【課題】ＴＦＴ不良（例えば、ソース電極とドレイン電極との短絡）を修正でき、かつ高速表示への対応および消費電力の抑制を実現しうるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】トランジスタ１２と、トランジスタ１２の一方の導通電極８から引き出された引き出し配線７と、画素電極１７と、保持容量配線１８と、該保持容量配線１８から延伸する延伸部１９とを備え、延伸部１９と上記引き出し配線７の一部とが絶縁層を介して重なる重畳部５７が設けられ、引き出し配線７は、導通電極８から重畳部５７に到るまでの経路上にコンタクトホール１１ｂによる画素電極１７との接続部を有するとともに、導通電極８から該接続部に到るまでの経路上に画素電極１７と重ならない部分を有している。 （もっと読む）

【課題】高精細度表示に対応でき、反射型表示に最低限必要な反射型表示の輝度を確保し、透過型の表示装置と同等の透過型表示の輝度を確保し得る液晶表示装置を提供する。
【解決手段】Ｃｓオンゲート構造を採用し、補助容量配線（Ｃｓ線）の配線領域等を透過領域に充当して透過領域を増加させ、外部から取り入れた周囲光の反射による反射型表示を行う反射領域Ａと、内部に設けられた光源からの光の透過による透過型表示を行う透過領域Ｂとを有する画素領域が複数マトリクス状に配列されてなり、前記各画素領域には、反射領域と透過領域とが並列に配置されており、上記透過領域の開口率が上記画素領域全体の４０％以上、１００％未満である。 （もっと読む）

【課題】 画素間寄生容量が存在する場合であっても画質を向上することができるアクティブマトリックス型表示装置を提供する。
【解決手段】 第一後書込画素と第一先書込画素が隣接して配置され、第一先書込画素とは逆方向に、第一データ信号ラインを挟んで第一後書込画素に隣接する第二先書込画素が配置され、第一後書込画素とは逆の方向に第二データ信号ラインを挟んで第一先書込画素に隣接する第二後書込画素が配置され、第一後書込画素と第二先書込画素が第一データ信号ラインを共用し、第一先書込画素と第二後書込画素が第二データ信号ラインを共用し、各先書込画素が第一走査信号ラインに接続され、各後書込画素が第二走査信号ラインに接続されているアクティブマトリックス型表示装置であって、第二走査信号ラインにおける電位振幅Ｖｇ２が第一走査信号ラインにおける電位振幅Ｖｇ１よりも大きくなるように駆動する。 （もっと読む）

【課題】サブ画素直下の絶縁膜の膜厚をなるべく厚く保って寄生容量の低減を図りつつ、接続電極の断線発生率を低減した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、互いに離間した複数のサブピクセル１・２を有する絵素電極と、サブピクセル１・２よりも幅が狭く、隣接するサブピクセル１・２を電気的に接続する接続電極４と、サブピクセル１・２の直下に設けられた第１の層間絶縁膜１２と、接続電極４の直下に設けられた第２の層間絶縁膜１３と、を備えた液晶表示装置であって、第１層間絶縁膜の最大膜厚をＡ、第２層間絶縁膜の膜厚をＢとしたとき、２．５≦Ａ、かつ、Ｂ＜２．５μｍの関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】コントラストが良好でありながらクロストーク等の表示品位を損なうことがない
半透過型液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】マトリクス状に配置された信号線１３及び走査線１２により区画されるそれ
ぞれの位置に反射部１５と透過部１６とが形成された第一基板と、カラーフィルタ及び共
通電極を形成した第二基板と、前記両基板間に配置された液晶層とを有する半透過型液晶
表示装置１０において、前記反射部１５及び透過部１６に設ける画素電極１９を前記信号
線１３及び信号線１２３と絶縁膜を介して平面視において重なるように形成し、前記透過
部１６に対応すると信号線１３の幅Ｌ１を前記反射部１５に対応する前記信号線１３の幅
Ｌ３よりも大きくし、前記透過部１６に対応する前記画素電極１９と信号線１３の重なり
幅Ｌ２を前記反射部１５に対応する画素電極１９と信号線１３の重なり幅Ｌ４よりも大き
くする。 （もっと読む）

