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Fターム[2H092PA13]の内容

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Fターム[2H092PA13]に分類される特許

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【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第1方向に並んだ各画素にそれぞれ配置された画素電極を備えたアレイ基板と、複数の画素電極に向かい合う対向電極を備えた対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に保持され画素電極と対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、第1方向に隣接する2つの画素の間に配置され第1方向に直交する第2方向に延出するとともに2画素置きに配置された配向制御手段と、配向制御手段を挟む2つの画素の各々の画素電極に対して対向電極電位を基準として同極性の電圧を印加する電圧印加手段と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】コレステリック液晶層に対する一方の極性の単位パルス波形と他方の極性の単位パルス波形が非対称な交流電圧の印加に起因する画質低下を抑制する、光書込装置、光書き込み型表示装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】面積割合が1よりも大きく、かつ面積割合が1のときの光反射率差に対応する面積割合未満の予め定められた範囲内の交流電圧が電極15及び電極22間に印加されるように電圧印加部26を制御する。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルおよびフロントウインドウが取り付けられた液晶表示装置製造コストを低減する。
【解決手段】フロントウインドウ200の下には図示しないタッチパネルおよび液晶表示パネルが配置されている。タッチパネルにはタッチパネル用フレキシブル配線基板が接続50し、液晶表示パネルにはメインフレキシブル配線基板40が接続している。タッチパネルを制御するタッチパネル用制御IC52およびタッチパネル用電子部品群51はメインフレキシブル配線基板40に搭載し、タッチパネル用フレキシブル配線基板50は配線のみとする。これによって電子部品を搭載するフレキシブル配線基板はメインフレキシブル配線基板40のみとなり、液晶表示装置全体の製造コストを低減することが出来る。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置を薄型化すると共にその開口率を大幅に向上させる。
【解決手段】第1基板11は、光源14の光が入射する透明基板30と、透明基板30における液晶層13と反対側の表面に形成された第1低屈折率層31と、透明基板30における液晶層13側の表面に形成された第2低屈折率層32とを有している。複数の画素電極25は、第2低屈折率層32の液晶層13側に配置され、アレイ層28は、第1低屈折率層31の液晶層13と反対側に配置されている。そして、導通部26は、第1低屈折率層31、透明基板30、及び第2低屈折率層32を貫通して形成されている。 (もっと読む)


【課題】より簡便な構成で、全体を均一な温度に制御することが可能な液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、TFTアレイ基板40と、対向基板10と、TFTアレイ基板40又は対向基板10上に形成され、表示領域51内において一定の間隔で平行に設けられた複数の並列部15aと、表示領域51の周辺で複数の並列部15aの一方の端部と他方の端部とをそれぞれ収束するように形成された収束部15bとを有するヒーター電極15と、表示領域51の互いに対角となる角部近傍に設けられ、TFTアレイ基板40の入力端子よりヒーター電極15に電力を供給するために接続される入力点及び出力点と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】照明用光源の光を有効に利用して輝度やコントラストの向上を図ることができると共に、画素内のドメインによる光学特性のばらつきのない液晶表示パネル及び液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置され、TFT23、画素電極21及び第1の配向膜22を備えるアレイ基板2と、共通電極31、第2の配向膜32を備えるカラーフィルター基板3とが対向配置され、対向する基板の間に液晶4が挟持され、画素表示部分が複数に分割されたドメインの集合体からなり、前記各ドメインの液晶分子の配向方向が互いに異なる配向分割構造を有しており、カラーフィルター基板3の各ドメインに、光を調光するためのマイクロレンズ35をそれぞれ設けて、液晶表示パネル1を構成した。 (もっと読む)


【課題】低温環境下においても表示特性の優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置100は、液晶分子を駆動する電極対13,14を備える第1の基板1と、第1の基板1と所定の間隙を持って対向配置される第2の基板2を備える。第2の基板2は、第1の基板1と対向する側の表示領域51、及び額縁領域52に配設されたヒーター用電極21と、ヒーター用電極21より上層に、当該ヒーター用電極21を被覆するように配設され、少なくとも平坦化機能を有するオーバーコート層24を有する絶縁層25とを具備する。また、ヒーター用電極21に対して、外部から電位の供給可能な電位供給手段を有する。 (もっと読む)


