【課題】共通電極や画素電極と金属の電極端子との間の接続抵抗の増加を抑制する。
【解決手段】製造方法は、パッシベーション層（２１０）、平坦化膜（２１１）及び反射膜（２１２）を形成する工程と、共通電極端子上に形成されたパッシベーション層を除去することで第１コンタクトホール（３１１）を形成する工程と、第１コンタクトホールに透過表示用共通電極（１１−１）を形成する工程と、絶縁層（２１３）を形成する工程と、反射表示用ソース電極端子及び透過表示用ソース電極端子の夫々の上に形成されたパッシベーション層及び絶縁層を除去することで、第２コンタクトホール（３１３）及び第３コンタクトホール（３１２）を形成する工程と、第２コンタクトホールに反射表示用画素電極（９ａ−２）を形成すると共に、第３コンタクトホールに透過表示用画素電極（９ａ−１）を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層との高い密着性、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ及びＷよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上５．０原子％以下含有する。
（２）Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、前記下地層は前記半導体層と接触しており、前記下地層の酸素含有量は０．１原子％以上３０原子％以下であり、前記上層の酸素含有量は０．１原子％未満（０原子％を含む）である。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも、低いコンタクト抵抗と電気抵抗を示し、好ましくは耐熱性や耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｎｉ及び／又はＣｏを０．１〜６原子％、Ｇｅを０．１〜２原子％含有すると共に、アルミマトリックス結晶粒界Ｇｅ濃度が、前記Ａｌ合金膜のＧｅ濃度の１．８倍超を満足するＡｌ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を提供するに際し、酸化物半導体層と電極層との接触抵抗を低減することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上方の第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と、ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、酸化物半導体層、および第１のソース電極層または第１のドレイン電極層上方の第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層の下面は、ゲート電極層と重畳する領域においてゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と接しており、酸化物半導体層の上面は、その一部の領域において第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と接しており、第１のソース電極層または第１のドレイン電極層は、第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】酸化珪素膜上の第１及び第２のシリサイド、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する結晶性珪素膜と、チャネル形成領域上のゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに接して設けられた第１の金属配線と、第２のシリサイドに接して設けられた第２の金属配線と、を有し、第１のシリサイドは、ソース領域の上面の一部及び側面に設けられ、第２のシリサイドは、ドレイン領域の上面の一部及び側面に設けられ、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１及び第２のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）

【課題】縦クロストークの発生を防止することができ、かつ、開口率を向上させることができる横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】共通電極２６と画素電極２７とを同層上に形成し、共通電極２６及び画素電極２７の双方を透明材料から形成する。共通電極２６はデータ線２４を完全に覆うように形成する。ブラックマトリクス層１７は共通電極２６よりも小さい幅を有するように形成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置用基板における意図しないエッチングに起因する影響を抑制し、電
気光学装置に好適な電気光学装置用基板を提供する。
【解決手段】電気光学装置用基板（２００）は、基板（２１０）と、基板上に形成された
透光性を有する絶縁層（２２０）と、絶縁層上に配設された導電性パターン（２３０）と
を備える。該導電性パターンは、絶縁層上に所定の厚さに積層された第１金属層（２３２
）と、第１金属層の上層側に積層され、モリブデンを含んでなる第２金属層（２３１）と
を有し、第１金属層は、フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスに
より第１金属層がエッチングされる度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガスによりエッチ
ングされる度合いが、塩素系ガスにより前記絶縁層がエッチングされる度合いに比べて大
きい金属を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンタクトプリント法を利用し、簡便に、安定して微細なパターンを有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】マスク７を介して、基板５にエネルギーを付与することにより、相対的に、臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａと臨界表面張力の小さな低表面自由エネルギー部５ｂとを形成する。マイクロコンタクトプリント法を用いて臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａにインク３を付着させる。高表面自由エネルギー部５ａでは、スタンプ１からインク３が転写されやすく、低表面自由エネルギー部５ｂでは、表面自由エネルギーが小さいためにスタンプ１からインク３が転写されにくくなるため、有機ＴＦＴ素子の製造において、電極パターンの微細化や、電極層の厚膜化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の滅点欠陥、輝点欠陥又は配線の断線等による表示欠陥を余分な工程を追加することなくリペアするとともに、リペアによって開口率の低下及び長期的信頼性が失われることのないようなリペア方法を提供する。
