電気光学装置及び電子機器
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、画素領域（１０ａ）に、データ線（６ａ）と、データ線と交差する走査線（１１）と、画素領域の周囲に位置する周辺領域に、データ線に電気的に接続されたスイッチング素子（７７）と、スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線（１７０）と、スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線（１５０）と、制御信号配線と画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線（２００）とを備える。
【解決手段】電気光学装置は、画素領域（１０ａ）に、データ線（６ａ）と、データ線と交差する走査線（１１）と、画素領域の周囲に位置する周辺領域に、データ線に電気的に接続されたスイッチング素子（７７）と、スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線（１７０）と、スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線（１５０）と、制御信号配線と画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線（２００）とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えば基板上に、走査線を駆動する走査線駆動回路、データ線を駆動するデータ線駆動回路、及び画像信号をサンプリングするためのサンプリング回路等の各種駆動回路を備えるものがある。
【０００３】
サンプリング回路には、例えば複数のデータ線に対応する画像信号が一の画像信号配線を介してまとめて供給される。そして、サンプリング回路に供給された画像信号は、供給されるべきデータ線に応じたタイミングでサンプリングスイッチのオンオフが切替えられることで、各データ線へと振り分けられる。
【０００４】
上述したようなサンプリング回路では、サンプリングスイッチ間に発生する寄生容量に起因して、表示上の不具合が発生する場合がある。このため、例えば特許文献１では、互いに隣り合うサンプリングスイッチ間に電磁シールドを設けるという技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７７４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、サンプリング回路においては、上述したサンプリングスイッチ間だけではなく、サンプリングスイッチに画像信号を供給する画像信号配線と、制御信号を供給する制御信号配線間にも寄生容量が発生する。このため、仮にサンプリングスイッチ間に電磁シールドを設けたとしても、サンプリング回路の他の部位で発生した寄生容量に起因して、表示上の不具合が発生してしまうおそれがある。
【０００７】
また、制御信号配線が複数配列される場合、両端に配置された制御信号配線と、その他の制御信号配線とでは、発生する寄生容量の大きさが異なる。即ち、同様に機能する配線であっても、その位置によって寄生容量にばらつきが生じる。従って、複数の配線に対して同様に電磁シールドを設けたとしても、寄生容量のばらつきに起因して、表示上の不具合が発生してしまうおそれがある。
【０００８】
以上のように、特許文献１に係る技術には、サンプリング回路内に発生した寄生容量に起因する不具合を、十分なまでに低減させることができないという技術的問題点がある。
【０００９】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、寄生容量に起因する不具合を低減し、高品質な画像を表示することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、画素領域に、データ線と、前記データ線と交差する走査線と、前記画素領域の周囲に位置する周辺領域に、前記データ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線と、前記スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線と、前記制御信号配線と前記画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線とを備える。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、例えば基板上に、走査線及びデータ線等の配線や、画素スイッチング用のＴＦＴ等が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に複数の画素電極が設けられている。走査線及びデータ線は、互いに交わるように設けられている。ＴＦＴや画素電極は、走査線及びデータ線の交わりに対応するように画素毎に設けられる。
【００１２】
本発明の電気光学装置の動作時には、例えば、走査線を通じて、画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用のＴＦＴのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給されることで、該ＴＦＴを介して、画素電極に対し画像信号に応じた電圧が印加される。これにより、複数の画素電極が配列された画素領域における画像表示が可能となる。
【００１３】
本発明の電気光学装置では更に、画素領域の周囲に位置する周辺領域に、データ線に電気的に接続するように設けられたスイッチング素子と、スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線と、スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線とが設けられている。このような構成によれば、制御信号配線を介して供給される制御信号に応じてスイッチング素子のスイッチング動作が制御されると共に、画像信号配線を介して画像信号が供給されることで、データ線に対し画像信号が供給される。
【００１４】
より具体的には、画像信号配線は、例えばデータ線の総数に対して少ない本数とされており、複数のデータ線に供給すべき画像信号を、一の画像信号配線によってまとめて供給できるように構成されている。スイッチング素子はデータ線毎に設けられており、各データ線に応じたタイミングでオンオフが切替えられる。これにより、まとめて供給された画像信号は、供給すべきデータ線の各々へと振り分けられる。
【００１５】
本発明では特に、上述した制御信号配線と画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線が設けられている。この定電位配線は、制御信号配線と画像信号配線との間に発生する寄生容量を低減させるシールドとして機能する。即ち、制御信号配線及び画像信号配線間に定電位配線が介在することによって、寄生容量の発生が抑制される。
【００１６】
配線間の寄生容量は、例えば表示画像におけるゴースト等、表示上の不具合の原因となるおそれがある。本発明では、制御信号配線と画像信号配線との間に定電位配線を設けることにより、このような表示上の不具合を好適に防止することができる。尚、定電位配線は、制御信号配線及び画像信号配線間に発生する寄生容量の発生を多少なりとも低減できるような位置に配置されればよく、制御信号配線と画像信号配線との間のスペースに、部分的に設けられるようなものであってもよい。特に、制御信号配線と画像信号配線との距離が近くなる部分に定電位配線を設ければ、効率的に寄生容量の発生を低減することができる。
【００１７】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、配線間の寄生容量を低減することができるため、高品質な画像を表示することが可能である。
【００１８】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記定電位配線に前記定電位を供給する定電位供給線を備え、前記定電位配線は、前記定電位供給線と複数箇所で互いに電気的に接続される。