【課題】外光の照度を正確に検出できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、表示パネルと、電源部と、第1センサS1と、第2センサS2と、制御機構と、を備えている。制御機構は、第1センサS1の第1保持部に保持されたプリチャージ電圧が降下し始める時点と電圧降下により第1基準電圧に達した時点との間の第1時間の情報を取出し、第2センサS2の第2保持部に保持されたプリチャージ電圧が降下し始める時点と電圧降下により第2基準電圧に達した時点との間の第2時間の情報を取出し、第1時間及び第2時間の差の合成情報に基づいて外光の照度の情報を導出する。 (もっと読む)


【課題】擬似インパルス駆動を行う液晶表示装置の高輝度化を実現し、低コストで動画特性を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、各画素20を構成する第1のスイッチング手段31aは、制御端子Aがゲート線G2に接続され、制御端子Bがゲート線G1に接続され、制御端子Aがローレベル、制御端子Bがハイレベルの際に導通する。第2のスイッチング手段32aは、制御端子Cがゲート線G2に接続され、制御端子Dがゲート線G1に接続されている。画素容量Clc及び蓄積容量Cstは、第1のスイッチング手段31aを介してデータ線(D1〜D4)に接続され、第2のスイッチング手段32aを介して黒信号供給配線VBK1に接続されている。この黒信号供給配線VBK1は全ての画素に共通である。 (もっと読む)


【課題】ハイブリットパネル構造の表示装置において振動衝撃に対する耐力を向上させる。
【解決手段】モールドを収納する内フレームと、内フレームを収納する下フレームとを有し、前記内フレームは、平坦部と、前記平坦部の周囲に設けられる側壁とを有し、第1基板は、第2基板と重畳しない非重畳領域を有し、前記内フレームの前記第1基板の前記非重畳領域の一辺と交差する2辺に平行な第1および第2の側壁には、少なくとも1個の突出部が設けられ、内フレームの少なくとも1個の突出部は、開口部を有し、下フレームには、前記内フレームの突出部が貫通する開口部を有し、内フレームの少なくとも1個の突出部は、下フレームの開口部を貫通して下フレームの前記表示パネルの反対側に突出しており、筐体には、前記内フレームの少なくとも1個の突出部に対応して突起部が設けられ、内フレームは、内フレームの前記少なくとも1個の突出部に設けた開口部を、筐体の突起部に系止することにより筐体に固定される。 (もっと読む)


【課題】外部光あるいはバックライト光の明るさの程度に拘わらず、遮光体の検知を確実に行うことのできる液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶表示パネルは、表示領域にマトリックス状に配置された複数の画素と表示領域に配置された複数の光センサ回路とを備え、複数の光センサ回路の各々は光センサ素子を有し、バックライトの光強度は、第1の強度と前記第1の強度と異なる第2の強度とを有し、第1の強度と第2の強度とは所定の期間毎に周期的に切り替わり、光センサ回路は、光量を検知する受光期間と受光期間に検知した光量を読み出す読み出し期間とを有し、受光期間は所定の期間の整数倍であり、光センサ素子は受光期間に光に対する感度を持つ光センサ動作状態と光に対する感度を持たない光センサ非動作状態とを有し、光センサ動作状態と前記光センサ非動作状態とはバックライトの光強度の切り替わりに同期して、所定の期間毎に周期的に切り替わる。 (もっと読む)


【課題】プリント回路基板のグランドパターンと金属製ベゼルとの間に挟み込まれて両者を導通接続する導電体の位置ずれを簡便に確認することができる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示パネルと、該表示パネルの周縁部の上面および側面を覆うように被着される断面逆L字状の上壁と側壁を有した枠状の金属製ベゼルと、表示パネルの周縁部と金属製ベゼルの側壁との間で該側壁に対して略平行に離間して配置されるパネル駆動用のプリント回路基板と、金属製ベゼルの側壁とプリント回路基板に形成されたグランドパターンのランド部とを導通接続する帯状の導電体とを備え、金属製ベゼルの側壁には、外部から導電体を視認可能にする開口窓が設けられている。 (もっと読む)


【課題】コネクタをなくして部品点数削減、部品代節約、組立作業効率向上を図ると共に、検査装置の治具劣化の問題も解決し得る液晶モジュールを提供する。
【解決手段】液晶パネル8にCOF11を介して接続されるX−PCB10に電源ライン用圧着ランド部と信号ライン用圧着ランド部を形成し、電源ライン用圧着ランド部に電源入力用FPC18の端子部18aを熱圧着すると共に、信号ライン用圧着ランド部に信号入力用FPC19の端子部19aを熱圧着した液晶モジュールとすることで、FPC18,19を接続するコネクタを省略する。COF用、電源ライン用、信号ライン用の圧着ランド部を横一列の位置関係として、COFとFPC18,19の熱圧着を同一工程で同時に行えるようにし、組立作業効率を向上させる。 (もっと読む)


