【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、主画素電極を含む複数の画素電極を有した第１基板と、周辺電極ＣＤ及び複数の主共通電極ＣＡを含む共通電極ＣＥを有した第２基板と、液晶層と、表示領域Ｒ１と、を備えている。複数の画素電極は、表示領域Ｒ１に設けられ、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。複数の主画素電極は、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出して形成されている。周辺電極ＣＤは、表示領域Ｒ１の外周に亘って枠状に形成されている。複数の主共通電極ＣＡは、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられ、第１方向Ｘに複数の主画素電極を挟み、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、それぞれの両端が周辺電極ＣＤに接続されている。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数でアクティブマトリクス表示素子を形成する。
【解決手段】実施形態にかかるアクティブマトリックス型表示素子の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極層、第１の絶縁膜、酸化物半導体層、第２の絶縁膜、酸化物半導体層と電気的に接続したソース・ドレイン電極を順に形成する工程を含む。酸化物半導体層は、ソース・ドレイン電極が形成される領域から画素領域にわたって形成され、第２の絶縁膜を形成する前に、酸化物半導体の画素領域に相当する部分を低抵抗処理して第１の画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】部材を新たに追加せず、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートに表示が観察可能な表示品位の優れたＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶表示装置は、ゲート配線４３の延在方向に対して０°＜α＜９０°の角度αで傾斜した配向方向を有する配向膜と、画素電極６と、画素電極６上に絶縁膜を介して対向配置される共通電極とに形成され、画素電極６との間で液晶２０にフリンジ電界を発生させるスリットとを備える。共通電極は、隣接する画素間にまたがり、ソース配線４４上を絶縁膜を介して覆うように形成される。画素内は、配向方向に延在する境界線により分割され、スリットは、各領域において境界線の延在する方向に対して角度±θ傾斜し配置された複数の第１スリットＡ、第２スリットＢを有し、第２の基板には配向方向に設定された吸収軸を有する偏光板を有する。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式を代表とする横電界方式の液晶表示装置において、液晶材料にかかる
電界を十分にすることを課題とする。
【解決手段】横電界方式において、１組の電極ではなく、複数組の電極を用いて、共通電
極直上や画素電極直上にある液晶材料に電界をかける。１組の電極は、櫛歯状に設けられ
た共通電極と、櫛歯状に設けられた画素電極との組である。その他の組の電極は、画素部
に設けられた共通電極と、該櫛歯状に設けられた画素電極との組である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びるゲート配線Ｇと、列に沿って延びるソース配線Ｓと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴの周囲の領域において画素電極ＰＥと同層に配置されゲート配線に印加されるト電位が供給される電極ＥＢと、を備えた第１基板ＡＲと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴおよび周囲の領域と対向した共通電極ＣＥを備え第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備え、電極ＥＢの端部と端部に対向した共通電極ＣＴとの間に絶縁体ＳＳが配置されている液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】プーリングの発生し難い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶表示パネルと、センシング基板と、液晶表示パネル及びセンシング基板を接合する接着材と、を備える。液晶表示パネルは、画素電極ＰＥを有した第１基板と、共通電極ＣＥを有した第２基板と、液晶層と、表示領域と、画素電極及び共通電極で形成された画素ＰＸと、を具備している。画素電極ＰＥは第２方向Ｙに長手方向を持つ主画素電極ＰＡを有する。共通電極ＣＥは第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに長手方向を持つ一対の主共通電極ＣＡを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品位の劣化を抑制する。
【解決手段】第１の方向に沿って配置された帯状の主画素電極ＰＥ、主画素電極を挟んだ両側で第１の方向に沿って延出したソース配線Ｓ１，Ｓ２、第１の方向と交差する第２の方向に沿って設けられた共通配線、主画素電極が共通配線と交差する領域に設けられたコンタクト部ＰＣ、共通配線を挟んだ両側で該第２の方向に沿って延出したゲート配線Ｇ１，Ｇ２を備えたアレイ基板と、ソース配線に対向する領域に、第１の方向に沿って設けられた共通電極ＣＥを含む対向基板と、アレイ基板と対向基板との間にスペーサーを配して形成された間隙に保持された液晶層とを有し、スペーサーは、主画素電極上または共通電極上に形成される。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１
の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するよ
うに、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形
成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２
の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】保持容量を形成するための電極端部で生じるドメインを抑制し、表示モード効率を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出するように形成される一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極とを備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画像表示における視野角を改善し、液晶の配向乱れによる画質劣化を抑制する半透過型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁面上に絶縁膜を有する第１の領域と、絶縁面上に絶縁膜を有さない第２の領域とを有し、第１の領域において、絶縁膜上に第１の導電膜を有し、第２の領域において、絶縁面上に第２の導電膜を有し、第１の導電膜は、光を反射する機能を有し、第２の導電膜は、光を透過する機能を有し、第１の導電膜上に、及び、第２の導電膜上に、液晶層を有し、第１の領域において、絶縁膜は、第１の凸部と第２の凸部とを有し、絶縁膜の端部から第１の導電膜の端部までの距離が、絶縁膜の端部から第２の導電膜の第１の端部までの距離よりも長い領域を有し、第１の凸部と第２の凸部との間の凹部の底の位置から第１の凸部の頂上の位置までの高さが、絶縁面から凹部の底の位置までの高さよりも低い領域を有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に設けられ第１の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第１の酸化物半導体層と第２の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。 （もっと読む）

