表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
【課題】本発明は、静電気流入による層間短絡などの障害が生じたとしても容易に修復することのできる表示装置用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上の表示領域内に配設され、表示領域の内方より表示領域の外方に向けて引き出し形成される第１の配線部１０を有する。さらに、基板１上の表示領域の外の第１の配線部１０と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部７０を有する。さらに、第２の配線部７０に形成され、少なくとも交差する第１の配線部１０と重なり合う領域に開口した開口部７２を有する。さらに、開口部７２の両端に形成され、絶縁膜を介して第１及び第２の配線部１０、７０が重なり合う重畳部７４を有する。
【解決手段】基板１上の表示領域内に配設され、表示領域の内方より表示領域の外方に向けて引き出し形成される第１の配線部１０を有する。さらに、基板１上の表示領域の外の第１の配線部１０と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部７０を有する。さらに、第２の配線部７０に形成され、少なくとも交差する第１の配線部１０と重なり合う領域に開口した開口部７２を有する。さらに、開口部７２の両端に形成され、絶縁膜を介して第１及び第２の配線部１０、７０が重なり合う重畳部７４を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用基板に関し、特に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴという）をスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の製造工程において発生した静電気による破壊や層間短絡などの欠陥を容易に修復（リペア）できる表示装置用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、優れた画像品質が得られるフラットパネル・ディスプレイとしてコンピュータや大型テレビを初めとする電子機器に広く利用されている。
【０００３】
液晶表示装置は、アレイ基板と、アレイ基板と対向する対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に封止された液晶層とを有する。アレイ基板には、複数の画素領域毎に形成された画素電極と、スイッチング素子として各画素電極に接続されたＴＦＴとが形成されている。対向基板には、全面に対向電極が形成されている。液晶表示装置は、画素電極及び対向電極から液晶層に対して電圧を印加することで液晶表示を行う。
【０００４】
図１０は、アレイ基板の一部を基板平面側から見た概略図である。同図に示すように、アレイ基板１００１上には、駆動する画素電極を選択するための走査信号が順次入力される複数のゲートバスライン１０１０が互いに平行に配設されている。また、アレイ基板１００１上には、複数のゲートバスライン１０１０にほぼ直交し、階調信号が入力される複数のドレインバスライン１０２０が配設されている。
【０００５】
ここで、互いに直交する複数のゲートバスライン１０１０と複数のドレインバスライン１０２０とでマトリクス状に区画された矩形の各領域が画素領域である。この画素領域が複数配列されて表示領域（ａ）を構成する。各画素領域内には、ＴＦＴ１０４０、画素電極１０３０、及び画素電極１０３０の電位変動を抑制する蓄積容量素子（ないしは蓄積容量形成部）１０５０が設けられている。
【０００６】
また、アレイ基板１００１には、図中横方向に沿って複数の蓄積容量素子１０５０に接続されてゲートバスライン１０１０と平行に形成される蓄積容量バスライン１０６０が複数配設されている。さらに、アレイ基板１００１には、各ゲートバスライン１０１０と交差する方向（図中上下方向）に延在形成され、複数の各蓄積容量バスライン１０６０を束ねて共通電極として機能する蓄積容量共通電極部１０７０が配設されている。蓄積容量共通電極部１０７０は、各ゲートバスライン１０１０上に絶縁膜（不図示）を介して積層される。
【０００７】
さらに、アレイ基板１００１の端部に沿ってそれぞれ複数のＴＡＢ端子等の接続端子部が配置されている。これらの接続端子部から所定の信号がゲートバスライン１０１０及びドレインバスライン１０２０に供給される。
【０００８】
ところで、ゲートバスライン１０１０、ドレインバスライン１０２０等は絶縁性のガラス基板上に形成されるため基本的に静電気に弱い。例えば、製造工程中でアレイ基板１００１上に静電気が発生して、ゲートバスライン１０１０を通じて静電気が流入すると（図中矢印Ｅ１方向）、ゲートバスライン１０１０と蓄積容量共通電極部１０７０とが重なり合う部分で放電し、層間短絡Ｓが発生してしまう。この静電気は、基板製造時におけるス
テージからの剥離帯電以外にも、外部から侵入する場合がある。
【０００９】
層間短絡Ｓが生じたゲートバスライン１０１０は、バスライン延伸方向の線欠陥が発生する不具合が生じ、パネルの製造歩留まりが著しく低下してしまう。特に、接続端子部からは静電気が侵入しやすく、ここから入った静電気は経路中にある容量成分に対して放電し、その容量部を破壊する。この場合、短絡箇所Ｓをレーザリペア等で除去するにはゲートバスライン１０１０などを切断する必要があり、修復（リペア）は不可能だった。
【００１０】
また、液晶表示装置の大型化及び高精細化が進むと、低抵抗化のため蓄積容量共通電極部１０７０の配線幅を太くする必要がある。この結果、ゲートバスライン１０１０と蓄積容量共通電極部１０７０とが重畳する重畳部の領域面積が大きくなるので、容量部が破壊される障害も大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−１５６７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、静電気流入による層間短絡などの障害が生じたとしても容易に修復することのできる表示装置用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的は、基板上の表示領域内方より外方に向けて引き出し形成される第１の配線部と、前記表示領域外方の前記第１の配線部と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部と、前記第２の配線部に形成され、少なくとも交差する前記第１の配線部と重なり合う領域に開口した開口部と、前記開口部の両端に形成され、前記絶縁膜を介して前記第１及び第２の配線部が重なり合う重畳部と、を含むことを特徴とする表示装置用基板によって達成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、冗長構成となる複数の重畳部を設けたので、静電気による層間短絡不良が各重畳部のうちいずれか一方の重畳部に生じたとしても、他方の重畳部により第２の配線部の導通経路を確保できると共に、層間短絡不良の修復を容易に行うことができ、製造の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の全体の概略構成の一例を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図８】本発明の第７の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図９】本発明の第８の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図１０】従来の表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施の形態の一例について、図面を参照して具体的に説明する。〔第１の実施の形態〕
（全体の概略構成）
先ず、本発明の表示装置用基板を適用した液晶表示装置の全体の概略構成について、図１を参照して説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の全体の概略構成を示し、液晶表示装置のアレイ基板を基板平面側からみた状態を示している。
【００１７】
本実施の形態では、アレイ基板上の両端に蓄積容量共通電極部を設けた場合を示し、その一端側の蓄積容量共通電極部には、当該蓄積容量共通電極とゲートバスラインとの交差領域に開口部を設けたことを特徴としている。本実施の形態による液晶表示装置の基本構成について以下説明する。
【００１８】
本実施の形態の液晶表示装置は、図１に示すように、ＴＦＴや画素電極等が画素領域毎に形成されたアレイ基板（表示装置用基板）１と、アレイ基板１に対向配置され、カラーフィルタ及び縦電界形成用の対向電極等が形成された対向基板２と、アレイ基板１及び対向基板２の間に封入された液晶層（図示せず）と、を含んで構成される。ここにおいて、画素電極（不図示）が水平方向及び垂直方向に配列されている領域が表示領域３である。
【００１９】
アレイ基板１は、図１に示すように、表示領域３に形成される各画素電極に所定のタイミングで走査信号を供給するためのゲートバスライン（第１のバスライン）１０と、各画素電極の電位変動を抑制して表示品質を向上させるための蓄積容量素子に接続され、各ゲートバスライン１０と平行に交互に配設される複数の蓄積容量バスライン６０と、複数の蓄積容量バスライン６０の各他端側に各々接続され、両側駆動を行うために基板の一端側に形成される一方の蓄積容量共通電極部（Ｃｓ共通電極）７０と、複数の蓄積容量バスライン６０の各一端側に各々接続され、基板の他端側に形成される他方の蓄積容量共通電極部８０と、複数のゲートバスライン１０及び複数の蓄積容量バスライン６０と略直交して形成され、所定のタイミングで階調信号を供給するためのドレインバスライン（第２のバスライン）（図１では不図示）と、を含んで構成される。
【００２０】
なお、ゲートバスライン１０は、本発明にいう「第１の配線部」に該当し、一方の蓄積容量共通電極部７０は、本発明にいう「第２の配線部」に該当するが、これに限らず、本発明にいう「第１の配線部」としては、ゲートバスライン１０、ドレインバスライン（図１では不図示）を含めることもできるし、本発明にいう「第２の配線部」としては、蓄積容量バスライン６０、蓄積容量共通電極部７０、８０を含めることもできる。
【００２１】
アレイ基板１は、対向基板２よりも大きく形成されており、対向基板２より突出する２辺の突出領域に駆動回路の配置領域が形成される。突出領域のうち一方の端部１ａには、複数のゲートバスライン１０を束ねるゲートＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）端子（外部接続端子）４が複数形成され、他方の端部１ｂには、複数のドレインバスラインを束ねるドレインＴＡＢ端子（外部接続端子）５が複数形成されている。
【００２２】
さらに、アレイ基板１の両端部側に位置するドレインＴＡＢ端子５には、ドレインバスラインの他に、一方及び他方の蓄積容量共通電極部７０、８０より延在形成される接続線６ａ、６ｂが接続されている。
【００２３】
複数本のゲートバスライン１０の一部は、ゲートバスライン１０より屈曲されて傾斜した状態で引き出される引き出し部を形成してゲートＴＡＢ端子４に接続される。
【００２４】
蓄積容量共通電極部７０、８０が両端に形成されているのは、蓄積容量バスライン６０の両側から電圧を供給することで、蓄積容量バスライン６０の配線長が長い場合や配線数が多い場合に対応できるようにするためである。
【００２５】
ゲートバスライン１０と一方の蓄積容量共通電極部７０とは、絶縁膜を介して重なり合うこととなるが、蓄積容量共通電極部７０は、この重なり合う領域に開口部を設けた構成としている。以下、具体的に説明する。
【００２６】
（本実施の形態のアレイ基板１の詳細構成）
ここで、本実施の形態の特徴、すなわち、アレイ基板１の蓄積容量共通電極部７０の具体的構成について図２を用いて説明する。図２は、本実施の形態によるアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素電極が形成されるアレイ基板１の構成を示し、基板面に向かって見た複数の画像領域を示す図であり、図１中に破線の円Ａで囲んだ部分を拡大して示す図である。なお、図２では、図１に示した外部接続端子等の図示を省略している。
【００２７】
アレイ基板１上には、図２に示すように、互いに並列して図の左右方向に延びる複数のゲートバスライン１０（図２では２本示している）と、複数のゲートバスライン１０と略直交するように互いに並列して上下方向に延びる複数のドレインバスライン２０（図２では２本示している）とが形成されている。
【００２８】
また、アレイ基板１上には、複数のゲートバスライン１０及び複数のドレインバスライン２０と交差する各交差部に各々配設された画素電極３０及びＴＦＴ（駆動素子）４０と、各画素電極３０に対応して配設された蓄積容量素子５０とが形成されている。
【００２９】
蓄積容量素子５０は、画素電極３０の中央位置にてコンタクトホールで画素電極３０と接続された蓄積容量電極（中間電極）と、蓄積容量電極の下層に形成された絶縁膜と、絶縁膜の下層に形成された蓄積容量バスライン６０の蓄積容量電極と対向する部分領域である蓄積容量対向電極部と、を含む。蓄積容量素子５０は、蓄積容量電極を一方の電極とし、蓄積容量バスライン６０の蓄積容量対向電極部を他方の電極として蓄積容量を形成している。
【００３０】
アレイ基板１では、ＴＦＴ４０がオン状態になると所定の電位が画素電極３０毎に書き込まれ、液晶層に印加される電圧が画素領域毎に制御される。この液晶層に印加される電圧は、ＴＦＴ４０がオフ状態になっても次フレームまで維持される必要がある。ところが、ＴＦＴ４０に生じる寄生容量や画素電極３０と共通電極との間に生じるリーク電流等により、画素電極３０の電位は１フレーム期間内で変動してしまう。このため、蓄積容量素子５０により画素電極３０の電位の変動を抑制して、液晶層に印加される電圧が１フレーム期間維持されるようにしている。
【００３１】
複数のゲートバスライン１０のうちの一部は、表示領域（ａ）からゲートＴＡＢ端子４（図２では不図示）に向けて傾斜するように屈曲形成される屈曲部１１を有している。屈曲部１１は、蓄積容量共通電極部７０の幅領域（ｂ）に亘って形成されている。蓄積容量共通電極部７０の配設位置より外方領域（ｃ）には、ゲートＴＡＢ端子４が形成されてい
る。なお、ゲートバスライン２０の形成位置に応じて、ゲートＴＡＢ端子４に接続するために屈曲部１１を形成する必要のないゲートバスライン２０も存在する。
【００３２】
蓄積容量バスライン６０は、接続電極６１及び接続部６２ａ、６２ｂを介して蓄積容量共通電極部７０に電気的に接続されている。
【００３３】
蓄積容量共通電極部７０は、表示領域（ａ）の外側位置にて、各ゲートバスライン１０上に絶縁膜（不図示）を介して積層され、各ゲートバスライン１０と重なり合う領域に、開口部７２を形成している。
【００３４】
開口部７２は、ゲートバスライン１０の屈曲部１１に沿って開口している。開口部７２の長さは、Ｌ１であり、蓄積容量共通電極部７０の幅方向一端より開口部７２の一端までの長さはＬ２であり、蓄積容量共通電極部７０の幅方向他端より開口部７２の他端までの長さはＬ３である。
【００３５】
これにより、１本のゲートバスライン１０に関し、長さＬ２、Ｌ３を構成する２つの各重畳部７４が形成される。重畳部７４は、蓄積容量共通電極部７０と、蓄積容量共通電極部７０の下層に形成される絶縁膜と、絶縁膜の下層に形成されるゲートバスライン１０とを含む。
【００３６】
従来は蓄積容量共通電極部７０に開口部が形成されていないために、層間短絡が生じてレーザカットなどにより修復を行うと、蓄積容量共通電極部７０の導通が遮断されてしまう。これに対し、本実施の形態の蓄積容量共通電極部７０では、開口部７２を構成したことにより、１本のゲートバスライン１０につき少なくとも２つの重畳部７４を備えた冗長構成を形成できる。このため、２つの重畳部７４のうちいずれか一方の重畳部７４に短絡箇所Ｓが生じたとしても、他方の重畳部７４により蓄積容量共通電極部７０の導通経路を確保することができる。これにより、製造の歩留まりが向上する。
【００３７】
また、蓄積容量共通電極部７０が延在形成される方向の開口部７２の長さｄは、ゲートバスライン１０の幅よりやや大きく形成する。ゲートバスライン１０と重なり合う領域以外は、層間短絡が生じ得ないので開口を設ける必要はない。こうすると、開口部７２の開口面積をできるだけ小さくすることができ、蓄積容量共通電極部７０を梯子構造として、蓄積容量共通電極部７０の抵抗が不必要に高くなることを最小限に止めることができる。このため、蓄積容量共通電極部７０は、梯子構造により殆ど抵抗が変化しないように形成できる。