【課題】生産性が向上し、かつ特性が良好な半透過性膜、表示デバイス、及びパターン基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半透過性膜は、光学特性として光の透過特性と反射特性とを有する半透過性膜である。半透過性膜は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金のいずれかに少なくとも40mol%以上50mol%未満の窒素を含む窒素含有膜である。また、半透過性膜は、上記の窒素含有膜と金属膜との積層膜とすることも可能である。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜に剥がれやクラックが発生することがなく、配向膜を安定的に維持できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透過領域および反射領域を有する液晶表示装置であって、一対の透明基板1、2と、一対の透明基板1、2の間に介在される液晶層10と、一対の透明基板1、2のうち一方の透明基板1上に設けられており、かつ反射領域に位置する反射膜3と、反射膜3を覆うように一方の透明基板1上に設けられている透明電極4、5と、透明電極4、5を覆うように一方の透明基板1上に設けられている絶縁膜6とを備え、透明電極4、5は、反射膜3の端部よりも外方に延在する部位が、透過領域に位置し、延在する部位が、反射膜3の厚みより小さく設定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】In、Ga及びZnを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】In、Ga及びZnを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の向こう側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるトップゲート型薄膜トランジスタを構成する。このような構造を持つ薄膜トランジスタではドレイン電極等の金属層のエッチングによって半導体層がダメージを受けることはない。また、紫外線の表面照射によって照射された半導体層部分を高導電率化するため、半導体層へのダメージが生じない。従って、高導電率化工程及びエッチング工程のいずれにおいても半導体層はダメージを受けることがないため信頼性が向上する。 (もっと読む)


【課題】開口率を低下させることなく、連続する画像同士の干渉を抑制することが可能な液晶表示装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】画素20は、液晶素子LC、TFT素子21A,21B、補助容量素子22Aおよび一時容量素子22Bを有し、補助容量素子22Aの他端には補助容量線Cs1、一時容量素子22Bの他端には一時容量線Cs2がそれぞれ接続される。画像表示期間T1において、一時容量素子22Bに映像電圧V2aを供給して一時的に保持させた後、ブランキング期間Tbにおいて、上記映像電圧V2aを補助容量素子22Aおよび液晶素子LCへ一括転送する。この際、補助容量線Cs1および一時容量線Cs2を通じて、例えば補助容量素子Cs1の他端に電位Vcom、一時容量素子22Bの他端に所定の電位Vcs(≠Vcom)をそれぞれ供給することができ、これにより一時容量素子22Bにおける電荷量が増大する。 (もっと読む)


【課題】開口率を向上することが可能な半透過型液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半透過型液晶表示装置は、第1画素5aと、第1画素5aの一端側に配置された第1透過部51aと、第1画素5aの他端側に配置された第1反射部52aと、第1画素5aの第1透過部51a側に隣接する第2画素5bと、第2画素5bの第1画素5a側に配置された第2透過部51bと、第1画素5aの第1反射部52a側に隣接する第3画素5cと、第3画素5cの第1画素5a側に配置された第2反射部52cと、第1透過部51aと第2透過部51bとの間に設けられ、第1画素5aと第2画素5bとに共通電位を供給する共通配線13aと、を備え、第1画素5aと第2画素5bの間が、共通配線13aによって遮光されているものである。 (もっと読む)


【課題】外部回路との接続が容易かつ確実にできる信頼性の高い液晶光学素子を提供すること。
【解決手段】FPC接続305と第2基板302とが接続する領域とは別の領域で、導電ペースト306により第3基板303の延出部に形成した第2電極309を第2基板302の延出部に形成した第1電極307に接続させる。この結果、FPC305と第2基板302との接続が第2基板302との一方の面だけで済むようになる。 (もっと読む)


【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第1の導電膜102と、絶縁膜104と、半導体膜106と、不純物半導体膜108と、第2の導電膜110とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク112を形成し、第1のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第1の導電膜102がエッチングされた膜113に対してサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層116Aを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜106を用いる。 (もっと読む)


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