【課題】 アクティブマトリクス基板に形成される走査線、信号線の配線の構造を複雑化することなく、Ａｌヒロックを抑制し、かつ接続抵抗を低減して接続部の信頼性を向上する。
【解決手段】 透明絶縁性基板１０上に薄膜トランジスタ１４及び画素部１３が形成されたアクティブマトリクス基板１を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ１４のゲート電極１５及びこれに接続される走査線１１をＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ構造、あるいは、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ構造、さらには、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造とする。Ａｌ膜に接してＴｉ膜が存在することで、Ａｌ膜でのＡｌヒロックの発生を抑制する。また、最上層にＴｉＮ膜が存在し、このＴｉＮ膜には上層に透明導電膜が接していないことで、走査線端子部２２での表面腐食を抑制し、かつ接続抵抗の増加を抑制して信頼性を高める。 （もっと読む）

【課題】酸化物の一部領域又は全領域の比抵抗を低下させることにより、簡易な工程で多様な電子素子を作製できる電子素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも最表層の一部が比抵抗１×１０^９Ω・ｃｍ以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光源からの出射光の波面変化を面内で連続的に行える位相補正素子を備えた光ヘッド装置を得る。
【解決手段】それぞれ異なる電圧を供給できるようにされている複数の給電部がそれぞれ異なる位置に設けられ、かつ入射光の波面形状を連続的に変化させたい領域を、各給電部への配線部が形成される領域を除き覆うように形成されている１つの連続した電極が少なくとも形成された透明基板の間に異方性光学媒質が備えられている位相補正素子を光源１からの出射光を平行化するコリメートレンズ３と出射光を光記録媒体８へ集光する対物レンズ６の間に配置した光ヘッド装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと接続するソース電極あるいはドレイン電極のスルーホールにおけるコンタクト抵抗を減少させ、表示装置の動作効率を向上させる。
【解決手段】スルーホールにおいて、ＴＦＴのソース部とソース電極８が接続している。ソース電極８は、バリヤメタル、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３の３層から形成されている。バリヤメタルは半導体層と接触する下層８１ａとＡｌ合金と接触する上層８１ｂとに分かれている。バリヤメタルの下層８１ａをスパッタリングして形成した後、熱処理し、その後、ベースメタルの上層８１ｂ、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３を連続してスパッタリングによって形成する。Ａｌ合金８２と接触するバリヤメタルの上層８１ｂは酸化されていないので、スルーホールにおけるコンタクト抵抗の上昇を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネルにおいて、共通電極
の電気抵抗を小さくしてクロストークを低減すること。
【解決手段】液晶層ＬＣを挟持して対向配置された第１基板ＡＲ及び第２基板ＣＦを有し
、第１基板ＡＲには画素電極として作動する第１電極５２と共通電極として作動する第２
電極５３が絶縁膜を挟んで交互に並列して形成され、表示領域の同一画素に表示用サブ画
素１６Ａと視野角制御用サブ画素１７Ａが配置され、非表示領域に共通配線４３が形成さ
れる液晶表示パネルであって、非表示領域の共通配線４３と視野角制御用サブ画素１７Ａ
の第２電極５３を導通する補助配線４０Ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板の上方に形成され、基板
が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気
的に接続された配線と、を有し、配線は、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン
電極と同じ層に形成された第１の配線と、第１の配線の上方に絶縁膜を介して形成された
第２の配線と、を有し、第１の配線は、第２の配線と並行に設けられ、絶縁膜に開けられ
た複数のコンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層の水素終端処理をする際に、銅が用いられたドレイン電極及びソース電極が基板上に露出する場合であっても、ドレイン電極及びソース電極の剥離が生じにくい表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置の製造方法において、薄膜トランジスタの半導体層上の一部に、単層もしくは複数の導電層を含むソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、ソース電極及びドレイン電極が基板上に露出している状態で、半導体層に水素終端処理をする水素終端工程と、を含み、電極形成工程は、ネオンを含む不活性ガスを導入することにより基板上に銅を付着させる工程を含む、ことを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、共通電極及び画素電極を透明電極と不透明電極の二重層によって形成することで、抵抗を低減させると共に、画面のコントラスト比及び輝度を向上させる横電界方式液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】横電界方式液晶表示装置は、相互対向する第１及び第２の基板と、前記第１の基板に配列されて複数の画素領域を定義する複数のゲートライン及びデータラインと、前記画素領域に交互に配置されて水平電界を発生させ、少なくとも１つが多層構造を有する少なくとも１つの共通電極及び画素電極と、前記第１の基板と第２の基板との間に形成された液晶層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗で、かつ繰返しの加熱環境にあって抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜、そのＮｉ合金電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 基板上に形成される電極膜であって、０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有し、抵抗率が３０μΩｃｍ以下である繰返し加熱における抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜である。また、繰返し加熱に曝される電極膜形成用に用いられる０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有するＮｉ合金電極膜形成用スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡便な塗布法による優れた透明性と高い導電性を備え、屈折率が小さく、平坦性に優れる低屈折率透明導電膜と、その製造方法を提供する。
【解決手段】主成分に有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物である塗布液を用い、耐熱性基板上に塗布膜を形成し、乾燥塗布膜を形成させ、乾燥塗布膜を焼成して、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上が主成分の無機膜を形成する製造方法で、有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物が主成分の乾燥塗布膜を、露点−１０℃を越える酸素含有雰囲気下で、少なくとも無機成分の結晶化が起こる焼成温度以上まで昇温し、含まれる有機成分を除去することで、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上が主成分の微粒子間に空隙を有する低屈折率の導電性酸化物微粒子層を形成する。 （もっと読む）