【００１９】
この態様によれば、定電位配線には、定電位供給線から定電位が供給される。定電位供給線は、典型的には定電位配線より太い配線として設けられる。そして特に、定電位配線と定電位供給線とは、複数箇所で電気的に接続されている。よって、定電位配線の電位が、配線抵抗等によって局所的に変化してしまうことを防止することができる。即ち、定電位配線における電位を、より確実に定電位に保つことができる。従って、定電位配線のシールドとしての機能を、確実に発揮させることが可能となる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記定電位配線は、前記定電位として、前記走査線を駆動する走査線駆動回路に供給される電源電位が供給される。
【００２１】
この態様によれば、画素領域に設けられた走査線は、周辺領域に設けられた走査線駆動回路によって駆動されており、この走査線駆動回路には、走査線の駆動を行うための電源電位が供給されている。そして特に、定電位配線には、定電位として走査線駆動回路に供給される電源電位が供給される。
【００２２】
上述した構成によれば、定電位配線に定電位を供給する手段を別途設ける必要がない。よって、装置構成や製造工程の複雑化や製造コストの増大を防止することが可能である。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記制御信号配線は、複数並んで設けられており、前記定電位配線は、複数の前記制御信号配線のうち、端に位置する前記制御信号配線に沿うように設けられている。
【００２４】
この態様によれば、制御信号配線は複数並んで設けられており、例えば複数のスイッチング素子に対して互いに異なる制御信号を供給する。このように複数の制御信号配線が設けられる場合、互いに隣り合う制御信号配線間には、少なからず寄生容量が発生してしまう。
【００２５】
ここで特に、複数の制御信号配線が並んで設けられる場合には、両端の制御信号配線と、両端以外の制御信号配線とで、発生する寄生容量が互いに異なる値となる。より具体的には、片側にしか制御信号配線が存在しない配線（即ち、両端の制御信号配線）では寄生容量が比較的小さくなり、両側に制御信号配線が存在する配線（即ち、両端以外の制御信号配線）では寄生容量が比較的大きくなる。即ち、各制御信号配線で、発生する寄生容量にばらつきが生じてしまうおそれがある。
【００２６】
しかるに本態様では、複数の前記制御信号配線のうち、端に位置する制御信号配線に沿うように、定電位配線が設けられている。よって、両端に位置する制御信号配線は、一方に制御信号配線、他方に定電位配線が存在する状態となる。即ち、両端の制御信号配線及び両端以外の制御信号配線の周囲の配線状況が互いに近付けられる。従って、寄生容量のばらつきを小さくすることができる。
【００２７】
寄生容量のばらつきは、例えば系列スジ等の表示上の不具合の原因となる。これに対し本態様では、上述したように、定電位配線を制御信号配線に沿って設けることで、寄生容量のばらつきを小さくすることができる。従って、より高品質な画像を表示することが可能である。
【００２８】
上述した複数の制御配線を備える態様では、前記定電位配線は、前記端に位置する前記制御信号配線との距離が、互いに隣り合う前記制御信号配線間の距離と同じになるように設けられているように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、両端の制御信号配線及び両端以外の制御信号配線の周囲の配線状況をより近付けることができる。よって、寄生容量のばらつきを更に小さくすることが可能である。
【００３０】
尚、本態様における「同じ」とは、完全に同一の値である場合のみを指すものではなく、定電位配線と端に位置する制御信号配線との距離が、制御信号配線同士の距離に近付けられれば、相応に効果が得られる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記定電位配線は、前記制御信号配線に前記制御信号が供給される一端とは反対側の他端側に位置する端部から、前記定電位が供給される。
【００３２】
この態様によれば、制御信号配線には、一端から他端側に制御信号が流れるように供給されている。一方で、定電位配線には、制御信号配線の他端側に位置する端部から定電位が供給されている。即ち、制御信号配線と定電位配線とでは、互いに異なる方向から電位が供給されている。
【００３３】
上述した構成によれば、制御信号配線における制御信号の電位が比較的変動し易い他端側において、定電位配線は定電位を保持し易くなる。従って、定電位配線のシールドとしての機能をより効率的に発揮させることが可能となる。
【００３４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００３５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００３６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域に設けられる各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】画素部の具体的な構成を透過的に示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´線断面図である。
【図６】実施形態に係る電気光学装置の周辺領域の構成を示す平面図である。
【図７】制御信号配線及び定電位配線の具体的な構成を示す部分拡大図である。
【図８】比較例に係る電気光学装置において発生する寄生容量を配線毎に示すグラフである。
【図９】実施形態に係る電気光学装置において発生する寄生容量を配線毎に示すグラフである。
【図１０】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３９】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について図１から図９を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を挙げて説明する。
【００４０】
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００４１】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。
【００４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４５】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、サンプリング回路７及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。尚、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性を有する材料から構成すれば、反射型の電気光学装置を実現することもできる。
【００４８】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００４９】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００５０】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００５１】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したサンプリング回路７や走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５２】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５３】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５４】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５５】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５６】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００５７】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、画素部の具体的な構成を透過的に示す平面図である。また図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また図４では、説明の便宜上、半導体層より下層側及びデータ線より上層側の各層についての図示を省略している。