【００３８】
一方、開口部７４の長さＬ１は、できるだけ長く形成し、各重畳部７４の長さＬ２、Ｌ３は、できるだけ短く構成することが好ましい。すなわち、ゲートバスライン１０と蓄積容量共通電極部７０間の重畳面積が減少することで、ゲートバスライン１０に関する容量成分も小さくできるため、ゲートパルスの波形鈍りを抑制できるという付加効果も生まれるからである。特に、蓄積容量共通電極部７０は、例えばＸＧＡ（１０２４×７６８）以上の解像度になると５００乃至１５００μｍの太い配線幅を必要とするが、このような配線幅を要する場合にも、開口部７２を形成することでゲートバスライン１０の容量成分の一部となる蓄積容量共通電極部７０との重なり領域での容量を減少させて、ゲートパルスの波形鈍りを小さくできる。また、重畳部７４の長さＬ２、Ｌ３が短ければ重畳部７４に形成される短絡箇所Ｓをレーザカット等で切断しやすくなるので、修復が容易となる。
【００３９】
なお、ＴＦＴ４０のゲート電極、ゲートバスライン１０及び蓄積容量バスライン６０は同一の導電層（第１の導電層）に形成され、ＴＦＴ４０のソース電極及びドレイン電極、ドレインバスライン６０、蓄積容量共通電極部７０は、同一の導電層（第２の導電層）に
形成され、画素電極３０及び接続電極６１は同一の導電層（第３の導電層）に形成される。そして、各導電層間には絶縁膜が形成されており、導電層間の短絡を防止している。
【００４０】
（短絡箇所の修復方法について）
本実施の形態の液晶表示装置は、上記のような構成からなり、以下のように作用する。先ず、アレイ基板１の製造工程中に発生する静電気Ｅ１が、表示領域外のゲートＴＡＢ端子４側から蓄積容量共通電極部７０の配設位置に向けてゲートバスライン１０を通じて侵入したとする。
【００４１】
静電気Ｅ１が侵入すると、例えば図２左側の重畳部７４の短絡箇所Ｓで層間短絡が発生する。そして、短絡箇所Ｓの修復を行うために、例えばパターン認識等による検査により短絡箇所を特定する。
【００４２】
次いで、蓄積容量共通電極部７０において、短絡箇所Ｓの両端側の切断位置Ｃ１、Ｃ２にレーザ光を照射しレーザカットにより切断する。この際に、切断される重畳部７４の長さＬ２が短いので、容易に切断することができる。このようにして、重畳部７４の蓄積容量共通電極部７０を切断することで、短絡箇所Ｓでは、蓄積容量共通電極部７０とゲートバスライン１０とを電気的に分離することができる。
【００４３】
これにより、層間短絡の修復を行うことができ、アレイ基板１は欠陥となることはない。このようにして、欠陥修復が完了する。なお、修復を行う際には、ゲートバスライン１０側の修復は必要としない。
【００４４】
また、２つの各重畳部７４による冗長構成により、ゲートＴＡＢ端子４側に形成される一方の重畳部７４に短絡箇所Ｓが発生しても、他方の重畳部７４においては蓄積容量共通電極７０の導通経路を確保することができる。
【００４５】
以上のように本実施の形態によれば、蓄積容量共通電極部７０に２つの重畳部７４の冗長構成を形成できる。このため、製造工程中などに発生した静電気による層間短絡不良が、２つの各重畳部７４のうちいずれか一方の重畳部７４に生じたとしても、他方の重畳部７４により蓄積容量共通電極部７０の導通経路を確保しつつ修復を行うことができ、製造の歩留まりが向上する。
【００４６】
また、開口部７２により蓄積容量共通電極部７０を梯子構造として、開口部７２の開口面積をできるだけ小さくすることにより、蓄積容量共通電極部７０は、従来と殆ど抵抗が変化しないように形成できる。
【００４７】
さらに、重畳部７４の面積が減少することで、ゲートバスライン１０を流れるゲートパルスの波形鈍りも小さくできる。特に、太い配線幅を必要とする場合にも、開口部７２を形成することで波形鈍りを小さくできる。また、重畳部７４に形成される短絡箇所Ｓを、レーザカット等で切断しやすい。
【００４８】
さらにまた、開口部７２には短絡箇所が生じ得ないことから、交差する領域のうち開口部以外の重畳部に短絡箇所を制限できる。このため、１つのバスライン当たりの短絡規模（短絡箇所の領域面積）を最小とすることができる。
【００４９】
また、狭額縁化の要求により駆動回路の配置領域である突出領域を小さく構成する場合には、ゲートバスライン１０の屈曲部１１の傾斜角度が急になる配線を有する部分が生じる。こうなると、蓄積容量共通電極部７０とゲートバスライン１０との重なり合う領域が増えてしまうが、本実施の形態では、開口部７２を形成することにより重なり合う領域を
減少させてゲートパルスの波形鈍りを抑制できる。
【００５０】
加えて、本実施の形態においては、従来のアレイ基板と比べて蓄積容量共通電極部の形状が異なるだけであるので、製造工程数を増加させることなく実施することができる。
【００５１】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第２の実施の形態について、図３に基づいて説明する。なお、以下には、第１の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図３は、本発明の第２の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【００５２】
上述の第１の実施の形態では、１本のゲートバスライン１０につき蓄積容量共通電極部７０の開口部７２を１個配設する構成としたが、本実施の形態では、１本のゲートバスライン１１０につき複数例えば２個の開口部１７２、１７４を設けて、重畳部１７６を３個もたせて冗長性をさらに高めた構成としている。
【００５３】
具体的には、図３に示すように、液晶表示装置に含まれるアレイ基板１００は、第１の実施の形態と同様に、ゲートバスライン１１０、ドレインバスライン１２０、画素電極１３０、薄膜トランジスタ１４０、蓄積容量バスライン１６０、及び蓄積容量共通電極部１７０を含む構成である。
【００５４】
蓄積容量共通電極部１７０は、１本のゲートバスライン１１０の屈曲部１１１に沿って２つの開口部１７２、１７４と、３つの重畳部１７６とを有している。ここにおいて、開口部１７２の開口幅Ｌ３と、開口部１７４の開口幅Ｌ６とは、ほぼ等しく形成している。また、重畳部１７６の幅Ｌ４と幅Ｌ７とをほぼ等しく形成し、重畳部１７６の幅Ｌ５は、幅Ｌ４及び幅Ｌ７よりも長く形成している。
【００５５】
なお、２つの開口部１７２、１７４の全体の開口面積は、第１の実施形態の１つの開口部７２（図２）の開口面積よりも小さく形成することとなる。すなわち、図３の幅Ｌ３と幅Ｌ６とを加えた幅が、図２の幅Ｌ２の幅よりも小さく形成される。
【００５６】
上記のような構成からなるアレイ基板１００において、矢印Ｅ１方向から静電気が侵入した場合には、以下のように作用する。すなわち、短絡箇所Ｓにて層間短絡が生じた場合には、レーザを用いて短絡箇所Ｓの周縁を切断することとなる。
【００５７】
ここで、開口部１７２及び開口部１７４を構成したことにより、３つの電流経路のうち、１つの電流経路がレーザカットにより切断されたとしても、残りの２つの各電流経路が確保される。
【００５８】
さらに、層間短絡は、ゲートバスライン１１０に沿って侵入方向Ｅ１から順に短絡が形成されることも考えられる。すなわち、幅Ｌ４の重畳部１７６と幅Ｌ５の重畳部１７６とで各々短絡が生じる場合も有り得る。この場合、幅Ｌ７の重畳部１７６により電流経路を確保できるので、幅Ｌ４の重畳部１７６と幅Ｌ５の重畳部１７６をそれぞれレーザカット等により切断修復を行ったとしても、蓄積容量共通電極部１７０をそのまま利用することができる。
【００５９】
以上のように本実施の形態によれば、開口部１７２、１７４を２つ設けて、蓄積容量共通電極部１７０とゲートバスライン１１０との重なり合う重畳部１７６が３つ形成されるので、３つの電流経路のうち、１つ或いは２つの電流経路がレーザカットにより切断されたとしても、他の電流経路を確保できる。
【００６０】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第３の実施の形態について、図４を参照しつつ説明する。図４は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１及び第２の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００６１】
上述の第１及び第２の実施の形態では、１本のゲートバスライン１０が延びる方向に沿って開口部７２を形成する構成としたが、本実施の形態では、蓄積容量共通電極部２７０が延びる方向に沿って開口部２７２を形成する構成としている。
【００６２】
具体的には、本実施の形態のアレイ基板２００は、図４に示すように、第１の実施の形態と同様に、屈曲部２１１を含むゲートバスライン２１０、ドレインバスライン２２０、画素電極２３０、薄膜トランジスタ２４０、蓄積容量バスライン２６０、及び蓄積容量共通電極部２７０を含む構成としている。
【００６３】
蓄積容量共通電極部２７０の縦長の開口部２７２は、蓄積容量共通電極部２７０が延びる方向が長く開口している。開口部２７２は、複数例えば４個形成され、ゲートバスライン２１０の延びる方向に沿って配列されている。この結果、重畳部２７４が５個形成されている。
【００６４】
このような開口部２７２の構成によれば、以下に示すような作用効果を有する。すなわち、第１及び第２の実施の形態では、ゲートバスラインの１０の配線パターンに応じて各々開口部７２を形成する必要があった。これに対し、本実施の形態においては、蓄積容量共通電極部２７０の開口部２７２を、蓄積容量共通電極部２７０の延びる配線方向に長く開口するように形成することにより、ゲートバスライン２１０の配線パターンに設計変更があった場合でも、蓄積容量共通電極部２７２の設計をし直す必要はない。
【００６５】
例えば、互いに平行に配列される各ゲートバスライン２１０の間隔は、表示領域内でのピッチと、表示領域から引き出しされた外部接続端子側での配設ピッチとが異なるために、おのずと屈曲部２１１を形成せざるを得ない箇所も存在し得る。この際、各屈曲部の傾きが各ゲートバスライン２１０毎に各々異なる。このため、第１及び第２の実施の形態のような場合では、ゲートバスライン１０の屈曲部１１の傾斜角度などゲートバスライン１０の配線パターンに合わせて、各開口部７２の配置位置並びに形状も各々異ならせる必要があったが、本実施の形態のように、縦長に形成することで、蓄積容量共通電極部２７２の開口部２７２をデザイン上簡単に構成でき、レイアウトを設計する場合の負担が低減できる。
【００６６】
特に、突出領域が狭い液晶表示パネルにあっては、突出領域が広い液晶表示パネルよりも、ゲートバスライン２１０の傾斜角度が非常に急になる部分も生じる。そのような場合には、ゲートバスライン２１０のレイアウトに依存せずに、縦長の開口部２７２を一様に形成できるので、開口部２７２を含む蓄積容量共通電極部２７２の製造が容易となる。また、層間短絡が生じた際の修復も容易となる。
【００６７】
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第４の実施の形態について、図５を参照しつつ説明する。図５は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、前記第１の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００６８】
本実施の形態では、蓄積容量共通電極部３７０の配線方向に沿って絶縁膜を介して重なり合うようにバイパス配線３８０を同方向に沿って配設した構成としている。具体的には、本実施の形態のアレイ基板３００は、図５に示すように、ゲートバスライン３１０、ドレインバスライン３２０、画素電極３３０、薄膜トランジスタ３４０、蓄積容量バスライン３６０、蓄積容量共通電極部３７０、及びバイパス配線３８０を含む構成としている。なお、バイパス配線３８０は、本発明にいう「第３の配線部」に該当する。
【００６９】
蓄積容量共通電極部３７０は、ゲートバスライン３１０に沿った方向に開口する開口部３７２を構成している。この結果、重畳部３７４が２個形成される。
【００７０】
バイパス配線３８０は、複数の開口部３７２を跨ぐようにして蓄積容量共通電極部３７０の配線方向に沿って形成され、蓄積容量共通電極部３７０の上に絶縁膜を介して積層される。
【００７１】
接続部３８２、３８４は、バイパス配線３８０と蓄積容量共通電極部３７０とを電気的に接続し、蓄積容量共通電極部３８０の修復工程にて、レーザ光の照射により溶融して形成される。図５においては、接続部３８２、３８４は、１つの開口部３７２に対して例えば４個形成されている。これにより、バイパス配線３８０を蓄積容量共通電極部３７０と同じ機能をもたせることができる。
【００７２】
上記のようなアレイ基板３００の構成では、以下のように作用する。すなわち、外部からの静電気はゲートバスライン３１０から侵入するとは限らず、蓄積容量共通電極部３７０が配線される方向の一端であるドレインＴＡＢ端子側（図５中上方）から矢印Ｅ２のような方向から静電気が流入することが考えられる。
【００７３】
この場合、層間短絡は複数箇所に及ぶ場合があり、短絡箇所Ｓ１、Ｓ２が各重畳部３７４で各々発生する。そして、レーザカット等により短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の双方を切断すると共に、バイパス配線３８０に対してレーザ光を照射することで、接続部３８２、３８４を形成する。
【００７４】
これにより、レーザカット等により短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の双方が切断されたとしても、バイパス配線３８０と接続部３８２、３８４により導通経路を確保することができ、蓄積容量共通電極部３７０の修復を行うことができる。
【００７５】
しかも、接続部３８２、３８４は、短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の修復工程にて切断時に利用するレーザ光照射位置を用いることで容易に形成できる。また、短絡した位置に応じて接続部３８２、３８４の形成位置を自由に決めることができる。
【００７６】
なお、バイパス配線３８０は、画素電極等で使用される透明電極(ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ)層を蓄積容量共通電極部３７０上の絶縁膜の上にパターニング
して形成するのが好ましい。
【００７７】
すなわち、表示領域外では、絶縁性基板上にゲートバスライン３１０（第１層）、絶縁膜（第２層）、蓄積容量共通電極部３７０（第３層）、第２絶縁膜（第４層）、バイパス配線３８０（第５層）がこの順で積層される。また、表示領域内（画素領域）の一部では、絶縁性基板上に蓄積容量バスライン３６０（第１層）、絶縁膜（第２層）、蓄積容量電極（第３層）、第２絶縁膜（第４層）、画素電極３３０（第５層）がこの順で積層される。
【００７８】
このため、第５層のバイパス配線３８０は、画素電極３３０と同層に同一材料で同時に
形成することが可能となる。これにより、特別に他の材料を用いて形成する必要がなく、透明電極層と同じ材料を用いることが可能であり、新たにプロセスを追加する必要はない。
【００７９】
また、蓄積容量共通電極部３７０に開口部３７２を形成したとしても、バイパス配線３８０を構成したことにより、バイパス配線３８０と蓄積容量共通電極部３７０との各面積の総和によって低抵抗化を図ることができる。
【００８０】
〔第５の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第５の実施の形態について、図６を参照して説明する。図６は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１乃至第４の各実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００８１】
上述の第４の実施の形態では、バイパス配線３８０を蓄積容量共通電極部３７０上に１つ配設する構成としたが、本実施の形態では、複数のバイパス配線４８０を蓄積容量共通電極部４７０上に配設する構成としている。具体的には、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板４００は、図６に示すように、ゲートバスライン４１０、ドレインバスライン４２０、画素電極４３０、薄膜トランジスタ４４０、蓄積容量バスライン４６０、蓄積容量共通電極部４７０、及び複数のバイパス配線４８０（図６では３本）を含む構成としている。
【００８２】