【課題】基板に設けられる容量（例えば、保持容量や画素電極の電位制御用容量、あるいはそれらを兼用する容量）の容量値ばらつきを低減できるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】各画素領域に、トランジスタと、該トランジスタに接続し、容量の一方電極として機能しうる容量電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記容量電極の下層にあって、上記容量の他方電極として機能しうる導電体を備え、各トランジスタのゲート電極および上記導電体を覆うゲート絶縁膜は、上記導電体と重畳する導電体上領域の中に、膜厚の小さくなった薄膜部を有しており、該薄膜部の少なくとも一部が上記容量電極と重畳している。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量に伴う消費電力の増加を抑える。液晶分子の劣化による表示不良を改善する。
【解決手段】 対向基板２は、額縁領域ＦＡ内に形成された絶縁部材２１と、少なくとも表示領域ＤＡを含む領域に形成された導電膜とを有する。前記導電膜は、共通電極２２ａと、絶縁部材２１の上面端部２１１において共通電極２２ａから絶縁された不通部２２ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、液晶パネルの非表示領域に形成された配線と対向基板との間の容量を低減させて、配線のインピーダンスを低下させることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１０は、ＴＦＴ基板（素子基板）３０と、該素子基板と対向して配置された対向基板２０との間に液晶層４０を有する液晶パネルを備えている液晶表示装置である。対向基板２０の非表示領域には、ブラックマトリクス２２が設けられている。また、上記非表示領域における、対向基板２０のＴＦＴ基板３０との対向面には、ＴＦＴ基板３０上に設けられた配線３２と対向する位置に、ブラックマトリクスを部分的に取り除くことによって形成された凹み２５が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、上面と下面とを有する基板（Ｓ）上のパターン形成方法において、不透明材料の第一の層（Ｅ１）を基板（Ｓ）の上面に堆積させる工程、感光層（Ｒ）を、前記の感光層（Ｒ）の一部が第一の層（Ｅ１）の少なくとも一部を被覆するように堆積させる工程、前記の感光層（Ｒ）を光ビーム（Ｌ）で露光する工程、前記の光ビーム（Ｌ）は基板（Ｓ）の下面に傾斜角（Φ）の入射角で当たり、露光領域の感光層（Ｒ）を除去する工程、不透明材料の第二の層（Ｅ２）を、前記の第二の層の一部が感光層（Ｒ）の残っている領域を被覆するように堆積させる工程、および感光層（Ｒ）の少なくとも一部の残っている領域を除去する工程を含む方法に関する。本発明の方法の他の態様によれば、感光層（Ｒ）の露光領域を除去した後、異方性プラズマエッチングを基板（Ｓ）の上面の上から適用し、そしてその後、第二の層（Ｅ２）を堆積させる。本発明の方法は、薄膜電界効果型トランジスタのソース電極およびドレイン電極の形成に適用される。本発明はさらには、かかる方法によって製造された電子素子に関する。
（もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置における液晶表示装置の開口率を高めると共に光漏れを抑制すること。
【解決手段】背面側基板と観察者側基板とこの両基板に狭持された液晶層とを備え、観察者側からの光を反射する反射領域２１と背面側からの光を透過する透過領域２２を有し前記液晶層１６および１７を駆動する単位画素からなる半透過型液晶表示装置であって、反射領域２１に電気的に分離された一対の反射板１および２を形成し、反射領域２１および透過領域２２に対してそれぞれデータ信号で駆動する反射画素電極Ａ３５および透過画素電極Ａ３６を前記反射板１および２の背面基板側に備え、反射画素電極Ａ３５および透過画素電極Ａ３６と前記反射板１および２との間でそれぞれ蓄積容量を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属基板による寄生静電容量の発生を防止できる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ストレージ電圧を供給する複数のストレージラインを備えた画素アレイ及びストレージラインに接続される供給ラインが形成された金属基板と、ストレージ電圧を生成し、供給ラインに接続された電圧源と、を備える表示素子を提供する。ここで、金属基板は、電圧源の出力端子、供給ラインまたはストレージラインのいずれかと接続されるようにする。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を抑制した状態で開口率を向上させることが可能な液晶表示素子および表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板１０上にマトリクス状に配置された複数の走査線１１および複数の信号線１２と、走査線１１および前記信号線１２の交差部に配置されたＴＦＴ１と、ＴＦＴ１を覆う状態で、第１基板１０上に設けられた第１絶縁膜１３と、第１絶縁膜１３上に配置された共通電極１４と、共通電極１４を覆う状態で、第１絶縁膜１３上に配置された第２絶縁膜１５と、画素領域１Ａ内の第２絶縁膜１５上に配置され、第２絶縁膜１５および第１絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ１と接続された複数のスリット１６ａを有する画素電極１６とを備え、共通電極１４は、第１絶縁膜１３上のコンタクトホールの形成領域を除く画素領域１０Ａと、走査線１１および信号線１２の少なくとも一方とを覆う状態で配置された液晶表示素子および表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ-ＬＣＤにおいて、蓄積容量ラインの相互接続構造を簡素に構成でき、斜めから見たときのグレースケールの影響を低減し、色ずれ現象を改善する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のピクセルと、第１及び第２の走査線と、蓄積容量ラインを備え、各ピクセルは、第１及び第２の走査線の間に配設された第１のサブピクセルと、第１から第３の薄膜トランジスタと、第１及び第２の領域に分割されたピクセル電極を有する。第１の薄膜トランジスタは、第１の走査線及びピクセル電極の第１の領域に電気的に接続され、第２の薄膜トランジスタは、第１の走査線及びピクセル電極の第２の領域に電気的に接続され、第３の薄膜トランジスタは、第２の走査線及びピクセル電極の第２の領域に電気的に接続されている。蓄積容量ラインは、第３の薄膜トランジスタに電気的に接続され、第１の走査線までの距離は、第２の走査線までの距離よりも長くなっている。 （もっと読む）