【解決手段】走査線又は信号線の上に、あらかじめこれらの配線と導通するリペア電極を形成しておき、欠陥を発見した場合には、これらのリペア電極から画素電極又は他のリペア電極に導電性の接続パターンを形成することにより、表示欠陥をリペアする。リペア電極はＴＦＴの製造工程のなかで形成でき、接続パターンとともにブラックマトリックスの下に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる膜の溶解を防止することを目的とする。
【解決手段】表示装置は、第１基板１０及び複数層の金属膜からなり、第１基板１０を最下層とする積層体１８を含む。最上層及び最下層を除く１層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１金属膜２２である。第１金属膜２２の上の１層は、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛及び酸化インジウムスズ亜鉛からなるグループのいずれか１つの材料又は材料を含む合金からなる第２金属膜２４である。第２金属膜２４は、第１金属膜２２の上面を全て覆う第１部分２６と、第１金属膜２２の下の層に載るとともに第１金属膜２２の端面を覆う第２部分２８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化を実現することができ、かつ配線と導電層との密着性を向上させることができる表示装置用基板およびそれを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０、絶縁性基板１０上に設けられた配線４、配線４における絶縁性基板１０の反対側に設けられた導電層１２、並びに、配線４および導電層１２を覆うように絶縁性基板１０上に設けられた層間絶縁膜１５を備えており、導電層１２が金属ナノ粒子を含有し、配線４における導電層１２との接触面にはスリット２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】色層を積層してブラックマトリクスの代わりとする構造において、アクティブマトリクス基板における共通電極電位の供給を低抵抗で行うことを容易にしながら、額縁部を確実に遮光する。
【解決手段】ノーマリブラックのアクティブマトリクス液晶表示装置において、３色以上の色層を備える第１の基板と、アクティブマトリクスアレイが形成された第２の基板と、を含み、前記第１の基板には、ブラックマトリクスが配置されておらず、表示部の周囲の額縁部に色層が積層された構造を有し、前記表示部の四つの辺のうち、走査線を引き出す辺およびデータ線を引き出す辺の前記額縁部には、３色以上の色層が積層された第１遮光層が形成され、その他の辺の少なくとも１つの辺の前記額縁部には、２色の色層が積層された第２遮光層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を十分かつ確実に示す表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜１．０原子％、Ｎｉ、Ａｇ、ＣｏおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種を０．０３〜２．０原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．５原子％含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜中に、長径２０ｎｍ以上のＧｅ含有析出物が１００μｍ²当たり５０個以上存在することを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】デマルチプレクサ方式を採用した電気光学装置において、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、Ｍ本毎にブロック化された複数のデータ線（６ａ）と、該複数のデータ線に夫々対応する複数のスイッチ（７１）を含み、ブロック毎に１本のデータ線を、選択信号に応じて選択して、画像信号をその選択したデータ線に出力する選択回路（７）とを備える。更に、複数のデータ線の配列方向に沿って延びる配線部分を夫々有しており、選択信号が夫々供給されるＭ本の選択信号供給線（ＳＬ１〜ＳＬ８）と、複数のデータ線の配列方向に交わる方向に沿って夫々延びると共に、スイッチの選択信号入力線（７１Ｇ）及び選択信号供給線の前記配線部分に夫々電気的に接続されており、互いに同じ膜構成、配線長及び配線幅を有する複数の引出配線（Ｈ１〜Ｈ８）とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体層が直接接する構造は、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。酸化物半導体層とソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素及び窒素を含むバッファ層を、酸化物半導体層とソース電極層及び、酸化物半導体層とドレイン電極層との間に設ける。 （もっと読む）

【課題】従来の透過型液晶パネル向け半導体装置を小型化し、マイクロディスプレイを実現しようとするとき、半導体装置と透明電極とを接続するビアホールの径が縮小するため、接触抵抗が高くなるという問題があった。また、接触抵抗低減のために、半導体装置と透明電極との間に中間金属層を設けると、画素の開口率が低下し、画面が暗くなるという課題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体装置と透明電極との間に設ける中間金属層に切欠部を有する。この切欠部により、中間金属層の側面の面積を拡大し、透明電極との接触面積を従来よりも大きくすることができる。また、中間金属層の側面部面積を利用するため、画素表面に対する投影面積を小さく設定でき、画素の開口率を大きくすることができる。このため、十分な明るさをもつ、超小型のマイクロディスプレイを提供できる。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に配線を備える配線基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記基板上に上記配線を形成し、上記基板から上記配線を凸状に突出させる工程と、導電粒子を含むインクを吐出し、上記配線の上面の幅全体に連続して広がるインク滴を上記配線上に配置する工程と、上記インク滴を焼成し、上記配線上に導電層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗および高い耐食性を両立したＡｌ合金膜を有する表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物導電膜とＡｌ合金膜とが直接接触しており、前記Ａｌ合金膜の接触表面に合金成分が析出して存在する表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏよりなる群から選ばれる元素（以下Ｘ１と称することがある）の少なくとも１種以上、且つ前記元素Ｘ１と金属間化合物を形成することのできる元素（以下Ｘ２と称することがある）の少なくとも１種以上を含み、最大径１５０ｎｍ以下のＸ１−Ｘ２又はＡｌ−Ｘ１−Ｘ２で示される金属間化合物が形成されており、前記Ａｌ合金膜の接触表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下ある。 （もっと読む）