蓄積容量共通電極部４７０は、ゲートバスライン４１０に沿って開口部４７２を有している。複数のバイパス配線４８０の各々は、複数の開口部４７２を跨いで覆うようにして蓄積容量共通電極部４７０の配線方向に沿って形成され、蓄積容量共通電極部４７０上に絶縁膜を介して積層される。
【００８３】
なお、中央のバイパス配線４８０には、蓄積容量共通電極部３７０と電気的に接続される接続部４８２、４８４を構成している。接続部４８２、４８４は、蓄積容量共通電極部３７０の修復工程にて、レーザ光を照射することにより溶融して形成されるものである。
図６では、接続部４８２、４８４は、中央のバイパス配線４８０に２個形成されている。
【００８４】
上述のような構成を有するアレイ基板４００において、以下のように作用する。すなわち、静電気の流入は、外部の蓄積容量ＴＡＢ端子側（図６中上方）から矢印Ｅ２のように、蓄積容量共通電極部４７０が配線される方向からも生じる。
【００８５】
流入方向Ｅ２からの静電気によって層間短絡が短絡箇所Ｓ１及びＳ２にて生じた場合には、レーザカットにより当該箇所を切断しても、バイパス配線４８０により、接続部４８２、４８４を介して導通経路を確保することができる。
【００８６】
ところで、ゲートバスライン４１０からの静電気の流入による層間短絡も短絡箇所Ｓ１、Ｓ２のみならず、蓄積容量共通電極部４７０が開口部４７２を形成していることにより、ゲートバスライン４１０とバイパス配線４８０との層間短絡も考えられる。このような場合でも、複数のバイパス配線４８０を構成しておくことにより、蓄積容量共通電極部４７０の修復を容易に行うことができる。
【００８７】
以上のように本実施の形態によれば、バイパス配線４８０を複数形成することにより、各方向からの静電気流入により蓄積容量共通電極部４７０の各重畳部が全て短絡したとしても、複数のバイパス配線４８０のうちいずれかを利用することができるようになってい
る。これにより、蓄積容量共通電極部４７０の導通を確保でき、短絡箇所の修復とバイパス配線４８０の接続をレーザ光を利用するだけでパネル全体の修復が可能となる。
【００８８】
〔第６の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第６の実施の形態について、図７を参照しつつ説明する。図７は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１乃至第５の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００８９】
上述の第５の実施の形態では、蓄積容量共通電極部４７０と複数のバイパス配線４８０との電気的接続手段として、レーザ接続による構成としたが、本実施の形態では、コンタクトホール部を予め形成しておく構成としている。具体的には、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板５００は、図７に示すように、ゲートバスライン５１０、ドレインバスライン５２０、画素電極５３０、薄膜トランジスタ５４０、蓄積容量バスライン５６０、蓄積容量共通電極部５７０、及び、複数のバイパス配線５８０（図では３本の例を示している）を含む構成としている。
【００９０】
蓄積容量共通電極部５７０は、ゲートバスライン５１０に沿って開口部５７２ａ、５７２ｂを有している。
【００９１】
各バイパス配線５８０は、複数例えば３つ形成されており、各々、複数の開口部５７２ａ、５７２ｂを跨ぐようにして蓄積容量共通電極部５７０の配線方向に沿って形成され、蓄積容量共通電極部５７０上に第２絶縁膜を介して積層される。
【００９２】
各バイパス配線５８０は、蓄積容量共通電極部５７０と接続部５８２、５８４、５８５、５８６を介して電気的に接続される構成としている。１つのバイパス配線５８０について説明すると、１つの開口部５７２ａに対して図中上方の接続部５８２と図中下方の接続部５８２を構成して導通経路を確保し、他の１つの開口部５７２ｂに対しても図中上方の接続部５８６と図中下方の接続部５８８を構成している。そして、１つの開口部５７２ａに対して、３つのバイパス配線５８０が並んで設けられている。
【００９３】
接続部５８２、５８４、５８５、５８６は、不図示の絶縁膜を開口して形成されたコンタクトホール部を介して、バイパス配線５８０と蓄積容量共通電極部５７０とを電気的に接続している。
【００９４】
本実施の形態においては、１本のゲートバスライン５１０について、複数のバイパス配線部５８０と蓄積容量共通電極部５７０とを予め接続部５８２、５８４、５８５、５８６により接続した構成としている。
【００９５】
このために、各方向からの静電気流入により短絡箇所Ｓ１、Ｓ２に加えて、１本のバイパス配線５８０とゲートバスライン５１０とで短絡が生じたとしても、他のバイパス配線５８０を利用することができるので、他のバイパス配線５８０を通じて蓄積容量共通電極部５７０の導通を確保することができ、パネル全体の修復が可能となる。
【００９６】
また、蓄積容量共通電極部５７０は、バイパス配線５８０の面積を含めることができるので、低抵抗化を図ることができる。
【００９７】
さらに、ゲートバスライン５１０と蓄積容量共通電極部５７０との間の層厚と、ゲートバスライン５１０とバイパス配線５８０との間の層厚が異なることから、バイパス配線５８０には静電気による影響を少なくでき、バイパス配線５８０とゲートバスライン５１０
との層間短絡は生じにくいので好ましい。なお、バイパス配線５８０と蓄積容量共通電極部５７０との間の層間膜厚を厚くする構成としてもよい。
【００９８】
〔第７の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第７の実施の形態について、図８を参照しつつ説明する。図８は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１乃至第６の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００９９】
上述の第１乃至第６の実施の形態では、ゲートバスライン１０と蓄積容量共通電極部７０との層間短絡による修復を容易にする構成としたが、本実施の形態においては、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）保護部用の配線を束ねる静電気保護用共通電極部６７０とゲートバスライン６１０との間で短絡が形成される場合を示している。
【０１００】
図８は、静電気保護用共通電極部６７０が形成された静電気保護部６２０の構造例を示している。具体的には、アレイ基板６００は、図８に示すように、ゲートバスライン６１０と、ゲートバスライン６１０に接続され、静電気によるＴＦＴの破壊を防止するための静電気保護部６２０と、静電気保護部６２０より延在形成される静電気保護用バスライン６６０とを有する。
【０１０１】
さらに、アレイ基板６００は、複数の静電気保護用バスライン６６０を束ねる静電気保護用共通電極部６７０を有する。静電気保護用共通電極部６７０は、表示領域とゲートＴＡＢ端子（不図示）との間にて、ゲートバスライン６１０と交差する方向（図中上下方向）に延在形成される。
【０１０２】
なお、ゲートバスライン６１０は、本発明にいう「第１の配線部」に該当し、静電気保護用共通電極部６７０は、本発明にいう「第２の配線部」に該当するが、これに限らず、本発明にいう「第１の配線部」としては、ゲートバスライン１０、ドレインバスライン（図１では不図示）を含めることもできるし、本発明にいう「第２の配線部」としては、静電気保護用バスライン６６０、静電気保護用共通電極部６７０を含めることもでき、加えて第１の実施の形態の蓄積容量バスライン６０、蓄積容量共通電極部７０、８０を含めることもできる。
【０１０３】
静電気保護部６２０は、静電気保護回路であり、例えば、ゲートバスライン６１０に接続された第１のスイッチング素子である第１のＴＦＴ６２２と、同じくゲートバスライン６１０に接続された第２のスイッチング素子である第２のＴＦＴ６２４と、第１のＴＦＴ６２２及び第２のＴＦＴ６２４と静電気保護用バスライン６６０に接続される第３のＴＦＴ６２６とから構成される。
【０１０４】
第１乃至第３の各ＴＦＴ６２２、６２４、６２６の各ゲート電極Ｇは、ゲートバスライン６１０及び画素領域のＴＦＴのゲート電極を形成する際に、ガラス基板上に同時に形成される。第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６のゲート電極Ｇは、他の配線構造から電気的に孤立して形成されている。
【０１０５】
第１乃至第３のＴＦＴ６２２、６２４、６２６のソース電極Ｓ／ドレイン電極Ｄは、静電気保護用バスライン６６０及び静電気保護用共通電極部６７０の形成と同時に同一の形成材料で形成される。第１のＴＦＴ６２２のソース電極Ｓと第２のＴＦＴ６２４のソース電極Ｓは、それぞれコンタクトホール部６３０、６３２を介してゲートバスライン６１０に接続されている。第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６間のソース電極Ｓ／ドレイン電
極Ｄは、導電体として機能すると共に、第２のＴＦＴ６２４のゲート電極Ｇとの間で容量を形成している。第２のＴＦＴ６２４のドレイン電極Ｄと第３のＴＦＴ６２６のドレイン電極Ｄは、静電気保護用バスライン６６０を介して静電気保護用共通電極部６７０に接続されている。
【０１０６】
また、本例においては、第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６のチャネル長を、第２のＴＦＴ６２４のチャネル長より短く形成している。こうすることにより、非常に鋭いパルス電圧で静電気がゲートバスライン６１０に発生した場合には、第２のＴＦＴ６２４が破壊される前に第１又は第３のＴＦＴ６２２、６２６が先に破壊されて第２のＴＦＴ６２４を保護することができる。このため、第１又は第３のＴＦＴ６２２、６２６のいずれかが破壊されたとしてもゲートバスライン６１０と静電気保護用共通電極部６７０とが直接短絡することがないので、ＴＦＴ試験も含め、その後の工程に支障が生じることはない。
【０１０７】
また、第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６のチャネル幅を等しくし、且つ第２のＴＦＴ６２４のチャネル幅と同程度の長さにしている。従って、第２のＴＦＴ６２４の導電率と、第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６を直列にみたときの導電率がほぼ同一となり、静電気保護における電流の分担を第２のＴＦＴ６２４と第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６とで分けることができる。
【０１０８】
静電気保護用共通電極部６７０は、ゲートバスライン６１０の上に絶縁膜（不図示）を介して積層される。また、静電気保護用共通電極部６７０は、図８に示すように、ゲートバスライン６１０と重なり合う領域にて、ゲートバスライン６１０の屈曲部６１１に沿って形成される開口部６７２を有している。
【０１０９】
開口部６７２は、各ゲートバスライン６１０について各々１個ずつ形成され、開口部６７２の両縁には各重畳部６７４が形成されている。
【０１１０】
上記のような構成の液晶表示装置のアレイ基板６００において、ゲートバスライン６１０の外部側から静電気Ｅ１が流入すると、静電気保護用共通電極部６７０とゲートバスライン６１０との間で層間短絡が短絡箇所Ｓにおいて発生する。
【０１１１】
そして、静電気保護用共通電極部６７０において、短絡箇所Ｓの両端側である切断位置Ｃ１、Ｃ２をレーザカットすることで層間短絡の修復を行うことができる。これにより、一方の重畳部６７４が切断されても、他方の重畳部６７４により導通経路を確保することができる。このため、静電気保護用共通電極部６７０の修復を容易に行うことができる。この際、ゲートバスライン６１０側の修復を必要としない。
【０１１２】
このように、前記各実施の形態の各共通配線部の他に、ゲートバスライン６１０の静電気を防止する静電気保護部（静電気保護回路ないしは静電気保護素子）６２０に接続される静電気保護用バスライン６６０を束ねる静電気保護用共通電極部６７０にも、ゲートバスライン６１０に対し重なり合う領域に開口部６７２を形成する構成を採用するこことができ、修復を容易としている。
【０１１３】
なお、本実施の形態においては、ゲートバスライン６１０に静電気保護部６２０を形成する構成としたが、ドレインバスライン（不図示）に静電気保護部６２０を配設する構成としてもよい。さらに、ゲートバスライン６１０及びドレインバスラインの各々に静電気保護部６２０を配設する構成としてもよいことは言うまでもない。そして、静電気保護用共通電極部６７０をレインバスライン側の共通線として構成する場合であっても静電気保護用共通電極部６７０に開口部を設けてもよい。
【０１１４】
また、上記に示す静電気保護回路の構造は、画素領域にチャネルエッチング型ＴＦＴが形成される液晶表示装置に適用されるが、これに限定されるものではなく、エッチングストッパ型ＴＦＴを備えた液晶表示装置に本実施の形態による静電気保護回路を適用してもよい。加えて、第１のＴＦＴ６２２、第３のＴＦＴ６２６に代えて第１、第２の抵抗体を構成してもよい。
【０１１５】
また、静電気保護部６２０の構成としては、本実施の形態に開示した静電気保護回路に限らず、静電気保護素子であってもよい。この際、電気的には各バスラインを互いに高抵抗素子で接続することで、一本のバスラインに流れる電流を拡散させる役目をもつ共通配線部が配置される。この共通配線はゲートまたはドレインバスラインに対し重なり合う配線となるため、第１、第２の実施の形態と同様に重畳部の一方を一部除去することで電極の修復が可能となる。
【０１１６】
さらに、各バスラインにそれぞれ１組の静電気保護部６２０を形成し、かつ、静電気保護部６２０に形成された素子をできるだけ共有化して、全体の素子数を少なくして形成してもよい。こうすることにより、構成素子の不良発生率や素子の占有する面積等を少なくして、構成素子数を低減できる。
【０１１７】
〔第８の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第８の実施の形態について、図９を参照しつつ説明する。図９は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【０１１８】
上述の第１乃至第６の実施の形態においては、ゲートバスライン１０と蓄積容量共通電極部７０との層間短絡による修復を容易にする構成としたが、本実施の形態においては、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式（横電界方式）の液晶表示装置において、アレイ基板７００に形成される（画素電極、ＴＦＴの各ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、蓄積容量素子以外の）横電界形成用の対向電極（ＴＮ又はＶＡ方式における対向基板側の縦電界形成用の対向電極とは異なる）の各ラインを束ねた電極部に利用した構成としている。
【０１１９】
この横電界方式の液晶表示装置では、ＴＦＴや画素電極、横電界形成用の対向電極等が画素領域毎に形成されたアレイ基板７００（表示装置用基板）と、アレイ基板７００に対向配置された対向基板（図示せず）と、これらのアレイ基板７００及び対向基板の間に封入された液晶層（図示せず）と、を含んで構成される。ここにおいて、画素電極７３０及び横電界形成用の対向電極７５０が対向して互いに櫛歯状に配列されている領域が表示領域である。
【０１２０】
図９は、横電界方式の液晶表示装置のアレイ基板を液晶層側から見た基板平面を示している。なお、同図では、ゲートバスラインの外部接続端子領域については途中の図示を省略し、表示領域近傍のみを示している。
【０１２１】
具体的には、アレイ基板７００は、横電界方式の液晶表示装置に用いられるものであり、図９に示すように、互いに各々直交する複数のゲートバスライン７１０（第１のバスライン）及び複数のドレインバスライン７２０（第２のバスライン）と、複数のゲートバスライン７１０と複数のドレインバスライン７２０との各交差部に各々配置された各ＴＦＴ７４０のソース電極及び各画素電極７３０とを有する。
【０１２２】
さらに、アレイ基板７００は、各画素電極７３０に対応して各々配置され画素電極７３
０との間で横電界を形成する各横電界形成用対向電極７５０と、各横電界形成用対向電極７５０に各々接続されるとともに、各ゲートバスライン７２０の間に各々形成された複数の対向電極用バスライン（第３のバスライン）７６０と、複数の対向電極用バスライン７６０を束ねる束ね部として機能する対向電極用共通電極部７７０と、を含む構成としている。
【０１２３】
