【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素：０．０１〜５原子％を含有し、さらにＣａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素：０．０１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅薄膜、この銅薄膜からなる液晶表示装置用配線、この銅薄膜からなる密着性に優れた液晶表示装置用電極。 （もっと読む）

【課題】リンク領域に設けられたリンク配線の抵抗値を均一かつ低減させる。
【解決手段】本発明による液晶表示装置用アレイ基板は表示領域と、リンク領域とパッド領域を含む非表示領域に区分された基板と、基板上の表示領域のアレイ素子と、パッド領域の第１〜第ｎパッドと、リンク領域に設けられ、アレイ素子とパッド間に接続された第１〜第ｎリンク配線を備え、第１〜第ｎ／２−１リンク配線は斜線部を有し、第ｐリンク配線の斜線部の幅は第ｑリンク配線の斜線部の幅より広くて、第ｐリンク配線の斜線部の長さはｑリンク配線の斜線部の長さより長く、ｐとｑは（ｎ／２−１）≧ｋ≧ｑ＞ｐ≧１の関係を満たすことを特徴とする。これにより、リンク領域の外端部のリンク配線の長さが長くなっても、抵抗の発生が減少することができるようにその幅を広く構成して基板の全部分における抵抗値が均一になることを確保する。 （もっと読む）

【課題】圧接部を含む配線経路において、コンタクト抵抗を含む配線抵抗の増大を抑制し配線経路を簡略化することができる表示装置を提供する。
【解決手段】チャージポンプ方式の電源を内蔵するドライバＩＣ１を表示パネル５上に実装し、このドライバＩＣ１に接続された配線のうち、ドライバ内蔵電源への接続配線３のＦＰＣ実装用パッド４の幅を他の配線２のパッド４より広くする。また、パッド４からドライバＩＣ１までの配線経路が短くなるように、ＦＰＣ実装用パッド４の端子列のうち一部の端子間隔をその他の端子間隔より広くする。ＦＰＣ実装用パッド４と圧接により電気的に接続されるフレキシブル基板７側の端子６についても、同様の端子幅及び端子間隔とする。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、透明導電膜５，４１に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜２５，２６，３４であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板の低抵抗配線を具現する。
【解決手段】アレイ基板１００はベース基板１０１、ゲート配線ＧＬ、第１絶縁層１２０、第２絶縁層１６０、データ配線、及び画素電極ＰＥを含む。ゲート配線ＧＬはベース基板１０１に形成された第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの上に形成された第１金属層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃからなる。第１絶縁層１２０はゲート配線ＧＬが形成されたベース基板１０１の上に形成され、第２絶縁層１６０はその上にゲート配線ＧＬと交差する方向に配線トレンチＨ３が形成される。データ配線ＤＬは配線トレンチＨ３の下に形成された第２シード層１４１ｄ及び配線トレンチ内に形成された第２金属層１４２ｄからなる。このように絶縁層を利用して一定の深さを有するホールを形成し、ホール内にめっき方式で金属層を形成することで、金属配線の厚さを厚く形成できる。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０１の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板の上方に形成され、基板が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気的に接続された配線と、を有し、配線は、薄膜トランジスタのソース電極１０９またはドレイン電極１１０と同じ層に形成された第１の配線と、第１の配線の上方に絶縁膜を介して形成された第２の配線と、を有し、第１の配線は、第２の配線と並行に設けられ、絶縁膜に開けられた複数のコンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】クロストークが少なく、表示画質が良好で視野角広い液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶層を挟持した一対の透明基板（アレイ基板、カラーフィルタ基板）を備え、一対の透明基板のうち一方の透明基板の液晶層側には、表示領域ＤＡにマトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線１５と、走査線及び信号線１５で区画された画素領域毎に形成された第１電極としての下電極１９と、下電極１９の上に絶縁膜を介して形成され、少なくとも表示領域ＤＡに亘って形成された第２電極としての上電極２２と、表示領域ＤＡより外側に形成された共通配線１６₁と、を有し、上電極２２は、表示領域ＤＡの少なくとも一辺部に沿って形成された、例えば第１の低抵抗化配線１６₂を介して共通配線１６₁に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン配線を構成するアルミニウム合金膜と透明電極が直接接続され、該ソース・ドレイン配線とゲート配線の特性が共に良好なものであって、大幅に簡略化されたプロセスで製造することのできる薄膜トランジスタ基板と、該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する薄膜トランジスタ基板であって、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板とこれを備えた表示デバイス。 （もっと読む）

