【課題】支持基板上に高速駆動を可能とする高性能なスイッチング素子を形成できる、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板２００の一方の面に貼着膜２１０を形成し、貼着膜２１０が形成された側を支持基板１０Ａに貼り合わせる。単結晶シリコン基板２００を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板２００からなる半導体層を形成する。そして、半導体層を用いることでスイッチング素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイを製造するための方法に提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイを製造するための方法は、基板と、複数の第１の導電性ラインと複数の第２の導電性ラインとを有し基板上にパターニングされた第１の金属層と、パターニングされた第１の金属層の上の絶縁層と、パターニングされたシリコン層と、パターニングされたシリコン層の上のパターニングされた保護層と、パターニングされた保護層の上のパターニングされたドープシリコン層及びパターニングされた第２の金属層とを準備し、パターニングされたシリコン層の露出した部分と第１の導電性ラインと第２の導電性ラインの露出した部分を埋め、パターニングされた第２の金属層が、複数の第３の導電性ラインと複数の第４の導電性ラインを備え、そのそれぞれが、複数の第１の導電性ラインと複数の第２の導電性ラインの１つにそれぞれに対応する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス回路において、表示電極の面積比率（開口率）を向上させ、また、ＴＦＴに光が当たることによってＴＦＴの特性が低下することを防止する。
【解決手段】 ＴＦＴのチャネルをソース線の下に設けることにより、光を遮る面積を低減する。また、このようにＴＦＴのチャネル上にソース線が重ねられているために、ＴＦＴの上方から入射する光はソース線で遮られて、ＴＦＴには達しないので、ＴＦＴ特性が外光によって低下することが防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素の充電時間を増加させて表示装置の画質を向上させ、また画質不良を減少させて表示装置の画質を向上させる。
【解決手段】本発明は薄膜トランジスタ表示板に関し、薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されているゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、半導体層上に形成されているデータ線及びドレイン電極、データ線及びドレイン電極上に形成されてコンタクトホールを備えた保護膜、そして保護膜上に形成されてコンタクトホールを通してドレイン電極と接続されている画素電極を含み、データ線は画素電極を横切って、画素電極はデータ線と重なる開口部を備えている。開口部の横幅はデータ線の横幅より広くても狭くてもよい。これによって、データ線と画素電極の間に発生する寄生容量を除去して画質が向上する。 （もっと読む）

【課題】複数の画素ユニットを組み合わせて大きなサイズのディスプレイパネルを製造する際、画素ユニット間で異なる寄生キャパシタＣ_ｐのキャパシタンスの影響を受ける電荷蓄積キャパシタのシフト値を固定する。
【解決手段】上記課題を解決するために、第一金属層と第二金属層とを備える画素ユニットにおいて、第一金属層でゲート電極及び第一電極とを構成し、第二金属層でドレイン電極、ソース電極及び第二電極とを構成する。この構成では、ドレイン電極は第一重畳領域でゲート電極と重なり合い、ソース電極は第二重畳領域でゲート電極と重なり合ってＴＦＴを形成し、第二電極は第三重畳領域で第一電極と重なり合って電荷蓄積キャパシタを形成する。そして、この電荷蓄積キャパシタを構成する前記第一電極と前記第二電極の大きさはほぼ等しくし、当該第一電極と当該第二電極との位置関係にはずれがある配置とする。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み構造を有する基板およびそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 埋め込み構造を有する基板１００は、主面に形成された溝を有するガラス基板１０１と、溝内に堆積された第１材料から形成され、主面と略面一の表面を有する埋め込み構造１０２を有する。溝の深さをｄ、溝の側壁部の曲率半径をｒとしたとき、ｄ≧ｒの関係にある。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、残像を最小化させ、画質を向上できる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、互いに交差するように位置するゲートラインとデータラインにより定義される画素セルがマトリクス状に配列された液晶表示パネルにおいて、前記画素セルのそれぞれは、前記ゲートラインとデータラインの交差領域に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続される画素電極と、前記薄膜トランジスタと隣接して位置し、前記薄膜トランジスタのゲート電極と寄生キャパシタを形成すると共に、前記画素電極と接触される金属パターンを備え、それぞれの前記金属パターンは、前記画素セルの位置により面積が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のＴＦＴのチャネル領域やその隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（９ａ）とを備える。データ線（６）は、遮光性の材料からなり、ＴＦＴのチャネル領域（１ａ'）及びその隣接領域を対向基板（２０）の側から見て夫々覆う主配線部（６ａ）と、この主配線部から走査線に沿って突出している突出部（６ｂ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）

