【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化に対応することができる電子パネルを提供することを目的とする。
【解決手段】電子パネルは、複数の金属配線１８を覆って金属配線１８の一部を露出させる貫通穴２２を有する絶縁膜２０と、絶縁層上に形成されて貫通穴２２を介して金属配線１８と電気的に導通する酸化物半導体膜２４と、酸化物半導体膜２４に電気的に接続される電極１６を有する電気部品１４と、を有し、酸化物半導体膜２４は、複数の金属配線１８の配列方向に対して交差する方向に延び、長さ方向に直交する幅が異なる第１部分２６及び第２部分２８を有し、第１部分２６の幅は第２部分２８の幅よりも広くなっており、第１部分２６の少なくとも幅の両端を除いた部分が、貫通穴２２から露出する金属配線１８の一部と対向して電気的に接続し、第２部分２８の少なくとも一部が、電気部品１４の電極１６と対向して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物トラップ用の給電線および周辺電極を素子基板に設けた場合でも、イオン性不純物トラップ用の電位が、駆動回路部で用いる信号に影響を及ぼすことを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。辺１０ｄの側から周辺電極８ａにイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapを供給するトラップ用給電線５ｓは、走査線駆動回路部１０４より外側を通っている。 （もっと読む）

【課題】画素間領域に設けた絶縁膜によって画素電極に起因する凹凸を緩和する場合でも、画素電極の厚さを適正に制御することができる電気光学装置の製造方法、かかる方法により製造された電気光学装置、当該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板に画素電極９ａを形成する際、画素間領域１０ｆに沿って延在する格子状の凸部４７ｆを備えた第１絶縁膜４７を形成した後、第１絶縁膜４７にコンタクトホール４７ａを形成し、その後、導電膜９および第２絶縁膜４９を順次積層する。次に、研磨工程では、凸部４７ｆが露出するまで研磨し、第２絶縁膜４９および導電膜９を凸部４７ｆ（画素間領域１０ｆ）により分割する。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、酸化物半導体よりなる半導体層１１上に絶縁膜１２Ｂを介して導電膜１３Ｂを有し、かつ半導体層１１上の選択的な領域に、導電膜１３Ｂおよび絶縁膜１２Ｂのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子１０Ｃでは、そのような凹部を通じて、半導体層１１の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】開口率の低下を抑制することができるアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、複数の補助容量電極１７と、行方向Ｘに延在し、複数の補助容量電極に隙間を置いて対向配置され、複数の補助容量電極とともに複数の補助容量素子Ｃｓｔを形成する複数の補助容量線Ｃｓと、列方向Ｙに延在し、複数の補助容量線と交差した複数の信号線Ｓと、複数の補助容量電極に電気的に接続された複数の画素電極ＰＥと、を備える。列方向Ｙに隣合う一方の画素電極ＰＥに接続された補助容量電極１７及び他方の画素電極ＰＥに接続された補助容量電極１７は、同一の補助容量線Ｃｓに対向し、信号線Ｓと交差して行方向Ｘに延在している。 （もっと読む）

【課題】ダミー画素電極を設けた場合でも、イオン性不純物トラップ用の周辺電極を適正な位置に配置することのできる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、画像形成領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、周辺回路部１０６の一部が構成されており、周辺領域１０ｂにおいて、周辺回路部１０６に対して上層側で重なる領域にはダミー画素電極９ｂが形成されている。また、周辺領域１０ｂにおいて、ダミー画素電極９ｂに対して上層側で重なる領域には、対向基板２０の共通電極２１やダミー画素電極９ｂに印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 （もっと読む）

【課題】立体映像を表示する際のクロストークを低減した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１００は、背面側液晶偏光板１１０と、背面側液晶偏光板１１０上に積層される背面側透明基板１２０と、背面側透明基板１２０上に積層される液晶層１３０と、液晶層１３０より上に積層される前面側液晶偏光板１４０と、第１の画素線に対応する位置に配置される第１の偏光板１６１、及び第２の画素線に対応する位置に配置される第２の偏光板１６２を有する偏光制御板１６０とを備え、偏光制御板１６０は、（ｉ）前面側液晶偏光板１４０より上で、且つ（ｉｉ）前面側液晶偏光板１４０に接する位置、又は前面側液晶偏光板１４０との間に特定の色の光を選択的に透過させるカラーフィルタ１５０のみが介在する位置に積層される。 （もっと読む）

【課題】シール材に沿って延在させた周辺電極において、イオン性不純物が表示品位に影響を与えやすい領域に対して周辺電極のイオン性不純物に対するトラップ能力を高めた液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。周辺電極８ａにおいて、シール材１０７の液晶注入口１０７ａに設けた封止材１０５と対向する第１部分８ａ1の電極幅寸法Ｗbを他の部分の電極幅寸法Ｗaより大に設定してある。 （もっと読む）

【課題】大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板２０及び第２基板３０、第１電極２０Ｂ、第１電極２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、第１配向膜２２、第２電極３０Ｂ、第２電極３０Ｂに設けられた第２配向規制部３１、第２配向膜３２、液晶分子４１を含む液晶層４０を有する画素が、複数、配列されて成り、液晶層４０は、更に、重合した高分子化合物を含み、液晶分子４１Ａ，４１Ｂには、配向膜２２，３２と接する重合した高分子化合物によってプレチルトが付与されている。 （もっと読む）