【００５８】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極３ｂとを含んで構成されている。
【００５９】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００６０】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６１】
ゲート電極３ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、部分的に半導体層１ａのチャネル領域１ａ’と対向するように形成されている。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。また、ゲート電極３ｂと同層には、第１中継層９１が形成されている。
【００６２】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜としても機能する。
【００６３】
図４において、走査線１１は、コンタクトホール８２ａ及び８２ｂを介してゲート電極３ｂと電気的に接続されている。これにより、ゲート電極３ｂには、走査線１１によって伝達されるゲート信号が供給される。
【００６４】
図５において下地絶縁膜１２は、走査線１１からＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６５】
ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極７２が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６６】
上部容量電極７２は、後述する容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極７２は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極７２は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。この場合には、上部容量電極７２の内臓遮光膜としての機能を高めることができる。
【００６７】
下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して第１中継層９１に電気的に接続されている。第１中継層９１は、コンタクトホール８５を介して第２中継層９２に電気的に接続されている。第２中継層９２は、コンタクトホール８６を介して第３中継層９３に電気的に接続されている。第３中継層９３は、コンタクトホール８７を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、第１中継層９１、第２中継層９２及び第３中継層９３と共に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極７１とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。
【００６８】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００６９】
ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ、第２中継層９２が設けられている。
【００７０】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００７１】
第２中継層９２は、第３層間絶縁膜４３上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び第２中継層９２は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を、第３層間絶縁膜４３上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。このように、データ線６ａ及び第２中継層９２を同一工程で形成すれば、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００７２】
ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側には、容量線３００及び第３中継層９３が設けられている。
【００７３】
容量線３００は、例えばアルミニウム等の金属を含んで構成されており、上述したように、上部容量電極に対して固定電位を供給する。一方で、容量線３００と同層に形成された第３中継層９３は、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの電気的導通を中継している。
【００７４】
画素電極９ａは、容量線３００よりも第４層間絶縁膜４４を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、第３中継層９３，第２中継層９２，第１中継層、及び下部容量電極７１を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。画素電極９ａと第３中継層９３とを電気的に接続するコンタクトホール８７は、第５層間絶縁層４５を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００７５】
上述した画素部の構成は各画素部に共通であり、画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７６】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の周辺領域（即ち、画像表示領域１０ａの周囲に位置する領域）の構成について、図６から図９を参照して説明する。ここに図６は、実施形態に係る電気光学装置の周辺領域の構成を示す平面図であり、図７は、制御信号配線及び定電位配線の具体的な構成を示す部分拡大図である。また図８は、比較例に係る電気光学装置において発生する寄生容量を配線毎に示すグラフであり、図９は、本実施形態に係る電気光学装置において発生する寄生容量を配線毎に示すグラフである。
【００７７】
図６において、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺には、複数の外部回路接続端子１０２が配列されており、外部回路から出力された各種信号が入力される。具体的には、図の右から順に、共通電位ＬＣＣＯＭ、制御信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２４４、電源電位ＶＳＳ及びＶＤＤ、イネーブル信号ＥＮＢＹ１及びＥＮＢＹ２、転送方向制御信号ＤＩＲＹ、クロック信号の反転信号ＣＬＹＢ、クロック信号ＣＬＹ、スタート信号ＤＹ、共通電位ＬＣＣＯＭが夫々供給される。
【００７８】
共通電位ＬＣＣＯＭは、容量線３００を介して上部容量電極７２（図５参照）に供給される。これにより、各画素において蓄積容量７０が形成される。
【００７９】
制御信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８は、制御信号配線１７０を介して、サンプリング回路７を構成するサンプリングスイッチ７７のゲートへと供給される。サンプリングスイッチ７７は、制御信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８に応じてオンオフが切替えられる。
【００８０】
画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２２４は、画像信号配線１５０を介して、サンプリング回路７を構成するサンプリングスイッチ７７のソースへと供給される。画像信号は、サンプリングスイッチ７７がオンとされた場合に、サンプリングスイッチのドレイン側からデータ線６ｂへと出力される。
