【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を設け、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極及びドレイン電極と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ構造体を含む液晶表示装置に関する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び前記第二基板に設置された第二配向層と、を含む。前記第一基板又は／及び前記第二基板に加熱構造体が設置されている。該加熱構造体がカーボンナノチューブ構造体を含む。前記カーボンナノチューブ構造体は、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含む。 （もっと読む）

【課題】 確実に走査線の低抵抗化を図ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 アレイ基板２上に層間絶縁膜を介して３層以上の配線層が形成されている。アレイ基板２側から数えて２層目の配線層（第２走査線２５）が走査線として用いられ、３層目以上の配線層が信号線２９として用いらる。１層目の配線層（第１走査線２４）と２層目の配線層（第２走査線２５）は電気的に接続され、走査線として機能する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低減しながらも、その製造工程数を低減する。
【解決手段】複数の配線１３の少なくとも一部は、金属ナノ粒子からなる第１導電層３１と、少なくとも一部が第１導電層３１に直接に積層された第２導電層３２とにより構成され、第２導電層３２は、第１導電層３１に接触して設けられたバリア層３３と、該バリア層３３に直接に積層された金属層３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】スリット状開口を有する共通電極の抵抗値を小さくし、フリッカやクロストークを低減したＦＦＳモードの液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０Ａは、層間膜２４の表面に複数の走査線１９及び信号線２２で区画された画素領域毎に形成された透明導電性材料からなる画素電極２５と、前記表示領域の画素電極２５上及び層間膜２４上に形成された電極間絶縁膜２７と、前記電極間絶縁膜２７上の全面に形成され、前記画素領域毎に複数のスリット３１が形成されていると共に共通配線と電気的に接続された透明導電性材料からなる共通電極２８とを備え、前記共通電極２８の表面又は前記共通電極２８と前記電極間絶縁膜２７との間には、平面視で前記走査線１９及び信号線２２と重畳する位置に前記共通電極２８を構成する透明導電性材料よりも導電性が良好な導電性層２９ａが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を提供する酸化物半導体層と、ゲート絶縁層により酸化物半導体層から絶縁されたゲート電極と、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域上に形成されたオーム接触層と、オーム接触層を介してソース領域及びドレイン領域に接続されたソース電極及びドレイン電極とを含み、オーム接触層は、ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属で形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤浮きが低減され、透明帯状電極の表面抵抗が駆動可能な程度に十分に小さい透明な帯状電極の新しい構造の実現。
【解決手段】透明基板11,13と、透明基板上に平行に配置された複数の透明帯状電極14,15と、を備え、透明帯状電極14は、単一導電材料で形成され、部分的に厚みが異なる表示装置。透明帯状電極は、表示部の一部で薄く、それ以外の部分で厚いことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、アルミニウム合金薄膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、低電気抵抗率と耐熱性を両立し、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液やアルカリ性現像液に対する腐食性を改善できるアルミニウム合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】アルミニウム合金薄膜と透明電極との直接コンタクトを可能にするために、Ａｌマトリクス中に、所定の元素を添加するとともに、３００℃以下の低温プロセスにおいても透明電極との安定コンタクトを実現し、耐食性を改善するために、アルミニウム中でＮｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｏとの間に金属間化合物を形成・析出する元素を添加する。これらの金属間化合物のサイズが最大径１５０ｎｍ以下となっているアルミニウム合金薄膜を備えた表示デバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】 接続不良の発生や配線層へのダメージの付与を防止することができ、歩留まり良く信頼性の高い接続状態を実現することが可能な配線構造及び表示装置を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された配線の幅広部分（配線部２２）において、配線上に形成された絶縁膜２３に設けられたコンタクトホールを介して外部接続用の接続パッド（例えばＯＬＢパッド４）との電気的接続が図られてなる配線構造である。配線を覆う絶縁膜２３が塗布方式により形成された絶縁膜２３であり、幅広の配線部２２においては、周辺領域にのみコンタクトホール２６が形成されている。あるいは、幅広の配線部２２の周辺領域に形成されたコンタクトホール２６の開口寸法が、内部領域に形成されたコンタクトホール２８，２９の開口寸法よりも小となるように形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】 ヒロック等の発生による障害が発生することがなく、十分な信頼性を確保することが可能なアレイ基板及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】 第１配線層、第２配線層１７、第３配線層１９を有し、信号線が第２配線層１７及び第３配線層１９により構成されるとともに、最下層の第１配線層の一部が薄膜トランジスタのゲート電極１５を構成している。外部接続用のＯＬＢパッド４が最上層の第３配線層１９の一部により形成されており、ＯＬＢパッド４と接続される引き出し配線が第２配線層１７により形成されている。 （もっと読む）

