【課題】視野角が広く、液晶分子の応答速度が速く、表示特性および長期信頼性に優れる液晶表示素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記の製造方法は、導電膜を有する一対の基板の該導電膜上に、それぞれ、（Ａ）ポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）２−［４’−（２−アクリロイロキシ−エトキシ）−ビフェニル−４−イロキシ］−エチルアクリレートに代表される重合性不飽和化合物を含有する重合体組成物を塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を形成した一対の基板を、液晶分子の層を介して前記塗膜が相対するように対向配置して液晶セルを形成し、前記一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で前記液晶セルに光照射する工程を経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素電極及び共通電極が一つの表示板に形成された構造の液晶表示装置の透過率を高め、データ線と画素電極間の容量結合による光漏れを防止し、さらにデータ線の負荷を減らす。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板、第１基板と第２基板の間に介在される液晶層、第１基板の上に位置する第１データ線、第１基板の上に位置し、第１データ線からデータ電圧が印加される画素電極、第１基板の上に位置し、画素電極の少なくとも一部分と第１データ線と重畳する共通電極、及び誘電定数が３．５以下である物質から成り、共通電極と第１データ線の間に位置する第１部分を含む保護膜を備え、画素電極と共通電極のうちのいずれか一方は離隔している複数の枝電極を含み、他方の電極は面状である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気流入による層間短絡などの障害が生じたとしても容易に修復することのできる表示装置用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上の表示領域内に配設され、表示領域の内方より表示領域の外方に向けて引き出し形成される第１の配線部１０を有する。さらに、基板１上の表示領域の外の第１の配線部１０と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部７０を有する。さらに、第２の配線部７０に形成され、少なくとも交差する第１の配線部１０と重なり合う領域に開口した開口部７２を有する。さらに、開口部７２の両端に形成され、絶縁膜を介して第１及び第２の配線部１０、７０が重なり合う重畳部７４を有する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で駆動が容易な低コストの屈折率分布型液晶光学素子および表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と第２基板との間に挟持される液晶層と、第１基板上の液晶層側に設けられ、第１方向に沿って配列される複数の第１電極、複数の第２電極および複数の第３電極と、第２基板上の液晶層側に形成された第４電極とを備え、第３電極のそれぞれに対して、第３電極の両側のうちの一方の側に前記第１電極と第２電極とを有する第１電極対が配置されるとともに、他方の側に第１電極と第２電極とを有する第２電極対が配置され、第１電極対において、第２基板からみて第１方向に沿った断面における第２電極の中心は第１電極の中心よりも第３電極側に位置するように配置され、第２電極対において、第２基板からみて第１方向に沿った断面における第２電極の中心は第１電極の中心よりも第３電極側に位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】視野角特性に優れ、表示品位の良好な横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板ＡＲと、第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、マトリクス状に配置された画素からなる表示エリアとを備え、第１基板ＡＲは、各画素に配置されたトップゲート型のスイッチング素子と、スイッチング素子を覆う第１絶縁膜２５と、第１絶縁膜２５の上において複数の前記画素にわたって配置された第１電極Ｅ１と、第１電極Ｅ１を覆う第２絶縁膜２６と、第２絶縁膜２６の上において各画素に配置され、スイッチング素子に接続され、第１電極Ｅ１と対向するスリットが形成された第２電極Ｅ２とを備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】ブルー相液晶を用いた液晶表示装置において、ヒステリシスの発生や立ち下がり時間の遅れを補正することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
線状の第１電極と第２電極とが配置される第１基板と、前記第１基板と対向配置される第２基板とを有する液晶表示装置であって、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設される第１ドレイン線及び第２ドレイン線と、前記Ｘ方向に延在し前記Ｙ方向に並設されるゲート線と、前記ゲート線からの走査信号に同期して当該第１ドレイン線からのドレイン信号を前記第１電極に供給する第１薄膜トランジスタと、前記画素毎に、前記ゲート線からの走査信号に同期して当該第２ドレイン線からのドレイン信号を前記第２電極に供給する第２薄膜トランジスタと、前記第２基板の対向面側に形成され、少なくとも前記画素の形成領域を覆うようにして形成される平板状の第３電極とを備える液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 （もっと読む）