【課題】分断配線の配線抵抗を小さくすることができ、表示品質を高めることができる表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ソース信号線Ｙ１を、ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と交差する位置で、交差部分１６０と主要部分１７０とに分ける。交差部分１６０を、例えばゲート電極と同層に形成し、主要部分１７０を、ゲート絶縁膜を間にしてソース／ドレイン電極，ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と同層に形成する。交差部分１６０を、Ａｌなどの低抵抗金属よりなる第１層１６１と、この第１層１６１よりも融点の高い材料、例えばＭｏ等の高融点金属よりなる第２層１６２との積層構造とする。第１層１６１および第２層１６２を連続して形成することにより、表面自然酸化膜などを介在させることなく、直接接触させ、交差部分１６０の抵抗値を小さくする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板とＣＦ基板の共通電極とを接続する接続電極の信頼性を向上させた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】共通電極１６が形成されたＣＦ基板２と、共通電極１６と対向する面にトランスファ電極９が形成されたＴＦＴ基板１と、ＣＦ基板２とＴＦＴ基板１との間に設けられ、共通電極１６とトランスファ電極９とを電気的に接続する複数の導電性ギャップ材８と、を備え、トランスファ電極９は、金属からなる下部電極９−２と、下部電極９−２上の所定領域に複数のコンタクトホール１８が形成された絶縁膜１７と、酸化導電膜からなり、コンタクトホール１８を介して下部電極９−２に接続されるとともに導電性ギャップ材８に接触する上部電極９−１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＯＣＢ液晶装置における初期シーケンスを、特別な高耐圧回路を用いずに、かつ、通常動作時と同様の、フレーム反転やライン反転等の駆動方式を用いて無理なく実現すると共に、短時間でのベンド配向転移と、ちらつきの少ない画像表示とを両立すること。
【解決手段】 初期シーケンスではフレーム反転駆動を実行し、画像表示シーケンスでは水平ライン反転またはドット反転駆動を実行する。また、初期シーケンスは、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスとを含み、ベンド転移核形成シーケンスでは、例えば、画素電極９と非選択の走査線Ｘとの間の電位差によって横電界を発生させ、ベンド転移拡大シーケンスでは、画素電極９と対向電極１１との間の電位差によって縦電界を発生させ、縦電界によってベンド転移を拡大する。 （もっと読む）

【課題】
下地との優れた密着性を有し、銅やシリコンの拡散を防止し低抵抗銅配線を備えた液晶画像表示装置を提供する。
【解決手段】
アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】断線欠陥部に幅が狭くて厚い修正層を容易に形成することができ、修正部の抵抗値の低減化を図ることが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】この欠陥修正方法では、ドレイン線８の断線欠陥部８ｂを含む範囲に修正ペースト１２を塗布し、両端部がドレイン線８の正常な部分に重なり、かつドレイン線８よりも幅が大きな修正層１２Ａを形成し、修正層１２Ａのうちのドレイン線８の幅からはみ出た不要部をレーザ照射によって除去し、修正層１２Ａのうちの残りの部分をレーザ照射によって焼成する。したがって、断線欠陥部８ｂに幅が狭くて厚い修正層１２Ａを容易に形成できる。 （もっと読む）

【課題】配線に低抵抗な材料を用いることにより、画素部の大面積化に対応し得る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
ゲート電極及び第１の配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にゲート電極と重なって形成された半導体層と、絶縁膜上に形成され、かつ、半導体層に電気的に接続された接続電極と、を有し、接続電極は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極及び第１の配線は、第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、第２の導電層上の第３の導電層とでなる積層構造を有し、第２の導電層は、第１の導電層及び第３の導電層より低抵抗であり、第１の導電層及び第３の導電層は、第２の導電層より高融点の導電材料からなり、第２の導電層の端部における断面形状はテーパー形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】修正部の抵抗値の低減化を図ることが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】この欠陥修正方法では、ドレイン線８の断線欠陥部８ｂを含む範囲に修正ペースト２０を塗布し、両端部がドレイン線８の正常な部分に重なる修正層２０Ａを形成し、修正層２０Ａにレーザ光を照射して焼成するステップを複数回繰り返し、断線欠陥部８ｂの上に複数の焼成層２０Ａを積層する。したがって、修正部の膜厚を厚くして修正部の抵抗値の低減化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、導電性能の均一性が高く、かつ良好な塗膜強度を有する透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明な基材シートの少なくとも一方の面に導電性金属メッシュ層と導電性高分子層からなる透明導電性層を有する透明導電性フィルムにおいて、該導電性金属メッシュ層の金属が卑金属又は卑金属からなる合金であることを特徴とする透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯやＳｉとの界面拡散を防止するとともに、低温プロセスが要求される各種電子デバイスに適用可能な低抵抗の電極膜用Ａｌ合金膜を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係るＡｌ合金膜は、Ｎｉからなる第１の添加元素と、元素周期表の周期２又は３に属する２ａ族のアルカリ土類金属、３ｂ、４ｂ族の半金属から選ばれる少なくとも１種類以上の第２の添加元素とを含む。また、第１の添加元素の組成比は０．５〜５ａｔ％であり、第２の添加元素の組成比は０．１〜３ａｔ％である。 （もっと読む）

【課題】表示装置の接続端子部における金属配線層を伝達・成長する腐食反応を完全に抑制することはできないため、時間の経過により断線に至り、表示不良が発生する。
【解決手段】一辺に端子電極群を備える第１の基板と、液晶材を介して第１の基板と対向配置される第２の基板とを備える。第１の基板上の端子電極群の少なくとも一つの端子電極はその端子電極群の配列方向と交差する方向に沿った分離領域を介して空間的に分岐された電極領域を備えた分岐型端子電極を形成している。第２の基板は端子電極群を覆わないように配置されている。また、端子電極と分離領域とを共通に覆い、分離領域で隔離された各端子電極を電気的に導通する耐食性導電層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光に対して透明な金属電極の提供。
【解決手段】透明基板と、複数の開口部を有する金属電極層とを具備してなる光透過型金属電極。この金属電極層は切れ目無く連続しており、また、前記開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、利用する可視光域波長３８０〜７８０ｎｍの１／３以下である部位が全面積の９０％以上であり、平均開口部径が１０ｎｍ以上、入射光の波長の１／３以下の範囲にあり、前記開口部の中心間ピッチが平均開口部径以上、入射光の波長の１／２以下の範囲にあり、さら金属電極層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）