【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法による窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層した場合でも、透光膜の膜厚の測定結果に基づいて、透光膜の表面側からの研磨量やエッチング量を適正に設定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。また、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去した後、第３透光膜１７を形成する。この状態で、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚに光を照射し、膜厚を測定する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】画素領域のそれぞれには、ドレイン信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタＴＦＴと、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成される第１の電極と、前記薄膜トランジスタと前記第１の電極を接続する接続領域を有し、透明導電膜で形成される平面状の第２の電極を有し、前記第２の電極は、前記第１の電極と前記第１の基板間に形成され、且つ、前記第１の電極とゲート信号線ＧＬに重畳し、さらに、隣接する前記画素領域の第２の電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 タッチセンシング機能と外部電界に対するシールド機能とを兼ね備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 画像を表示するアクティブエリアにおいて、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第１基板と、絶縁基板を備えた第２基板と、前記絶縁基板上において前記アクティブエリアに配置された偏光板を含む光学素子と、前記光学素子上において前記アクティブエリアに配置された導電層と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、前記光学素子から露出した前記導電層と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出した複数の第１信号配線と、第１方向に交差する第２方向に沿ってそれぞれ延出した複数の第２信号配線と、隣接する前記第２信号配線の間に配置され第２方向に沿って延出した画素電極と、を備えた第１基板と、前記第２信号配線の各々と対向するとともに第２方向に沿って延出した主共通電極を含む共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、第１方向及び第２方向で規定される平面において、前記第１信号配線と前記第２信号配線または前記主共通電極とで囲まれた有効領域では、前記画素電極を含む電極部の第１面積が前記電極部以外の非電極部の第２面積よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配置し、映像信号線が画素のひとつおきに形成され、2本の走査線が組みになって配列している構成の画面において、画面の透過率を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴ基板には、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）に対応する画素がデルタ配置され、対向基板には、ＴＦＴ基板の赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）に対応して赤カラーフィルタ２０１、緑カラーフィルタ２０１、青カラーフィルタ２０１が形成され、カラーフィルタ２０１が存在しない部分にはブラックマトリクス２０２が形成され、２個の青カラーフィルタ２０１は前記第１の方向に隣り合って連続して形成され、青カラーフィルタ２０１と青カラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル用の自動化加工システムを提供する。
【解決手段】自動化加工システム１は、ワークテーブル主体１１と、支持装置１２と、導電粘着テープ付着装置１３とを備える。ワークテーブル主体１１は、粘着テープ付着領域と材料出入領域とを規定している。支持装置１２はワークテーブル主体１１に設けられ、薄膜トランジスタ基板２１とカラーフィルター基板２２との基板アセンブリ２を支持することに用いられる。基板アセンブリ２は材料出入領域から支持装置１２に置かれ、支持装置１２は、基板アセンブリ２を材料出入領域から粘着テープ付着領域に支持する。導電粘着テープ付着装置１３は、導電粘着テープ３を導電粘着テープシート３１に切断し、粘着テープ付着領域において導電粘着テープシート３１を薄膜トランジスタ基板２１とカラーフィルター基板２２との界面に貼り合せることに用いられる。 （もっと読む）

【課題】 シールド性を向上させた表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素を有する表示パネルと、前記表示パネルの観察者側の面に配置される透明導電膜とを有し、前記透明導電膜に、交流成分が重畳された直流電圧を供給する。
前記各画素は、共通電極を有し、前記透明導電膜に供給される交流成分は、前記共通電極上の電圧変動に対して逆極性に変動する電圧である。前記表示パネルは、前記共通電極に共通電圧を供給する共通電圧配線と、前記共通電極、あるいは、前記共通電圧配線上の電圧が入力される反転増幅回路とを有し、前記反転増幅回路の出力を、前記透明導電膜に供給する。前記表示パネルは、前記各画素に映像電圧を入力する映像線を有し、前記透明導電膜に供給される交流成分は、前記映像線に供給される映像電圧のレベル変化に応じて前記透明導電膜に生じるスパイク状電圧に対して逆極性に変動する電圧である。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表示装置は下部基板、有機膜パターン、第１画素電極、誘電膜、及び第２画素電極を含む。下部基板はスイッチング素子を具備する。有機膜パターンは、前記下部基板上に配置され、画素領域に段差部を含む。第１画素電極は画素領域の有機膜パターン上に配置される。誘電膜は第１画素電極上に配置される。第２画素電極は誘電膜上で第１画素電極と部分的に重畳される。第１画素電極のモルフォロジーによって不均一な垂直電界発生が抑制されて表示装置、特に画素電極と共通電極との間に発生されたフリンジフィールドを使用するＰＬＳモード方式の液晶表示装置の輝度分布を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】ある程度の色域を確保しつつ、より輝度の高い画像を表示することができる表示装置を提供する。
【解決手段】本開示に係る表示装置は、２次元マトリクス状に画素が配列されている表示部を備えている。表示部の画素は、第１原色を表示する副画素と第１原色とは異なる第２原色を表示する副画素との組から成る。これによって、本開示に係る表示装置は、ある程度の色域は確保しつつ、より輝度の高い画像を表示することができる。 （もっと読む）

