【課題】フリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板１０の液晶層の側に画素電極１２に接して設けられた第１配向膜１３と、対向基板２０の液晶層の側に設けられた第２配向膜２３と、対向電極２０と第２配向膜２３との間に設けられた、液晶層よりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、ＳｉＯ_２からなる誘電体膜３８と、を備え、対向電極２２には、スイッチング素子４０の寄生容量に起因するフリッカーを低減するように設定された対向電極電位が印加され、画素電極１２には、対向電極電位を基準として高位の電圧を正極性、低位の電圧を負極性としたときに、正極性の電圧と負極性の電圧とが交互に印加され、正極性の電圧が印加される第１の期間の長さが負極性の電圧が印加される第２の期間の長さに比べて短く設定される。 （もっと読む）

【課題】 水平電界駆動方式において開口率を高め、電極の数を容易に調節する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線121と、共通電極134及び共通電極線138を含む共通信号線とを有する。ゲート線121は、基板上部に台形状の画素領域を定義するために画素領域の境界で屈曲している。共通電極134は、ゲート線121と平行に配列されている。共通電極線138は、複数の共通電極134を連結してデータ線171と平行に配列される。ゲート線121と共通信号線とを覆うゲート絶縁膜上部には、データ線171と画素信号線とが形成される。データ線171は、ゲート線と交差して画素領域を定義する。画素信号線は、共通電極と平行に対向して配列されている画素電極174と、複数の画素電極を連結する画素電極線172,178とを含む。データ線171と画素信号線とを覆う保護膜上部には、液晶分子をデータ線に対して垂直に配向するための配向膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、走査回路の動作の安定性と静電気対策の両方を兼ね備えた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表示装置は、１つのグループの画素１０をそれぞれ選択するための複数の走査線３８と、走査信号が入力される少なくとも１つの走査線３８を選択する制御のためのパルス信号が供給される制御線４２と、パルス信号によって制御される薄膜トランジスタを含み複数の走査線３８に接続され表示領域１２の外側に配置された走査回路４０と、交差する方向に延びる複数の導電線からなる導電メッシュ４６と、を有する。導電メッシュ４６は、画素１０領域を避けて、薄膜トランジスタ及び走査線３８の上方に配置されている。導電メッシュ４６を構成するそれぞれの導電線は、走査線３８の上方では、走査線３８と平行にならないように立体交差する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、画素領域（１０ａ）に、データ線（６ａ）と、データ線と交差する走査線（１１）と、画素領域の周囲に位置する周辺領域に、データ線に電気的に接続されたスイッチング素子（７７）と、スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線（１７０）と、スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線（１５０）と、制御信号配線と画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線（２００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、画素領域（１０ａ）に、第１方向に沿って延在する走査線（１１）と、第２方向に沿って延在するデータ線（６ａ）と、画素領域の周囲に位置する周辺領域に、データ線に電気的に接続するように設けられたスイッチング素子（３００）と、第１方向に沿って延在する第１配線（２１０）と、第２方向に沿って延在する第２配線（３１０）とを有しており、スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線と、第２方向に沿って延在しており、スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線（２２０）とを備える。第１配線及び第２配線は、互いに異なる層に設けられており、制御信号配線は、第２配線と重ならないように設けられていると共に、第１配線と前記第２配線との間の層に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上する。また、マスク数の減少のために３マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】 画素電極とデータ線との間で発生する寄生容量が均一な薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、ゲート電極を有するゲート線、画素電極と重畳して維持容量を形成する維持電極、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、半導体層上に形成されゲート線と直交するデータ線、ゲート電極上でソース電極とそれぞれ対向しているドレイン電極、半導体層を覆い有機絶縁物質からなる保護膜、ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極及び二重に形成されたデータ線を覆い、隣接するそれぞれの画素電極が二重に形成された一側のデータラインをそれぞれ完全に覆って、画素電極とデータ線間の寄生容量の差が工程の各層間の誤整列によって影響を受けないように形成する薄膜トランジスタ基板と、画素電極と対向して液晶容量を形成する対向電極が形成されている基板を有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画素の電圧変動を低減することにより、多階調表示を実現できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置において、並設された複数本のソース信号線１０，２０と、ソース信号線と交差するように並設された複数本のゲート信号線３０と、ソース信号線とゲート信号線との交差部近傍に設けられた酸化物半導体を用いたトランジスタ４０を介して、ソース信号線の信号電圧が印加される画素電極７０と、を備え、隣接する一対のソース信号線間に設けられる画素電極の側縁部を、ソース信号線の側縁部に重畳させ、かつ、一方のソース信号線との重畳面積を、他方のソース信号線との重畳面積と等しくする。 （もっと読む）

