【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、絶縁膜を構成するＳｉＮ膜や半導体膜におけるＳｉＮ層との密着性に優れると共に、エッチング時に良好にテーパ状にエッチングできるＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜および／または半導体膜と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、上記ＳｉＮ膜やＳｉＮ層と直接接触する第一層と、該第一層上に形成される第二層とを含み、前記第一層は、窒素を０．４原子％以上５．０原子％未満含むと共に、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、ＭｎおよびＦｅよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｘ元素）を０．１〜０．５原子％、および／または、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＭｏおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｚ元素）を０．１〜０．３原子％含み、かつ前記第一層の膜厚が２〜１００ｎｍである表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】画質を改善できる映像表示装置が提供される。
【解決手段】映像表示装置において、表示パネルは、１つ以上の駆動チップから駆動信号を受信して映像を表示する。各駆動チップは、駆動信号を発生するドライバー、ドライバーから提供された駆動信号を出力する多数の出力端子、及びドライバーと多数の出力端子を電気的に連結させる多数の内部連結配線を含む。内部連結配線は、位置によって相異なる長さを有し、他の抵抗値を有する２つ以上の物質で各々なされた２つ以上のグループに分割される。したがって、駆動信号の遅延偏差を実質的に除去でき、その結果映像表示装置の画質を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される補助容量の容量を大きく、かつ、その変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ４と補助容量５を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。これにより、補助容量半導体層１７を導体化し、補助容量５の容量を大きくすると共に、補助容量５の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜とＴＦＴの半導体層との間のバリアメタル層を省略可能な新規のＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。詳細には、Ａｌ合金膜をＴＦＴの半導体層と直接接続しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を防止でき、良好なＴＦＴ特性が得られると共に、ＴＦＴの製造工程でＡｌ合金膜に約１００〜３００℃の熱履歴が加わった場合でも、低い電気抵抗と優れた耐熱性が得られる新規なＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用Ａｌ合金膜は、表示装置の基板上で、薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、上記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜４原子％；Ｌａ、ＧｄおよびＮｄよりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．１〜１原子％；並びにＴａ、Ｎｂ、Ｒｅ、ＺｒおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の低い半導体装置を提供すること、透過率の高い半導体装置を提供すること、または開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。また、ソース配線及び／又はゲート配線を、透光性を有する材料と当該透光性を有する材料より抵抗率が低い材料を積層させて設ける。これにより、配線抵抗が低く、透過率の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで形成可能であると共に低抵抗の導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なＡｌ配線材料を用いて、生産コストの低下および生産性の向上を図ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、Ａｒガスを用いたスパッタリングによって純ＡｌまたはＡｌ合金を第１層として成膜する工程と、前記第１層の上層に、Ａｒ＋Ｎ₂混合ガスまたはＡｒ＋ＮＨ₃混合ガスを用いたスパッタリングによって、前記第１層の材料に加えて窒化アルミニウムも部分的に含む第２層を成膜する工程と、別途形成するコンタクトホールを介して透明膜電極と第１電極の前記第２層とを電気的に接続する工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、窒化ケイ素膜上への銅の微細配線を、より簡易に行う。
【解決手段】微細配線がされたＴＦＴ基板は、無アルカリガラスからなるガラス基板１０１と、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜１０２と、アルミニウムを４原子％含有し銅を主成分とする合金からなる第一の導電層１０３及び１０９と、９９．９９％純度の純銅からなる銅配線である第二の導電層１０４及び１１０と、窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜１０６と、非晶質ケイ素からなる半導体層１０７と、ｎ＋型非晶質ケイ素からなるコンタクト層１０８と、透明導電膜１０２と第一の導電層１０３との界面の金属酸化物層１０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い表示品位を達成することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】駆動素子接続端子８が設けられかつ一方方向に延びる一方電極群を有した第１基板２と、他方方向に延びる他方電極群を有した第２基板３とを、前記両電極群が直交するように対向させて、第１基板２または第２基板３の周囲で複数の導電性粒子１４を含有するシール部材７を介して貼り合わせ、シール部材７の内側に液晶を充填してなる液晶表示装置Ａであって、第１導通接続部１２の一部は、第１他方電極群と第２他方電極群との境界がなす境界線１７を超えて位置しており、第２導通接続部１３の一部は、第１他方電極群と第２他方電極群との境界がなす境界線１７を超えて位置している。