【課題】垂直クロストークの発生を防止する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成されていて、各々第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１と、同基板上に形成される複数のデータ線１７１ａ、１７１ｂ，１７１ｃ、１７１ｄからなるデータ線１７１とを含み、データ線１７１を画素電極１９１のうちの隣接する二つの副画素電極１９１ａ、１９１ｂと重畳させる。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の、ドレイン線と交差する共通信号線の電位を安定化させる。
【解決手段】 複数本のゲート線と複数本のドレイン線がマトリクス状に配置されており、かつ、前記ゲート線に沿って他の信号線が配置されており、隣接する２本のゲート線と隣接する２本のドレイン線で囲まれた領域を１つの画素領域とする表示パネルを有する表示装置であって、前記表示パネルは、複数の画素領域でなる表示領域の外側に、前記他の信号線と電気的に接続された第１の電極と、前記ゲート線およびドレイン線ならびに他の信号線と電気的に独立した第２の電極とを有する容量素子が設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス液晶表示装置のフリッカ防止調整方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ素子の寄生容量（Cgs）が、ゲートライバからの距離につれて大きくなるよう構成されて共通電極電圧V_COMのフラット化を図っている液晶表示装置において、表示中央部のフリッカを防止するようV_COMの電圧レベルを設定し、その後表示周辺部のフリッカを防止するようゲート信号電圧のターンオン電圧Vghの大きさを調整することで、表示全域のフリッカを防止している。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低コスト、高耐熱、高光透過率、厚膜、高平坦の層間絶縁膜を用いることによって、低消費電力かつ低コストで、画像視認性が高い液晶表示装置を得る。
【解決手段】有機シロキサン系絶縁膜を液晶表示装置の層間絶縁膜とし、層間絶縁膜中のシリコン量に対する窒素量（Ｎ量/Ｓｉ量）を元素比で０．０４以上になるように制御して、層間絶縁膜の厚膜化によるクラック発生を抑制可能な限界膜厚を１．５μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】光センサからの信号の検出感度低下を抑制可能な光センサ内蔵型の画像表示装置を実現する。
【解決手段】複数のデータ用配線２のうち光センサ回路（トランジスタ６，８及び蓄積容量７で構成される）に電気的に接続された光センサ信号読み出し用配線１０の両隣に位置する二つのデータ用配線２と、光センサ信号読み出し用配線１０との間にそれぞれ、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１を配置する。よって、少なくとも画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の幅だけ光センサ信号読み出し用配線１０とその両隣のデータ用配線２との間の距離をとることができ、光センサ信号読み出し用配線１０とデータ用配線２との間の静電容量値を抑制することができる。よって、データ用配線２上の電位変動の影響が当該静電容量を介して伝達されにくく、光センサからの信号の検出感度低下を抑制できる。 （もっと読む）