【課題】タッチ検出精度の低減を抑えつつ、短い時間でタッチ検出を行うことができる表示パネルを得る。
【解決手段】複数の表示素子と、複数の駆動電極と、各駆動電極との間に静電容量を形成する１または複数のタッチ検出電極と、互いに電圧が異なる複数の直流信号を生成する信号生成部と、各駆動電極に対して複数の直流信号を選択的に印加する駆動部とを備える。この表示パネルでは、複数の駆動電極に対して駆動信号が印加され、その駆動信号が静電容量を介してタッチ検出電極に伝わる。その際、複数の直流信号が選択的に印加されることにより、駆動信号が印加される。 （もっと読む）

【課題】映像信号線とコモン電極間が異物によってショートした場合に、レーザカットによってショートを解消する際の成功率を向上させる。
【解決手段】映像信号線２００と走査線３００によって囲まれた領域に間に画素電極１１０とコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８はコモン電極スリット１０によって、細いストライプ部とコモン電極本体とに分けられる。映像信号線２００とコモン電極１０８とがショートした場合、コモン電極スリット１０の両端をレーザカット３０で開放することによってストライプ部をコモン電極本体と分離する。これによって映像信号線２００とコモン電極１０８とのショートの影響を無くす。 （もっと読む）

【課題】モアレを低減できる表示装置を得る。
【解決手段】映像を表示する表示部と、液晶層とバリア電極（透明電極１１１，１１２，１２１，１２２）を含み、光を透過および遮断する、所定の方向に延伸する複数の液晶バリア（開閉部１１，１２）を有する液晶バリア部とを備える。上記バリア電極は、所定の方向に延伸する幹部分６１と、幹部分から延伸する複数の枝部分６３とを有する。上記液晶バリア部は、１の系列の液晶バリアを少なくとも含み、１の系列の液晶バリアは、互いに異なるパターンのバリア電極を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。また、酸化アルミニウム膜を形成することにより、該トランジスタを有する半導体装置や電子機器の作製工程での熱処理でも大気から水や水素が酸化物半導体層に侵入し、拡散することを防止することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】一対の透明基板を重ね合わせた液晶表示装置において、其々の透明基板上に形成される電極などの導電層間での導通に関して安定した電気的接続構造が得られる。
【解決手段】この発明の液晶表示装置１００においては、一方の表面に透明導電層１３１を、他方の表面に遮光層１２５を備えたカラーフィルタ基板１２０と、カラーフィルタ基板１２０と対向して配置され、表面にアースパッド１１７を備えるガラス基板１１１よりなるＴＦＴ基板１１０と、カラーフィルタ基板１２０上からＴＦＴ基板１１０上に跨って貼り付けられ透明導電層１３１とアースパッド１１７に其々接続される導電テープ１３３とを備え、透明導電層１３１と導電テープ１３３の接続部分において、カラーフィルタ基板１２０とＴＦＴ基板１１０が透光性であることにより、光を透過する透光部ＴＲ１を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物トラップ用の周辺電極を設けた場合でも、周辺電極に印加した電位が、周囲に電気的な影響を及ぼすことを防止することができる液晶装置、当該液晶装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、第１駆動信号（共通電位Ｖcom）が印加される第１周辺電極８１が設けられている。これに対して、対向基板２０において第１周辺電極８１に対向する領域には、第１駆動信号（共通電位Ｖcom）を基準にしたときの極性が反転する第２駆動信号Ｖtrap82が印加された第２周辺電極８２と、第１駆動信号（共通電位Ｖcom）を基準にしたときに第２駆動信号Ｖtrap82に対して逆極性となる第３駆動信号Ｖtrap83が印加された第３周辺電極８３とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量の形成領域を広げても、表示光の出射光量の低下や画素電極の端部付近での電位分布の乱れが発生しにくい電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において各画素では、透光の誘電体層４０に対して基板本体１０ｗが位置する側に第１電極層７が設けられ、誘電体層４０に対して画素電極９ａが位置する側に透光性の第２電極層８ａが設けられている。このため、透光性の第１電極層７、透光性の誘電体層４０、および透光性の第２電極層８ａによって蓄積容量５５が構成されている。また、蓄積容量５５と画素電極９ａとの間に透光性の層間絶縁膜４４が設けられている。このため、画素電極９ａを研磨により平坦化した平坦面上に形成することができるとともに、共通電位が印加された第１電極層７と画素電極９ａの端部との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）