【００８１】
尚、本実施形態に係る電気光学装置では、複数のデータ線６ａに対応する画像信号が一の画像信号配線１５０によってまとめて供給される。まとめて供給された画像信号は、サンプリングスイッチ７７のオンオフが切替えられることによって、供給されるべきデータ線６ｂへと振り分けられる。
【００８２】
電源電位ＶＳＳ及びＶＤＤ、イネーブル信号ＥＮＢＹ１及びＥＮＢＹ２、転送方向制御信号ＤＩＲＹ、クロック信号の反転信号ＣＬＹＢ、クロック信号ＣＬＹ、スタート信号ＤＹは、それぞれ走査線駆動回路１０４へと供給される。
【００８３】
ここで本実施形態では特に、制御信号線１７０に沿うように定電位配線２００ａ及び２００ｂが設けられている。定電位配線２００ａ及び２００ｂには、走査線駆動回路１０４に供給される電源電位ＶＳＳが、定電位供給線２０１から供給されている。よって、定電位配線２００ａ及び２００ｂは定電位とされている。更に、定電位配線２００ａには、定電位供給線２０２からも電源電位ＶＳＳが供給されている。このように複数箇所から定電位が供給されるようにすれば、定電位配線２００ａにおける配線抵抗等による電位変動を抑制することができる。
【００８４】
定電位配線２００ａは、制御信号配線１７０とサンプリング回路７周辺の画像信号配線１５０との間に発生する寄生容量を低減させるシールドとして機能する。定電位配線２００ｂは、制御信号配線１７０と各サンプリングスイッチ７７に対して枝分かれする前の画像信号配線１５０との間に発生する寄生容量を低減させるシールドとして機能する。
【００８５】
配線間に発生する寄生容量は、例えば表示画像におけるゴースト等、表示上の不具合の原因となるおそれがある。これに対し本実施形態に係る電気光学装置では、制御信号配線１７０と画像信号配線１５０との間に定電位配線２００ａ及び２００ｂが設けられているため、寄生容量に起因する表示上の不具合を好適に防止することができる。
【００８６】
また、定電位配線２００ａ及び２００ｂには、制御信号配線１７０とは逆方向から定電位が供給されている。具体的には、制御信号ＳＥＬ１〜８が図の右から左に流れるように供給されるのに対し、定電位ＶＳＳは、図の左方向から供給される。このようにすれば、制御信号配線１７０における制御信号ＳＥＬ１〜８の電位が比較的変動し易い末端側（即ち、図の左側）において、定電位配線２００ａ及び２００ｂは定電位ＶＳＳを保持し易くなる。従って、定電位配線２００ａ及び２００ｂのシールドとしての機能をより効率的に発揮させることが可能となる。
【００８７】
図７において、定電位配線２００ａと制御信号ＳＥＬ１が供給される制御信号配線１７０との距離Ｌ１は、互いに隣り合う制御信号配線１７０同士の距離Ｌ２と同じになるように設けられている。同様に、定電位配線２００ｂと制御信号ＳＥＬ８が供給される制御信号配線１７０との距離Ｌ３は、距離Ｌ２と同じになるように設けられている。
【００８８】
複数の制御信号配線１７０が並んで設けられる場合、互いに隣り合う制御信号配線１７０間には、少なからず寄生容量が発生してしまう。ここで仮に、上述した定電位配線２００ａ及び２００ｂが設けられていないとすると、両端の制御信号配線（即ち、制御信号ＳＥＬ１及びＳＥＬ８が供給される配線）と、両端以外の制御信号配線（即ち、制御信号ＳＥＬ２からＳＥＬ７が供給される配線）とでは、発生する寄生容量が互いに異なる値となる。よって、各制御信号配線１７０で、発生する寄生容量にばらつきが生じてしまうおそれがある。
【００８９】
具体的には図８に示すように、片側にしか制御信号配線１７０が存在しない配線（即ち、制御信号ＳＥＬ１及びＳＥＬ８が供給される配線）では寄生容量が比較的小さくなり、両側に制御信号配線が存在する配線（即ち、制御信号ＳＥＬ２からＳＥＬ７が供給される配線）では寄生容量が比較的大きくなる。
【００９０】
しかるに本実施形態に係る電気光学装置では、制御信号配線１７０の両端に定電位配線２００ａ及び２００ｂが設けられている。よって、制御信号ＳＥＬ１が供給される制御信号配線１７０は、一方にＳＥＬ２が供給される制御信号配線１７０、他方に定電位配線２００ａが存在する状態となる。また、制御信号ＳＥＬ８が供給される制御信号配線１７０は、一方にＳＥＬ７が供給される制御信号配線１７０、他方に定電位配線２００ｂが存在する状態となる。即ち、両端の制御信号配線１７０及び両端以外の制御信号配線１７０の周囲の配線状況が互いに近付けられる。従って、寄生容量のばらつきを小さくすることができる。
【００９１】
具体的には図９に示すように、片側にしか制御信号配線１７０が存在しない配線（即ち、制御信号ＳＥＬ１及びＳＥＬ８が供給される配線）の寄生容量が大きくされ、グラフは直線に近づく。寄生容量のばらつきを小さくすることにより、例えば系列スジ等の表示上の不具合を抑制することができる。
【００９２】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置では、配線間に発生する寄生容量が低減されると共にばらつきが小さくされることで、表示上の様々な不具合を抑制することができる。従って、高品質な画像を表示することが可能である。
【００９３】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１０は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００９４】
図１０に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００９５】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９６】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９７】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【００９８】
尚、図１０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９９】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１００】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１０１】
１ａ…半導体層、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７７…サンプリングスイッチ、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１５０…画像信号配線、１７０…制御信号配線、２００ａ，２００ｂ…定電位配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えば基板上に、走査線を駆動する走査線駆動回路、データ線を駆動するデータ線駆動回路、及び画像信号をサンプリングするためのサンプリング回路等の各種駆動回路を備えるものがある。
【０００３】
サンプリング回路には、例えば複数のデータ線に対応する画像信号が一の画像信号配線を介してまとめて供給される。そして、サンプリング回路に供給された画像信号は、供給されるべきデータ線に応じたタイミングでサンプリングスイッチのオンオフが切替えられることで、各データ線へと振り分けられる。
【０００４】
上述したようなサンプリング回路では、サンプリングスイッチ間に発生する寄生容量に起因して、表示上の不具合が発生する場合がある。このため、例えば特許文献１では、互いに隣り合うサンプリングスイッチ間に電磁シールドを設けるという技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７７４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、サンプリング回路においては、上述したサンプリングスイッチ間だけではなく、サンプリングスイッチに画像信号を供給する画像信号配線と、制御信号を供給する制御信号配線間にも寄生容量が発生する。このため、仮にサンプリングスイッチ間に電磁シールドを設けたとしても、サンプリング回路の他の部位で発生した寄生容量に起因して、表示上の不具合が発生してしまうおそれがある。