【課題】 対向電極の負荷容量が増大しても、消費電力の増大を抑えて対向電極の電圧変動を抑えることができる対向電極電圧生成回路等を提供する。
【解決手段】 電気光学物質を挟んで画素電極と対向する対向電極に高電位側電圧又は低電位側電圧を供給するための対向電極電圧生成回路６６は、その出力に第１の高電位側安定化容量素子ＣＳＨαの一端が接続され、第１の高電位側電圧ＶＣＯＭＨαを出力する第１のＶＣＯＭＨ生成回路１００と、その出力に第２の高電位側安定化容量素子ＣＳＨの一端が接続され、第２の高電位側電圧ＶＣＯＭＨを出力する第２のＶＣＯＭＨ生成回路１０２とを含む。対向電極ＣＥに高電位側電圧を供給するとき、第１のＶＣＯＭＨ生成回路１００の出力を対向電極ＣＥと電気的に接続した後に、第２のＶＣＯＭＨ生成回路１０２の出力を対向電極ＣＥと電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】液晶駆動素子において、直交する信号線の交差領域に専用のシールド層を設けるのは、半導体プロセスの効率が悪く、コストアップの要因にもなる。交差配線部の結合容量が、多画素化・高画質化により画質へ悪影響を及ぼす可能性が増えている。
【解決手段】メタル１配線１０１と、メタル１配線１０１より上層のメタル２配線１０２とが互いに直交する交差領域では、メタル１配線１０１よりも下層にあるポリシリコン配線１０３にメタル１配線１０１を接続するようにしたため、交差領域では、信号線として用いたメタル１配線１０１とポリシリコン配線１０３とが交差し、かつ、互いの配線の間に信号線として用いていない残りの１つの配線層であるメタル１配線１０１を介在した構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の有機薄膜トランジスタにおける動作特性を、その上層に設けた電極の影響を受けることなく安定した特性に維持することが可能で、これを駆動素子とすることにより信頼性の高い表示が可能な表示装置を提供する。ことを目的とする。
【解決手段】
基板１上に設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒの上部に保護膜１１および層間絶縁膜１５を介して設けられた画素電極ａとを備え、薄膜トランジスタＴｒと画素電極ａとの間には、これらとの間に絶縁性を保って導電性のシールド層１３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護膜上に形成される共通電極をデータラインと重畳するように形成することによって、画素領域の開口率を増加させることのできるフリンジフィールド型液晶表示パネル及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係るフリンジフィールド型液晶表示パネルは、基板上に形成されるゲートライン；ゲート絶縁膜を介して前記ゲートラインと交差して形成されるデータライン；ゲートライン及びデータラインの交差領域に形成される薄膜トランジスタ；ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタと直接接続される画素電極；ゲート絶縁膜上に形成され、画素電極及び薄膜トランジスタを覆う保護膜；及び保護膜上に画素電極及びデータラインと重畳するように形成され、画素電極と共に、液晶配向のためのフリンジフィールドを形成する共通電極を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲートインパネル(ＧＩＰ)型の液晶表示装置のゲート駆動回路及びゲート配線のラインディレーによる誤作動現象を改善する。
【解決手段】本発明は、第１基板に実装されるゲート駆動回路と、これに対応する位置の第２基板上にダミースペーサーを形成することによって、ゲート駆動回路に含まれる薄膜トランジスタのチャンネルと第２基板との間に存在する寄生容量による誤作動を防ぎ、また、工程の際、ゲート駆動回路に異物が流入するのを防ぐ。さらに、中/大型の表示パネルを備える液晶表示装置において、ゲート駆動回路と接続される信号配線のラインディレーによってゲート駆動信号の出力が低下される現象を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された信号配線１１と、信号配線１１に交差する走査配線１３と、走査配線１３に印加される信号に応答して動作するボトムゲート型の薄膜トランジスタ１４と、薄膜トランジスタ１４を介して信号配線１１に電気的に接続され得る画素電極１５とを備えている。信号配線１１は、第１の層間絶縁膜１２を介して走査配線１３の下層に形成されており、第１の層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２’を介して薄膜トランジスタ１４のソース電極１４Ｓに電気的に接続されている。第１の層間絶縁膜１２は、ゲート絶縁膜１６よりも厚く、且つ、ゲート絶縁膜１６よりも比誘電率が低い。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は基板と、該基板に形成され、相互に交差し、薄膜トランジスタと画素電極を有し、該薄膜トランジスタと該画素電極とは電気的に接続されたサブ画素領域を形成する少なくとも一本のゲートラインと少なくとも一本のデータラインと、第一の電極とゲートラインとは接続し、第二の電極と画素電極とは接続している補償寄生コンデンサ構造と、を備える。 （もっと読む）