【課題】 ＴＦＴ液晶表示装置の画質を向上させる。
【解決手段】 絶縁基板の表面に複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、複数個のＴＦＴ素子、および複数個の画素電極を有する第１の基板と、前記第１の基板の前記絶縁基板の表面に対向配置された第２の基板とを有する表示装置であって、前記絶縁基板の表面には、前記ＴＦＴ素子の半導体層、前記ＴＦＴ素子のソース電極、および前記ソース電極と接続された前記画素電極がマトリクス状に配置されており、複数の前記ソース電極は、共通する一部分の平面寸法が２通り以上あり、かつ、前記一部分を除く残りの部分の平面寸法が概ね等しい表示装置。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素電極間の寄生容量に起因する画素間の干渉を防止することにより、表示品位の向上を図ることのできる電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは固定電位が印加されているため、隣接する画素電極９ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。電気光学装置１００は反射型液晶装置であり、画素電極９ａは光反射性導電膜で形成され、基板１０ｄは透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介して、少なくとも一部がゲート電極と重畳するように離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と、ゲート絶縁層上で、ゲート電極及び一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と少なくとも一部が重畳し、チャネル長方向に離間して配設された一対の導電層と、ゲート絶縁層と一対の導電層に接し、該一対の導電層間に延在する非晶質半導体層と、を有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とドレイン電極の間の寄生容量を均一に確保して画面のちらつきを防止する。
【解決手段】基板上にゲート電極を有するゲート線を形成するステップ、基板上にゲート絶縁膜を積層するステップ、ゲート絶縁膜上に半導体層を形成するステップ、半導体層と接するソース電極を有するデータ線及びゲート電極と重畳するドレイン電極を形成するステップ、半導体層を覆う保護膜を形成するステップ、ドレイン電極と接続される画素電極を形成するステップ、を含み、半導体層、データ線及びドレイン電極又は画素電極は、フォトエッチング工程の露光工程で感光膜を露光及び現像した感光膜パターンをエッチングマスクにしてパターニングし、ドレイン電極と重畳するゲート電極の境界線は、露光工程で感光膜を露光するスキャニング方向に対して直交して配置される。 （もっと読む）

【課題】基材自体の厚さを厚くせずに信号配線と導電層との距離を大きくして当該信号配線の高いインピーダンス特性を実現できる回路基板、電気光学装置及びその回路基板を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】グランドに電気的に接続されアース面となる第１の導電層２８と高周波信号配線３１との距離である第１の距離ｈ６が、他の信号配線３２と第２の導電層２９との第２の距離ｈ７より大きくなるようにしたので、当該高周波信号配線３１で高いインピーダンス特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
グランド層に複数の貫通孔を設け信号配線の高いインピーダンス特性を実現しつつグランド層を介した放射ノイズの発生を防止可能な回路基板、電気光学装置及びその回路基板を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】
信号配線２５に平面的に重なるように、ベース基材２４の信号配線２５と反対側に、複数の貫通孔２８ａが形成されたグランド層２８が設けられているので、グランド層２８に貫通孔２８ａが形成されていない場合に比べて、信号配線２５の特性インピーダンスを高くすることができると共に、第１の絶縁層３０のベース基材２４と反対側で、信号配線２５と平面的に重なるように第１のシールド層３１が設けられているので、例えば信号配線２５に信号が伝達されるときに複数の貫通孔２８ａから第１の絶縁層３０側に漏れ出した放射ノイズを第１のシールド層３１により遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板と対向基板の間隔をＴＦＴ基板に形成した支柱によって規定し、かつ支柱部分からの光漏れをなくする。
【解決手段】ドレイン線１０７と走査線１０４の交点にＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定する支柱１３０を形成する。支柱１３０が形成される交点ではドレイン線１０７の幅を大きくすることによって光漏れを防止する。また、支柱１３０が形成される交点では、走査線１０４の幅を小さくすることによって、ドレイン線１０７と走査線１０４間の容量の増加を防止する。また、支柱１３０は特定の色の画素、例えば青画素Ｂに対応する交点に形成する。これによって、支柱１３０を形成したことによる透過率の差および、薄膜トランジスタの特性差を初期的に補償する。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルの表示品質を高める。
【解決手段】ＴＦＴ基板を、絶縁性基板１に形成した凹部１ａを含む領域にＴＦＴのゲート電極２ａを形成し、その上に絶縁膜層５を形成して、その凹部１ａの直上の領域にソース電極３ｂが配置されるようにする。これにより、ゲート電極２ａとソース電極３ｂとの間の距離が広がって寄生容量Ｃｇｓが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Ｃｇｓの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。さらに、フィードスルー電圧Ｖを低減して液晶パネル面内での輝度分布を目立たなくすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】共通電極とＡＤＳ回路及びその配線との間に寄生容量を発生させることがなく、これによってＡＤＳ回路の動作の安定化及び、表示装置の低消費電力化を図ることができる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置において、ＡＤＳ回路として構成された走査ドライバ１０２及びその配線１０３と共通電極２０１とが対向しないように、共通電極２０１の面積を表示画素部１０１の面積と同じくする。