【課題】電気光学用基板の信号線の構成を適正化することにより、高速シリアル転送を採
用した場合の信号特性の向上やノイズの低減を図ることのできる電気光学パネル、電気光
学装置、および電子機器を提供することにある。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上には、第１信号線１１ｅ〜１１ｈと、この第
１信号線１１ｅ〜１１ｈよりも広い幅寸法の第２信号線１１ａ〜１１ｄとが形成されてい
る。このため、幅寸法の広い第２信号線１１ａ〜１１ｄを高速シリアル転送に用い、幅寸
法の狭い第１信号線１１ｅ〜１１ｈについては、第２信号線１１ａ〜１１ｄに比して転送
速度が遅いシリアル転送用の信号線、あるいはパラレル転送用の信号線として用いる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線等を電気抵抗値の少ない素材で形成することによって、高品位な画像表示を可能としつつ、光リーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、相交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、該交差に設けられた画素電極（９）と、（i）一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域（１ａ´）を有する半導体膜と、（ii）ゲート電極（３ａ）とを含むトランジスタ（３０）と、ゲート電極上に配置された遮光部（１１ｂ）と、画素電極の下層側に形成された下部容量電極（７２）とを備える。第１及び第２絶縁膜には、遮光部とゲート電極とを接続する第１部分と、他の方向に沿って延在し、半導体膜の脇で遮光部と走査線とを電気的に接続する第２部分とを有するコンタクトホール（８０１）が形成され、画素電極及び下部容量電極は、保持容量（７０）を形成している。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ耐湿性・耐薬品性に優れた、酸化亜鉛系導電膜及び酸化インジウム系透明導電膜を積層してなる積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ａ）と酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなる積層型透明導電膜において、前記透明導電膜層（Ｂ）がアモルファス構造であり、このような積層型透明導電膜は透明導電膜層（Ａ）の成膜を、１×１０^−４Ｐａ〜１．０１３×１０^５Ｐａの到達真空度にてスパッタリング法にて行うことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高透過率と低抵抗を兼備した優れた特性を備え、高品位な画像を得ることができる透明導電性基板、及び電気化学表示素子を提供する。
【解決手段】透明基板と、透明基板の上に形成されたパターン化された金属電極膜と、金属電極膜を含む透明基板の上に形成された透明絶縁膜と、透明絶縁膜の上に形成された透明導電膜と、を備え、透明導電膜は、透明絶縁膜に設けられた開口部を通して金属電極膜に電気的に接続されている透明導電性基板であって、金属電極膜のパターン形状は、縦横にそれぞれ延在する縦パターンおよび横パターンからなる格子状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動を抑える。
【解決手段】 基板８１の表面８３に透明導電膜８２が積層形成されている。基板８１の表面８３に形成された透明導電膜８２は、ＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなる。このＩＴＯＣ膜の基板８１への形成には、プラズマ発生装置を用いた成膜装置１であるＭＰＤ（Multi Plasma deposition）装置が用いられている。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられる共通接続部として適した構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素部の外側領域に設けられる共通接続部は、ゲート絶縁層と同じ層で形成された絶縁層上に、第２酸化物半導体層と同じ層で形成された酸化物半導体層と、導電層と同じ層で形成された導電層（共通電位線とも呼ぶ）とが積層された構成を有し、第１酸化物半導体層上に設けられた層間絶縁層の開口部を介して導電層（共通電位線とも呼ぶ）が共通電極と接続しており、画素電極と対向する電極が導電性粒子を介して共通電極と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第１の薄膜と金属材料の第２の薄膜とを２層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第５の薄膜と金属材料の第６の薄膜とを２層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第７の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の低い導電性に優れた透明導電膜を得ることができ、量産ラインに容易に
用いることができる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜９は、インジウム−スズ酸化膜９ａ又はインジウム−亜
