子配線と電気的に接続される第２の端子配線を備え、
前記第２の端子配線は、前記第１の端子配線が接続される接続部とは異なる位置で、前記第２部分に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１部分は、前記第１の端子配線の端部に形成される第１の電極と、
第１の絶縁膜を介して前記第１の電極の上層に重畳して形成され、前記第１の絶縁膜に形成される第１のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続される線状の第２の電極と、
第２の絶縁膜を介して前記第２の電極の上層に重畳して形成され、前記第２の絶縁膜に形成される第２のコンタクトホールを介して前記第２の電極と電気的に接続される面状の第３の電極と、からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、前記第３の電極の辺部に沿った環状の導電性薄膜からなることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールは、重畳しない位置に形成されることを特徴とする請求項３又は４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１部分は、前記第１の端子配線の端部に形成される環状の第１の電極と、
第１の絶縁膜を介して前記第１の電極の上層に重畳して形成され、前記第１の絶縁膜に形成される第１のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続される面状の第４の電極と、
第２の絶縁膜を介して前記第４の電極の上層に重畳して形成され、前記第２の絶縁膜に形成される第３のコンタクトホールを介して前記第４の電極と電気的に接続される面状の第３の電極と、からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜と前記第４の電極との間に形成される環状の第２の電極を備えることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２部分は、前記第１部分の全周を囲む環状の電極からなることを特徴とする請求項１乃至７の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１】
複数の走査信号線と前記走査信号線に交差する複数の映像信号線とが形成される表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに第１の端子配線を介して信号を供給する複数の端子からなる端子群と、を備える表示装置であって、
前記端子は、前記第１の端子配線の端部に形成され、面状の端子表面が露出される第１部分と、
前記第１部分に隣接し、前記第１部分の周りに形成される第２部分と、で構成されており、
前記第２部分は、絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と同層又は前記絶縁膜で覆われる前記第１の端子配線と異なる導電性薄膜からなり、
前記第１の端子配線と前記第１の電極との接続部から離間した位置において、前記第１の端子配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の端子配線と電気的に接続される第２の端子配線を備え、
前記第２の端子配線は、前記第１の端子配線が接続される接続部とは異なる位置で、前記第２部分に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１部分は、前記第１の端子配線の端部に形成される第１の電極と、
第１の絶縁膜を介して前記第１の電極の上層に重畳して形成され、前記第１の絶縁膜に形成される第１のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続される線状の第２の電極と、
第２の絶縁膜を介して前記第２の電極の上層に重畳して形成され、前記第２の絶縁膜に形成される第２のコンタクトホールを介して前記第２の電極と電気的に接続される面状の第３の電極と、からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、前記第３の電極の辺部に沿った環状の導電性薄膜からなることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールは、重畳しない位置に形成されることを特徴とする請求項３又は４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１部分は、前記第１の端子配線の端部に形成される環状の第１の電極と、
第１の絶縁膜を介して前記第１の電極の上層に重畳して形成され、前記第１の絶縁膜に形成される第１のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続される面状の第４の電極と、
第２の絶縁膜を介して前記第４の電極の上層に重畳して形成され、前記第２の絶縁膜に形成される第３のコンタクトホールを介して前記第４の電極と電気的に接続される面状の第３の電極と、からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜と前記第４の電極との間に形成される環状の第２の電極を備えることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２部分は、前記第１部分の全周を囲む環状の電極からなることを特徴とする請求項１乃至７の内のいずれかに記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１２−１７３４８１（Ｐ２０１２−１７３４８１Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３４８０５（Ｐ２０１１−３４８０５）
【出願日】平成２３年２月２１日（２０１１．２．２１）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社ジャパンディスプレイイースト (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月２１日（２０１１．２．２１）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社ジャパンディスプレイイースト (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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