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を主とした透明導電膜、該透明導電膜の製造方法、および該透明導電膜を含むデバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜１６は、基材１２上に成膜された、添加金属元素を含む金属酸化物の非晶質の前駆体膜１４に対し、高周波電界中で希ガスを主として含むガスのプラズマに暴露し、かつ還元条件下での改質処理を施すことにより得られる。
本発明では、非晶質の前駆体膜１４をプラズマに暴露させた後、還元雰囲気下でアニール処理を施すことによって還元条件下での改質処理を行うことができる。本発明では、上記金属酸化物は、チタンを主とする金属元素とし、ニオブを前記添加金属元素とする酸化物とすることができる。 （もっと読む）

【課題】共通配線の低抵抗および高開口率を維持しつつ、外光の映り込みがない横電界方式の液晶表示装置及びそれを用いた電子機器の提供。
【解決手段】第１の基板と第２の基板と、該２枚の基板に狭持された液晶層とを有し、該第１の基板には２次元的にマトリクス状に画素が配置され、各画素には少なくとも薄膜トランジスタと画素電極と共通電極とを有し、該マトリクスは複数の映像信号線と複数の走査信号線が交差して形成された横電界方式の液晶表示装置であって、該映像信号線および該走査信号線上には透明絶縁膜が設けられ、該透明絶縁膜上に画素電極と共通電極と共通配線とが設けられ、該共通配線は格子状に形成され、その一方向は金属よりも可視光の反射率が小さい第１の導体からなり、他の一方向は金属層を含む第２の導体からなる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】表示欠陥を完全にリペアすることができ、開口率の低下を伴わない液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】紫外線の照射によって高導電率化されたＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物のソース領域及びドレイン領域を有する主ＴＦＴ及び冗長ＴＦＴを備え、冗長ＴＦＴの透明なドレイン領域を画素電極と重なり合うようにして信号線に設けられたリペア領域にまで延ばして形成する。リペア領域と冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部とは絶縁層によって絶縁されている。表示欠陥の生じた画素部に対して、主ＴＦＴを画素電極から切り離すとともに、冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部と信号線とをリペア領域において溶着させる。これにより、冗長ＴＦＴがスイッチング素子として機能し表示欠陥が完全にリペアされる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられた配線の微細化、低抵抗化
【解決手段】画素領域の周縁部には複数の集積回路２１２、２２２が配置されている。また、画素領域の周縁部に沿って複数の配線２４１〜２４３が形成されている。かかる複数の配線２４１〜２４３は、集積回路２１２、２２２を接続している。また、複数の配線２４１〜２４３は絶縁層２８０によって覆われている。また、配線２４１〜２４３の長さ方向には、部分的に、配線２４１〜２４３の幅方向の断面を大きくした断面拡大部２６１〜２６６を備えている。断面拡大部２６１〜２６６は、配線２４１〜２４３からガラス基板１２１の厚さ方向に延びた柱部２６１ａ〜２６６ａと、他の配線との間に絶縁層２８０を介在させた状態で、柱部２６１ａ〜２６６ａから配線２４１〜２４３の幅方向に広がった拡大部２６１ｂ〜２６６ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜の腐食を抑制でき、透明導電膜との接触電気抵抗も低減された表示デバイスを製造する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程によってＡｌ合金膜を透明導電膜と直接接触させる。（１）Ａｌよりも貴な金属元素を含むＡｌ合金膜を形成する第１の工程、（２）フォトリソグラフィおよびドライエッチングによってコンタクトホールを形成する第２の工程、（３）フォトリソグラフィで生成したフォトレジストの剥離を行なう第３の工程、（４）透明導電膜を形成する第４の工程と、をこの順序で包含し、第２の工程は、オーバーエッチングにおけるガスの流量比を、ＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率で３０％以下に制御して前記Ａｌ合金膜の表面をＡｌの酸化物で覆う工程を含み、第３の工程は、ｐＨ１０．５以上のアルカリ溶液に接触させて前記Ａｌの酸化物を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】表示領域内に補助ラインを設けることなく、共通電極を表示領域の外周に設けた電源配線と接続する構成において、透光性を有し、表示領域の全域で抵抗値に差が生じにくい共通電極を備えた液晶表示装置が望まれていた。
【解決手段】共通電極１３は、２層構造を有している。すなわち、層間膜１８側、およびコンタクトホールＣＨ２において電源配線１３１と接する側に位置する層は、アルミニウム合金材料層１３ａである。そして、このアルミニウム合金材料層１３ａの層間膜１８と反対側となる配向膜側には、透明導電材料層１３ｂが積層形成されている。アルミニウム合金材料層１３ａは、アルミニウムとニッケルの合金、またはアルミニウムとコバルトの合金を材料とする層である。 （もっと読む）

【課題】金属配線と金属酸化物を有する層を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 （もっと読む）