【課題】高開口率及び高透過率を実現した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示板は、基板と、基板上に形成され、互いに対向する一対の第１主辺と第１主辺に接続し、互いに対向する一対の第２主辺を有する画素電極を備え、画素電極の第２主辺はのこぎり状の突出部を含む。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】光漏れを防止することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置されるゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁され交差して前記基板上に配置される第１データ配線、第２データ配線、及び第１電源配線と、前記ゲート配線と前記第１データ配線に接続される第１スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第１電源配線に接続される第２スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第２データ配線に接続されている第３スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第１電源配線に接続されている第４スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子、及び第４スイッチング素子とそれぞれ接続される第１画素電極、第２画素電極、第３画素電極、及び第４画素電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】良好な表示品位を有する液晶表示装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、対向配置されたアレイ基板１１０と対向基板２０１との間に挟持された液晶層２０３とを備え、１画素内に反射部と、透過部とが設けられている液晶表示装置であって、アレイ基板１１０が、反射部Ｓに設けられた反射画素電極６５と、反射部Ｓに設けられ、反射画素電極６５との間で斜め方向電界を生じさせる反射画素電極６５の上層に設けられた反射共通電極６６と、透過部Ｔに設けられた透過共通電極９２と、透過部Ｔに設けられ、透過共通電極９２との間で横方向電界を生じさせる透過画素電極９１と、を備えているものである。反射画素電極６５の表面は金属膜によって形成されており、透過画素電極９１、透過共通電極９２、及び反射共通電極６６は同じ透明導電膜によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】光の検出精度を向上させる。
【解決手段】ライトユニットと、表示回路と、Ｙ個（Ｙは２以上の自然数）の光検出回路と、を具備する入出力装置の駆動方法であって、Ｙ個の光検出回路のそれぞれに同じ光検出制御信号を入力し、表示選択信号により設定されるフレーム期間において、Ｚ個の発光ダイオードを順次切り替えて発光させることでライトユニットを点灯させることを含み、ライトユニットの点灯状態を切り替える周期より長い周期で、ライトユニットが点灯状態である期間に、Ｙ個の光検出回路に入射する光の照度に応じたＹ個のデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】画素部の薄膜トランジスタにおけるゲート・ソース間容量のばらつきを抑制することが可能な技術を提供する。
【解決手段】画素の領域毎に形成される画素電極ＰＸと、画素電極を駆動する薄膜トランジスタとを備える表示装置において、薄膜トランジスタは、対角位置に形成される第１の角部Ｂ及び第２の角部Ｃと、前記第１の角部Ｂが形成される第１の辺と前記第２の角部Ｃが形成される第２の辺とを共有する第３の角部とを有し、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート線ＧＬに接続されるゲート電極と重畳して形成される半導体層ＡＳと、前記ドレイン線ＤＬからその一部が延在して形成され、前記第３の角部と重畳されるドレイン電極ＤＴと、一端が前記第１の角部Ｂに重畳して形成され、他端が前記画素電極と接続される第１のソース電極ＳＴ１と、一端が前記第２の角部Ｃと重畳して形成され、他端が前記画素電極ＰＸと接続される第２のソース電極ＳＴ２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の視点に画像を表示可能な画像表示装置において、画素開口部に配置された構造物に起因する問題を抑制し、高開口率を実現する。
【解決手段】第１と第２の視点用の画像を表示するサブ画素を含む表示単位が配列された表示素子と、サブ画素Ｐからの光を異なる方向に振り分ける光学手段とを有し、隣接画素対は、データ線Ｄとゲート線Ｇと蓄積容量電極で囲まれた領域を開口部と定義した場合に、１本のデータ線を挟んで配置された２つのサブ画素からなる隣接画素対を基本単位として構成される。隣接画素対４ＰＡＩＲは隣接して配置される。２つのサブ画素がそれぞれ有するスイッチング手段は、２つのサブ画素に挟まれたデータ線Ｄに接続され、異なるゲート線Ｇによって制御される。Ｋ本の蓄積容量線ＣＳは、サブ画素の第１の方向へ幅をＫ＋１等分に分割する仮想線を仮定した場合に、開口部において仮想線のうち少なくとも1本を跨って配置される。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１絶縁基板の上方に配置された共通電極と、共通電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜の上に配置され共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された複数の画素電極と、画素電極の各々を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板の第１基板と対向する内面において画素電極の間の直上に配置されたブラックマトリクスと、画素電極の各々の直上に配置されたカラーフィルタと、カラーフィルタの第１基板側に配置された第２配向膜と、を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持されるとともに画素電極の間の直上に位置する第１領域と画素電極の直上に位置する第２領域とを含む液晶層と、を備え、液晶層の屈折率異方性をΔｎとし液晶層の厚みをｄとし液晶層の位相差値をΔｎ・ｄで定義したとき、第１領域の位相差値は第２領域の位相差値よりも小さい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配列している表示装置において、走査線と映像信号線とが平行配列することによって配線間容量が増加することによる表示むらを解消する。
