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Fターム[2H092QA09]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 液晶の動作原理 (3,287) | 電界効果型 (3,247) | 誘電異方性型 (2,775) | 複屈折制御(ECB)型 (944)

Fターム[2H092QA09]に分類される特許

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【課題】垂直配向型の液晶表示装置における表示均一性の向上。
【解決手段】第1基板11及び第2基板12と、第1基板に設けられた第1電極13a及び第2電極13bと、第2基板に設けられた第3電極14a及び第4電極14bと、第1基板に設けられた第1垂直配向膜15と、第2基板に設けられた第2垂直配向膜16と、第1基板と第2基板の相互間に設けられた液晶層19を含み、第1及び第2垂直配向膜の少なくとも一方は一軸配向処理されており、第1電極と第3電極は、互いに重畳した領域がドットマトリクス表示部1を構成し、第2電極と第4電極は、互いに重畳した領域がセグメント表示部2を構成し、液晶層は、例えば、誘電率異方性が負の液晶材料と、感光性樹脂モノマーを重合させた高分子体を有しており、ドットマトリクス表示部に対応する領域よりもセグメント表示部に対応する領域の方が高分子体によって付加されるプレティルト角が小さい。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域は、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向Xに延びた第1ゲート配線G1および第2ゲート配線G2と、第1方向Xと交差する第2方向Yに延びたソース配線Sと、第1ゲート配線G1と第2ゲート配線G2との間に配置され、第2方向Yに延びた主画素電極PAを含む画素電極PEと、を備えた第1基板ARと、主画素電極PAを挟んだ両側で主画素電極PAと略平行に延びた共通電極CEを有する第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に保持された液晶分子LMを含む液晶層LQと、を備え、第1ゲート配線G1と第2ゲート配線G2との少なくとも一方は、ソース配線Sと交差する位置において画素電極PE側の端部に設けられた凹部GXを備える液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍(及びソース電極層の端部近傍)に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、0.3μm以下、好ましくは5nm以上0.1μm以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを60°以下、好ましくは45°以下、さらに好ましくは30°以下とする。 (もっと読む)


