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Fターム[2H092NA28]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 目的 (17,448) | その他 (8,438) | 電極の低抵抗化 (551)

Fターム[2H092NA28]に分類される特許

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【課題】配線パターンの修正において、修正抵抗を低減することが可能となる、パターン修正方法を提供する。
【解決手段】パターン修正方法は、導電性パターン20の欠陥部21を修正するパターン修正方法であって、導電性インクを塗布することにより第1のインク層31を形成する工程と、第1のインク層31を焼成することにより第1の修正層32を形成する工程と、少なくとも一部が第1の修正層32に重なるように導電性インクを塗布することにより、第2のインク層33を形成する工程と、第2のインク層33を焼成することにより第2の修正層34を形成する工程とを備え、第1の修正層32および第2の修正層34により欠陥部21を挟んで配置される導電性パターン20間の電気的接続が確保される。 (もっと読む)


【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な金属配線用膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてX群元素(Xは、希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素)を3〜50原子%、および/または酸素を0.2〜3.0質量%含有し、残部Tiおよび不可避不純物からなるTi合金層(第1層)と、Al系膜からなる第2層とを含む積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 (もっと読む)


【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な配線用膜を提供する。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてX群元素(Xは、希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素)を3〜50原子%、および/または酸素を0.2〜3.0質量%含有し、残部Tiおよび不可避不純物からなるTi合金層と、純CuまたはCu合金からなる層とを含む2層以上の積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 (もっと読む)


【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置100において、対向基板20には、共通電極21より下層側に導電性の遮光層29が設けられ、かかる遮光層29は絶縁層27のコンタクトホール27a、27b、第1導通部25aおよび第2導通部25bにおいて共通電極21と導通している。このため、共通電極21のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極21の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極21の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層29の上層には絶縁層27が形成されているため、遮光層29に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極21に段差切れが発生しない。 (もっと読む)


【課題】高画質で立体表示することができる立体表示装置を提供する。
【解決手段】画像を表示するための複数の画素120を有する表示パネル100と、表示パネルに対向し、画像の3次元表示を行うための視差バリア210を有する液晶シャッタパネル200とを備える立体表示装置1であって、複数の画素のそれぞれは、光を発する領域である発光領域121と当該発光領域以外の領域である非発光領域122とからなり、液晶シャッタパネルは、視差バリアの遮光部211に対応する第1の透明電極221と、第1の透明電極に対向する第2の透明電極231と、第1の透明電極及び第2の透明電極の間に配置された液晶層240と、第1の透明電極及び第2の透明電極の少なくとも一方と電気的に接続され、表示パネルと液晶シャッタパネルとの並び方向において非発光領域と重なるように形成される補助電極260とを有する。 (もっと読む)


【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い2つの膜(ITO膜とアルミニウム膜)からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、上層と、上層よりも広い幅を有する下層とからなる2層構造とする。TiまたはMoからなる第1導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体(純アルミニウム)からなる第2導電層を設ける。上層の端面から突出させた下層部分と、ITOとを接合させる。 (もっと読む)


【課題】配線抵抗の上昇を防ぎつつ、配線間の寄生容量を低減できる表示装置を提供する。また、表示品質を向上させた表示装置を提供する。また、消費電力を低減できる表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の画素において、信号線と、該信号線と交差する走査線と、信号線から突出する第1の電極と、該第1の電極と対向する第2の電極と、該第2の電極と接続する画素電極とを有する。また、走査線の一部はループ形状であり、第1の電極の一部は、走査線の開口部と重畳する領域に位置する。即ち、第1の電極の一部は、走査線と重畳しない。 (もっと読む)


【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 (もっと読む)


【課題】信号配線数を半分にした構成のFFS型の液晶表示装置は、低コスト化はできるが、対向基板のブラックマトリクスは、信号配線がない画素の境界領域にも必要であるが、走査配線数が2倍になるので、開口率の低下が起きる問題点があった。
【解決手段】 FFS型の液晶表示装置100を構成する液晶表示パネル90は、対向基板20のブラックマトリクスBM領域下で、信号配線5が配置されない隣接する2個の画素30の境界領域において、共通電極8と共通信号配線82との接続に、隣接する2個の画素30で共用されるコンタクトホール12を備えている。 (もっと読む)


