【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体層２０５のエッチングと、画素電極２１０とドレイン電極２０６ｂを接続するためのコンタクトホール２０８の形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】
液晶表示パネルとＦＰＣとの接続部分の縦寸法を短縮化し、接続部の電気抵抗の増大や接続に係る信頼性の低下を抑制した液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】
液晶表示パネルの端子部と、フレキシブルプリント回路配線（ＦＰＣ配線）とを接続する液晶表示装置において、互いに接続する接続部分の形状が、該端子部が形成された該液晶表示パネルの一辺に対して、垂直以外の傾きを持った、平行四辺形であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジス
タで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減
する。 （もっと読む）

【課題】トップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】有機半導体層１７は、ゲート電極１３を幅方向に覆う状態で配置されており、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７−１と、この厚膜部１７−１よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７−２とを有する。またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の薄膜部１７−２上に端部が積層される。有機半導体層１７は、厚膜部１７−１が前記ゲート電極１３の幅の範囲内に設けられる一方、薄膜部１７−２は、厚膜部１７−１からゲート電極１３の幅方向の外側に延設される。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の上にゲート線１２４、ゲート絶縁膜１４０、第１非晶質シリコン膜１５４、第２非晶質シリコン膜１６４、第１金属膜１７４ａ、及び第２金属膜１７４ｂを順次形成する段階と、第２金属膜１７４ｂの上に第１部分と第１部分より厚さの厚い第２部分とを有する感光膜パターン５２を形成する段階と、感光膜パターン５２をマスクとして第２金属膜１７４ｂ及び第１金属膜１７４ａをエッチングして、第２金属パターン及び第１金属パターンを形成する段階と、第２金属パターンにＳＦ_６気体またはＳＦ_６とＨｅの混合気体で前処理する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ドライバの半導体集積回路装置の出力端子数が増加しても、半導体集積回路装置内部の配線層による電圧降下を防止する。
【解決手段】第１の配線層と第２の配線層とが形成されたフィルム基板と、前記フィルム基板上にチップオンフィルム方式で実装された半導体チップとを有し、前記第１の配線層と前記半導体チップの出力端子とが電気的に接続され、前記第２の配線層によって、前記半導体チップの複数の端子同士が電気的に接続されており、前記第２の配線層を介して、前記半導体チップの電源、或いはクロックが伝達される。前記第２の配線層は、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に形成される。 （もっと読む）

【課題】製造工程中に生じる静電気に起因する不良を防止しつつ、簡便なプロセスで製造可能であり、かつ、薄膜トランジスタ特性を維持しつつ検査に適した薄膜トランジスタアレイ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線１及びソース配線２の少なくとも一方と、抵抗体４を介して電気的に接続されるショートリング配線３を備える。抵抗体４は、ソース配線２及びショートリング配線３と同一の層からなり、ショートリング配線３と一体的に形成されたメタル膜１３と、メタル膜１３の直下に形成された第２半導体膜１２と、その直下に形成された第１半導体膜１１の積層体からなる。抵抗体４の平面視上の形状は、少なくとも一部の領域において第１半導体膜１１の幅Ｗ１に比して第２半導体膜１２及び前記メタル膜１３の幅Ｗ２を小さくし、抵抗体４の抵抗値は、メタル膜１３の形状により調整する。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体
装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製
する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上
に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄
膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜および／または薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、３０原子％以上のＭｏを含有するＡｌ−Ｍｏ合金、またはＭｏと、Ｍｎ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｇ、およびＦｅよりなるＸ群から選択される少なくとも１種とを含有するＡｌ−Ｍｏ−Ｘ合金の単層から構成されている。 （もっと読む）