【課題】２つの配向状態間の遷移を利用する新規な液晶素子の視角特性を向上させること。
【解決手段】液晶素子は、対向配置された第１基板及び第２基板、第１基板又は第２基板に設けられたプリズムアレイ、第１基板に設けられた第１配向膜、第２基板に設けられた第２配向膜、第１基板と第２基板の間に設けられた液晶層、第１基板の外側に配置された第１偏光板、第２基板の外側に配置された第２偏光板、第１基板及び第２基板に設けられた電圧印加手段を含む。第１基板及び第２基板は、液晶層の液晶分子を第１方向へ捻れさせるように各配向膜への配向処理の方向を配置される。液晶層は、液晶分子を第１方向とは逆の第２方向に捻れさせる性質のカイラル材を含有する。電圧印加手段は、少なくとも、第１基板に設けられた第１電極と第２基板に設けられた第２電極を有する。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】互いに平行な第１配線及び第２配線の間に配置され第１延出方向に沿って帯状に延出した第１主電極、第１主電極の一端側から第１配線に向かって延出した第１補助電極、及び、第１主電極の他端側から第２配線に向かって延出した第２補助電極を含む画素電極と、画素電極を覆う第１配向膜と、第１延出方向に沿って帯状に延出した第２主電極を含む第１対向電極と、第１延出方向に沿って帯状に延出した第３主電極を含む第２対向電極と、第１対向電極及び第２対向電極を覆う第２配向膜と、を備え、第２主電極及び第３主電極は第１主電極を挟んだ両側に配置され、液晶分子の初期配向方向は第１主電極の一端側と第２配線との間及び第１主電極の他端側と第１配線との間を通る方向と平行である液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】配線の交差部分における点灯状態を視認しにくくする。
【解決手段】液晶表示素子は、第１基板、第２基板、液晶層、第１配向膜、第２配向膜、吸収軸を略直交配置された第１偏光板及び第２偏光板、第１基板に設けられた第１電極及び第１配線部、第２基板に設けられた第２電極及び第２配線部を備え、第１配線部と第２配線部とが部分的に重なって交差部が画定される。この交差部は、相互に略直交する１組の第１外縁部及び１組の第２外縁部を有する。第１外縁部と第２外縁部の各々は、第１偏光板及び第２偏光板の各吸収軸とのなす角度を略４５°に設定され、第１配向膜及び前記第２配向膜の各々の配向処理の方向に対して、第１外縁部が略直交し、第２外縁部が略平行である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を間に挟む導電層同士の導通部分の構造を改良することにより、導電層のレイアウト面での自由度を高めることのできる電気光学装置、投射型表示装置、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、ドレイン電極６ｂと画素電極９ａとの間には第３層間絶縁膜４４が形成されており、第３層間絶縁膜４４のコンタクトホール７ｄの底部７ｄ0でドレイン電極６ｂと画素電極９ａの第１方向Ｙの一方側Ｙ１の端部９ａ0とが導通している。画素電極９ａの端部９ａ0において、第１方向Ｙの一方側Ｙ１に位置する先端縁９ａ1は、コンタクトホール７ｄの開口縁のうち、第１方向Ｙの一方側Ｙ１に位置する開口縁部分７ｄyより、第１方向Ｙの一方側Ｙ１とは反対側の他方側Ｙ２に位置しており、コンタクトホール７ｄより一方側Ｙ１に張り出していない。 （もっと読む）

【課題】素子基板の端子に検査端子が当接した際に発生した異物が素子基板の一方面に付着することを確実に防止することのできる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置用素子基板検査装置を提供する。
【解決手段】素子基板検査装置３００において素子基板１０の検査を行う際、気流吐出装置３５０の吹き出し口３５１から素子基板１０の一方面１０ｓに向けて斜め方向から気流Ｓを吹き付けるとともに、気流Ｓの下流側において、吸引装置３６０の吸引口３６１で気流を吸い込みながら、検査端子３２０を素子基板１０の端子１０２に当接させて検査を行う。従って、検査端子３２０と端子１０２とが当接した際に異物Ｐが発生しても、かかる異物Ｐは気流Ｓによって素子基板１０および検査端子３２０から離脱して、吸引装置３６０の吸引口３６１に気流Ｓとともに吸い込まれる。 （もっと読む）

【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体１０ｗの一方面１０ｓに走査線３ａ（遮光層）、絶縁膜１２を形成した後、半導体層１ａを形成する半導体層形成工程、および半導体層１ａに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置９２０によって、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線３ａは高い温度に加熱されないので、走査線３ａに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 （もっと読む）

【課題】光配向を用いたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、配向膜が柱状スペーサによって削れることを防止する。
【解決手段】対向基板２００に形成された柱状スペーサ２０４がＴＦＴ基板１００に接触する部分に、画素電極１０８よりも高い、台座１１４を形成する。画素電極１０８および台座１１４の上に２層構造の配向膜１１３を塗布すると、レベリング効果によって、台座１１４上の配向膜１１３は薄くなる。この状態で光配向すると、台座上の光分解した上配向膜１１２は消失し、機械的な強度の大きい下配向膜１１１が残る。したがって、配向膜削れを防止できる。一方、画素電極１０８上では、上配向膜１１２は元々厚いので、液晶を配向させるための所定の膜厚を確保できる。 （もっと読む）