【課題】半導体層をゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に設ける場合であっても、素子特性を向上させると共に、素子の信頼性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介してゲート電極層の一部と重なるように設けられたソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層上に設けられた半導体層を有する構造において、ソース電極層とドレイン電極層の間の領域に位置するゲート絶縁層の膜厚を、ゲート電極層とソース電極層の間に設けられたゲート絶縁層及びゲート電極層とドレイン電極層の間に設けられたゲート絶縁層の膜厚より小さくなるように設ける。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソースバスラインとの間に形成される寄生容量に起因する表示不良の発生を抑制することのできる表示装置を提供する。
【解決手段】ソースバスラインの駆動順序に応じて順次に選択状態とされる第１のゲートバスラインと第２のゲートバスラインとが、表示部１００に形成された画素マトリクスの各行に対応して設けられる。各画素形成部には、第１のゲートバスラインにゲート端子が接続されたＴＦＴ１０ａと第２のゲートバスラインにゲート端子が接続されたＴＦＴ１０ｂとが設けられる。各ゲートバスラインにゲート端子が接続されたＴＦＴのソース端子は、当該各ゲートバスラインが選択状態とされたときに相対的に（ソースバスラインの）駆動順序の遅い側に配設されているソースバスラインに接続される。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを複数個直列に設ける場合、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供することにある。
【解決手段】複数個あるＴＦＴの少なくとも一部について、半導体膜とゲート電極膜が対向する面積のチャネル領域に対する相対的な面積が異なることにより、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加を抑制する構造の平面ディスプレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用い、かつゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる酸化物半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを複数個直列に設ける場合、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供することにある。
【解決手段】直列に設けれた複数個のチャネル領域のチャネル端のうち、映像信号線側及び画素電極側の最も近くに位置するチャネル端の外側に、対向するゲート端が位置し、当該チャネル端以外のチャネル端のうち少なくとも一つにおいて、チャネル端がゲート端のより近くに位置している。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、導電層４１と第２酸化物半導体層４０が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部と第２酸化物半導体層４０の側面部及び上面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークを低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】補助容量配線とは別体の透明な補助容量用下電極を設けることにより、補助容量
を従来例の液晶表示装置よりも増大化させることができ、開口率が大きく、しかも、フリ
ッカやクロストーク等が生じ難い液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】補助容量線１３と電気的に接続される透明導電性の補助容量用下電極１５と
、走査線１２、補助容量線１３及び補助容量用下電極１５を覆う第１絶縁膜１６と、ＴＦ
Ｔを覆う第２絶縁膜１９と、第２絶縁膜１９を貫通するコンタクトホール２０によってＴ
ＦＴと電気的に接続された透明導電性の画素電極２１とを備え、補助容量用下電極１５と
画素電極２１と第１、第２絶縁膜１６、１９とで補助容量を構成する。 （もっと読む）

【課題】 回路と接続端子を接続する信号線にさらに検査用端子を接続すると、寄生容量が増加して回路動作を行う際の負荷が大きくになる。
【解決手段】 基板（８）に設けられた回路（２）と、
前記基板の前記回路とは離れた位置に設けられ、前記回路の入力または出力信号を中継する接続端子（４）と、
前記回路と前記接続端子とを接続する信号配線（３）と、
前記基板に前記接続端子とは別に設けられた複数の検査用端子（６）と、
前記信号配線から分岐し、前記複数の検査用端子の１つに接続された分岐配線（３１）と、
を有する回路装置であって、
前記分岐配線の、前記分岐と前記検査用端子との間にスイッチ（１）が設けられていることを特徴とする回路装置。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタの特性を良好にすると同時に、蓄積容量部に形成される金属−絶縁体−半導体構造（ＭＩＳ構造）を解消しキャパシタの値を安定化させることで、フォトマスク工程数を削減しても高い性能を維持できる薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 ４回以下のフォトマスク工程数で作製される薄膜トランジスタ部２１６と、蓄積容量部２１７とを有する薄膜トランジスタアレイ基板において、チャンネルの形成に寄与しない活性半導体層をシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】フィードスルー電圧ΔＶがＴＦＴ基板全面において一定である薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタから構成されるアクティブマトリックス回路を用いることにより画素ごとの表示特性のバラツキに影響を及ぼすことの無い画像表示装置を提供する。