【課題】優れたスループットを実現できる配線構造体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造体は、微細ピッチで構造体が多数形成された第１の領域と、平面状に形成された第２の領域とを有する基体と、第１の領域、および第２の領域共に同一材料の導電材料が成膜されており、第１の領域、および第２の領域のうち該第２の領域に導電材料が連続的に形成されて、配線パターンをなす導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】透光性導電膜を配線や電極として備えるものにあって、透光性導電膜の抵抗を低減させることができる表示装置を提供することである。
【解決手段】
複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する複数のドレイン線とを有し、画素の領域毎に、前記ゲート線とドレイン線とに接続される薄膜トランジスが形成される表示装置であって、前記ゲート線及び前記ドレイン線、並びに前記ゲート線又は前記ドレイン線から伸延される引き出し配線の少なくとも１つが透光性パターン化導電膜で形成され、前記透光性パターン化導電膜は、少なくとも、第１透光性パターン化導電膜と、前記第１透光性パターン化導電膜上に積層された第２透光性パターン化導電膜とから構成され、前記第２透光性パターン化導電膜は、前記第１透光性パターン化導電膜の側壁面を含む表面のみを被って形成される導電膜からなる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドライバー集積回路チップの電源連結構造に関し、より詳細には、ドライバー集積回路チップ内部のルーティングパターンをＬＯＧと並列で配置して、チップの両端に配置された電源を連結することで配線を簡素化してライン抵抗を減少させることができるドライバー集積回路チップの電源連結構造を提供する。
【解決手段】本発明によるドライバー集積回路チップの電源連結構造によると、ドライバー集積回路チップの入出力端子の配線数を減少させて配線を簡素化して、これによりチップサイズを減らして及び製造費用を減少させることができる効果があり、チップ内部のルーティングパターンとＬＯＧを並列で連結することでライン抵抗が減少されて、信号の遅延を減らすことができる長所がある。 （もっと読む）

【課題】電極に複数の開口部を設ける液晶表示装置における表示品位の低下を回避する。
【解決手段】液晶表示装置は、一面側に第１電極を有する第１基板と、一面側に第２電極を有し、当該第２電極と第１基板の第１電極とが向かい合うようにして第１基板と対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層と、を含む。第１電極は、各々が第１方向に延びた形状であり、規則的な市松状に設けられた複数の第１開口部２１を有し、第２電極は、各々が第１方向に延びた形状であり、規則的な市松状に設けられた複数の第２開口部２２を有する。そして、複数の第１開口部のそれぞれが複数の第２開口部のうちの平面視において隣り合う２つの第２開口部の間に位置するように、複数の第１開口部と複数の第２開口部とが相対的に配置される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】共通電極を備えることなく、単位画素毎に隣接するデータラインからデータ電圧を受けて横電界を形成する電極を形成することにより、ライン・ディレイ現象、開口率の減少、及びスイッチング素子のバラツキによる画質の低下などの問題を改善できるインプレーンスイッチングモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数のゲートライン４０１と前記複数のゲートライン４０１と垂直に交差する複数のデータライン４０２ａ、４０２ｂとにより定義される単位画素４３０と、前記単位画素４３０毎に、前記ゲートライン４０１とデータライン４０２ａ、４０２ｂとの交差領域に形成される１対のスイッチング素子４１０、４２０と、前記１対のスイッチング素子４１０、４２０とそれぞれ連結される電極４０４、４０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】塗布系の絶縁膜上のＩＴＯ膜の成膜に際し、エッチング残渣を生じさせず、且つ、ＩＴＯ膜と下層金属膜との間のコンタクト抵抗を低減することにより、液晶表示面での表示不良を無くすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるＴＦＴと、ＴＦＴに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、１００〜１７０℃とする。また、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際、非加熱で酸素流量比を１％以下とし、且つ、成膜後アニールを行う。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等において、主配線を効率的に低抵抗化し、主配線間における信号の相互干渉を抑制することで、高品位な画像表示を行う。
【解決手段】基板（１０）上における画像表示領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子（１０２）と、これらに夫々一端が接続された複数の主配線（１０８）と、該主配線の他端に接続されており外部回路接続端子から主配線を介して供給される電気信号に基づいて画素部を駆動するための周辺駆動回路（１０１、１０４）とを備える。複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域内に平面レイアウトされている。 （もっと読む）