【課題】光配向を用いたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、配向膜が柱状スペーサによって削れることを防止する。
【解決手段】対向基板２００に形成された柱状スペーサ２０４がＴＦＴ基板１００に接触する部分に、画素電極１０８よりも高い、台座１１４を形成する。画素電極１０８および台座１１４の上に２層構造の配向膜１１３を塗布すると、レベリング効果によって、台座１１４上の配向膜１１３は薄くなる。この状態で光配向すると、台座上の光分解した上配向膜１１２は消失し、機械的な強度の大きい下配向膜１１１が残る。したがって、配向膜削れを防止できる。一方、画素電極１０８上では、上配向膜１１２は元々厚いので、液晶を配向させるための所定の膜厚を確保できる。 （もっと読む）

【課題】オン電流を確保しつつ、オフ電流を低減した薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に形成される結晶化された第１の半導体層ＭＳと、第１の半導体層ＭＳの上側に形成される、ソース電極ＳＴおよびドレイン電極ＤＴと、第１の半導体層ＭＳの側方から延伸して、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴのうちの一方と第１の半導体層ＭＳとの間に介在する第２の半導体層ＳＬと、を有する表示装置であって、第２の半導体層ＳＬは、第１の半導体層ＭＳと接触して結晶化されて形成される第１部分ＳＬａと、第１部分ＳＬａよりも結晶性が低い第２部分ＳＬｂを有する、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】引出配線が複数の層のそれぞれに形成された場合において、同じ層に形成された隣接する引出配線間の短絡を簡易な構成で確実に検出することができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板２は、引出配線６１₁，６１₃，６１₅，６１₇が接続されたゲート端子５１に接続される第１接続配線６４₁，６４₃，６４₅，６４₇と、引出配線６１₂，６１₄，６１₆が接続されたゲート端子５１に接続される第２接続配線６４₂，６４₄，６４₆と、互いに隣接する２本の第１接続配線および第２接続配線を１本に束ねる束配線６５₁〜６５₄と、束配線のうちで互いに隣接しない束配線６５₂，６５₄へ検査信号を入力可能な第１検査配線６６と、束配線のうち第１検査配線６６が接続されておらずかつ互いに隣接しない束配線６５₁，６５₃へ検査信号を入力可能な第２検査配線６７とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置に含まれるＴＦＴのゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極との間の絶縁耐圧が低くなる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース配線と、前記半導体層上に形成されたドレイン配線と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両側に、それぞれ前記ソース配線またはドレイン配線を介して分離して形成されたエッチング防止層と、を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第１の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成した後、第２の酸化絶縁膜を形成して、当該第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】コントラスト比と広視野角を同時に確保することができ、液晶分子の応答速度を速くすることができるだけでなく、優れた表示特性を示す液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる液晶表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１および第２基板の間に介在しており、液晶分子を含む液晶層と、第１基板の上に配置されており、互いに分離されている第１画素電極および第２画素電極とを含み、第１画素電極および第２画素電極の１つは、データ線を介して第１電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極の残りの１つは、電圧伝達線を介して第２電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極は、幹部と、幹部から延びた複数の枝電極とを含み、第１画素電極の枝電極と第２画素電極の枝電極は交互に配置されており、第１画素電極および第２画素電極の幹部は、電圧伝達線と少なくとも一部重畳する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示において、視覚制御素子及び視覚制御用画素を用いることなく、効果的な視覚制御を実現する。
【解決手段】実施形態に係る液晶表示用基板は、多角形画素又は多角形サブピクセルと、線状パターン７とを具備する。多角形画素又は多角形サブピクセルは、平面形状において向かい合う平行な辺を持つ。線状パターン７は、多角形画素又は多角形サブピクセルの向かい合う平行な辺に備えられており、斜め光８を透過する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置は、相対向する第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板の上に配設される一対の電界生成電極と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持され、正の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層と、前記一対の電界生成電極の上に配設される配向膜と、を備え、前記配向膜は、主鎖と、前記主鎖に連結されている１以上の側鎖と、を有し、前記側鎖は垂直官能基又は極性基を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、透明性に優れ、更にコントラスト比が高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第１の透明基板及び第２の透明基板と、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜は、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、前記導電性無機粒子の平均粒子径が、３０〜１８０ｎｍであり、前記導電性無機粒子の前記透明導電膜の全体に対する重量含有率が、７１％以上８５％未満であり、前記透明導電膜を配置した前記第１の透明基板のヘイズ値が、１．４％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して対向した構造を有し、画素の一部に電気的欠陥が生じた場合にも良品化することが可能なＴＦＴアレイ基板を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０１は、薄膜トランジスタ１０と、ドレイン電極１６に導電接続された画素電極２０と、画素電極４０と絶縁膜３０を介して対向形成された共通電極４０とを含む画素が複数マトリクス状に形成されたものである。ＴＦＴアレイ基板１０１は、１個の画素に着目したとき、画素電極２０が複数の分割画素電極２０Ｄに分割されており、かつ、ドレイン電極１６と複数の分割画素電極２０Ｄとをそれぞれ導電接続する複数の分岐導電部１６Ｂを有し、平面視上、複数の分岐導電部１６Ｂの少なくとも一部の形成領域に、共通電極４０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】高透過率及び広視野角を保持すると同時に、傾斜視角の透過率反転問題を解決する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】
液晶表示装置であって、構造上、共通電極を有する第１基板と、少なくとも１つの画素電極を有する第２基板と、第１、第２基板の間に配置される液晶層と、第１偏光シートと、第２偏光シートとを含み、そのうち、前記画素ユニットは、画素電極を有し、該画素電極は、少なくとも１つの密電極領域及び少なくとも１つの疎電極領域から構成され、前記液晶層の液晶分子は、電圧駆動後、連続領域配列を形成する。 （もっと読む）