なお、ゲートバスライン７１０は、本発明にいう「第１の配線部」に該当し、対向電極用共通電極部７７０は、本発明にいう「第２の配線部」に該当するが、これに限らず、本発明にいう「第１の配線部」としては、ゲートバスライン７１０、ドレインバスライン７２０を含めることもできるし、本発明にいう「第２の配線部」としては、前記各実施の形態の蓄積容量バスライン・蓄積容量共通電極部、静電気保護用バスライン、静電気保護用共通配線部を含めることもできる。
【０１２４】
ドレインバスライン７２０は、図９に示すように、図中上下方向に延在形成されており、階調信号が供給される。ゲートバスライン７１０は、ドレインバスライン７２０に直交して図中左右方向に延在形成されるものであり、走査信号が供給される。これらドレインバスライン７２０とゲートバスライン７１０とで画定される領域が画素領域である。
【０１２５】
なお、ドレインバスライン７２０の一端部には外部の素子と電気的な接続を行うための外部接続端子（図示せず）が設けられている。同様に、ゲートバスライン７１０の一端部には外部の素子と電気的な接続を行う外部接続端子が設けられている。
【０１２６】
ＴＦＴ７４０は、例えばチャネルエッチ型等に形成され、各ドレインバスライン７２０とゲートバスライン７１０との交差位置近傍に形成されている。ＴＦＴ７４０のドレイン電極は、ドレインバスライン７２０から引き出されて、その端部がゲートバスライン７１０上の動作半導体層（図示せず）上の一端辺側に位置するように形成されている。ＴＦＴ７４０のソース電極は、ドレイン電極に対向するように動作半導体層上の他端辺側に形成されている。このような構成において動作半導体層直下のゲートバスライン７１０領域が当該ＴＦＴ７４０のゲート電極として機能するようになっている。
【０１２７】
なお、図示は省略しているが、ゲートバスライン７１０上にはゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にはチャネルを構成する動作半導体層が形成されている。動作半導体層は、ゲートバスライン７１０上方でゲートバスライン７１０に沿って形成されており、隣接する他の画素領域のＴＦＴの動作半導体層と電気的に分離されている。図９に示すＴＦＴ構造は、ゲート電極がゲートバスライン７１０から引き出されて形成されておらず、直線形状に形成されたゲートバスライン７１０の一部をゲート電極として用いる構成になっている。
【０１２８】
画素電極７３０は、ＴＦＴ７４０のソース電極より画素領域内に直接引き回されて、図中上方から下方に延びる略櫛歯状の第１の凹凸部を形成している。
【０１２９】
横電界形成用対向電極７４０は、アレイ基板７００上の画素領域内に形成され、画素電極７３０の第１の凹凸部に噛み合うように対向して図中上下に延びる略櫛歯状の第２の凹凸部を形成している。
【０１３０】
ＩＰＳ方式では、液晶層に対し水平方向（横方向）に電界をかけるため、アレイ基板７００には、画素電極７３０、ＴＦＴ７４０のゲート電極・ドレイン電極・ソース電極と共にアレイ基板７００に設けられている。そして、画素電極７３０と横電界形成用対向電極７５０とで横電界を形成するようにしている。
【０１３１】
因みに、横電界形成用対向電極７５０は、ＩＰＳ方式における対向電極であり、前記第１ないし第７の各実施の形態では、縦電界方式（ＴＮ方式またはＶＡ方式）における対向基板側の対向電極（縦電界形成用対向電極）とは異なるものである。
【０１３２】
図９の一般的なＩＰＳ方式の画素構成では、横電界形成用対向電極７５０は、画素電極７３０に対し、適当な間隔を設けて平行に形成される。
【０１３３】
対向電極用バスライン７６０は、各横電界形成用対向電極７４０に各々接続され、各ゲートバスライン７１０と平行に配置される。また、対向電極用バスライン７６０は、表示領域外で束ねられて対向電極用共通電極部７７０を構成し、別途所定の電位を与えられる外部の電極部へと延伸される。このため、束ねられた対向電極用共通電極部７７０は、ゲートバスライン７１０の引き出し部と交差する。
【０１３４】
対向電極用共通電極部７７０は、各ゲートバスライン７１０の上に絶縁膜（不図示）を介して積層され、各ゲートバスライン７１０と重なり合う領域に、開口部７７２を形成している。開口部７７２は、ゲートバスライン７１０の屈曲部７１１に沿って開口している。従って、ゲートバスライン７１０と重なり合う重畳部７７４を形成している。
【０１３５】
上記のような構成の液晶表示装置のアレイ基板７００において、ゲートバスライン７１０のゲートＴＡＢ端子側から静電気Ｅ１が流入すると、対向電極用共通電極部７７０とゲートバスライン７１０との間で層間短絡が短絡箇所Ｓにおいて発生する。２つの各重畳部７７４のうち一方の重畳部７７４がゲートバスライン７１０と重なり合っているからである。
【０１３６】
そして、対向電極用共通電極部７７０において、短絡箇所Ｓの両端側である切断位置Ｃ１、Ｃ２をレーザカットすることで層間短絡の修復を行うことができる。これにより、一方の重畳部７７４が切断されても、他方の重畳部７７４により導通経路を確保することができる。このため、対向電極用共通電極部７７０の修復を容易に行うことができる。この際、ゲートバスライン７１０側のレーザカット等による修復を必要としない。
【０１３７】
以上のように本実施の形態によれば、開口部の構成は、各実施の形態の各共通電極の他に、ＩＰＳ方式のアレイ基板においても採用することができ、横電界形成用対向電極に接続された各バスラインを束ねる対向電極用共通配線部においても利用することができ、第１の実施の形態と同様の作用効果を奏しながらも、ＩＰＳ表示装置用基板においても、修復を容易としている。
【０１３８】
〔各種変形例〕
なお、本発明の表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置に関して、いくつかの特定の実施の形態に従って説明してきたが、各実施の形態に対して種々の変形が可能である。
【０１３９】
例えば、上述の各実施の形態では、ゲートバスラインと蓄積容量共通電極部、ゲートバスラインと対向電極用共通電極部、ゲートバスラインと静電気保護用共通電極部の関係で説明してきたが、ドレインバスラインと蓄積容量共通電極部、ドレインバスラインと対向電極用共通電極部、ドレインバスラインと静電気保護用共通電極部との場合でも同じ手法が適用できるのは言うまでもない。
【０１４０】
またさらに、第２の実施の形態では、１本のゲートバスラインにつき、２個の開口部を設けた構成としたが、３個以上設ける構成としてもよい。この場合、ゲートバスラインからの静電気流入は、外部接続端子側から流入するが、層間短絡が第１開口部と端縁との間
の第１重畳部に形成され、次いで第２開口部と第１開口部との間の第２重畳部に順次生じる場合があるが、このような場合にも、前記第１重畳部及び第２重畳部をレーザカットしても、第２開口部と第３開口部との間の第３重畳部及び第３開口部と他方の端縁との間の第４重畳部にて導通を確保できるので、液晶表示パネル全体の修復をより容易に行うことができる。
【０１４１】
さらに、第１乃至第６の実施の形態においては、蓄積容量共通電極部がアレイ基板の両端に配設された場合の構成としたが、一端側のみに蓄積容量共通電極部が配設された場合の構成であってもよい。
【０１４２】
なお、第７の実施の形態のＥＳＤの構成、並びに第８の実施の形態のＩＰＳの構成によるラインを束ねる共通電極部を、第１乃至第６の各実施の形態のいずれかに記載の共通電極部の構成（開口部の形状やバイパス配線等）としてもよいということは言うまでもない。
【０１４３】
また、アレイ基板は、第１乃至第６の実施の形態の蓄積容量共通電極部の構成に加えて、第７の実施の形態の静電気保護用共通電極部に開口部を設けた構成でもよい。さらに、開口部を形成しない蓄積容量共通電極部に、第７の実施の形態の開口部を設けた静電気保護用共通電極部を加えるアレイ基板の構成をでもよい。また、アレイ基板は、第１乃至第６の各実施の形態の蓄積容量共通電極部の構成に加えて、第８の実施の形態の対向電極用共通電極部に開口部を設けた構成でもよい。さらに、開口部を形成しない蓄積容量共通電極部に、第８の実施の形態の開口部を設けた対向電極用共通電極部を加えるアレイ基板の構成をでもよい。
【０１４４】
さらに、アレイ基板は、第１乃至第６の実施の形態の蓄積容量共通電極部の構成に加えて、第７の実施の形態の開口部を有する静電気保護用共通電極部と、第８の実施の形態の開口部を有する対向電極用共通電極部とを全て設けた構成でもよい。この場合において、静電気保護用共通電極部の構成は、第１乃至第６の各実施の形態の共通電極部の構成を採用してよいし、対向電極用共通電極部の構成は、第１乃至第６の各実施の形態の共通電極部の構成を採用してよい。また、蓄積容量共通電極部、静電気保護用共通電極部、対向電極用共通電極部のうちいずれかに開口部を設けない構成であってもよい。
【０１４５】
またさらに、ゲートバスラインと交差する側の一方の共通する配線部の構成は、前記第１乃至第６の実施の形態のいずれかの構成とし、ドレインバスラインと交差する側の他方の共通する配線部の構成は、前記第１乃至第６の実施の形態のいずれかの構成とする場合であってもよい。この場合に加えて、第７の実施の形態のＥＳＤの構成、並びに第８の実施の形態のＩＰＳの構成によるラインを束ねる共通電極を配置した構成や、さらに加えてＥＳＤ構成あるいはＩＰＳ構成での開口部あるいはバイパス配線を形成してもよい。
【０１４６】
また、前記各実施の形態では、外部接続端子として、ＴＡＢ端子を構成する例を開示したが、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）タイプの構成としてもよい。この場合には、前記外部接続端子に接続されるＩＣチップは、予め製造段階でアレイ基板と同一のプロセスで形成することが好ましい。
【０１４７】
さらに、アレイ基板の露出した額縁領域のうち左側には、ゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが搭載された複数のＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が実装されることが好ましい。また、アレイ基板１の露出した領域のうち図の上側には、ドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが搭載された複数のＴＣＰが実装されることが好ましい。複数のＴＣＰは、周辺回路基板（図示せず）に接続される。
【０１４８】
なお、アレイ基板の四隅の端部には、対向基板と貼り合わせた際に、対向基板側に形成されている縦電界用対向電極とトランスファ部を介して電気的に接続されるトランスファ形成領域を配置することが好ましい。この際、トランスファ形成領域には、例えば蓄積容量バスラインと同一の形成材料からなる下部電極と、画素電極と同一の形成材料からなる上部電極とで構成される接続パッドをそれぞれ形成することが好ましい。接続パッドは、蓄積容量共通配線部に電気的に接続され、トランスファ形成領域は、アレイ基板の少なくとも１組の対角近傍、又はアレイ基板のゲートバスラインの延びる方向に沿う１辺の少なくとも両端部近傍に配置されるのが望ましい。また、さらに多数のトランスファ形成領域を例えば表示領域の周囲にほぼ均等に配置してもよい。
【０１４９】
加えて、本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。例えば上記実施の形態では、ＴＦＴをスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限らず、他の表示装置、例えば、ダイオード素子（ＭＩＭ）等の非線型素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置やパッシブ型の液晶表示装置、あるいはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置やＰＤＰ（プラズマディスプレイ装置）等種々の表示装置用基板に適用することが可能である。
【０１５０】
また、上述した表示装置用基板を、各種の液晶表示装置に利用した構成としてもよい。この場合、液晶表示装置は、駆動回路などを備えて構成され、駆動回路は、液晶表示装置を駆動するものであり、ゲートライン駆動回路やドレインライン駆動回路のほか、電源回路、表示情報処理回路、製造後の検査に用いる検査回路などを含んだものである。表示情報処理回路は、表示情報を処理して出力し、例えば増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路あるいはクランプ回路等を含むことができる。
【０１５１】
さらに、上記実施形態には種々の段階が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。つまり、上述の各実施の形態同士、あるいはそれらのいずれかと各変形例のいずれかとの組み合わせによる例をも含むことは言うまでもない。この場合において、本実施形態において特に記載しなくとも、各実施の形態及び変形例に開示した各構成から自明な作用効果については、当然のことながら本例においても当該作用効果を奏することができる。また、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除された構成であってもよい。
【０１５２】
そして、これまでの記述は、本発明の実施の形態の一例のみを開示しており、所定の範囲内で適宜変形及び／又は変更が可能であるが、各実施の形態は例証するものであり、制限するものではない。
【０１５３】
以上説明した本発明の第１乃至第８の実施の形態による表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上の表示領域内方より外方に向けて引き出し形成される第１の配線部と、
前記表示領域外方の前記第１の配線部と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部と、
前記第２の配線部に形成され、少なくとも交差する前記第１の配線部と重なり合う領域に開口した開口部と、
前記開口部の両端に形成され、前記絶縁膜を介して前記第１及び第２の配線部が重なり合う重畳部と、
を含むことを特徴とする表示装置用基板。
（付記２）
付記１記載の表示装置用基板において、
前記開口部は、前記第１の配線部の延びる方向に沿って形成されていることを特徴とす
る表示装置用基板。
（付記３）
付記１に記載の表示装置用基板において、
前記開口部は、前記第２の配線部が延びる方向に沿って開口されていることを特徴とする表示装置用基板。
（付記４）
付記２又は３に記載の表示装置用基板において、
前記開口部は、複数形成されていることを特徴とする表示装置用基板。
（付記５）
付記１又は２に記載の表示装置用基板において、
前記開口部を跨いで形成され、前記第２の配線部と第２の絶縁膜を介して積層された第３の配線部をさらに設けたことを特徴とする表示装置用基板。
（付記６）
付記５記載の表示装置用基板において、
前記第３の配線部は、前記第２の配線部と電気的に接続される接続部を有することを特徴とする表示装置用基板。
（付記７）
付記５又は６に記載の表示装置用基板において、
前記第３の配線部は、複数形成されていることを特徴とする表示装置用基板。
（付記８）
付記１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記第２の配線部は、前記表示領域内に形成される複数の蓄積容量素子に各々共通接続された蓄積容量共通電極部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
（付記９）
付記１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記基板上に配設され、前記第１の配線部を構成する各バスラインに各々接続される複数の静電気保護部をさらに有し、
前記第２の配線部は、前記複数の静電気保護部に各々共通接続された１本の静電気保護用共通配線部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
（付記１０）
付記１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記表示領域内の画素電極との間で横電界を形成するために配設され、前記画素電極と対応して形成される横電界形成用対向電極をさらに有し、
前記第２の配線部は、複数の前記横電界形成用対向電極と各々共通接続された１本の対向電極用共通電極部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
（付記１１）
複数のバスラインを有する基板を備えた表示装置において、