【解決手段】画素のＡ行とＢ行が交互に縦方向に配列している。走査線はＡ行の画素とＢ行の画素の間を横方向に延在している。Ａ行においては、映像信号線５は画素と画素の間に縦方向に延在している。Ｂ行においては、映像信号線５は画素内を縦方向に縦断している。この配置では、走査線と映像信号線５が平行して延在する部分が存在しないので、走査線と映像信号線５との配線間容量の増大を防止することが出来る。これによって配線間容量に起因する表示むらを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】広視野角で高透過率の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置の構造は、少なくとも１つの配向装置及び液晶層〜なり、配向装置は、表示領域内において液晶分子を連続配向又は分割配向させ、これにより、広視野角を実現する。液晶層は、カイラル剤が添加されたネマティック液晶材料であり、液晶のΔｎｄ及びｄ／ｐの最適条件を探し出すことにより、各方向に配列する液晶分子構造は、高透過率を実現する。これにより、広視野角で高透過率の液晶表示装置を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】外光の影響を抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、前記光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、前記ライトユニットの状態を点灯状態にして前記光検出回路により第１のデータ信号を生成し、前記ライトユニットの状態を消灯状態にして前記光検出回路により第２のデータ信号を生成し、前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号を比較することにより、比較した２つのデータ信号の差分データである差分データ信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の低い半導体装置などを提供することを課題とする。または、正確な表示を行う半導体装置などを提供することを課題とする。または、視野角の広い表示装置などを提供することを課題とする。または、画面の焼き付きを低減した表示装置などを提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、酸化物半導体（ＯＳ：オキサイドセミコンダクター）を有するトランジスタ、特に、酸化物半導体を有する薄膜ＭＯＳトランジスタを用いて、回路を構成する。その酸化物半導体は、実質的に真性な半導体となっている。そのため、非常にオフ電流が低い。 （もっと読む）

【課題】フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置などにおいて、設計の観点から画像信号の入力頻度の増加を図ること。
【解決手段】液晶表示装置の画素部において、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給する。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させた液晶表示装置及びその駆動方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、ゲート線と、前記ゲート線と絶縁されて交差し、データ電圧を供給するデータ線、前記ゲート線及び前記データ線から分離され、一定の電圧を伝達する共通電圧線と、前記ゲート線及び前記データ線と接続される第１スイッチング素子と、前記ゲート線及び前記データ線と接続される第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子と接続される第１液晶キャパシタと、前記第２スイッチング素子と接続される第２液晶キャパシタと、前記第２スイッチング素子と接続される入力端子、フローティングされた制御端子、及び出力端子を含む第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子及び前記共通電圧線と接続される第３キャパシタとを含む。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置において、画素の開口率を向上させたアレイ基板および液晶表示装置を提供する。
【解決手段】共通電極、画素電極、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタを覆って設けられた複数色の着色画素、および保護層より構成される横電界方式の液晶表示装置に用いられるアレイ基板において、前記着色画素上に共通電極が配置され、さらに前記共通電極上に絶縁層を介して画素電極を備えたことを特徴とするアレイ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】電極に複数の開口部を設ける液晶表示装置の表示品位を向上させる。
【解決手段】液晶表示装置は、一面上に第１電極を有する第１基板と、一面上に第２電極を有する第２基板と、第１基板と第２基板の間に設けられ、９０°より小さいプレティルト角を有する略垂直配向に制御された液晶層を備える。第１電極は、規則的に配置された矩形状の複数の開口部を有する。複数の開口部は、各々の短手方向と、液晶層の層厚方向の略中央における液晶分子の配向方向とのなす相対的角度が５°〜１５°の範囲となるように配置される。 （もっと読む）

【課題】垂直配向液晶に付随するディスクリネーションを軽減し、明るく応答性の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板上に、ブラックマトリクス、透明導電膜、及び樹脂層を形成してなる液晶表示装置用電極基板において、前記ブラックマトリクスは、遮光性顔料を樹脂に分散した遮光層からなり、かつ複数の開口部を有し、前記樹脂層は、前記ブラックマトリクス及び透明導電膜を備える透明基板上に形成され、前記ブラックマトリクスの上方において凸部を形成し、前記ブラックマトリクスの開口部中心を通る領域に凹部を形成することを特徴とする液晶表示装置用基板。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板に転写方式で薄膜トランジスタを備える画像表示装置を製造することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
支持基板の主面側に有機材料からなる樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の上層に半導体回路または表示回路を形成する工程と、前記樹脂膜に吸収される波長の光を前記支持基板側から照射して、前記支持基板から前記樹脂層を剥離する工程と、前記樹脂層を薄膜化又は除去する工程と、前記樹脂層の側から第１基板を貼る工程とを有する画像表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】消費電力の低減を実現することができる、タッチパネルを有する半導体表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部、及び、画素部への画像信号の入力を制御する駆動回路が設けられたパネルと、画素部においてパネルと重なる位置に設けられたタッチパネルとを有する。画素部は、入力される画像信号の電圧に従って表示を行う表示素子と、電圧の保持を制御するトランジスタとを有する。トランジスタは、そのチャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる。そして、駆動回路の駆動周波数、すなわち一定期間内における画像信号の書き込み回数を、タッチパネルから入力される操作信号に従って変更する。 （もっと読む）