【課題】信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法と、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器とを提供する。
【解決手段】ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい、チャネル領域に酸化物半導体を含むトランジスタを用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】窒素を含む一対の酸窒化物半導体領域、および該一対の酸窒化物半導体領域に挟まれる酸化物半導体領域を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極とを有する半導体装置。ここで、一対の酸窒化物半導体領域はトランジスタのソース領域およびドレイン領域となり、酸化物半導体領域はトランジスタのチャネル領域となる。 （もっと読む）

【課題】制御性が良く、安定して動作する可変容量素子を提供する。消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】印加される電界により、ｎ型またはｉ型となる半導体、もしくは、ｐ型またはｉ型となる半導体を用いて可変容量素子を構成する。容量素子を構成する第１の電極と第２の電極の間に、誘電体層として絶縁層と上記半導体層の積層を設ける。第１の電極を誘電体層側に設け、第２の電極を半導体層側に設けた時に、第１の電極と半導体層が重畳する面積Ｃ１よりも、第１の電極と半導体層と第２の電極が重畳する面積Ｃ２の方を小さくなるようにする。動画像表示と静止画像表示で駆動方法を切り替える液晶表示装置に可変容量素子を適用することで、消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】光硬化性結合部材を用いた共通電極表示板との結合が容易である薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線、データ線、画素電極及び薄膜トランジスタが設けられている基板、及び前記基板上に設けられ、外部からの信号を受信する配線部と前記配線部からの信号に応答してゲート信号を前記ゲート線に出力する回路部とを備えるゲート駆動部、を含み、前記配線部は、前記配線部に重畳する光硬化性の結合部材に光を透過させるための開口部が設けられている信号線を含み、前記配線部は開口部が設けられていない信号線をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電流駆動能力を増大するとともに負荷である配線容量を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極及び第１信号配線と、前記ゲート電極及び前記第１信号配線を覆う第１絶縁膜と、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第１信号配線の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２絶縁膜上に形成されるとともに前記第１信号配線と交差する第２信号配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高電圧に対する高い耐久性と信頼性を有する酸化物半導体薄膜トランジスタを提供することが可能な、新規かつ改良された酸化物半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、基板の上部に形成されて第１面積を有するゲート電極、ゲート電極をカバーするためにゲート電極の上部に形成されるゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜の上部に形成されて第１面積より狭い第２面積を有する活性層、活性層のソース領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるソース電極、活性層のドレーン領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるドレーン電極及び活性層、ソース電極及びドレーン電極をカバーする保護膜を含む。従って、酸化物半導体薄膜トランジスタは高電圧に対する高耐久性及び信頼性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶モジュールに対して１フレーム時間毎に全ての画素の表示データをシリアルに高速転送する場合と高速転送しない場合とに限らず、コントローラＩＣ及びインタフェース回路が表示デバイス基板と一の基板上に形成されるため小型化が可能で、回路面積が小さく、低消費電力で、メモリ部の動作の信頼度が高く、低コストである表示装置と、この表示装置を使用した機器を提供する。
【解決手段】容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素を有する表示部４とが一の第１支持基板１上に形成された表示装置において、画素には、それぞれ画素電極が設けられ、表示部４の上方には第１支持基板１に対向する第２支持基板２が設けられているが、データ保持回路３が配置された領域の上方には対向基板が存在せず、かつ、データ保持回路３が読み出し動作のみでメモリセルをリフレッシュ可能なＤＲＡＭからなる。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高い第１の支持体に移し替え、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でかつ高画質のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、それぞれ液晶素子（１、２、１１）を有する画素アレイと、ゲート線（Ｇ）と、ソース線（Ｓ）と、ゲート線にゲートが接続され、ゲート線が活性化されたときはソース線のうちの選択されたものから対応する液晶素子を電圧を印加する薄膜トランジスタ回路（３〜８，１２〜１５）とを備え、この薄膜トランジスタ回路は、各画素について対応するソース線と液晶素子間に複数のトランジスタを直列接続して構成される。画素位置によりｐチャネルトランジスタを含めることにより行間交流あるいは列間交流の制御で行列間交流と同様の動作が実現できる。 （もっと読む）

【課題】レジストの広がりを容易に制御して、寄生容量の増加を抑制する。
【解決手段】ゲート電極１１ａａ上に、ゲート絶縁膜１２、第１半導体膜１３、第２半導体膜１４及び金属膜を成膜し、金属膜上にレジストを形成する工程と、レジストから露出する金属膜、及びレジストの薄膜部の下層に配置する金属膜の上層部をエッチングしてソースドレイン形成層１５ａを形成する工程と、レジストＲｂｂから露出するソースドレイン形成層１５ａ及び第２半導体膜１４の温度差に基づいてリフロー処理を行いレジストＲｂｃに変形する工程と、レジストＲｂｃを用いて第１半導体層１３ａ及び第２半導体層形成層１４ａを形成する工程と、レジストＲｂｃを除去した後に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、両電極から露出する第２半導体層形成層１４ａをエッチングして第２半導体層１４ｂを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジス
タで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減
する。 （もっと読む）