【課題】工程時間及び工程コストを減少させ、厚さが薄いタッチスクリーンパネル一体型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明のタッチスクリーンパネル一体型液晶表示装置は、複数のゲート配線及び複数のデータ配線130が配置され、薄膜トランジスタTFT及び画素電極30をそれぞれ含む複数の画素Pが形成された第1基板10と、第1基板10に対向する第2基板20と、画素電極30の上部に形成される絶縁層40と、絶縁層40の上部に第1方向に配列される複数の透明電極50と、各透明電極50の一の面に取り付けられる結合部及び駆動信号を受ける駆動配線を形成する複数の金属電極60と、第2基板20の上部に第1方向と交差する第2方向に配列される複数の感知電極70と、第1基板20と第2基板20との間に形成された液晶層80と、を備える。 (もっと読む)


【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線12と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極27とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層211と高融点金属層212との積層構造からなり、前記信号線12が下層から高融点金属層231とアルミニウム−ネオジム合金層232と高融点金属層233との3層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 (もっと読む)


【課題】表示領域の配線とICドライバの端子を接続する引き出し線において、ICドライバの中央部の端子を接続する引き出し線とICドライバの端部の端子を接続する引き出し線における長さが異なることによる引き出し線抵抗に差が生ずることを防止する。
【解決手段】映像信号線とICドライバの端子を接続するドレイン層引出し線50を途中で分断し、分断した部分を画素ITOと同時に形成される橋絡ITO50によって橋絡する。ICドライバの中央部分の端子を接続する引き出し線における橋絡ITO50の長さをICドライバの端部の端子を接続する引き出し線における橋絡ITO50の長さより大きくすることによって、引き出し線の配線抵抗の差を小さくする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い2つの膜(ITO膜とアルミニウム膜)からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してITOとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、3層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、TiまたはMoからなる第1導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体(純アルミニウム)からなる第2導電層を設ける。さらに、その第2導電層の上に、ITOと反応しないアルミニウム合金からなる第3導電層を設け、配線又は電極を3層構造としてITOと接合させる。 (もっと読む)


【課題】さらなる低温プロセス(350℃以下、好ましくは300℃以下)を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層103を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層103の一部にn型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域107(非晶質構造を有する領域)を形成した後、100〜300℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域108を形成し、非晶質な領域のままでTFTのソース領域またはドレイン領域とする。 (もっと読む)


【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のSiO膜と、SiO膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置、特にFFSモード液晶表示装置の構造を提供する。
【解決手段】本発明は、コモン電極を2層構造とすること、及びその一方のコモン電極をパネル全面に平板状(べた状)に形成し、これにより電圧供給を電極の4辺から可能とすることにより、電圧供給にともなう抵抗を低減させることを可能とする、FFSモードLCDを提供する。 (もっと読む)


【課題】画素部や信号線駆動回路が形成された基板と、ドライバICとの接続配線数を低減させる。
【解決手段】信号線駆動回路は第1乃至第3のトランジスタを有し、第1乃至第3のトランジスタは第1乃至第3の信号線と電気的に接続している。第1乃至第3の信号線は画素部へ延びている。第1乃至第3のトランジスタは共通して、ドライバICの第1端子と電気的に接続している。このような構成により、接続配線数を1/3に低減することができる。 (もっと読む)


【課題】透明導電性が高く、透過光の色調がニュートラルであり、かつ耐屈曲性に優れたCNTを導電膜とする透明導電積層体を提供する。
【解決手段】透明導電積層体103は、厚み20〜188μmの透明基材101の少なくとも片面上にカーボンナノチューブ導電膜102と透明保護膜とが透明基材側からこの順に設けられた透明導電積層体であって、前記透明保護膜の厚みが10〜120nmの範囲にあり、前記透明保護膜側の反射率曲線の極小値が280〜700nmの波長範囲にあり、かつ波長380〜780nmにおける透明保護膜側の平均反射率が2.5%以下のものである。 (もっと読む)


【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体層205のエッチングと、画素電極210とドレイン電極206bを接続するためのコンタクトホール208の形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 (もっと読む)


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