【解決手段】ソース電極１００３は、長手をｙ方向に延設される少なくとも１つの矩形で、ゲート電極１００２の上の目標位置に配置される領域Ｓ２からなり、ドレイン電極１００４は、ゲート電極１００２の上をｘ方向に横断し、該ゲート電極１００２両端からのはみ出し部分それぞれの長さが△ｄ以上である矩形の領域Ｄ１と、領域Ｄ１からｙ方向に延設され領域Ｓ２と長手方向同士を並行に隣接してチャネル部を形成する矩形で、該矩形の長手方向の一端部が最も近いゲート電極１００２の端部位置よりも△ｄ以上内側となるゲート電極１００２の上の目標位置に配置される領域Ｄ２と、からなる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画像信号に乗る電磁ノイズを低減して高品位の画像表示を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、走査線と、走査線と交差するデータ線と、画素毎に設けられた画素電極と、（ｉ）走査線に接続されたゲート電極、並びに（ｉｉ）データ線に接続されたソース領域、画素電極に接続されたドレイン領域、及びチャネル領域を有する半導体層を有する薄膜トランジスタと、半導体層及び画素電極間に積層され、ドレイン領域及び画素電極間を中継接続する中継配線と、データ線及び中継配線間に積層され、所定電位に保持される第１シールド層と、画素電極及び中継配線間に積層され、所定電位に保持される第２シールド層とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタを含む表示装置において、遮光層とゲート電極との間の寄生容量の発生を軽減しつつ、光リーク電流の発生の抑制を図ることが可能になる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、半導体層への光の入射を抑制するための遮光層（４０）と、第１絶縁膜（３１）と、薄膜トランジスタのゲート電極（２２）と、第２絶縁膜（３２）と、半導体層（２１）と、が順次積層された基板を含む。遮光層（４０）は、ゲート電極（２２）の少なくとも一部が遮光層（４０）と第１絶縁膜（３１）を介して重ならないようにして形成される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品質を向上することが可能なアレイ基板、このアレイ基板の製造方法、及びこれを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、互いに電気絶縁状態で交差するゲートライン及びデータラインと、ゲートライン及びデータラインに接続されるスイッチング素子とが形成される基板と、データライン及びゲートラインに沿って上側に形成されたアウトライン部と、データライン及びゲートラインと交差する方向に各々延長されてアウトライン部に接続され、アウトライン部によって定義された画素領域を複数のドメインに分割する複数の接続部と、各ドメインにおいて接続部の側面から突出されてアウトライン部に接続される複数のスリット部を含む画素電極と、データライン及びゲートラインの上部において、アウトライン部に沿って形成されてデータライン及びゲートラインを覆うように（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）、データラインとアウトライン部との間に形成された遮蔽電極とを含む （もっと読む）

【課題】フリッカを低減することが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
マトリックス状に複数の画素が配置され、液晶層を介して対向配置される第１及び第２の基板と、前記第１の基板側に、少なくとも各画素内に面状に形成された第１電極と、前記第１電極の上層に第１絶縁層を介して形成され、各画素毎に前記第１電極に重畳して形成される線状の複数の第２電極とを有し、前記第１電極と前記第２電極で生じる電界で前記液晶層を駆動する液晶表示装置であって、前記第１電極と同電位であり、前記第２電極と同層に形成され、前記各第２電極を間にして配置される線状の第３電極を備えた液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びこれを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、ゲート線と、ゲート線と電気的に絶縁状態で交差するように延長されたデータ線とが形成された基板と、ゲート線及びデータ線に接続されたスイッチング素子と、基板上に定義された画素領域に形成され、スイッチング素子の出力電極に接続された画素電極と、画素領域及び画素領域の間に対応して、データ線が形成された基板上に画素電極と絶縁されるように形成され、データ線の上部に対応する位置に１つ以上の第１スリットが形成された共通電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極とゲート電極との間の寄生容量の変化に起因するフリッカを抑制するとともに、薄膜トランジスタの動作速度の向上を図ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置１００の薄膜トランジスタ１のソース電極６およびドレイン電極７からなるチャネル領域５ａは、それぞれ、ゲート電極３１および半導体層５と重なり、ソース電極６およびドレイン電極７の少なくとも一部は、平面的に見て、ゲート電極３１の延びるＹ方向に対して所定の角度（４５度未満）傾斜した状態で互いに略平行に対向して延びている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を発生させることなく、配向膜ストッパを形成することのできる液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の固定を兼ねて前記液晶を封入するシール材とを備える液晶表示装置であって、
前記第１基板は、少なくとも、前記シール材で囲まれる領域に形成される複数の画素を駆動させるための信号線と、該信号線をも被って形成される絶縁膜を介して前記シール材との間に間隙を有して配置される配向膜と、前記配向膜と前記シール材との間の間隙に前記配向膜を囲んで形成される線状の導電膜を有し、
前記導電膜は、平面的に観て、前記信号線のうち前記配向膜と前記シール材との間の間隙に配置される信号線と重畳されて形成されているとともに、該信号線と同電位に保持されている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量の増加による表示特性の低下、および半導体層下のゲート電極と同一の金属層のレイアウトに依存する半導体層のレーザアニール時の結晶性の勾配発生を抑制し、輝度ムラを解決すること。
【解決手段】本発明は、ガラス基板４０上に形成される第１電極４１と、第１電極４１上に第１絶縁膜５１を介して形成される伝熱金属層６１と、伝熱金属層６１上に形成される第２絶縁膜５２を介して形成される半導体層５０と、半導体層５０上に形成される第２電極４２および第３電極４３とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの構成部材の位置ずれを抑制し、さらに寄生容量の低減を図った薄膜トランジスタおよびそれを用いた装置の提供。
【解決手段】絶縁基板上に、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、少なくとも前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体層と重畳して配置されるゲート電極を備えるものであって、
前記ソース電極上に重ねられて第１バンク絶縁膜、前記ドレイン電極上に重ねられて第２バンク絶縁膜が形成され、
前記半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極は、前記第１バンク絶縁膜と前記第２バンク絶縁膜の間の領域に形成されている。 （もっと読む）