【課題】意匠端部の表示異常を無くすか軽減する垂直配向型液晶表示装置及びその生産方法を提供する。
【解決手段】垂直配向型液晶表示装置は、第１基板３１ａ、第１電極３１ｂと、第２基板３２ａ、第２電極３２ｂと、液晶層と、を備え、両電極に電圧を印加することに対応して液晶層の液晶分子が倒れることによって、対向面の法線方向から見て両電極が略重なる領域によって構成される意匠を表示する。前記意匠の端部は、液晶ダイレクタ方向に対する角度の絶対値が所定の値以下である第１の端部と、液晶ダイレクタ方向側に位置し、液晶ダイレクタ方向に対する角度の絶対値が前記所定の値より大きい第２の端部と、を含み、第２の端部における第２電極３２ｂの端縁が、第１電極３１ｂの端縁よりも液晶ダイレクタ方向に所定の長さ以上延長されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による
脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素
ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後において
もトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタと
することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、対向基板に形成された外部導電膜を確実にアースに接続し、安定したシールド効果を確保する。
【解決手段】対向基板２００に形成された外部導電膜２１０とＴＦＴ基板１００に形成されたアースパッド２０とを導電熱圧着テープ１０によって接続する。導電熱圧着テープ１０は熱圧着ヘッド３０によって接続し、導電領域１５を形成する。対向基板２００における導電領域１５の幅ｗ２をＴＦＴ基板１００における導電領域１５の幅ｗ３よりも大きくして対向基板２００における導電熱圧着テープ１０の剥離を防止する。これによって、対向基板２００の外部導電膜２１０を確実にアースする。 （もっと読む）

【課題】低温硬化可能な感放射線性樹脂組成物を用いて絶縁膜を形成してアレイ基板を提供し、そのアレイ基板を用いて液晶表示素子を提供する。
【解決手段】不飽和カルボン酸または不飽和カルボン酸無水物から形成される構成単位およびエポキシ基含有不飽和化合物から形成される構成単位を含む共重合体と、式（１）または式（２）の化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物を用いて低温硬化によって絶縁膜１２を形成し、アレイ基板１を製造する。アレイ基板１から液晶表示素子を構成する。
（もっと読む）

【課題】横電界方式を用いつつイオン性不純物のトラップ効率を高めた電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、第１基板の電気光学物質層側に形成され、平面視櫛歯状を成し互いの枝電極を噛み合わせるように配置された第１電極と第２電極とを有しており、第１電極及び第２電極の枝電極の延在方向が、当該枝電極の近傍の第１基板の外形辺に対して斜め方向であり、かつ電気光学物質層と第１基板との界面における電気光学物質の配向方向に対して交差する方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素電極の間に重なる領域にデータ線や、画素電極と異なる電位が印加された第１容量電極が設けられている場合でも、画素電極の端部周辺に余計な電界が発生することを防止することのできる電気光学装置、投射型表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、画素電極９ａの間の第２画素間領域１０ｈに平面視で重なる領域にデータ線６ａおよび第１容量電極５ａが設けられているが、これらの電極（第１容量電極５ａおよびデータ線６ａ）より画素電極９ａの側には、画素電極９ａに導通する中継電極７ａが設けられている。このため、画素電極とデータ線との間、および画素電極と第１容量電極との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）

【課題】高い作業効率の電極パターンマスクの製造方法を提供し、断線の無い電極を提供する。
【解決手段】液晶表示パネルの表示パターンに対応する形状を有し、その少なくとも一部にスリットが配置された電極の形成に使用される電極パターンマスクの製造方法を、スリットと形状および配置が同じであるスリットパターンを備えるマザースリットパターンＡを形成する工程と、表示パターンと同じ外形の輪郭パターンＢとマザースリットパターンＡとを合成して第１の合成パターンＣを形成する工程と、第１の合成パターンＣから、輪郭パターンＢからはみ出す部分と輪郭線を除去して、第２の合成パターンＤを形成する工程と、電極パターンＥと第２の合成パターンＤと合成して、第３の合成パターンＦを形成する工程とを含んで構成する。得られた電極パターンマスクから電極を形成する。 （もっと読む）