【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。または、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラスチック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、寄生容量を低減し、高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、第１導電層（６）と、第１導電層の上層側に絶縁膜（６２）を介して配置され、基板上で平面的に見て第１導電層に少なくとも部分的に重なるように設けられた第２導電層（４００）とを備え、絶縁膜には、基板上で平面的に見て、第１導電層と第２導電層とが互いに重なる領域内に空洞部（２１０）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑にしないと共に画素電極及び基準電極とデータ線の間の寄生容量を減らす液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された二重保護膜と、前記二重保護膜は第１保護膜と第２保護膜とを含み、前記第１保護膜の屈折率は前記第２保護膜の屈折率と異なり、前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率と異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピクセル口径比を増大し、静電容量性クロストークが殆どないＴＦＴアレイを提供する。
【解決手段】透明な第一基板上にゲート電極及びゲートアドレス線７を形成するステップと、前記ゲート電極を含む前記第一基板上にゲート絶縁層を形成するステップと、前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層上にドレーン電極及びソース電極とドレインアドレス線５、補助記憶コンデンサ電極１２を形成するステップと、前記補助記憶コンデンサ電極１２を含む前記第一基板上にフォトイメージ形成可能な有機絶縁層を設けるステップと、前記有機絶縁層にフォトイメージ工程を実施して前記補助記憶コンデンサ電極１２の表面が露出するコンタクト・ホール３６を形成するステップと、前記コンタクト・ホールを通じて前記補助憶補助コンデンサー電極１２の上部と電気的に接続されるピクセル電極３を形成するステップ、を有するＴＦＴアレイ。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗のさらなる低減を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。そのシリコン酸化膜３上に、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ＧＯＬＤ領域４１，４２、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＧＯＬＤ構造の薄膜トランジスタＴ４と、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＳＤ構造の薄膜トランジスタＴ５と、ｐ型のソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｐ型の薄膜トランジスタＴ６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを用いた表示装置であって、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供。
【解決手段】ＴＦＴの少なくとも一端において、ソース領域やドレイン領域となる高濃度領域と、チャネル領域との間に、順に、高濃度領域の不純物濃度が低濃度の第１低濃度領域と、第１低濃度領域の不純物濃度よりさらに低濃度の第２低濃度領域とを、設ける。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を犠牲にしないで寄生容量とリーク電流のトレードオフを解消または緩和する。
【解決手段】ＴＦＴ部１０Ｂは、２つのソース・ドレイン電極１８,１９が、半導体膜１５の平面視でチャネル形成領域を挟んで位置する一方と他方の半導体領域に接する。ソース・ドレイン電極１８,１９は、半導体膜１５と接する領域（斜線部）の当該ソース・ドレイン電極の輪郭部分３０において、その両端のエッジポイント３１の各々が、平面視でゲート電極１３の外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】画素、メモリ部、又はＣＭＯＳ回路等に配置されたトランジスタのチャネル形成領域２１３、２１４と重なる第１の配線（ゲート電極）の一部または全部と第２の配線（ソース線またはドレイン線）１５４、１５７とを重ねる。また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１の層間絶縁膜１４９及び第２の層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減した半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第１の層と酸化物半導体層の積層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）