【課題】表示装置を構成するアレイ基板の異なる配線層の接続構造において、接続部材が酸化物導電膜では、耐腐食性に優れるが、接続抵抗が高抵抗という問題があった。接続部材が金属膜の場合は、接続抵抗は低抵抗であるが、シール材より外側の領域では、大気中に含まれる水分の影響で腐食が起き易いという問題があった。
【解決手段】 液晶表示装置１００は、走査配線２、信号配線５と同一層からなる異なる２層を電気的に接続する接続部Ｍ、Ｎにおいて、接続部材８を、シール材４０に囲まれた領域５１の接続部Ｍでは、低抵抗な金属膜からなる接続部材８ａで構成することにより、接続抵抗の低抵抗化を図り、シール材４０より外側の領域５６の接続部Ｎでは、少なくとも表面が側壁面も含めて耐腐食性に優れた酸化物導電膜からなる接続部材８ｂで構成することにより、耐腐食性を向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の開口部内で第１電極と第２電極とを異方性導電材によって電気的に接続する場合でも、開口部の内部で導電粒子を十分に押し潰すことのできる実装構造体、並びにかかる実装構造体を備えた電気光学装置およびタッチパネルを提供すること。
【解決手段】第１部材１と第２部材２との実装構造体２００では、開口部１２ａの内部で第１電極１１と第２電極２２とを異方性導電材４０で電気的に接続する。絶縁層１２において、開口部１２ａの周りに位置する部分は、少なくとも一部が第２電極２２と平面的に重なる。ここで、導電粒子４の粒径については、変形前の寸法で、開口部１２ａの深さ寸法の２倍以上である。従って、第２電極２２が絶縁層１２に当接する前に、導電粒子４は５０％以上変形していることになる。 （もっと読む）

【課題】容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
【解決手段】基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、
基板上にＳｎＯ_２−ｘ膜（０．３≦ｘ≦１．９５）を形成する工程、前記ＳｎＯ_２−ｘ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記ＳｎＯ_２−ｘ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法、または、
基板上に膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜を形成する工程、前記膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）