前記基板に、付記１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置用基板が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【符号の説明】
【０１５４】
１、１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、１００１ アレイ基板１ａ 端部
１ｂ 端部
２ 対向基板
３ 表示領域
４ ゲートＴＡＢ端子
５ ドレインＴＡＢ端子
１０、１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０、
１０１０ ゲートバスライン
１１、１１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７１１ 屈曲部
２０、１２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、７２０、
１０２０ ドレインバスライン
３０、１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０、１０３０ 画素電極４０、１４０、２４０、３４０、４４０、５４０、６４０、７４０、１０４０ ＴＦＴ
４２ ソース電極
５０、１５０、２５０、３５０、４５０、５５０、１０５０ 蓄積容量素子
６０、１６０、２６０、３６０、５６０、１０６０ 蓄積容量バスライン
７０、１７０、２７０、３７０、４７０、１０７０ 蓄積容量共通電極部
７２、１７２、１７４、２７２、３７２、４７２、５７２ａ、５７２ｂ、６７２、
７７２ 開口部
３８０、４８０、５８０ バイパス配線
３８２、３８４、４８２、４８４、５８２、５８４ 接続部
６２０ 静電気保護部
６６０ 静電気保護用バスライン
６７０ 静電気保護用共通電極部
７４０ 横電界形成用対向電極
７５０ 対向電極用バスライン
７７０ 対向電極用共通電極部
Ｓ 短絡箇所
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用基板に関し、特に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴという）をスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の製造工程において発生した静電気による破壊や層間短絡などの欠陥を容易に修復（リペア）できる表示装置用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、優れた画像品質が得られるフラットパネル・ディスプレイとしてコンピュータや大型テレビを初めとする電子機器に広く利用されている。
【０００３】
液晶表示装置は、アレイ基板と、アレイ基板と対向する対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に封止された液晶層とを有する。アレイ基板には、複数の画素領域毎に形成された画素電極と、スイッチング素子として各画素電極に接続されたＴＦＴとが形成されている。対向基板には、全面に対向電極が形成されている。液晶表示装置は、画素電極及び対向電極から液晶層に対して電圧を印加することで液晶表示を行う。
【０００４】
図１０は、アレイ基板の一部を基板平面側から見た概略図である。同図に示すように、アレイ基板１００１上には、駆動する画素電極を選択するための走査信号が順次入力される複数のゲートバスライン１０１０が互いに平行に配設されている。また、アレイ基板１００１上には、複数のゲートバスライン１０１０にほぼ直交し、階調信号が入力される複数のドレインバスライン１０２０が配設されている。
【０００５】
ここで、互いに直交する複数のゲートバスライン１０１０と複数のドレインバスライン１０２０とでマトリクス状に区画された矩形の各領域が画素領域である。この画素領域が複数配列されて表示領域（ａ）を構成する。各画素領域内には、ＴＦＴ１０４０、画素電極１０３０、及び画素電極１０３０の電位変動を抑制する蓄積容量素子（ないしは蓄積容量形成部）１０５０が設けられている。
【０００６】
また、アレイ基板１００１には、図中横方向に沿って複数の蓄積容量素子１０５０に接続されてゲートバスライン１０１０と平行に形成される蓄積容量バスライン１０６０が複数配設されている。さらに、アレイ基板１００１には、各ゲートバスライン１０１０と交差する方向（図中上下方向）に延在形成され、複数の各蓄積容量バスライン１０６０を束ねて共通電極として機能する蓄積容量共通電極部１０７０が配設されている。蓄積容量共通電極部１０７０は、各ゲートバスライン１０１０上に絶縁膜（不図示）を介して積層される。
【０００７】
さらに、アレイ基板１００１の端部に沿ってそれぞれ複数のＴＡＢ端子等の接続端子部が配置されている。これらの接続端子部から所定の信号がゲートバスライン１０１０及びドレインバスライン１０２０に供給される。
【０００８】
ところで、ゲートバスライン１０１０、ドレインバスライン１０２０等は絶縁性のガラス基板上に形成されるため基本的に静電気に弱い。例えば、製造工程中でアレイ基板１００１上に静電気が発生して、ゲートバスライン１０１０を通じて静電気が流入すると（図中矢印Ｅ１方向）、ゲートバスライン１０１０と蓄積容量共通電極部１０７０とが重なり合う部分で放電し、層間短絡Ｓが発生してしまう。この静電気は、基板製造時におけるス
テージからの剥離帯電以外にも、外部から侵入する場合がある。
【０００９】
層間短絡Ｓが生じたゲートバスライン１０１０は、バスライン延伸方向の線欠陥が発生する不具合が生じ、パネルの製造歩留まりが著しく低下してしまう。特に、接続端子部からは静電気が侵入しやすく、ここから入った静電気は経路中にある容量成分に対して放電し、その容量部を破壊する。この場合、短絡箇所Ｓをレーザリペア等で除去するにはゲートバスライン１０１０などを切断する必要があり、修復（リペア）は不可能だった。
【００１０】
また、液晶表示装置の大型化及び高精細化が進むと、低抵抗化のため蓄積容量共通電極部１０７０の配線幅を太くする必要がある。この結果、ゲートバスライン１０１０と蓄積容量共通電極部１０７０とが重畳する重畳部の領域面積が大きくなるので、容量部が破壊される障害も大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−１５６７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、静電気流入による層間短絡などの障害が生じたとしても容易に修復することのできる表示装置用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的は、基板上の表示領域内方より外方に向けて引き出し形成される第１の配線部と、前記表示領域外方の前記第１の配線部と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部と、前記第２の配線部に形成され、少なくとも交差する前記第１の配線部と重なり合う領域に開口した開口部と、前記開口部の両端に形成され、前記絶縁膜を介して前記第１及び第２の配線部が重なり合う重畳部と、を含むことを特徴とする表示装置用基板によって達成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、冗長構成となる複数の重畳部を設けたので、静電気による層間短絡不良が各重畳部のうちいずれか一方の重畳部に生じたとしても、他方の重畳部により第２の配線部の導通経路を確保できると共に、層間短絡不良の修復を容易に行うことができ、製造の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の全体の概略構成の一例を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図８】本発明の第７の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図９】本発明の第８の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【図１０】従来の表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施の形態の一例について、図面を参照して具体的に説明する。〔第１の実施の形態〕
（全体の概略構成）
先ず、本発明の表示装置用基板を適用した液晶表示装置の全体の概略構成について、図１を参照して説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の全体の概略構成を示し、液晶表示装置のアレイ基板を基板平面側からみた状態を示している。
【００１７】
本実施の形態では、アレイ基板上の両端に蓄積容量共通電極部を設けた場合を示し、その一端側の蓄積容量共通電極部には、当該蓄積容量共通電極とゲートバスラインとの交差領域に開口部を設けたことを特徴としている。本実施の形態による液晶表示装置の基本構成について以下説明する。
【００１８】
本実施の形態の液晶表示装置は、図１に示すように、ＴＦＴや画素電極等が画素領域毎に形成されたアレイ基板（表示装置用基板）１と、アレイ基板１に対向配置され、カラーフィルタ及び縦電界形成用の対向電極等が形成された対向基板２と、アレイ基板１及び対向基板２の間に封入された液晶層（図示せず）と、を含んで構成される。ここにおいて、画素電極（不図示）が水平方向及び垂直方向に配列されている領域が表示領域３である。
【００１９】
アレイ基板１は、図１に示すように、表示領域３に形成される各画素電極に所定のタイミングで走査信号を供給するためのゲートバスライン（第１のバスライン）１０と、各画素電極の電位変動を抑制して表示品質を向上させるための蓄積容量素子に接続され、各ゲートバスライン１０と平行に交互に配設される複数の蓄積容量バスライン６０と、複数の蓄積容量バスライン６０の各他端側に各々接続され、両側駆動を行うために基板の一端側に形成される一方の蓄積容量共通電極部（Ｃｓ共通電極）７０と、複数の蓄積容量バスライン６０の各一端側に各々接続され、基板の他端側に形成される他方の蓄積容量共通電極部８０と、複数のゲートバスライン１０及び複数の蓄積容量バスライン６０と略直交して形成され、所定のタイミングで階調信号を供給するためのドレインバスライン（第２のバスライン）（図１では不図示）と、を含んで構成される。
【００２０】
なお、ゲートバスライン１０は、本発明にいう「第１の配線部」に該当し、一方の蓄積容量共通電極部７０は、本発明にいう「第２の配線部」に該当するが、これに限らず、本発明にいう「第１の配線部」としては、ゲートバスライン１０、ドレインバスライン（図１では不図示）を含めることもできるし、本発明にいう「第２の配線部」としては、蓄積容量バスライン６０、蓄積容量共通電極部７０、８０を含めることもできる。
【００２１】
アレイ基板１は、対向基板２よりも大きく形成されており、対向基板２より突出する２辺の突出領域に駆動回路の配置領域が形成される。突出領域のうち一方の端部１ａには、複数のゲートバスライン１０を束ねるゲートＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）端子（外部接続端子）４が複数形成され、他方の端部１ｂには、複数のドレインバスラインを束ねるドレインＴＡＢ端子（外部接続端子）５が複数形成されている。
【００２２】
さらに、アレイ基板１の両端部側に位置するドレインＴＡＢ端子５には、ドレインバスラインの他に、一方及び他方の蓄積容量共通電極部７０、８０より延在形成される接続線６ａ、６ｂが接続されている。
【００２３】
複数本のゲートバスライン１０の一部は、ゲートバスライン１０より屈曲されて傾斜した状態で引き出される引き出し部を形成してゲートＴＡＢ端子４に接続される。
【００２４】
蓄積容量共通電極部７０、８０が両端に形成されているのは、蓄積容量バスライン６０の両側から電圧を供給することで、蓄積容量バスライン６０の配線長が長い場合や配線数が多い場合に対応できるようにするためである。
【００２５】
ゲートバスライン１０と一方の蓄積容量共通電極部７０とは、絶縁膜を介して重なり合うこととなるが、蓄積容量共通電極部７０は、この重なり合う領域に開口部を設けた構成としている。以下、具体的に説明する。
【００２６】
（本実施の形態のアレイ基板１の詳細構成）
ここで、本実施の形態の特徴、すなわち、アレイ基板１の蓄積容量共通電極部７０の具体的構成について図２を用いて説明する。図２は、本実施の形態によるアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素電極が形成されるアレイ基板１の構成を示し、基板面に向かって見た複数の画像領域を示す図であり、図１中に破線の円Ａで囲んだ部分を拡大して示す図である。なお、図２では、図１に示した外部接続端子等の図示を省略している。
【００２７】
アレイ基板１上には、図２に示すように、互いに並列して図の左右方向に延びる複数のゲートバスライン１０（図２では２本示している）と、複数のゲートバスライン１０と略直交するように互いに並列して上下方向に延びる複数のドレインバスライン２０（図２では２本示している）とが形成されている。
【００２８】
また、アレイ基板１上には、複数のゲートバスライン１０及び複数のドレインバスライン２０と交差する各交差部に各々配設された画素電極３０及びＴＦＴ（駆動素子）４０と、各画素電極３０に対応して配設された蓄積容量素子５０とが形成されている。
【００２９】
蓄積容量素子５０は、画素電極３０の中央位置にてコンタクトホールで画素電極３０と接続された蓄積容量電極（中間電極）と、蓄積容量電極の下層に形成された絶縁膜と、絶縁膜の下層に形成された蓄積容量バスライン６０の蓄積容量電極と対向する部分領域である蓄積容量対向電極部と、を含む。蓄積容量素子５０は、蓄積容量電極を一方の電極とし、蓄積容量バスライン６０の蓄積容量対向電極部を他方の電極として蓄積容量を形成している。
【００３０】
アレイ基板１では、ＴＦＴ４０がオン状態になると所定の電位が画素電極３０毎に書き込まれ、液晶層に印加される電圧が画素領域毎に制御される。この液晶層に印加される電圧は、ＴＦＴ４０がオフ状態になっても次フレームまで維持される必要がある。ところが、ＴＦＴ４０に生じる寄生容量や画素電極３０と共通電極との間に生じるリーク電流等により、画素電極３０の電位は１フレーム期間内で変動してしまう。このため、蓄積容量素子５０により画素電極３０の電位の変動を抑制して、液晶層に印加される電圧が１フレーム期間維持されるようにしている。
【００３１】
複数のゲートバスライン１０のうちの一部は、表示領域（ａ）からゲートＴＡＢ端子４（図２では不図示）に向けて傾斜するように屈曲形成される屈曲部１１を有している。屈曲部１１は、蓄積容量共通電極部７０の幅領域（ｂ）に亘って形成されている。蓄積容量共通電極部７０の配設位置より外方領域（ｃ）には、ゲートＴＡＢ端子４が形成されてい
る。なお、ゲートバスライン２０の形成位置に応じて、ゲートＴＡＢ端子４に接続するために屈曲部１１を形成する必要のないゲートバスライン２０も存在する。
【００３２】
蓄積容量バスライン６０は、接続電極６１及び接続部６２ａ、６２ｂを介して蓄積容量共通電極部７０に電気的に接続されている。
【００３３】
蓄積容量共通電極部７０は、表示領域（ａ）の外側位置にて、各ゲートバスライン１０上に絶縁膜（不図示）を介して積層され、各ゲートバスライン１０と重なり合う領域に、開口部７２を形成している。
【００３４】
開口部７２は、ゲートバスライン１０の屈曲部１１に沿って開口している。開口部７２の長さは、Ｌ１であり、蓄積容量共通電極部７０の幅方向一端より開口部７２の一端までの長さはＬ２であり、蓄積容量共通電極部７０の幅方向他端より開口部７２の他端までの長さはＬ３である。
【００３５】
これにより、１本のゲートバスライン１０に関し、長さＬ２、Ｌ３を構成する２つの各重畳部７４が形成される。重畳部７４は、蓄積容量共通電極部７０と、蓄積容量共通電極部７０の下層に形成される絶縁膜と、絶縁膜の下層に形成されるゲートバスライン１０とを含む。
【００３６】
従来は蓄積容量共通電極部７０に開口部が形成されていないために、層間短絡が生じてレーザカットなどにより修復を行うと、蓄積容量共通電極部７０の導通が遮断されてしまう。これに対し、本実施の形態の蓄積容量共通電極部７０では、開口部７２を構成したことにより、１本のゲートバスライン１０につき少なくとも２つの重畳部７４を備えた冗長構成を形成できる。このため、２つの重畳部７４のうちいずれか一方の重畳部７４に短絡箇所Ｓが生じたとしても、他方の重畳部７４により蓄積容量共通電極部７０の導通経路を確保することができる。これにより、製造の歩留まりが向上する。
【００３７】