【課題】ドレイン線と画素電極との層間ずれに伴う寄生容量の変動を抑制し、画素間のＬＣＤ特性を安定させた表示装置を提供することである。
【解決手段】
第１の方向に延在し第２の方向に並設されるドレイン線と、前記第２の方向に延在しＸ前記第１の方向に並設されるゲート線と、前記ドレイン線と前記ゲート線とで囲まれる領域に形成される画素電極とを備える表示装置であって、前記ドレイン線と前記画素電極との間に形成され、前記ドレイン線の延在方向に伸延し、前記ドレイン線に近接する側が当該ドレイン線と所定距離離間して形成される第１の電極を有し、前記第１の電極は、前記ドレイン線と同層に形成され、前記画素電極側の辺縁部が当該画素電極に電気的に接続される表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配列している表示装置において、走査線と映像信号線とが平行配列することによって配線間容量が増加することによる表示むらを解消する。
【解決手段】画素のＡ行とＢ行が交互に縦方向に配列している。走査線はＡ行の画素とＢ行の画素の間を横方向に延在している。Ａ行においては、映像信号線５は画素と画素の間に縦方向に延在している。Ｂ行においては、映像信号線５は画素内を縦方向に縦断している。この配置では、走査線と映像信号線５が平行して延在する部分が存在しないので、走査線と映像信号線５との配線間容量の増大を防止することが出来る。これによって配線間容量に起因する表示むらを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、製造工程中に残留する導電膜によって画素電極及びデータ配線が互いに短絡されることを防止して画素欠陥を減少させる。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板と、絶縁基板の上に位置するゲート線と、ゲート線を覆っているゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜上に位置し、ドレーン電極とデータ線とを含むデータ配線と、データ配線を覆っている保護膜７０と、保護膜の上に位置してデータ配線と電気的に連結されている画素電極８０とを含み、ゲート絶縁膜は第１開口部を有し、保護膜は第２開口部と接触口７２とを含み、第２開口部は前記第１開口部を露出させ、第１開口部と前記第２開口部は画素の縁領域に位置し、接触口７２は前記ドレーン電極の一部分を露出させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】寄生容量に起因する表示電極の電位の異常変化を抑制することにより、表示品質が向上される表示装置及びその駆動方法の提供。
【解決手段】第１のスイッチング素子及び第１の表示電極を備える第１の画素回路と、第２のスイッチング素子及び第２の表示電極を備える第２の画素回路と、前記第１及び第２のスイッチング素子を介して、それぞれ、前記第１及び第２の表示電極に、表示制御電圧を供給する表示制御電圧供給手段と、を備え、前記表示制御電圧供給手段は、第１書込み期間に、前記第１及び第２のスイッチング素子のスイッチをオン状態にし、前記第１及び第２の表示電極に、前記第１の画素回路の表示データに応じる表示制御電圧を供給し、第２書込み期間に、前記第２のスイッチング素子のスイッチをオン状態に維持し、第２の表示電極に、前記第２の画素回路の表示データに応じる表示制御電圧を供給する、ことを特徴とする、表示装置。 （もっと読む）

【課題】波状ノイズが発生せず高画質を実現する。
【解決手段】基板上部にゲート電極とゲート配線を形成する段階と、第１絶縁膜を形成する段階と、アクティブ層を形成する段階と、オーミックコンタクト物質層を形成する段階と、窒化シリコン膜ＳｉＮ_xでなるバッファ層を形成する段階と、ゲート電極の周辺によって定義される境界部内にアクティブパターンとオーミックコンタクトパターンで構成されるアイランドを形成する段階と、アイランド上部に透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極の下部のアクティブ層パターンの両端に別々に隣接したオーミックコンタクト層を形成する段階と、基板の上部に第２絶縁膜を形成する段階と、第２絶縁膜とドレイン電極の不透明導電物質層をパターニングして画素電極を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】開口率及び静電容量を向上させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１領域に位置する薄膜トランジスタと、第１領域に隣接する第２領域に位置するキャパシタとを備え、薄膜トランジスタは、活性層と、活性層のチャネル領域に対応する位置に、前記活性層と離隔されて位置するゲート電極と、活性層に電気的に接続されるソース及びドレイン電極と、活性層とゲート電極との間に順次形成された第１絶縁層〜第３絶縁層を有するゲート絶縁膜とを備え、第１絶縁層の厚さに対する第２絶縁層の厚さの比は、約０．１〜約１．５であり、第２絶縁層の厚さに対する第３絶縁層の厚さの比は、約２〜約１２である表示装置。 （もっと読む）

【課題】フリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板１０の液晶層の側に画素電極１２に接して設けられた第１配向膜１３と、対向基板２０の液晶層の側に設けられた第２配向膜２３と、対向電極２０と第２配向膜２３との間に設けられた、液晶層よりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、ＳｉＯ_２からなる誘電体膜３８と、を備え、対向電極２２には、スイッチング素子４０の寄生容量に起因するフリッカーを低減するように設定された対向電極電位が印加され、画素電極１２には、対向電極電位を基準として高位の電圧を正極性、低位の電圧を負極性としたときに、正極性の電圧と負極性の電圧とが交互に印加され、正極性の電圧が印加される第１の期間の長さが負極性の電圧が印加される第２の期間の長さに比べて短く設定される。 （もっと読む）