【０００７】
また、制御信号配線が複数配列される場合、両端に配置された制御信号配線と、その他の制御信号配線とでは、発生する寄生容量の大きさが異なる。即ち、同様に機能する配線であっても、その位置によって寄生容量にばらつきが生じる。従って、複数の配線に対して同様に電磁シールドを設けたとしても、寄生容量のばらつきに起因して、表示上の不具合が発生してしまうおそれがある。
【０００８】
以上のように、特許文献１に係る技術には、サンプリング回路内に発生した寄生容量に起因する不具合を、十分なまでに低減させることができないという技術的問題点がある。
【０００９】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、寄生容量に起因する不具合を低減し、高品質な画像を表示することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、画素領域に、データ線と、前記データ線と交差する走査線と、前記画素領域の周囲に位置する周辺領域に、前記データ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線と、前記スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線と、前記制御信号配線と前記画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線とを備える。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、例えば基板上に、走査線及びデータ線等の配線や、画素スイッチング用のＴＦＴ等が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に複数の画素電極が設けられている。走査線及びデータ線は、互いに交わるように設けられている。ＴＦＴや画素電極は、走査線及びデータ線の交わりに対応するように画素毎に設けられる。
【００１２】
本発明の電気光学装置の動作時には、例えば、走査線を通じて、画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用のＴＦＴのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給されることで、該ＴＦＴを介して、画素電極に対し画像信号に応じた電圧が印加される。これにより、複数の画素電極が配列された画素領域における画像表示が可能となる。
【００１３】
本発明の電気光学装置では更に、画素領域の周囲に位置する周辺領域に、データ線に電気的に接続するように設けられたスイッチング素子と、スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線と、スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線とが設けられている。このような構成によれば、制御信号配線を介して供給される制御信号に応じてスイッチング素子のスイッチング動作が制御されると共に、画像信号配線を介して画像信号が供給されることで、データ線に対し画像信号が供給される。
【００１４】
より具体的には、画像信号配線は、例えばデータ線の総数に対して少ない本数とされており、複数のデータ線に供給すべき画像信号を、一の画像信号配線によってまとめて供給できるように構成されている。スイッチング素子はデータ線毎に設けられており、各データ線に応じたタイミングでオンオフが切替えられる。これにより、まとめて供給された画像信号は、供給すべきデータ線の各々へと振り分けられる。
【００１５】
本発明では特に、上述した制御信号配線と画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線が設けられている。この定電位配線は、制御信号配線と画像信号配線との間に発生する寄生容量を低減させるシールドとして機能する。即ち、制御信号配線及び画像信号配線間に定電位配線が介在することによって、寄生容量の発生が抑制される。
【００１６】
配線間の寄生容量は、例えば表示画像におけるゴースト等、表示上の不具合の原因となるおそれがある。本発明では、制御信号配線と画像信号配線との間に定電位配線を設けることにより、このような表示上の不具合を好適に防止することができる。尚、定電位配線は、制御信号配線及び画像信号配線間に発生する寄生容量の発生を多少なりとも低減できるような位置に配置されればよく、制御信号配線と画像信号配線との間のスペースに、部分的に設けられるようなものであってもよい。特に、制御信号配線と画像信号配線との距離が近くなる部分に定電位配線を設ければ、効率的に寄生容量の発生を低減することができる。
【００１７】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、配線間の寄生容量を低減することができるため、高品質な画像を表示することが可能である。
【００１８】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記定電位配線に前記定電位を供給する定電位供給線を備え、前記定電位配線は、前記定電位供給線と複数箇所で互いに電気的に接続される。
【００１９】
この態様によれば、定電位配線には、定電位供給線から定電位が供給される。定電位供給線は、典型的には定電位配線より太い配線として設けられる。そして特に、定電位配線と定電位供給線とは、複数箇所で電気的に接続されている。よって、定電位配線の電位が、配線抵抗等によって局所的に変化してしまうことを防止することができる。即ち、定電位配線における電位を、より確実に定電位に保つことができる。従って、定電位配線のシールドとしての機能を、確実に発揮させることが可能となる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記定電位配線は、前記定電位として、前記走査線を駆動する走査線駆動回路に供給される電源電位が供給される。
【００２１】
この態様によれば、画素領域に設けられた走査線は、周辺領域に設けられた走査線駆動回路によって駆動されており、この走査線駆動回路には、走査線の駆動を行うための電源電位が供給されている。そして特に、定電位配線には、定電位として走査線駆動回路に供給される電源電位が供給される。
【００２２】
上述した構成によれば、定電位配線に定電位を供給する手段を別途設ける必要がない。よって、装置構成や製造工程の複雑化や製造コストの増大を防止することが可能である。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記制御信号配線は、複数並んで設けられており、前記定電位配線は、複数の前記制御信号配線のうち、端に位置する前記制御信号配線に沿うように設けられている。
【００２４】
この態様によれば、制御信号配線は複数並んで設けられており、例えば複数のスイッチング素子に対して互いに異なる制御信号を供給する。このように複数の制御信号配線が設けられる場合、互いに隣り合う制御信号配線間には、少なからず寄生容量が発生してしまう。
【００２５】
ここで特に、複数の制御信号配線が並んで設けられる場合には、両端の制御信号配線と、両端以外の制御信号配線とで、発生する寄生容量が互いに異なる値となる。より具体的には、片側にしか制御信号配線が存在しない配線（即ち、両端の制御信号配線）では寄生容量が比較的小さくなり、両側に制御信号配線が存在する配線（即ち、両端以外の制御信号配線）では寄生容量が比較的大きくなる。即ち、各制御信号配線で、発生する寄生容量にばらつきが生じてしまうおそれがある。
【００２６】
しかるに本態様では、複数の前記制御信号配線のうち、端に位置する制御信号配線に沿うように、定電位配線が設けられている。よって、両端に位置する制御信号配線は、一方に制御信号配線、他方に定電位配線が存在する状態となる。即ち、両端の制御信号配線及び両端以外の制御信号配線の周囲の配線状況が互いに近付けられる。従って、寄生容量のばらつきを小さくすることができる。
【００２７】