また、蓄積容量共通電極部７０が延在形成される方向の開口部７２の長さｄは、ゲートバスライン１０の幅よりやや大きく形成する。ゲートバスライン１０と重なり合う領域以外は、層間短絡が生じ得ないので開口を設ける必要はない。こうすると、開口部７２の開口面積をできるだけ小さくすることができ、蓄積容量共通電極部７０を梯子構造として、蓄積容量共通電極部７０の抵抗が不必要に高くなることを最小限に止めることができる。このため、蓄積容量共通電極部７０は、梯子構造により殆ど抵抗が変化しないように形成できる。
【００３８】
一方、開口部７４の長さＬ１は、できるだけ長く形成し、各重畳部７４の長さＬ２、Ｌ３は、できるだけ短く構成することが好ましい。すなわち、ゲートバスライン１０と蓄積容量共通電極部７０間の重畳面積が減少することで、ゲートバスライン１０に関する容量成分も小さくできるため、ゲートパルスの波形鈍りを抑制できるという付加効果も生まれるからである。特に、蓄積容量共通電極部７０は、例えばＸＧＡ（１０２４×７６８）以上の解像度になると５００乃至１５００μｍの太い配線幅を必要とするが、このような配線幅を要する場合にも、開口部７２を形成することでゲートバスライン１０の容量成分の一部となる蓄積容量共通電極部７０との重なり領域での容量を減少させて、ゲートパルスの波形鈍りを小さくできる。また、重畳部７４の長さＬ２、Ｌ３が短ければ重畳部７４に形成される短絡箇所Ｓをレーザカット等で切断しやすくなるので、修復が容易となる。
【００３９】
なお、ＴＦＴ４０のゲート電極、ゲートバスライン１０及び蓄積容量バスライン６０は同一の導電層（第１の導電層）に形成され、ＴＦＴ４０のソース電極及びドレイン電極、ドレインバスライン６０、蓄積容量共通電極部７０は、同一の導電層（第２の導電層）に
形成され、画素電極３０及び接続電極６１は同一の導電層（第３の導電層）に形成される。そして、各導電層間には絶縁膜が形成されており、導電層間の短絡を防止している。
【００４０】
（短絡箇所の修復方法について）
本実施の形態の液晶表示装置は、上記のような構成からなり、以下のように作用する。先ず、アレイ基板１の製造工程中に発生する静電気Ｅ１が、表示領域外のゲートＴＡＢ端子４側から蓄積容量共通電極部７０の配設位置に向けてゲートバスライン１０を通じて侵入したとする。
【００４１】
静電気Ｅ１が侵入すると、例えば図２左側の重畳部７４の短絡箇所Ｓで層間短絡が発生する。そして、短絡箇所Ｓの修復を行うために、例えばパターン認識等による検査により短絡箇所を特定する。
【００４２】
次いで、蓄積容量共通電極部７０において、短絡箇所Ｓの両端側の切断位置Ｃ１、Ｃ２にレーザ光を照射しレーザカットにより切断する。この際に、切断される重畳部７４の長さＬ２が短いので、容易に切断することができる。このようにして、重畳部７４の蓄積容量共通電極部７０を切断することで、短絡箇所Ｓでは、蓄積容量共通電極部７０とゲートバスライン１０とを電気的に分離することができる。
【００４３】
これにより、層間短絡の修復を行うことができ、アレイ基板１は欠陥となることはない。このようにして、欠陥修復が完了する。なお、修復を行う際には、ゲートバスライン１０側の修復は必要としない。
【００４４】
また、２つの各重畳部７４による冗長構成により、ゲートＴＡＢ端子４側に形成される一方の重畳部７４に短絡箇所Ｓが発生しても、他方の重畳部７４においては蓄積容量共通電極７０の導通経路を確保することができる。
【００４５】
以上のように本実施の形態によれば、蓄積容量共通電極部７０に２つの重畳部７４の冗長構成を形成できる。このため、製造工程中などに発生した静電気による層間短絡不良が、２つの各重畳部７４のうちいずれか一方の重畳部７４に生じたとしても、他方の重畳部７４により蓄積容量共通電極部７０の導通経路を確保しつつ修復を行うことができ、製造の歩留まりが向上する。
【００４６】
また、開口部７２により蓄積容量共通電極部７０を梯子構造として、開口部７２の開口面積をできるだけ小さくすることにより、蓄積容量共通電極部７０は、従来と殆ど抵抗が変化しないように形成できる。
【００４７】
さらに、重畳部７４の面積が減少することで、ゲートバスライン１０を流れるゲートパルスの波形鈍りも小さくできる。特に、太い配線幅を必要とする場合にも、開口部７２を形成することで波形鈍りを小さくできる。また、重畳部７４に形成される短絡箇所Ｓを、レーザカット等で切断しやすい。
【００４８】
さらにまた、開口部７２には短絡箇所が生じ得ないことから、交差する領域のうち開口部以外の重畳部に短絡箇所を制限できる。このため、１つのバスライン当たりの短絡規模（短絡箇所の領域面積）を最小とすることができる。
【００４９】
また、狭額縁化の要求により駆動回路の配置領域である突出領域を小さく構成する場合には、ゲートバスライン１０の屈曲部１１の傾斜角度が急になる配線を有する部分が生じる。こうなると、蓄積容量共通電極部７０とゲートバスライン１０との重なり合う領域が増えてしまうが、本実施の形態では、開口部７２を形成することにより重なり合う領域を
減少させてゲートパルスの波形鈍りを抑制できる。
【００５０】
加えて、本実施の形態においては、従来のアレイ基板と比べて蓄積容量共通電極部の形状が異なるだけであるので、製造工程数を増加させることなく実施することができる。
【００５１】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第２の実施の形態について、図３に基づいて説明する。なお、以下には、第１の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図３は、本発明の第２の実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。
【００５２】
上述の第１の実施の形態では、１本のゲートバスライン１０につき蓄積容量共通電極部７０の開口部７２を１個配設する構成としたが、本実施の形態では、１本のゲートバスライン１１０につき複数例えば２個の開口部１７２、１７４を設けて、重畳部１７６を３個もたせて冗長性をさらに高めた構成としている。
【００５３】
具体的には、図３に示すように、液晶表示装置に含まれるアレイ基板１００は、第１の実施の形態と同様に、ゲートバスライン１１０、ドレインバスライン１２０、画素電極１３０、薄膜トランジスタ１４０、蓄積容量バスライン１６０、及び蓄積容量共通電極部１７０を含む構成である。
【００５４】
蓄積容量共通電極部１７０は、１本のゲートバスライン１１０の屈曲部１１１に沿って２つの開口部１７２、１７４と、３つの重畳部１７６とを有している。ここにおいて、開口部１７２の開口幅Ｌ３と、開口部１７４の開口幅Ｌ６とは、ほぼ等しく形成している。また、重畳部１７６の幅Ｌ４と幅Ｌ７とをほぼ等しく形成し、重畳部１７６の幅Ｌ５は、幅Ｌ４及び幅Ｌ７よりも長く形成している。
【００５５】
なお、２つの開口部１７２、１７４の全体の開口面積は、第１の実施形態の１つの開口部７２（図２）の開口面積よりも小さく形成することとなる。すなわち、図３の幅Ｌ３と幅Ｌ６とを加えた幅が、図２の幅Ｌ２の幅よりも小さく形成される。
【００５６】
上記のような構成からなるアレイ基板１００において、矢印Ｅ１方向から静電気が侵入した場合には、以下のように作用する。すなわち、短絡箇所Ｓにて層間短絡が生じた場合には、レーザを用いて短絡箇所Ｓの周縁を切断することとなる。
【００５７】
ここで、開口部１７２及び開口部１７４を構成したことにより、３つの電流経路のうち、１つの電流経路がレーザカットにより切断されたとしても、残りの２つの各電流経路が確保される。
【００５８】
さらに、層間短絡は、ゲートバスライン１１０に沿って侵入方向Ｅ１から順に短絡が形成されることも考えられる。すなわち、幅Ｌ４の重畳部１７６と幅Ｌ５の重畳部１７６とで各々短絡が生じる場合も有り得る。この場合、幅Ｌ７の重畳部１７６により電流経路を確保できるので、幅Ｌ４の重畳部１７６と幅Ｌ５の重畳部１７６をそれぞれレーザカット等により切断修復を行ったとしても、蓄積容量共通電極部１７０をそのまま利用することができる。
【００５９】
以上のように本実施の形態によれば、開口部１７２、１７４を２つ設けて、蓄積容量共通電極部１７０とゲートバスライン１１０との重なり合う重畳部１７６が３つ形成されるので、３つの電流経路のうち、１つ或いは２つの電流経路がレーザカットにより切断されたとしても、他の電流経路を確保できる。
【００６０】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第３の実施の形態について、図４を参照しつつ説明する。図４は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１及び第２の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００６１】
上述の第１及び第２の実施の形態では、１本のゲートバスライン１０が延びる方向に沿って開口部７２を形成する構成としたが、本実施の形態では、蓄積容量共通電極部２７０が延びる方向に沿って開口部２７２を形成する構成としている。
【００６２】
具体的には、本実施の形態のアレイ基板２００は、図４に示すように、第１の実施の形態と同様に、屈曲部２１１を含むゲートバスライン２１０、ドレインバスライン２２０、画素電極２３０、薄膜トランジスタ２４０、蓄積容量バスライン２６０、及び蓄積容量共通電極部２７０を含む構成としている。
【００６３】
蓄積容量共通電極部２７０の縦長の開口部２７２は、蓄積容量共通電極部２７０が延びる方向が長く開口している。開口部２７２は、複数例えば４個形成され、ゲートバスライン２１０の延びる方向に沿って配列されている。この結果、重畳部２７４が５個形成されている。
【００６４】
このような開口部２７２の構成によれば、以下に示すような作用効果を有する。すなわち、第１及び第２の実施の形態では、ゲートバスラインの１０の配線パターンに応じて各々開口部７２を形成する必要があった。これに対し、本実施の形態においては、蓄積容量共通電極部２７０の開口部２７２を、蓄積容量共通電極部２７０の延びる配線方向に長く開口するように形成することにより、ゲートバスライン２１０の配線パターンに設計変更があった場合でも、蓄積容量共通電極部２７２の設計をし直す必要はない。
【００６５】
例えば、互いに平行に配列される各ゲートバスライン２１０の間隔は、表示領域内でのピッチと、表示領域から引き出しされた外部接続端子側での配設ピッチとが異なるために、おのずと屈曲部２１１を形成せざるを得ない箇所も存在し得る。この際、各屈曲部の傾きが各ゲートバスライン２１０毎に各々異なる。このため、第１及び第２の実施の形態のような場合では、ゲートバスライン１０の屈曲部１１の傾斜角度などゲートバスライン１０の配線パターンに合わせて、各開口部７２の配置位置並びに形状も各々異ならせる必要があったが、本実施の形態のように、縦長に形成することで、蓄積容量共通電極部２７２の開口部２７２をデザイン上簡単に構成でき、レイアウトを設計する場合の負担が低減できる。
【００６６】
特に、突出領域が狭い液晶表示パネルにあっては、突出領域が広い液晶表示パネルよりも、ゲートバスライン２１０の傾斜角度が非常に急になる部分も生じる。そのような場合には、ゲートバスライン２１０のレイアウトに依存せずに、縦長の開口部２７２を一様に形成できるので、開口部２７２を含む蓄積容量共通電極部２７２の製造が容易となる。また、層間短絡が生じた際の修復も容易となる。
【００６７】
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第４の実施の形態について、図５を参照しつつ説明する。図５は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、前記第１の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００６８】
本実施の形態では、蓄積容量共通電極部３７０の配線方向に沿って絶縁膜を介して重なり合うようにバイパス配線３８０を同方向に沿って配設した構成としている。具体的には、本実施の形態のアレイ基板３００は、図５に示すように、ゲートバスライン３１０、ドレインバスライン３２０、画素電極３３０、薄膜トランジスタ３４０、蓄積容量バスライン３６０、蓄積容量共通電極部３７０、及びバイパス配線３８０を含む構成としている。なお、バイパス配線３８０は、本発明にいう「第３の配線部」に該当する。
【００６９】
蓄積容量共通電極部３７０は、ゲートバスライン３１０に沿った方向に開口する開口部３７２を構成している。この結果、重畳部３７４が２個形成される。
【００７０】
バイパス配線３８０は、複数の開口部３７２を跨ぐようにして蓄積容量共通電極部３７０の配線方向に沿って形成され、蓄積容量共通電極部３７０の上に絶縁膜を介して積層される。
【００７１】
接続部３８２、３８４は、バイパス配線３８０と蓄積容量共通電極部３７０とを電気的に接続し、蓄積容量共通電極部３８０の修復工程にて、レーザ光の照射により溶融して形成される。図５においては、接続部３８２、３８４は、１つの開口部３７２に対して例えば４個形成されている。これにより、バイパス配線３８０を蓄積容量共通電極部３７０と同じ機能をもたせることができる。
【００７２】
上記のようなアレイ基板３００の構成では、以下のように作用する。すなわち、外部からの静電気はゲートバスライン３１０から侵入するとは限らず、蓄積容量共通電極部３７０が配線される方向の一端であるドレインＴＡＢ端子側（図５中上方）から矢印Ｅ２のような方向から静電気が流入することが考えられる。
【００７３】
この場合、層間短絡は複数箇所に及ぶ場合があり、短絡箇所Ｓ１、Ｓ２が各重畳部３７４で各々発生する。そして、レーザカット等により短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の双方を切断すると共に、バイパス配線３８０に対してレーザ光を照射することで、接続部３８２、３８４を形成する。
【００７４】
これにより、レーザカット等により短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の双方が切断されたとしても、バイパス配線３８０と接続部３８２、３８４により導通経路を確保することができ、蓄積容量共通電極部３７０の修復を行うことができる。
【００７５】
しかも、接続部３８２、３８４は、短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の修復工程にて切断時に利用するレーザ光照射位置を用いることで容易に形成できる。また、短絡した位置に応じて接続部３８２、３８４の形成位置を自由に決めることができる。
【００７６】
なお、バイパス配線３８０は、画素電極等で使用される透明電極(ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ)層を蓄積容量共通電極部３７０上の絶縁膜の上にパターニング
して形成するのが好ましい。
【００７７】
すなわち、表示領域外では、絶縁性基板上にゲートバスライン３１０（第１層）、絶縁膜（第２層）、蓄積容量共通電極部３７０（第３層）、第２絶縁膜（第４層）、バイパス配線３８０（第５層）がこの順で積層される。また、表示領域内（画素領域）の一部では、絶縁性基板上に蓄積容量バスライン３６０（第１層）、絶縁膜（第２層）、蓄積容量電極（第３層）、第２絶縁膜（第４層）、画素電極３３０（第５層）がこの順で積層される。
【００７８】
このため、第５層のバイパス配線３８０は、画素電極３３０と同層に同一材料で同時に
形成することが可能となる。これにより、特別に他の材料を用いて形成する必要がなく、透明電極層と同じ材料を用いることが可能であり、新たにプロセスを追加する必要はない。
【００７９】
また、蓄積容量共通電極部３７０に開口部３７２を形成したとしても、バイパス配線３８０を構成したことにより、バイパス配線３８０と蓄積容量共通電極部３７０との各面積の総和によって低抵抗化を図ることができる。
【００８０】
〔第５の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第５の実施の形態について、図６を参照して説明する。図６は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１乃至第４の各実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００８１】