これにより、寄生容量が発生せずに、走査ドライバ１０２の動作の安定化及び低消費電力化を図ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、データ配線の数を減少させて製造費用を減らすことができるとともに、画質を維持することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、多数のピクセルが定義された基板と、基板上に第１方向に配列されて、多数のピクセルを２列ごとに分割する多数のデータ配線と、基板上に第１方向と交差する第２方向に配列される複数のゲート配線と、各ピクセル上に配置されて、ゲート配線及びデータ配線と電気的に繋がった薄膜トランジスタと、各ピクセル上に配置されて、薄膜トランジスタと電気的に繋がったピクセル電極と、絶縁膜を間にしてゲート配線と隣接するピクセル電極と重なり、ピクセル電極とゲート配線間の寄生キャパシタンスを減らすための補償電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】安定した素子特性および良好な信頼性を実現する薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにそれらを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。そして、前記ゲート絶縁膜４は酸化シリコン膜４ａからなり、ゲート電極６の底面と接する上記酸化シリコン膜４ａの少なくとも表面は酸窒化シリコン層４ｂから成っている。ここで、ゲート電極６は、例えば５００℃程度の比較的に低温で酸化シリコン膜と化学反応する高融点金属材料を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 横クロストークが抑制された高画質の横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲートバスライン５５とドレインバスライン５６で画定される画素領域Ｐの各々に、当該画素領域Ｐを画定するドレインバスライン５６に隣接し且つそれに沿って延在する遮光電極５３を設ける。遮光電極５３は、孤立していると共に、画素電極７１のドレインバスライン５６に隣接して延在する櫛歯状部７１ａと絶縁膜を挟んで重なっており、動作時には電気的にフローティング状態となる。フローティング状態にある遮光電極５３の電位は、画素電極７１のそれに近い値になるので、ドレインバスライン５６と共通電極７２（共通バスライン５２）との結合容量が減少し、横クロストークの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】透過領域の光透過率の向上と配線交差領域の低容量化とを確実に両立する。
【解決手段】互いに平行に延びる複数の第１配線と、各第１配線に交差して互いに平行に延びる複数の第２配線１９ａと、各第１配線と各第２配線１９ａとの間に設けられた窒化シリコン膜１６を含む第１層間絶縁膜１８と、各第２配線１９ａの第１層間絶縁膜１８の反対側に設けられた第２層間絶縁膜１９と、第２層間絶縁膜１９の各第２配線１９ａの反対側にマトリクス状に設けられた複数の画素電極２１とを備え、隣り合う各第１配線及び隣り合う各第２配線１９ａにより囲まれた透過領域Ｔと、各第１配線及び各第２配線１９ａが交差する配線交差領域Ｙとが規定されたＴＦＴ基板３０であって、透過領域Ｔの窒化シリコン膜１６の膜厚は、配線交差領域Ｙの窒化シリコン膜１６の膜厚よりも薄く、１３０ｎｍ以上且つ１６０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】最大信号振幅を増大することなく、駆動手法の自由度を向上することが可能であるとともに、表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 一対の基板間に液晶層を保持した構成の液晶表示装置であって、
マトリクス状の画素の行方向に延在する走査線Ｙと、
前記画素の列方向に延在する信号線Ｘと、を備え、
行方向に隣接する一対の信号線間の画素ＰＸのそれぞれは、同一基板上において、一方の信号線に接続されたスイッチング素子Ｗと、スイッチング素子に接続された第１電極Ｅ１と、第１電極と層間絶縁膜を介して対向するとともに他方の信号線に接続された第２電極Ｅ２と、を有し、
行方向に隣接する画素のスイッチング素子は、それぞれ異なる走査線に接続されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一導電型のトランジスタで構成されブートストラップ効果を利用したレベルシフタを構成する場合に、Ｌｏｗレベル浮きやＨｉレベル落ちによる振幅不足を防ぎ、十分なレベルの出力を得られるようにすること。
【解決手段】トランジスタＴｒ３１２とトランジスタＴｒ３１５は、バックゲートＢＧを備える。レベルシフタ３０１は、トランジスタＴｒ３１２，３１５のバックゲートＢＧに印加する電位を入力信号Ｖ_BG，／Ｖ_BGを用いて制御し、オフの状態にあるトランジスタＴｒ３１２，３１５の閾値電圧Ｖｔｈ_ＯＦＦを、入力信号０１，／０１のＬｏｗレベル−低電位電源ＶＥＥよりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】 ゲート線駆動回路がアレイ基板に形成された画像表示装置において、ゲート線駆動回路の寄生容量を低減し、ゲート線駆動回路の消費電力を抑え、誤動作を防止する。
【解決手段】 ゲート線駆動回路が形成されたアレイ基板と、このアレイ基板に対向するカラーフィルタ基板と、このカラーフィルタ基板に形成され、表示領域の周辺を遮光する遮光層とを具備し、少なくとも前記ゲート線駆動回路に対向する領域に形成される遮光層は樹脂により構成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の形状を改良して、インパクトイオン化の原因となるドレイン端での電界集中を防止可能な薄膜トランジスタを備えた半導体装置、この半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｘの薄膜トランジスタ３０ｎにおいて、ゲート電極３ｎは、その表面を酸化してなるシリコン酸化膜３ｓにより覆われて、エッジ部分３ｗ、３ｘ、３ｙ、３ｚが丸みを有しているため、ゲート電極３ｎには、電界の集中するエッジ部分がない。このため、ゲート電極３ｎのエッジ部分に対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１３０ｎのドレイン端では、電界が集中しないので、インパクトイオン化が発生しにくい。それ故、下地絶縁層１２上に形成された薄膜トランジスタ３０ｎであっても、良好な電流−ゲート電圧特性を有する。 （もっと読む）