【課題】逆回転ドメインの発生位置を正確に固定することができ、従来よりも画質・信頼性が優れた横電界方式の液晶表示装置の提供。
【解決手段】対向して配置される一対の基板と、該基板間に挟持される液晶層と、該基板の一方あるいは両方の対向する側に形成された一対の液晶駆動電極と、を少なくとも有する横電界方式の液晶表示装置において、該一対の液晶駆動電極のうちの少なくとも一方は、少なくとも1本の櫛歯形状部を有しており、該櫛歯形状部の先端部及び/又は基端部の手前において、絶縁膜を介して該櫛歯形状部と重畳する逆回転ドメイン安定化電極が配置され、該逆回転ドメイン安定化電極の一部は、該櫛歯形状部からはみ出した突起部を有し、該櫛歯形状部の先端部及び/又は基端部と該逆回転ドメイン安定化電極の突起部とを一体的にみなした場合の平面形状が、略L字型の分岐形状をなしている。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】製造性を損なうことなくイオン性不純物のトラップ効率を向上させた電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、第1基板と第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間の周辺領域に電極を備えて設けられたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、交流電圧を印加される第1トラップ電極と交流電圧の基準電位を入力される第2トラップ電極とを有しており、前記イオントラップ部は、前記交流電圧の印加において、正極性の電圧印加時と負極性の電圧印加時とで前記電気光学物質層を流れる電流量が、前記画素領域よりも大きく異なるように設定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素PXを含むアクティブエリアACTと、画素PXに配置された画素電極PEと、画素電極PE上に配置され配向処理が成された第1配向膜AL1と、を備えた第1基板ARと、画素電極PEを挟んだ両側に配置された共通電極CEと、共通電極CE上に配置され配向処理が成された第2配向膜AL2と、を備えた第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に保持された液晶分子LMを含む液晶層LQと、を備え、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との配向処理方向は互いに平行であって、画素電極PEおよび共通電極CEは、配向処理方向に対して鋭角に傾いた方向に延びている液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】製造性を損なうことなく電圧印加による電気光学物質の劣化を抑制可能とした電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、第1基板と第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間に電極が備えられたイオントラップ部と、第1基板及び第2基板の電気光学物質層側の表面に形成された配向膜と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、電気光学物質層に直流電圧を印加する第1トラップ電極と第2トラップ電極とを有しており、第1トラップ電極と配向膜との間、及び第2トラップ電極と配向膜との間の少なくとも一方に、電気光学物質層中のイオン性不純物を吸着保持するトラップ部絶縁膜が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】視野角に依存した画像の色味変化が軽減された、FFSモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置された一対の第1及び第2の基板16、26と、一対の基板の少なくとも一方の基板上に絶縁層20を介して形成された異なる電位を印加可能な画素電極22及び共通電極18と、一対の基板間に、液晶材料を含み、且つ電圧無印加状態において液晶分子が基板面に略平行配向する液晶層24と、液晶層を挟持して配置され、且つ吸収軸を互いに直交にして配置された一対の第1及び第2の偏光膜12、30と、を有し、第1の偏光膜12又は30と、一対の基板のうち第1の偏光膜により近い位置に配置された第1の基板16又は26との間に、特定範囲のレターデーション値を有するセルロースアシレートフィルム14又は28を配置する。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に沿ってそれぞれ延出したゲート配線及び補助容量線と、第2方向に沿って延出したソース配線と、ゲート配線及びソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、補助容量線の直上に位置するとともに第1方向に沿って延出した主画素電極を備えスイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、画素電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、ゲート配線の直上に位置するとともに第1方向に沿って延出した主共通電極を備えた共通電極と、共通電極を覆う第2配向膜と、を備えた第2基板と、第1基板と第2基板との間に保持され、画素電極と共通電極との間に電界が形成されていない状態で第1方向に沿って初期配向するとともに第1基板と第2基板との間においてスプレイ配向した液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのTFTを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極(14)と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層(6a)との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第1方向に沿って延出し第2方向に沿って第1ピッチで配置された第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、第2方向に沿って延出し第1方向に沿って第1ピッチよりも大きな第2ピッチで配置された第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記第2ゲート配線及び前記第1ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記第1ゲート配線及び前記第2ゲート配線と前記第1ソース配線及び前記第2ソース配線とで囲まれた画素電極であって、第2方向に沿って延出した主画素電極及び第2方向に沿って延出するとともに前記スイッチング素子とコンタクトするコンタクト部を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、前記主画素電極と前記コンタクト部との間に位置し第2方向に沿って延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】視認性及び透過率が向上した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素領域内に所定間隔離隔して相互平行に配列されている複数のサーブ電極182aと各サーブ電極を電気的に連結する連結電極182bを含む第1電界形成電極及び第1電界形成電極を覆う第1方向にラビングされた第1配向膜を含む第1基板を含むか、第1基板の画素領域に対応する領域に相互平行に形成されている複数の開口部を含む第2電界形成電極及び第2電界形成電極を覆う第2方向にラビングされた第2配向膜を含む第2基板を含む液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第1方向に延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と第2方向に延出した第1ソース配線及び第2ソース配線とで囲まれスイッチング素子とコンタクトするコンタクト位置よりも第1ゲート配線側に位置し第1方向に延出した第1主画素電極及びコンタクト位置よりも第2ゲート配線側に位置し第1方向に延出した第2主画素電極を備えコンタクト位置から第1主画素電極までの第2方向に沿った距離とコンタクト位置から第2主画素電極までの第2方向に沿った距離とが同一である画素電極を備えた第1基板と、コンタクト位置、第1ゲート配線、及び、第2ゲート配線のそれぞれの上方を通り第1方向に延出した主共通電極を備えた第2基板と、第1基板と第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】垂直配向モードを採用するとともに表示ムラを低減して、マルチプレックス駆動に好適な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置1を、水平方向に伸びるコモン電極3を有する液晶表示パネル10と、出力端子C1〜C6からコモン電極3のそれぞれに走査信号を出力する駆動IC4と、コモン電極3と駆動IC4の出力端子C1〜C6とを接続する配線CL1〜CL6とを用いて構成する。コモン電極3は、配線取り出しの方向が互いに異なるコモン電極3−1、3−3、3−5とコモン電極3−2、3−4、3−6とが、1つずつ交互に配置されるように構成され、配線CL1〜CL6は、駆動IC4の走査信号が、コモン電極3−1、3−3、3−5のそれぞれに出力された後、コモン電極3−2、3−4、3−6のそれぞれに出力されるように配置される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体の特性の変化を防ぎつつ、耐圧特性も向上させた薄膜トランジスタを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極を覆い絶縁物質を含むゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜の上面にあり互いに離間する第1の領域と第2の領域にそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、前記第1の領域と前記第2の領域の間の第3の領域に接し、前記絶縁物質を含むチャネル保護膜と、を含む。平面的にみて前記ゲート電極に重なる前記酸化物半導体膜の上面の領域は第3の領域に含まれかつ小さく、前記酸化物半導体膜のうち前記ゲート電極に重なる部分の一部を除く部分は、前記ゲート電極に重なる部分の前記一部より抵抗が低い。 (もっと読む)


【課題】モアレなどの表示ムラを低減することができ、明るく、高解像度の画像を表示可能とする。
【解決手段】実施形態に係る液晶表示装置1は、発光素子9,10から出射された光が光制御素子11を介して液晶パネル2を通過する。光制御素子11は、複数の三角柱状プリズム14を、当該三角柱状プリズム14の長手方向が互いに平行となるように配列した第1の面と、複数の半円柱状レンズ14を、複数の三角柱状プリズム14と背中合わせとなり当該半円柱状レンズ14の長手方向が互いに平行となるように配列した第2の面とを備える一体樹脂シートである。複数の三角柱状プリズム14の長手方向と複数の半円柱状レンズ13の長手方向とは、平面視でモアレ抑制角度θを持つ。 (もっと読む)


【課題】1画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の副画素、第2の副画素及び第3の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第1の容量配線と、第2の容量配線と、第3の容量配線とを設け、第1の副画
素〜第3の副画素にそれぞれ、第1の容量素子〜第3の容量素子の一方の電極及び第1の
容量配線〜第3の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第1の容量配線及び第
2の容量配線の電位を変化させ、第3の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
(もっと読む)


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