寄生容量のばらつきは、例えば系列スジ等の表示上の不具合の原因となる。これに対し本態様では、上述したように、定電位配線を制御信号配線に沿って設けることで、寄生容量のばらつきを小さくすることができる。従って、より高品質な画像を表示することが可能である。
【００２８】
上述した複数の制御配線を備える態様では、前記定電位配線は、前記端に位置する前記制御信号配線との距離が、互いに隣り合う前記制御信号配線間の距離と同じになるように設けられているように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、両端の制御信号配線及び両端以外の制御信号配線の周囲の配線状況をより近付けることができる。よって、寄生容量のばらつきを更に小さくすることが可能である。
【００３０】
尚、本態様における「同じ」とは、完全に同一の値である場合のみを指すものではなく、定電位配線と端に位置する制御信号配線との距離が、制御信号配線同士の距離に近付けられれば、相応に効果が得られる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記定電位配線は、前記制御信号配線に前記制御信号が供給される一端とは反対側の他端側に位置する端部から、前記定電位が供給される。
【００３２】
この態様によれば、制御信号配線には、一端から他端側に制御信号が流れるように供給されている。一方で、定電位配線には、制御信号配線の他端側に位置する端部から定電位が供給されている。即ち、制御信号配線と定電位配線とでは、互いに異なる方向から電位が供給されている。
【００３３】
上述した構成によれば、制御信号配線における制御信号の電位が比較的変動し易い他端側において、定電位配線は定電位を保持し易くなる。従って、定電位配線のシールドとしての機能をより効率的に発揮させることが可能となる。
【００３４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００３５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００３６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域に設けられる各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】画素部の具体的な構成を透過的に示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´線断面図である。
【図６】実施形態に係る電気光学装置の周辺領域の構成を示す平面図である。
【図７】制御信号配線及び定電位配線の具体的な構成を示す部分拡大図である。
【図８】比較例に係る電気光学装置において発生する寄生容量を配線毎に示すグラフである。
【図９】実施形態に係る電気光学装置において発生する寄生容量を配線毎に示すグラフである。
【図１０】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３９】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について図１から図９を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を挙げて説明する。
【００４０】
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００４１】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。
【００４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４５】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、サンプリング回路７及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。尚、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性を有する材料から構成すれば、反射型の電気光学装置を実現することもできる。
【００４８】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００４９】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００５０】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００５１】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したサンプリング回路７や走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５２】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５３】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５４】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５５】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５６】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００５７】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、画素部の具体的な構成を透過的に示す平面図である。また図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また図４では、説明の便宜上、半導体層より下層側及びデータ線より上層側の各層についての図示を省略している。
【００５８】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極３ｂとを含んで構成されている。
【００５９】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００６０】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６１】
ゲート電極３ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、部分的に半導体層１ａのチャネル領域１ａ’と対向するように形成されている。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。また、ゲート電極３ｂと同層には、第１中継層９１が形成されている。
【００６２】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜としても機能する。
【００６３】
図４において、走査線１１は、コンタクトホール８２ａ及び８２ｂを介してゲート電極３ｂと電気的に接続されている。これにより、ゲート電極３ｂには、走査線１１によって伝達されるゲート信号が供給される。
【００６４】
図５において下地絶縁膜１２は、走査線１１からＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６５】
ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極７２が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６６】
上部容量電極７２は、後述する容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極７２は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極７２は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。この場合には、上部容量電極７２の内臓遮光膜としての機能を高めることができる。
【００６７】
