【課題】３次元表示及び２次元表示を併存させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】両眼視差を作り出す遮光パネルがマトリクス状に配設された複数の光学フィルタ領域を有する。当該遮光パネルにおいては、当該複数の光学フィルタ領域毎に表示パネルが放出する光を透過させるか否かを選択することが可能である。よって、当該表示装置においては、部分的に両眼視差が作り出される領域を設けることが可能である。したがって、当該表示装置においては、３次元表示及び２次元表示を併存させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０に素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けるにあたって、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０の間６６を利用する。また、シール材８０については、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲した屈曲部分８５を設け、かかる屈曲部分８５の内側に基板間導通材９０を屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａに沿って延在するように設ける。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第１
の導電膜を形成し、第１の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第２の導電
膜を形成し、第１の導電膜及び第２の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソース１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の上方に配置された液晶１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向と略直交する第２方向に並んで配置された複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３を含む画素電極ＰＥと、櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３の間にあって第１方向に延び、櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３と所定のスペースを置いて配置された複数の櫛歯共通電極ＣＥ１〜ＣＥ４を含む共通電極ＣＥと、第２方向に沿って延びた走査線と、第１方向に沿って延びた信号線ＳＬとを備えた第１基板と、第１基板と対向して配置された第２基板との間に挟持された液晶層とを備え、第２方向において信号線ＳＬ近傍の櫛歯画素電極ＰＥ１、ＰＥ３と櫛歯共通電極ＣＥ１、ＣＥ４との間のスペース幅Ｗ１、Ｗ６は、隣り合う信号線ＳＬの中央部における櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３と櫛歯共通電極ＣＥ２、ＣＥ３との間のスペース幅Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５よりも大きい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積（開口率）を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】 画像を表示するアクティブエリアに形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第２基板の外面において前記アクティブエリアに対応して配置され、その表面に導電層を備えた第１線膨張係数の光学素子と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された電極パッドと、前記光学素子の前記導電層と前記電極パッドとを電気的に接続するとともに、前記第１線膨張係数の絶対値よりも大きな絶対値の第２線膨張係数の接続部材と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 表示パネル形成に際してのラビング時の静電気対策を主の目的としたカラーフィルタ形成基板の裏面の透明導電層のダメージの不具合を解決でき、且つ、表示用パネルに用いられた際に、横電界の乱れを抑制して、確実に液晶の配向の乱れを抑制できる横電界方式のＬＣＤ表示パネル用のカラーフィルタ形成基板を提供する。
【解決手段】 透明基板とオーバーコート層との間に、全面にベタ状に、透明導電層を配して、横電界方式の表示パネルを作製した際に、オーバーコート層と柱状物だけで、前記透明導電層と前記ＴＦＴ形成基板の電極の絶縁性不足に起因する横電界方式による液晶の配向制御における液晶の配向不良の発生を抑制できる絶縁性を確保できるように、前記オーバーコート層の厚さ、比誘電率、前記柱状物の高さの組み合わせを選択している。 （もっと読む）

【課題】液晶層中のイオン性不純物の拡散による偏在に起因する表示ムラが低減された液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層５０と、一対の基板のうち一方の基板としての素子基板１０に設けられた複数の画素電極１５と、一対の基板のうち他方の基板としての対向基板２０に複数の画素電極１５と対向して設けられた対向電極２３とを備え、画素電極１５には凸部１５ｂが設けられ、凸部１５ｂに対応する部分の対向電極２３に凸部２３ｂが設けられている。液晶層５０を駆動することによって生ずる液晶分子ＬＣの流動は、凸部１５ｂおよび凸部２３ｂによって阻害される。したがって、液晶層５０中のイオン性不純物が特定の方向に拡散して偏在することよる表示ムラが低減される。凸部の代わりに凹部を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】 接触位置の検出感度が良好な液晶表示装置を提供することができる。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸを含む表示領域２５と、マトリクス状に配置された複数の第１電極３０Ａと、第１電極３０Ａと同層に配置され第１電極３０Ａ同士を接続する第２電極３０Ｂと、第１電極３０Ａおよび第２電極３０Ｂ上に格子状に配置された第３電極４０と、を備えたアレイ基板１１０と、アレイ基板１１０と対向して配置された対向基板１２０と、アレイ基板１１０と対向基板１２０との間に挟持された液晶層７０と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶層中のイオン性不純物の拡散による偏在に起因する表示ムラが低減された液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層５０と、一対の基板のうち一方の基板に設けられた複数の画素電極１５と、一対の基板のうち他方の基板に設けられ、複数の画素電極１５と対向する第１電極としての共通電極２３と、液晶層５０を駆動することによって生ずる液晶分子ＬＣの流動を阻害するための電位が印加される第２電極としての補助電極２５と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード１３、第１のトランジスタ１４、及び第２のトランジスタ１５を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ１８を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置と同等の反射表示性能を保ったまま、透過表示を実現可能な半透過型表示装置、半透過型表示装置の駆動方法、及び、当該半透過型表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】画素毎に設けられた反射電極を有する半透過型表示装置において、反射電極を用いて反射表示を行うとともに、反射電極の画素間の空間を用いて当該空間を透して透過表示を行うことで、反射型液晶表示装置と同等の反射表示性能を保ったまま、透過表示を実現できるようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
る。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて
、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及
び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層
する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガス
を用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つ
ソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理
を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物
半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設け
ることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発
生するのを防止する。 （もっと読む）