チップの電気部品間のクロストーク及びチップに入射する迷光に由来する電気的雑音を抑制するように設計されたＬＣｏＳチップ（100）を提供する。ＬＣｏＳチップ（100）は、メモリセルのアレイが形成されたシリコン基板（120）を含んでいる。チップ（100）はまた、ワード線を形成する第１の多結晶シリコン層（302）、及びビット線を形成する金属層（413）を含んでおり、ビット線はワード線に直交している。チップ（100）はまた、第２及び第３の多結晶シリコン層（310、312）上に形成された蓄電キャパシタ（308）を含んでいる。第２の多結晶シリコン層（310）は、第１の多結晶シリコン層の上方且つワード線によって覆われていない基板（120）の領域の上方に配置されている。金属層（413）は、隣接ビット線（304）間、及びビット線（304）と蓄電キャパシタ（308）との間のクロストークを低減させる遮蔽体（432）を含んでいる。
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【課題】ゲート線にかかるロードを減らして開口率を高めながら光漏れ現象を防止できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板上に互いに離隔して形成されたゲート線と維持電極線と、ゲート線及び維持電極線と絶縁され形成されて、ゲート線と交差するデータ線と、ゲート線とデータ線によって定義される画素ごとに形成された画素電極と、ゲート線とデータ線に連結されて画素電極に電圧を印加する薄膜トランジスターと、データ線と同じ層に形成されて、維持電極線と連結されて画素電極と共に維持キャパシタの両端子を構成する維持電極を含む。 （もっと読む）

【課題】 反射層において高い反射率を得ることができ、明るい表示が可能な液晶装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 反射層２５を構成するコレステリック層が、例えばアルミニウム等の金属とは異なり、電界に悪影響を与えるおそれがないので、反射層２５を設けるスペースが限られてしまうことはない。むしろ、サブ画素領域１１４内の所望の範囲に反射層２５を設けることができるので、入射光を反射可能な領域が広がる。これにより、入射光を十分に利用することができ、明るくコントラストの高い表示が可能となる。また、アルミニウム等の金属とは異なり、パターニングの必要も無いため、容易に製造することができるという利点もある。 （もっと読む）

【課題】 保持容量７０が形成された後にＴＦＴ３０の水素化処理を行うことによって、ＴＦＴ３０の素子特性の低下を抑制する。
【解決手段】 保持容量７０は、ＴＦＴ３０に施す水素化処理を阻害しないようにＴＦＴ３０を避けるように形成されている。より具体的には、上部容量電極３００は、各画素部に設けられた複数の保持容量７０間で共用されるように走査線３ａに沿って延在された上部容量電極３００がＴＦＴ３０上で切り欠かれた切り欠き部３０１を有している。加えて、下部容量電極７１もＴＦＴ３０が備える半導体層上に重ならないように画素部で互いに分離されている。 （もっと読む）

【課題】 保持容量において誘電体層として用いる陽極酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１の素子基板１０において、非線形素子４３の絶縁層は、非線形素子用下電極４４の上面４４１を覆う部分が、サリチル酸塩をエチレングリコール−水との混合溶媒に溶解させた有機系電解液中で形成した第１の陽極酸化膜４９であり、側面部４４２を覆う部分が、クエン酸の水溶液からなる水系電解液中で形成した第２の陽極酸化膜４６である。第１の陽極酸化膜４９は第２の陽極酸化膜４６より膜厚が厚く、かつ、誘電率が低い。 （もっと読む）

【課題】均一な画素電圧を維持できる液晶表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示素子は、第１及び第２基板と、第１基板と第２基板の間に形成された液晶層と、第１基板上にマトリックス状に定義された複数の画素と、第１基板上に第１方向に配置され、各画素を上下に隣接する第１及び第２画素に区画する複数のゲートラインと、ゲートラインと直交する第２方向に配置され、ゲートラインと共に第１及び第２画素を区画する複数のデータラインと、第１及び第２画素内に横電界を発生させる複数の第１及び第２電極と、データラインと交差するゲートライン上に形成され、第１及び第２画素を駆動させるスイッチング素子とを含み、スイッチング素子は、ゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極から構成され、ドレイン電極は、第１画素の第２電極に接続する第１ドレイン電極、第２画素の第２電極に接続する第２ドレイン電極から構成される。 （もっと読む）