下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して第１中継層９１に電気的に接続されている。第１中継層９１は、コンタクトホール８５を介して第２中継層９２に電気的に接続されている。第２中継層９２は、コンタクトホール８６を介して第３中継層９３に電気的に接続されている。第３中継層９３は、コンタクトホール８７を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、第１中継層９１、第２中継層９２及び第３中継層９３と共に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極７１とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。
【００６８】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００６９】
ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ、第２中継層９２が設けられている。
【００７０】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００７１】
第２中継層９２は、第３層間絶縁膜４３上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び第２中継層９２は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を、第３層間絶縁膜４３上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。このように、データ線６ａ及び第２中継層９２を同一工程で形成すれば、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００７２】
ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側には、容量線３００及び第３中継層９３が設けられている。
【００７３】
容量線３００は、例えばアルミニウム等の金属を含んで構成されており、上述したように、上部容量電極に対して固定電位を供給する。一方で、容量線３００と同層に形成された第３中継層９３は、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの電気的導通を中継している。
【００７４】
画素電極９ａは、容量線３００よりも第４層間絶縁膜４４を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、第３中継層９３，第２中継層９２，第１中継層、及び下部容量電極７１を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。画素電極９ａと第３中継層９３とを電気的に接続するコンタクトホール８７は、第５層間絶縁層４５を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００７５】
上述した画素部の構成は各画素部に共通であり、画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７６】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の周辺領域（即ち、画像表示領域１０ａの周囲に位置する領域）の構成について、図６から図９を参照して説明する。ここに図６は、実施形態に係る電気光学装置の周辺領域の構成を示す平面図であり、図７は、制御信号配線及び定電位配線の具体的な構成を示す部分拡大図である。また図８は、比較例に係る電気光学装置において発生する寄生容量を配線毎に示すグラフであり、図９は、本実施形態に係る電気光学装置において発生する寄生容量を配線毎に示すグラフである。
【００７７】
図６において、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺には、複数の外部回路接続端子１０２が配列されており、外部回路から出力された各種信号が入力される。具体的には、図の右から順に、共通電位ＬＣＣＯＭ、制御信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２４４、電源電位ＶＳＳ及びＶＤＤ、イネーブル信号ＥＮＢＹ１及びＥＮＢＹ２、転送方向制御信号ＤＩＲＹ、クロック信号の反転信号ＣＬＹＢ、クロック信号ＣＬＹ、スタート信号ＤＹ、共通電位ＬＣＣＯＭが夫々供給される。
【００７８】
共通電位ＬＣＣＯＭは、容量線３００を介して上部容量電極７２（図５参照）に供給される。これにより、各画素において蓄積容量７０が形成される。
【００７９】
制御信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８は、制御信号配線１７０を介して、サンプリング回路７を構成するサンプリングスイッチ７７のゲートへと供給される。サンプリングスイッチ７７は、制御信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８に応じてオンオフが切替えられる。
【００８０】
画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ２２４は、画像信号配線１５０を介して、サンプリング回路７を構成するサンプリングスイッチ７７のソースへと供給される。画像信号は、サンプリングスイッチ７７がオンとされた場合に、サンプリングスイッチのドレイン側からデータ線６ｂへと出力される。
【００８１】
尚、本実施形態に係る電気光学装置では、複数のデータ線６ａに対応する画像信号が一の画像信号配線１５０によってまとめて供給される。まとめて供給された画像信号は、サンプリングスイッチ７７のオンオフが切替えられることによって、供給されるべきデータ線６ｂへと振り分けられる。
【００８２】
電源電位ＶＳＳ及びＶＤＤ、イネーブル信号ＥＮＢＹ１及びＥＮＢＹ２、転送方向制御信号ＤＩＲＹ、クロック信号の反転信号ＣＬＹＢ、クロック信号ＣＬＹ、スタート信号ＤＹは、それぞれ走査線駆動回路１０４へと供給される。
【００８３】
ここで本実施形態では特に、制御信号線１７０に沿うように定電位配線２００ａ及び２００ｂが設けられている。定電位配線２００ａ及び２００ｂには、走査線駆動回路１０４に供給される電源電位ＶＳＳが、定電位供給線２０１から供給されている。よって、定電位配線２００ａ及び２００ｂは定電位とされている。更に、定電位配線２００ａには、定電位供給線２０２からも電源電位ＶＳＳが供給されている。このように複数箇所から定電位が供給されるようにすれば、定電位配線２００ａにおける配線抵抗等による電位変動を抑制することができる。
【００８４】
定電位配線２００ａは、制御信号配線１７０とサンプリング回路７周辺の画像信号配線１５０との間に発生する寄生容量を低減させるシールドとして機能する。定電位配線２００ｂは、制御信号配線１７０と各サンプリングスイッチ７７に対して枝分かれする前の画像信号配線１５０との間に発生する寄生容量を低減させるシールドとして機能する。
【００８５】
配線間に発生する寄生容量は、例えば表示画像におけるゴースト等、表示上の不具合の原因となるおそれがある。これに対し本実施形態に係る電気光学装置では、制御信号配線１７０と画像信号配線１５０との間に定電位配線２００ａ及び２００ｂが設けられているため、寄生容量に起因する表示上の不具合を好適に防止することができる。
【００８６】
また、定電位配線２００ａ及び２００ｂには、制御信号配線１７０とは逆方向から定電位が供給されている。具体的には、制御信号ＳＥＬ１〜８が図の右から左に流れるように供給されるのに対し、定電位ＶＳＳは、図の左方向から供給される。このようにすれば、制御信号配線１７０における制御信号ＳＥＬ１〜８の電位が比較的変動し易い末端側（即ち、図の左側）において、定電位配線２００ａ及び２００ｂは定電位ＶＳＳを保持し易くなる。従って、定電位配線２００ａ及び２００ｂのシールドとしての機能をより効率的に発揮させることが可能となる。
【００８７】
図７において、定電位配線２００ａと制御信号ＳＥＬ１が供給される制御信号配線１７０との距離Ｌ１は、互いに隣り合う制御信号配線１７０同士の距離Ｌ２と同じになるように設けられている。同様に、定電位配線２００ｂと制御信号ＳＥＬ８が供給される制御信号配線１７０との距離Ｌ３は、距離Ｌ２と同じになるように設けられている。