上述の第４の実施の形態では、バイパス配線３８０を蓄積容量共通電極部３７０上に１つ配設する構成としたが、本実施の形態では、複数のバイパス配線４８０を蓄積容量共通電極部４７０上に配設する構成としている。具体的には、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板４００は、図６に示すように、ゲートバスライン４１０、ドレインバスライン４２０、画素電極４３０、薄膜トランジスタ４４０、蓄積容量バスライン４６０、蓄積容量共通電極部４７０、及び複数のバイパス配線４８０（図６では３本）を含む構成としている。
【００８２】
蓄積容量共通電極部４７０は、ゲートバスライン４１０に沿って開口部４７２を有している。複数のバイパス配線４８０の各々は、複数の開口部４７２を跨いで覆うようにして蓄積容量共通電極部４７０の配線方向に沿って形成され、蓄積容量共通電極部４７０上に絶縁膜を介して積層される。
【００８３】
なお、中央のバイパス配線４８０には、蓄積容量共通電極部３７０と電気的に接続される接続部４８２、４８４を構成している。接続部４８２、４８４は、蓄積容量共通電極部３７０の修復工程にて、レーザ光を照射することにより溶融して形成されるものである。
図６では、接続部４８２、４８４は、中央のバイパス配線４８０に２個形成されている。
【００８４】
上述のような構成を有するアレイ基板４００において、以下のように作用する。すなわち、静電気の流入は、外部の蓄積容量ＴＡＢ端子側（図６中上方）から矢印Ｅ２のように、蓄積容量共通電極部４７０が配線される方向からも生じる。
【００８５】
流入方向Ｅ２からの静電気によって層間短絡が短絡箇所Ｓ１及びＳ２にて生じた場合には、レーザカットにより当該箇所を切断しても、バイパス配線４８０により、接続部４８２、４８４を介して導通経路を確保することができる。
【００８６】
ところで、ゲートバスライン４１０からの静電気の流入による層間短絡も短絡箇所Ｓ１、Ｓ２のみならず、蓄積容量共通電極部４７０が開口部４７２を形成していることにより、ゲートバスライン４１０とバイパス配線４８０との層間短絡も考えられる。このような場合でも、複数のバイパス配線４８０を構成しておくことにより、蓄積容量共通電極部４７０の修復を容易に行うことができる。
【００８７】
以上のように本実施の形態によれば、バイパス配線４８０を複数形成することにより、各方向からの静電気流入により蓄積容量共通電極部４７０の各重畳部が全て短絡したとしても、複数のバイパス配線４８０のうちいずれかを利用することができるようになってい
る。これにより、蓄積容量共通電極部４７０の導通を確保でき、短絡箇所の修復とバイパス配線４８０の接続をレーザ光を利用するだけでパネル全体の修復が可能となる。
【００８８】
〔第６の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第６の実施の形態について、図７を参照しつつ説明する。図７は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１乃至第５の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００８９】
上述の第５の実施の形態では、蓄積容量共通電極部４７０と複数のバイパス配線４８０との電気的接続手段として、レーザ接続による構成としたが、本実施の形態では、コンタクトホール部を予め形成しておく構成としている。具体的には、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板５００は、図７に示すように、ゲートバスライン５１０、ドレインバスライン５２０、画素電極５３０、薄膜トランジスタ５４０、蓄積容量バスライン５６０、蓄積容量共通電極部５７０、及び、複数のバイパス配線５８０（図では３本の例を示している）を含む構成としている。
【００９０】
蓄積容量共通電極部５７０は、ゲートバスライン５１０に沿って開口部５７２ａ、５７２ｂを有している。
【００９１】
各バイパス配線５８０は、複数例えば３つ形成されており、各々、複数の開口部５７２ａ、５７２ｂを跨ぐようにして蓄積容量共通電極部５７０の配線方向に沿って形成され、蓄積容量共通電極部５７０上に第２絶縁膜を介して積層される。
【００９２】
各バイパス配線５８０は、蓄積容量共通電極部５７０と接続部５８２、５８４、５８５、５８６を介して電気的に接続される構成としている。１つのバイパス配線５８０について説明すると、１つの開口部５７２ａに対して図中上方の接続部５８２と図中下方の接続部５８２を構成して導通経路を確保し、他の１つの開口部５７２ｂに対しても図中上方の接続部５８６と図中下方の接続部５８８を構成している。そして、１つの開口部５７２ａに対して、３つのバイパス配線５８０が並んで設けられている。
【００９３】
接続部５８２、５８４、５８５、５８６は、不図示の絶縁膜を開口して形成されたコンタクトホール部を介して、バイパス配線５８０と蓄積容量共通電極部５７０とを電気的に接続している。
【００９４】
本実施の形態においては、１本のゲートバスライン５１０について、複数のバイパス配線部５８０と蓄積容量共通電極部５７０とを予め接続部５８２、５８４、５８５、５８６により接続した構成としている。
【００９５】
このために、各方向からの静電気流入により短絡箇所Ｓ１、Ｓ２に加えて、１本のバイパス配線５８０とゲートバスライン５１０とで短絡が生じたとしても、他のバイパス配線５８０を利用することができるので、他のバイパス配線５８０を通じて蓄積容量共通電極部５７０の導通を確保することができ、パネル全体の修復が可能となる。
【００９６】
また、蓄積容量共通電極部５７０は、バイパス配線５８０の面積を含めることができるので、低抵抗化を図ることができる。
【００９７】
さらに、ゲートバスライン５１０と蓄積容量共通電極部５７０との間の層厚と、ゲートバスライン５１０とバイパス配線５８０との間の層厚が異なることから、バイパス配線５８０には静電気による影響を少なくでき、バイパス配線５８０とゲートバスライン５１０
との層間短絡は生じにくいので好ましい。なお、バイパス配線５８０と蓄積容量共通電極部５７０との間の層間膜厚を厚くする構成としてもよい。
【００９８】
〔第７の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第７の実施の形態について、図８を参照しつつ説明する。図８は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１乃至第６の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【００９９】
上述の第１乃至第６の実施の形態では、ゲートバスライン１０と蓄積容量共通電極部７０との層間短絡による修復を容易にする構成としたが、本実施の形態においては、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）保護部用の配線を束ねる静電気保護用共通電極部６７０とゲートバスライン６１０との間で短絡が形成される場合を示している。
【０１００】
図８は、静電気保護用共通電極部６７０が形成された静電気保護部６２０の構造例を示している。具体的には、アレイ基板６００は、図８に示すように、ゲートバスライン６１０と、ゲートバスライン６１０に接続され、静電気によるＴＦＴの破壊を防止するための静電気保護部６２０と、静電気保護部６２０より延在形成される静電気保護用バスライン６６０とを有する。
【０１０１】
さらに、アレイ基板６００は、複数の静電気保護用バスライン６６０を束ねる静電気保護用共通電極部６７０を有する。静電気保護用共通電極部６７０は、表示領域とゲートＴＡＢ端子（不図示）との間にて、ゲートバスライン６１０と交差する方向（図中上下方向）に延在形成される。
【０１０２】
なお、ゲートバスライン６１０は、本発明にいう「第１の配線部」に該当し、静電気保護用共通電極部６７０は、本発明にいう「第２の配線部」に該当するが、これに限らず、本発明にいう「第１の配線部」としては、ゲートバスライン１０、ドレインバスライン（図１では不図示）を含めることもできるし、本発明にいう「第２の配線部」としては、静電気保護用バスライン６６０、静電気保護用共通電極部６７０を含めることもでき、加えて第１の実施の形態の蓄積容量バスライン６０、蓄積容量共通電極部７０、８０を含めることもできる。
【０１０３】
静電気保護部６２０は、静電気保護回路であり、例えば、ゲートバスライン６１０に接続された第１のスイッチング素子である第１のＴＦＴ６２２と、同じくゲートバスライン６１０に接続された第２のスイッチング素子である第２のＴＦＴ６２４と、第１のＴＦＴ６２２及び第２のＴＦＴ６２４と静電気保護用バスライン６６０に接続される第３のＴＦＴ６２６とから構成される。
【０１０４】
第１乃至第３の各ＴＦＴ６２２、６２４、６２６の各ゲート電極Ｇは、ゲートバスライン６１０及び画素領域のＴＦＴのゲート電極を形成する際に、ガラス基板上に同時に形成される。第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６のゲート電極Ｇは、他の配線構造から電気的に孤立して形成されている。
【０１０５】
第１乃至第３のＴＦＴ６２２、６２４、６２６のソース電極Ｓ／ドレイン電極Ｄは、静電気保護用バスライン６６０及び静電気保護用共通電極部６７０の形成と同時に同一の形成材料で形成される。第１のＴＦＴ６２２のソース電極Ｓと第２のＴＦＴ６２４のソース電極Ｓは、それぞれコンタクトホール部６３０、６３２を介してゲートバスライン６１０に接続されている。第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６間のソース電極Ｓ／ドレイン電
極Ｄは、導電体として機能すると共に、第２のＴＦＴ６２４のゲート電極Ｇとの間で容量を形成している。第２のＴＦＴ６２４のドレイン電極Ｄと第３のＴＦＴ６２６のドレイン電極Ｄは、静電気保護用バスライン６６０を介して静電気保護用共通電極部６７０に接続されている。
【０１０６】
また、本例においては、第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６のチャネル長を、第２のＴＦＴ６２４のチャネル長より短く形成している。こうすることにより、非常に鋭いパルス電圧で静電気がゲートバスライン６１０に発生した場合には、第２のＴＦＴ６２４が破壊される前に第１又は第３のＴＦＴ６２２、６２６が先に破壊されて第２のＴＦＴ６２４を保護することができる。このため、第１又は第３のＴＦＴ６２２、６２６のいずれかが破壊されたとしてもゲートバスライン６１０と静電気保護用共通電極部６７０とが直接短絡することがないので、ＴＦＴ試験も含め、その後の工程に支障が生じることはない。
【０１０７】
また、第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６のチャネル幅を等しくし、且つ第２のＴＦＴ６２４のチャネル幅と同程度の長さにしている。従って、第２のＴＦＴ６２４の導電率と、第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６を直列にみたときの導電率がほぼ同一となり、静電気保護における電流の分担を第２のＴＦＴ６２４と第１及び第３のＴＦＴ６２２、６２６とで分けることができる。
【０１０８】
静電気保護用共通電極部６７０は、ゲートバスライン６１０の上に絶縁膜（不図示）を介して積層される。また、静電気保護用共通電極部６７０は、図８に示すように、ゲートバスライン６１０と重なり合う領域にて、ゲートバスライン６１０の屈曲部６１１に沿って形成される開口部６７２を有している。
【０１０９】
開口部６７２は、各ゲートバスライン６１０について各々１個ずつ形成され、開口部６７２の両縁には各重畳部６７４が形成されている。
【０１１０】
上記のような構成の液晶表示装置のアレイ基板６００において、ゲートバスライン６１０の外部側から静電気Ｅ１が流入すると、静電気保護用共通電極部６７０とゲートバスライン６１０との間で層間短絡が短絡箇所Ｓにおいて発生する。
【０１１１】
そして、静電気保護用共通電極部６７０において、短絡箇所Ｓの両端側である切断位置Ｃ１、Ｃ２をレーザカットすることで層間短絡の修復を行うことができる。これにより、一方の重畳部６７４が切断されても、他方の重畳部６７４により導通経路を確保することができる。このため、静電気保護用共通電極部６７０の修復を容易に行うことができる。この際、ゲートバスライン６１０側の修復を必要としない。
【０１１２】
このように、前記各実施の形態の各共通配線部の他に、ゲートバスライン６１０の静電気を防止する静電気保護部（静電気保護回路ないしは静電気保護素子）６２０に接続される静電気保護用バスライン６６０を束ねる静電気保護用共通電極部６７０にも、ゲートバスライン６１０に対し重なり合う領域に開口部６７２を形成する構成を採用するこことができ、修復を容易としている。
【０１１３】
なお、本実施の形態においては、ゲートバスライン６１０に静電気保護部６２０を形成する構成としたが、ドレインバスライン（不図示）に静電気保護部６２０を配設する構成としてもよい。さらに、ゲートバスライン６１０及びドレインバスラインの各々に静電気保護部６２０を配設する構成としてもよいことは言うまでもない。そして、静電気保護用共通電極部６７０をレインバスライン側の共通線として構成する場合であっても静電気保護用共通電極部６７０に開口部を設けてもよい。
【０１１４】
また、上記に示す静電気保護回路の構造は、画素領域にチャネルエッチング型ＴＦＴが形成される液晶表示装置に適用されるが、これに限定されるものではなく、エッチングストッパ型ＴＦＴを備えた液晶表示装置に本実施の形態による静電気保護回路を適用してもよい。加えて、第１のＴＦＴ６２２、第３のＴＦＴ６２６に代えて第１、第２の抵抗体を構成してもよい。
【０１１５】
また、静電気保護部６２０の構成としては、本実施の形態に開示した静電気保護回路に限らず、静電気保護素子であってもよい。この際、電気的には各バスラインを互いに高抵抗素子で接続することで、一本のバスラインに流れる電流を拡散させる役目をもつ共通配線部が配置される。この共通配線はゲートまたはドレインバスラインに対し重なり合う配線となるため、第１、第２の実施の形態と同様に重畳部の一方を一部除去することで電極の修復が可能となる。
【０１１６】
さらに、各バスラインにそれぞれ１組の静電気保護部６２０を形成し、かつ、静電気保護部６２０に形成された素子をできるだけ共有化して、全体の素子数を少なくして形成してもよい。こうすることにより、構成素子の不良発生率や素子の占有する面積等を少なくして、構成素子数を低減できる。
【０１１７】
〔第８の実施の形態〕
次に、本発明にかかる第８の実施の形態について、図９を参照しつつ説明する。図９は、本実施の形態による表示装置用基板の基板平面の一部の構成の一例を示す図である。なお、以下には、第１の実施の形態と実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。
【０１１８】
上述の第１乃至第６の実施の形態においては、ゲートバスライン１０と蓄積容量共通電極部７０との層間短絡による修復を容易にする構成としたが、本実施の形態においては、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式（横電界方式）の液晶表示装置において、アレイ基板７００に形成される（画素電極、ＴＦＴの各ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、蓄積容量素子以外の）横電界形成用の対向電極（ＴＮ又はＶＡ方式における対向基板側の縦電界形成用の対向電極とは異なる）の各ラインを束ねた電極部に利用した構成としている。
【０１１９】
この横電界方式の液晶表示装置では、ＴＦＴや画素電極、横電界形成用の対向電極等が画素領域毎に形成されたアレイ基板７００（表示装置用基板）と、アレイ基板７００に対向配置された対向基板（図示せず）と、これらのアレイ基板７００及び対向基板の間に封入された液晶層（図示せず）と、を含んで構成される。ここにおいて、画素電極７３０及び横電界形成用の対向電極７５０が対向して互いに櫛歯状に配列されている領域が表示領域である。
【０１２０】
図９は、横電界方式の液晶表示装置のアレイ基板を液晶層側から見た基板平面を示している。なお、同図では、ゲートバスラインの外部接続端子領域については途中の図示を省略し、表示領域近傍のみを示している。
【０１２１】
具体的には、アレイ基板７００は、横電界方式の液晶表示装置に用いられるものであり、図９に示すように、互いに各々直交する複数のゲートバスライン７１０（第１のバスライン）及び複数のドレインバスライン７２０（第２のバスライン）と、複数のゲートバスライン７１０と複数のドレインバスライン７２０との各交差部に各々配置された各ＴＦＴ７４０のソース電極及び各画素電極７３０とを有する。
【０１２２】
さらに、アレイ基板７００は、各画素電極７３０に対応して各々配置され画素電極７３