【課題】 特にＴＢＡ方式の液晶セルの反りを抑制し、それによるコントラストのムラが抑制された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】
液晶セルと、それを挟持する第一および第二の偏光板とを有する液晶表示装置であって、液晶セルは、対向する第一および第二の基板と、それらの間に挟持され、電圧無印加時に第一および第二の基板の表面に対して垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、を有し、第二の基板のみに、前記液晶分子に電圧を印加するための画素電極および対向電極が配置され、第一の偏光板は、液晶セルの前記第一の基板側に、偏光板保護フィルムＦ２を介して配置された第一の偏光子を有し、前記第二の偏光板は、液晶セルの第二の基板側に、偏光板保護フィルムＦ３を介して配置された第二の偏光子を有し、偏光板保護フィルムＦ３のＪＩＳ Ｚ ０２０８に準拠した４０℃、９０％ＲＨにおける透湿度が、偏光板保護フィルムＦ２の前記透湿度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】液晶中のイオン性不純物の偏在が抑制され、優れた表示品質が得られる液晶装置、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一対の基板と、一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶層と、マトリックス状に配置された複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅ１と、一対の基板の液晶層に面する側にそれぞれ設けられ、液晶分子を傾斜させる傾斜方向θａが平面的に見て複数の画素Ｐの配列方向に対して交差する方向にプレチルトを与えて液晶分子を垂直配向させる配向膜と、表示領域Ｅ１を囲むように配置された複数のダミー画素ＤＰと、を備え、表示領域Ｅ１の傾斜方向θａの角部に配置される画素Ｐに対して、傾斜方向θａにおける対角方向に配置されるダミー画素ＤＰは、他のダミー画素ＤＰよりも高い電位が供給される。 （もっと読む）

【課題】 遮光だけでは抑制できない、入射してしまう光により生じる電子（ホール）による影響を抑制する。
【解決手段】 トランジスタのドレイン領域３４よりも、多数キャリアに対して、ドレイン領域における電圧とＱ（単位電荷量）との積の基準値よりも低いポテンシャルとされる領域３６を設けるか、もしくはドレイン領域の周りにポテンシャル障壁を設ける。かかる構成により、フローティングとなる反射電極３０と接続されたドレイン領域３４の回りのポテンシャル制御を行い、半導体基板内に発生した光キャリアがドレイン領域３４に導かれにくくする。 （もっと読む）

【課題】２つの副画素電極を電気的に接続するに当り、高精細化の妨げとならない画素構造、当該画素構造を用いた表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】回路部が形成された基板上に設けられる平坦化膜を、第１，第２の平坦化膜５１，５２からなる２層構造とし、この２層構造の２つの平坦化膜５１，５２間に金属配線５３を形成する。そして、この金属配線５３により、第２の平坦化膜５２に形成されたコンタクト部５６，５７を介して、第２の平坦化膜５２上に配された２つの副画素電極４６_A，４６_Bを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 １つの画素が２つのスイッチング素子および２つの画素電極を有する液晶表示装置において、駆動回路の発熱量を低く抑え、かつ、画質の劣化を防ぐ。
【解決手段】 第１のスイッチング素子および前記第１のスイッチング素子に接続された第１の画素電極と、第２のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子に接続された第２の画素電極とを有する画素の集合により表示領域が設定されている液晶表示装置であって、１つの画素における前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とは、それぞれ、異なる映像信号線に接続されており、１フレーム期間中の、１つの画素の前記第１の画素電極に加わる信号の電位と対向電極に加わる信号の電位との関係と、当該１つの画素の前記第２の画素電極に加わる信号の電位と対向電極に加わる信号の電位との関係とは、一方が正極性の関係であり、他方が負極性の関係である液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート配線と、ソース配線と、液晶分子の初期配向方向に対して左回りに鋭角に交差する第１交差線方向に沿って延出した帯状の第１主電極及び前記初期配向方向に対して右回りに鋭角に交差する第２交差線方向に沿って延出した帯状の第２主電極を含む画素電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１主電極の直上の位置を挟んで両側に配置され前記第１交差線方向に沿って延出した帯状の第３主電極及び前記第２主電極の直上の位置を挟んで両側に配置され前記第２交差線方向に沿って延出した帯状の第４主電極を含む対向電極と、前記対向電極を覆う第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）