【課題】
スパッタ法の量産性，大面積化対応性を維持しつつ、透明導電膜としての電気特性を向上させる。
【解決手段】
酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛薄膜形成用スパッタターゲットにおいて、元素種として亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）以外の少なくとも１種類以上の元素種を有する添加元素Ｘを含み、その添加元素Ｘが薄膜中で酸素を含まない化合物であり、ここでいう添加元素Ｘの化合物とは、常温常圧で固体であって、Ｘ＝Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの中から、１種類以上選ばれた化合物である。 （もっと読む）

【課題】透明電極がＺｎＯ膜で形成され、且つ、熱処理に対する特性の変化を低減することが可能な、表示用基板及びその製造方法並びに表示装置を提供する。
【解決手段】表示用基板１は、支持基板２と、支持基板２上に形成された有機樹脂層３と、有機樹脂層３上に形成された透明電極４と、を備え、透明電極４は有機樹脂層４に密着して形成された酸化亜鉛を含む第１層５と、第１層５上に形成された、第１層５よりも厚い層厚を有する酸化亜鉛を含む第２層６と、からなる。第１層５は、直流スパッタ又は直流マグネトロンスパッタにより形成されており、第２層６は、高周波スパッタ、高周波マグネトロンスパッタ、高周波重畳直流スパッタ、高周波重畳直流マグネトロンスパッタの何れかにより形成される。表示用基板１は、例えば、液晶表示装置の対向電極用の透明電極付基板として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 優れたコンタクト特性及び優れた素子特性を持った薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて不純物を含むソース領域ドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続する、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔内にそれぞれ埋め込まれた不純物を含む多結晶半導体層、及び前記多結晶半導体層に接続する高融点金属層を含む配線層を具備し、前記多結晶半導体層と配線層の高融点金属層との間には、高融点金属と半導体との化合物からなる薄層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する素子として、単結晶半導体膜を用いる場合であっても、表示部の大型化及び高精細化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】ベース基板の表面に複数の単結晶半導体基板をそれぞれ貼り合わせ、複数の単結晶半導体基板の一部をそれぞれ剥離することにより、ベース基板上に、単結晶半導体膜から構成される単結晶半導体膜設置領域を複数形成し、単結晶半導体膜設置領域に単結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いるトランジスタを形成し、単結晶半導体膜設置領域と、単結晶半導体膜非設置領域にそれぞれ画素電極を設ける工程を含み、単結晶半導体膜非設置領域に設けられた画素電極に電気的に接続するトランジスタを単結晶半導体膜設置領域に形成された単結晶半導体膜を用いて設ける。 （もっと読む）

【課題】基材上に配置して乾燥後、２５０℃以下の比較的低温で焼成しても導電性に優れ、不純物の少ない導電部材を得ることが可能な分散性の高い銅微粒子分散水溶液を提供する。金属微粒子分散液を基板上に塗布して、加熱焼成方法により導電性の高い導電回路を形成する方法を提供する。
【解決手段】一次粒子の平均粒径が１〜５００ｎｍである銅微粒子が２〜７０質量％の濃度となるように溶媒（Ｓ）に分散させた銅微粒子分散溶液（Ｌ）を基材（Ｓ）に塗布し、次に該銅微粒子分散溶液（Ｌ）が塗布された基材を１６０〜５００℃に加熱された炉内に挿入して不活性ガス雰囲気中で急速加熱することにより銅微粒子を焼結して、空隙率が４０〜７０％である焼結膜を基材上に形成することを特徴とする、多孔質銅焼結膜の製造方法。多孔質銅焼結膜の１例である多孔質銅焼結膜を示す。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、カバレッジ性の優れた所望のパターンを簡便に得ることのできる透明導電膜、表示装置、及びこれらの製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる透明導電膜（画素電極１８、ゲート端子パッド１９、及びソース端子パッド２０）は、２層以上の積層膜からなる透明導電膜であって、非晶質構造を有する第１透明導電膜（画素電極１８ａ、ゲート端子パッド１９ａ、及びソース端子パッド２０ａ）と、前記第１透明導電膜上に形成され、結晶質構造を有する第２透明導電膜（画素電極１８ｂ、ゲート端子パッド１９ｂ、及びソース端子パッド２０ｂ）と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が向上するＴＦＴ基板及びそれを用いた液晶表示装置並びにそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴアレイ基板１は、外部から接続可能なゲート配線端子２８及びゲート配線端子２８から延在するゲート配線６を構成する透明導電膜３ａを有する。さらに、ＴＦＴアレイ基板１は、ゲート配線端子２８上では除去され、透明導電膜３ａ上において透明導電膜３ａのパターンの内側に形成された金属膜３ｂを有する。また、金属膜３ｂは、ゲート絶縁膜１５によって覆われる。 （もっと読む）