鉛酸化膜９ｃ、アルミニウム−ニッケル合金膜９ｂ及びインジウム−スズ酸化膜９ａ又は
インジウム−亜鉛酸化膜９ｃが順次積層された３層構造からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
良好な特性を有するスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ構造と、ディスプレイの大型化に有利な低抵抗配線構造を両立でき、低コストで高画質の表示装置を提供する。
【解決手段】
マトリックス状に配置された複数の画素を駆動するＴＦＴをスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、該ＴＦＴのチャネルを形成する多結晶Ｓｉ層４より下層に位置する電極配線２を、希土類元素を添加元素として含むＡｌ合金からなる第一の合金層２ａと、希土類元素と高融点金属とＡｌとの合金からなり、前記第一の層の上層に位置する第二の合金層２ｂとの積層構造とすることで、多結晶Ｓｉ形成時の高温に耐え得る低抵抗配線構成とした。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】対向電極の高抵抗化を抑制し、広い視野角特性及び高いコントラスト比を有するとともに、表示品位の良好な画像を表示可能とすることを目的とする。
【解決手段】マトリクス状の各画素に配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、
複数の画素電極に対向する対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、
アレイ基板と対向基板との間に保持され、画素電極と対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子４０を含む液晶層ＬＱと、
を備え、
対向電極は、各画素において画素電極と対向するストライプ状の第１セグメントＥＴ１及び第２セグメントＥＴ２と、画素電極との間に電界が形成された状態で液晶分子の配向を制御するように第１セグメントと第２セグメントとの間に形成されたスリットＳＬと、隣接する画素間の遮光領域ＳＬＤにおいて第１セグメントと第２セグメントとを電気的に接続する接続部ＣＮと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度とノーマリーオフ特性とを有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極２６と、電流を取り出すためのソース電極２３及びドレイン電極２４と、ソース電極２３及びドレイン電極２４に隣接して設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）を主成分とする酸化物半導体からなる活性層２２と、ゲート電極２６と活性層２２との間に設けられたゲート絶縁層２５とを備えている。そして、活性層２２を形成する際に流す酸素ガスの流量は、酸素分圧が１．７×１０^−３Ｐａとなるように調整されており、活性層２２を構成する酸化物半導体は、体積抵抗率が１０Ωｃｍで、酸素が非化学量論組成であるＭｇＩｎ_２Ｏ_４系酸化物半導体となる。 （もっと読む）

【課題】複数の引出線２６の抵抗値を十分に均一化できるようにする。
【解決手段】電気絶縁する絶縁層２４、絶縁層２４を貫通して設けられた接続部３２、絶縁層２４の一方の面に形成された外部接続端子２８、絶縁層２４の他方の面に形成された引出線２６を設ける。そして、接続部３２により外部接続端子２８と引出線２６とが接続される。また、引出線２６の一方の端部は、導電体２７に接続される。引出線２６の他方の端部は、導電体２７側の外部接続端子２８の第１の端部から所定距離離れた位置において、接続部３２により外部接続端子２８と接続される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】レアメタルであるインジウムを使用せず、酸化亜鉛を使用し、高い電気伝導性を備えた透明導電膜付き基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜をマグネトロンスパッタリング法により成膜し、前記成膜工程において基板にバイアスを印加して成膜すること、および、印加するバイアスは、成膜の初期段階でのバイアスの値がＲ０、初期段階後のバイアスの値がＲとすると、Ｒ０/Ｒを１．２〜２．５にすることにより課題を達成した。 （もっと読む）

【課題】窓部を有する場合であっても表示領域内の輝度むらを低減させることのできる表示装置の提供。
【解決手段】非表示領域の周囲で迂回させるドレイン迂回配線及びゲート迂回配線とを備え、ドレイン迂回配線とゲート迂回配線とのうち少なくとも一方の配線幅は、該ドレイン迂回配線と該ゲート迂回配線とが交差する交差部における配線幅と非交差部における配線幅とが異なる配線幅で形成され、ドレイン線の非交差部における配線幅をａ_１、ドレイン線の交差部における配線幅をｂ_１、ドレイン迂回配線の非交差部における配線幅をｃ_１、ドレイン迂回配線の交差部における配線幅をｄ_１、ゲート線の非交差部における配線幅をａ_２、ゲート線の交差部における配線幅をｂ_２、ゲート迂回配線の非交差部における配線幅をｃ_２、ゲート迂回配線の交差部における配線幅をｄ_２とした場合、｜ａ_１−ｃ_１｜＞｜ｂ_１−ｄ_１｜又は／及び｜ａ_２−ｃ_２｜＞｜ｂ_２−ｄ_２｜の表示装置。 （もっと読む）