【課題】安定してブルー相を発現することのできる液晶表示装置を作製する。
【解決手段】液晶組成物を含む液晶層を挟持して、シール材によって第１の基板と第２の基板とを固着し、熱処理により液晶層の配向状態を等方相とし、液晶層に光を照射して、液晶層の高分子安定化処理を行うとともに、光照射中に液晶層の配向状態を等方相からブルー相へと相転移を行う。これによって、ブルー相以外の配向状態を示す欠陥（配向欠陥）を抑制した液晶表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 階調表示と応答性の改善を両立させ、さらに高輝度表示、及び透過表示若しくは反射表示の可能な斜め電界液晶表示装置用のカラーフィルタ基板、及びこのカラーフィルタ基板を備える斜め電界液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 階調表示を行う通常表示と明るいダイナミック表示、透過表示若しくは反射表示が可能な斜め電界液晶表示装置用カラーフィルタ基板であって、透明基板、この透明基板上に形成された透明導電膜、この透明導電膜上に形成された、複数の多角形画素形状の開口部を有するブラックマトリクス、このブラックマトリクスの開口部の中央に形成された第２の透明樹脂層、この透明導電膜上に形成された着色層、及びこの着色層上に形成された第１の透明樹脂層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】表示に寄与する画素とダミー画素との境界での表示上の不具合を抑える。
【解決手段】平面視で表示に寄与する画素電極１１８ａを囲むように、かつ、隣り合うように設けられた画素電極１１８ｂと、平面視で画素電極１１８ｂの外側に設けられた画素電極１１８ｃと、画素電極１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃに対して、断面視で対向側とは反対側に設けられ、平面視で画素電極１１８ａに対応する画素の遮光率よりも、画素電極１１８ｂ、１１８ｃに対応する画素での遮光率を大きくさせるシールド電極７２とを有し、画素電極１１８ａの各々に対し、表示画像に応じた電圧をそれぞれ印加し、画素電極１１８ｂの各々に、当該画素電極１１８ａに隣り合う画素電極１１８ａと同じ電圧をそれぞれ印加し、画素電極１１８ｃに、液晶１０５を不透過とする電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】配向膜の形成及びラビング処理に起因する問題を防止し、配向膜の形成及びラビング処理を行わなくても優れた配向制御性を有するＩＰＳモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板の面方向に電界を印加する電極を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して設けられた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された多孔質膜と、前記多孔質膜の空孔内に充填された、液晶成分及び前記液晶成分と相溶性のあるデンドリマー及び／又はデンドロンを含む液晶組成物とを有することを特徴とする液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】映像品質が向の上された表示装置とその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による表示装置は複数の画素を有し、各画素は第１絶縁基板の上に具備されたゲート電極と、ゲート電極をカバーし、第１絶縁基板の上に具備されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上にゲート電極とオーバーラップして配置された半導体パターンと、半導体パターンの上に互に離隔されて具備されたソース電極とドレイン電極と、ゲート絶縁膜の上に配置され、その一部がドレイン電極と接触する透明画素電極、透明画素電極の上に形成された保護層、及び第１絶縁基板と第１絶縁基板に対向する第２絶縁基板の中でいずれか１つに具備され画素電極と電界を形成する共通電極を含む。 （もっと読む）

【課題】信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法と、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器とを提供する。
【解決手段】ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】一つの画素を一対の副画素に分割し、互いに異なる二つのデータ線を備えて、副画素に互いに異なるデータ電圧を印加することによって、広視野角を確保しながらも側面視認性を向上させる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置に関し、この装置は第１及び第２副画素を有する複数の画素と、第１及び第２副画素に接続されていてゲート信号を伝達する複数のゲート線と、ゲート線と交差し、第１副画素に接続されていて第１データ電圧を伝達する複数の第１データ線と、ゲート線と交差し、第２副画素に接続されていて第２データ電圧を伝達する複数の第２データ線とを有する。第１データ電圧と第２データ電圧とは１つの映像情報から得られる互いに異なる大きさの電圧である。 （もっと読む）

【課題】画素電極に形成されたスリット及び光配向膜を有する液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】液晶表示パネルの単位画素は、光配向工程技術を用いて形成された複数のドメインを含む。上記複数のドメインは、相互に異なるドメイン配向ベクトルを有し、配向膜上の液晶分子の長軸は、液晶表示パネルの透過軸に平行に配向される。また、上記単位画素は、スリットを含む画素電極を有する。上記スリットは、上記ドメインの配向と所定のスリット角をなし、上記スリット角は、４５°より小さい。したがって、上記単位画素の透過率が増加することにより高品質の映像を保証することができる。 （もっと読む）

【課題】反視認方向から観察したときの各画素のエッジ付近における光抜けを均質化し、表示品位を向上させ、かつフレーム周波数を低減する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板及び第１基板と、第１方向に延在する第１電極と、第１方向と略直交する第２方向に延在する第２電極と、第１基板と第２基板の間に設けられた略垂直配向の液晶層を備え、第１電極１１と第２電極１２との交差する領域において画素が構成される。第１電極の各画素エッジは、各々が第２方向と斜交し、かつ互いに異なる方向に向き、互いに接続された略同じ長さの２つの第１線分を含んだ折れ線状の形状を有する。第２電極の各画素エッジは、各々が第１方向と斜交し、かつ互いに異なる方向に向き、互いに接続された略同じ長さの２つの第２線分を含んだ折れ線状の形状を有する。上記した画素は、２つの第１線分と２つの第２線分によって画素エッジが画定される。 （もっと読む）