【００８８】
複数の制御信号配線１７０が並んで設けられる場合、互いに隣り合う制御信号配線１７０間には、少なからず寄生容量が発生してしまう。ここで仮に、上述した定電位配線２００ａ及び２００ｂが設けられていないとすると、両端の制御信号配線（即ち、制御信号ＳＥＬ１及びＳＥＬ８が供給される配線）と、両端以外の制御信号配線（即ち、制御信号ＳＥＬ２からＳＥＬ７が供給される配線）とでは、発生する寄生容量が互いに異なる値となる。よって、各制御信号配線１７０で、発生する寄生容量にばらつきが生じてしまうおそれがある。
【００８９】
具体的には図８に示すように、片側にしか制御信号配線１７０が存在しない配線（即ち、制御信号ＳＥＬ１及びＳＥＬ８が供給される配線）では寄生容量が比較的小さくなり、両側に制御信号配線が存在する配線（即ち、制御信号ＳＥＬ２からＳＥＬ７が供給される配線）では寄生容量が比較的大きくなる。
【００９０】
しかるに本実施形態に係る電気光学装置では、制御信号配線１７０の両端に定電位配線２００ａ及び２００ｂが設けられている。よって、制御信号ＳＥＬ１が供給される制御信号配線１７０は、一方にＳＥＬ２が供給される制御信号配線１７０、他方に定電位配線２００ａが存在する状態となる。また、制御信号ＳＥＬ８が供給される制御信号配線１７０は、一方にＳＥＬ７が供給される制御信号配線１７０、他方に定電位配線２００ｂが存在する状態となる。即ち、両端の制御信号配線１７０及び両端以外の制御信号配線１７０の周囲の配線状況が互いに近付けられる。従って、寄生容量のばらつきを小さくすることができる。
【００９１】
具体的には図９に示すように、片側にしか制御信号配線１７０が存在しない配線（即ち、制御信号ＳＥＬ１及びＳＥＬ８が供給される配線）の寄生容量が大きくされ、グラフは直線に近づく。寄生容量のばらつきを小さくすることにより、例えば系列スジ等の表示上の不具合を抑制することができる。
【００９２】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置では、配線間に発生する寄生容量が低減されると共にばらつきが小さくされることで、表示上の様々な不具合を抑制することができる。従って、高品質な画像を表示することが可能である。
【００９３】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１０は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００９４】
図１０に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００９５】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９６】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９７】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【００９８】
尚、図１０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９９】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１００】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１０１】
１ａ…半導体層、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７７…サンプリングスイッチ、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１５０…画像信号配線、１７０…制御信号配線、２００ａ，２００ｂ…定電位配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域に、
データ線と、
前記データ線と交差する走査線と、
前記画素領域の周囲に位置する周辺領域に、
前記データ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線と、
前記スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線と、
前記制御信号配線と前記画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記定電位配線に前記定電位を供給する定電位供給線を備え、
前記定電位配線は、前記定電位供給線と複数箇所で互いに電気的に接続される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記定電位配線は、前記定電位として、前記走査線を駆動する走査線駆動回路に供給される電源電位が供給されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記制御信号配線は、複数並んで設けられており、
前記定電位配線は、複数の前記制御信号配線のうち、端に位置する前記制御信号配線に沿うように設けられている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記定電位配線は、前記端に位置する前記制御信号配線との距離が、互いに隣り合う前記制御信号配線間の距離と同じになるように設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記定電位配線は、前記制御信号配線に前記制御信号が供給される一端とは反対側の他端側に位置する端部から、前記定電位が供給されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
画素領域に、
データ線と、
前記データ線と交差する走査線と、
前記画素領域の周囲に位置する周辺領域に、
前記データ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線と、
前記スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線と、
前記制御信号配線と前記画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記定電位配線に前記定電位を供給する定電位供給線を備え、
前記定電位配線は、前記定電位供給線と複数箇所で互いに電気的に接続される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記定電位配線は、前記定電位として、前記走査線を駆動する走査線駆動回路に供給される電源電位が供給されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記制御信号配線は、複数並んで設けられており、
前記定電位配線は、複数の前記制御信号配線のうち、端に位置する前記制御信号配線に沿うように設けられている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記定電位配線は、前記端に位置する前記制御信号配線との距離が、互いに隣り合う前記制御信号配線間の距離と同じになるように設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記定電位配線は、前記制御信号配線に前記制御信号が供給される一端とは反対側の他端側に位置する端部から、前記定電位が供給されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１１−１９１４７６（Ｐ２０１１−１９１４７６Ａ）
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５７１３４（Ｐ２０１０−５７１３４）
【出願日】平成２２年３月１５日（２０１０．３．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１５日（２０１０．３．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]