０との間で横電界を形成する各横電界形成用対向電極７５０と、各横電界形成用対向電極７５０に各々接続されるとともに、各ゲートバスライン７２０の間に各々形成された複数の対向電極用バスライン（第３のバスライン）７６０と、複数の対向電極用バスライン７６０を束ねる束ね部として機能する対向電極用共通電極部７７０と、を含む構成としている。
【０１２３】
なお、ゲートバスライン７１０は、本発明にいう「第１の配線部」に該当し、対向電極用共通電極部７７０は、本発明にいう「第２の配線部」に該当するが、これに限らず、本発明にいう「第１の配線部」としては、ゲートバスライン７１０、ドレインバスライン７２０を含めることもできるし、本発明にいう「第２の配線部」としては、前記各実施の形態の蓄積容量バスライン・蓄積容量共通電極部、静電気保護用バスライン、静電気保護用共通配線部を含めることもできる。
【０１２４】
ドレインバスライン７２０は、図９に示すように、図中上下方向に延在形成されており、階調信号が供給される。ゲートバスライン７１０は、ドレインバスライン７２０に直交して図中左右方向に延在形成されるものであり、走査信号が供給される。これらドレインバスライン７２０とゲートバスライン７１０とで画定される領域が画素領域である。
【０１２５】
なお、ドレインバスライン７２０の一端部には外部の素子と電気的な接続を行うための外部接続端子（図示せず）が設けられている。同様に、ゲートバスライン７１０の一端部には外部の素子と電気的な接続を行う外部接続端子が設けられている。
【０１２６】
ＴＦＴ７４０は、例えばチャネルエッチ型等に形成され、各ドレインバスライン７２０とゲートバスライン７１０との交差位置近傍に形成されている。ＴＦＴ７４０のドレイン電極は、ドレインバスライン７２０から引き出されて、その端部がゲートバスライン７１０上の動作半導体層（図示せず）上の一端辺側に位置するように形成されている。ＴＦＴ７４０のソース電極は、ドレイン電極に対向するように動作半導体層上の他端辺側に形成されている。このような構成において動作半導体層直下のゲートバスライン７１０領域が当該ＴＦＴ７４０のゲート電極として機能するようになっている。
【０１２７】
なお、図示は省略しているが、ゲートバスライン７１０上にはゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にはチャネルを構成する動作半導体層が形成されている。動作半導体層は、ゲートバスライン７１０上方でゲートバスライン７１０に沿って形成されており、隣接する他の画素領域のＴＦＴの動作半導体層と電気的に分離されている。図９に示すＴＦＴ構造は、ゲート電極がゲートバスライン７１０から引き出されて形成されておらず、直線形状に形成されたゲートバスライン７１０の一部をゲート電極として用いる構成になっている。
【０１２８】
画素電極７３０は、ＴＦＴ７４０のソース電極より画素領域内に直接引き回されて、図中上方から下方に延びる略櫛歯状の第１の凹凸部を形成している。
【０１２９】
横電界形成用対向電極７４０は、アレイ基板７００上の画素領域内に形成され、画素電極７３０の第１の凹凸部に噛み合うように対向して図中上下に延びる略櫛歯状の第２の凹凸部を形成している。
【０１３０】
ＩＰＳ方式では、液晶層に対し水平方向（横方向）に電界をかけるため、アレイ基板７００には、画素電極７３０、ＴＦＴ７４０のゲート電極・ドレイン電極・ソース電極と共にアレイ基板７００に設けられている。そして、画素電極７３０と横電界形成用対向電極７５０とで横電界を形成するようにしている。
【０１３１】
因みに、横電界形成用対向電極７５０は、ＩＰＳ方式における対向電極であり、前記第１ないし第７の各実施の形態では、縦電界方式（ＴＮ方式またはＶＡ方式）における対向基板側の対向電極（縦電界形成用対向電極）とは異なるものである。
【０１３２】
図９の一般的なＩＰＳ方式の画素構成では、横電界形成用対向電極７５０は、画素電極７３０に対し、適当な間隔を設けて平行に形成される。
【０１３３】
対向電極用バスライン７６０は、各横電界形成用対向電極７４０に各々接続され、各ゲートバスライン７１０と平行に配置される。また、対向電極用バスライン７６０は、表示領域外で束ねられて対向電極用共通電極部７７０を構成し、別途所定の電位を与えられる外部の電極部へと延伸される。このため、束ねられた対向電極用共通電極部７７０は、ゲートバスライン７１０の引き出し部と交差する。
【０１３４】
対向電極用共通電極部７７０は、各ゲートバスライン７１０の上に絶縁膜（不図示）を介して積層され、各ゲートバスライン７１０と重なり合う領域に、開口部７７２を形成している。開口部７７２は、ゲートバスライン７１０の屈曲部７１１に沿って開口している。従って、ゲートバスライン７１０と重なり合う重畳部７７４を形成している。
【０１３５】
上記のような構成の液晶表示装置のアレイ基板７００において、ゲートバスライン７１０のゲートＴＡＢ端子側から静電気Ｅ１が流入すると、対向電極用共通電極部７７０とゲートバスライン７１０との間で層間短絡が短絡箇所Ｓにおいて発生する。２つの各重畳部７７４のうち一方の重畳部７７４がゲートバスライン７１０と重なり合っているからである。
【０１３６】
そして、対向電極用共通電極部７７０において、短絡箇所Ｓの両端側である切断位置Ｃ１、Ｃ２をレーザカットすることで層間短絡の修復を行うことができる。これにより、一方の重畳部７７４が切断されても、他方の重畳部７７４により導通経路を確保することができる。このため、対向電極用共通電極部７７０の修復を容易に行うことができる。この際、ゲートバスライン７１０側のレーザカット等による修復を必要としない。
【０１３７】
以上のように本実施の形態によれば、開口部の構成は、各実施の形態の各共通電極の他に、ＩＰＳ方式のアレイ基板においても採用することができ、横電界形成用対向電極に接続された各バスラインを束ねる対向電極用共通配線部においても利用することができ、第１の実施の形態と同様の作用効果を奏しながらも、ＩＰＳ表示装置用基板においても、修復を容易としている。
【０１３８】
〔各種変形例〕
なお、本発明の表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置に関して、いくつかの特定の実施の形態に従って説明してきたが、各実施の形態に対して種々の変形が可能である。
【０１３９】
例えば、上述の各実施の形態では、ゲートバスラインと蓄積容量共通電極部、ゲートバスラインと対向電極用共通電極部、ゲートバスラインと静電気保護用共通電極部の関係で説明してきたが、ドレインバスラインと蓄積容量共通電極部、ドレインバスラインと対向電極用共通電極部、ドレインバスラインと静電気保護用共通電極部との場合でも同じ手法が適用できるのは言うまでもない。
【０１４０】
またさらに、第２の実施の形態では、１本のゲートバスラインにつき、２個の開口部を設けた構成としたが、３個以上設ける構成としてもよい。この場合、ゲートバスラインからの静電気流入は、外部接続端子側から流入するが、層間短絡が第１開口部と端縁との間
の第１重畳部に形成され、次いで第２開口部と第１開口部との間の第２重畳部に順次生じる場合があるが、このような場合にも、前記第１重畳部及び第２重畳部をレーザカットしても、第２開口部と第３開口部との間の第３重畳部及び第３開口部と他方の端縁との間の第４重畳部にて導通を確保できるので、液晶表示パネル全体の修復をより容易に行うことができる。
【０１４１】
さらに、第１乃至第６の実施の形態においては、蓄積容量共通電極部がアレイ基板の両端に配設された場合の構成としたが、一端側のみに蓄積容量共通電極部が配設された場合の構成であってもよい。
【０１４２】
なお、第７の実施の形態のＥＳＤの構成、並びに第８の実施の形態のＩＰＳの構成によるラインを束ねる共通電極部を、第１乃至第６の各実施の形態のいずれかに記載の共通電極部の構成（開口部の形状やバイパス配線等）としてもよいということは言うまでもない。
【０１４３】
また、アレイ基板は、第１乃至第６の実施の形態の蓄積容量共通電極部の構成に加えて、第７の実施の形態の静電気保護用共通電極部に開口部を設けた構成でもよい。さらに、開口部を形成しない蓄積容量共通電極部に、第７の実施の形態の開口部を設けた静電気保護用共通電極部を加えるアレイ基板の構成をでもよい。また、アレイ基板は、第１乃至第６の各実施の形態の蓄積容量共通電極部の構成に加えて、第８の実施の形態の対向電極用共通電極部に開口部を設けた構成でもよい。さらに、開口部を形成しない蓄積容量共通電極部に、第８の実施の形態の開口部を設けた対向電極用共通電極部を加えるアレイ基板の構成をでもよい。
【０１４４】
さらに、アレイ基板は、第１乃至第６の実施の形態の蓄積容量共通電極部の構成に加えて、第７の実施の形態の開口部を有する静電気保護用共通電極部と、第８の実施の形態の開口部を有する対向電極用共通電極部とを全て設けた構成でもよい。この場合において、静電気保護用共通電極部の構成は、第１乃至第６の各実施の形態の共通電極部の構成を採用してよいし、対向電極用共通電極部の構成は、第１乃至第６の各実施の形態の共通電極部の構成を採用してよい。また、蓄積容量共通電極部、静電気保護用共通電極部、対向電極用共通電極部のうちいずれかに開口部を設けない構成であってもよい。
【０１４５】
またさらに、ゲートバスラインと交差する側の一方の共通する配線部の構成は、前記第１乃至第６の実施の形態のいずれかの構成とし、ドレインバスラインと交差する側の他方の共通する配線部の構成は、前記第１乃至第６の実施の形態のいずれかの構成とする場合であってもよい。この場合に加えて、第７の実施の形態のＥＳＤの構成、並びに第８の実施の形態のＩＰＳの構成によるラインを束ねる共通電極を配置した構成や、さらに加えてＥＳＤ構成あるいはＩＰＳ構成での開口部あるいはバイパス配線を形成してもよい。
【０１４６】
また、前記各実施の形態では、外部接続端子として、ＴＡＢ端子を構成する例を開示したが、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）タイプの構成としてもよい。この場合には、前記外部接続端子に接続されるＩＣチップは、予め製造段階でアレイ基板と同一のプロセスで形成することが好ましい。
【０１４７】
さらに、アレイ基板の露出した額縁領域のうち左側には、ゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが搭載された複数のＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が実装されることが好ましい。また、アレイ基板１の露出した領域のうち図の上側には、ドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが搭載された複数のＴＣＰが実装されることが好ましい。複数のＴＣＰは、周辺回路基板（図示せず）に接続される。
【０１４８】
なお、アレイ基板の四隅の端部には、対向基板と貼り合わせた際に、対向基板側に形成されている縦電界用対向電極とトランスファ部を介して電気的に接続されるトランスファ形成領域を配置することが好ましい。この際、トランスファ形成領域には、例えば蓄積容量バスラインと同一の形成材料からなる下部電極と、画素電極と同一の形成材料からなる上部電極とで構成される接続パッドをそれぞれ形成することが好ましい。接続パッドは、蓄積容量共通配線部に電気的に接続され、トランスファ形成領域は、アレイ基板の少なくとも１組の対角近傍、又はアレイ基板のゲートバスラインの延びる方向に沿う１辺の少なくとも両端部近傍に配置されるのが望ましい。また、さらに多数のトランスファ形成領域を例えば表示領域の周囲にほぼ均等に配置してもよい。
【０１４９】
加えて、本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。例えば上記実施の形態では、ＴＦＴをスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限らず、他の表示装置、例えば、ダイオード素子（ＭＩＭ）等の非線型素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置やパッシブ型の液晶表示装置、あるいはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置やＰＤＰ（プラズマディスプレイ装置）等種々の表示装置用基板に適用することが可能である。
【０１５０】
また、上述した表示装置用基板を、各種の液晶表示装置に利用した構成としてもよい。この場合、液晶表示装置は、駆動回路などを備えて構成され、駆動回路は、液晶表示装置を駆動するものであり、ゲートライン駆動回路やドレインライン駆動回路のほか、電源回路、表示情報処理回路、製造後の検査に用いる検査回路などを含んだものである。表示情報処理回路は、表示情報を処理して出力し、例えば増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路あるいはクランプ回路等を含むことができる。
【０１５１】
さらに、上記実施形態には種々の段階が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。つまり、上述の各実施の形態同士、あるいはそれらのいずれかと各変形例のいずれかとの組み合わせによる例をも含むことは言うまでもない。この場合において、本実施形態において特に記載しなくとも、各実施の形態及び変形例に開示した各構成から自明な作用効果については、当然のことながら本例においても当該作用効果を奏することができる。また、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除された構成であってもよい。
【０１５２】
そして、これまでの記述は、本発明の実施の形態の一例のみを開示しており、所定の範囲内で適宜変形及び／又は変更が可能であるが、各実施の形態は例証するものであり、制限するものではない。
【０１５３】
以上説明した本発明の第１乃至第８の実施の形態による表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上の表示領域内方より外方に向けて引き出し形成される第１の配線部と、
前記表示領域外方の前記第１の配線部と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部と、
前記第２の配線部に形成され、少なくとも交差する前記第１の配線部と重なり合う領域に開口した開口部と、
前記開口部の両端に形成され、前記絶縁膜を介して前記第１及び第２の配線部が重なり合う重畳部と、
を含むことを特徴とする表示装置用基板。
（付記２）
付記１記載の表示装置用基板において、
前記開口部は、前記第１の配線部の延びる方向に沿って形成されていることを特徴とす
る表示装置用基板。
（付記３）
付記１に記載の表示装置用基板において、
前記開口部は、前記第２の配線部が延びる方向に沿って開口されていることを特徴とする表示装置用基板。
（付記４）
付記２又は３に記載の表示装置用基板において、
前記開口部は、複数形成されていることを特徴とする表示装置用基板。
（付記５）
付記１又は２に記載の表示装置用基板において、
前記開口部を跨いで形成され、前記第２の配線部と第２の絶縁膜を介して積層された第３の配線部をさらに設けたことを特徴とする表示装置用基板。
（付記６）
付記５記載の表示装置用基板において、
前記第３の配線部は、前記第２の配線部と電気的に接続される接続部を有することを特徴とする表示装置用基板。
（付記７）
付記５又は６に記載の表示装置用基板において、
前記第３の配線部は、複数形成されていることを特徴とする表示装置用基板。
（付記８）
付記１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記第２の配線部は、前記表示領域内に形成される複数の蓄積容量素子に各々共通接続された蓄積容量共通電極部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
（付記９）
付記１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記基板上に配設され、前記第１の配線部を構成する各バスラインに各々接続される複数の静電気保護部をさらに有し、
前記第２の配線部は、前記複数の静電気保護部に各々共通接続された１本の静電気保護用共通配線部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
（付記１０）
付記１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記表示領域内の画素電極との間で横電界を形成するために配設され、前記画素電極と対応して形成される横電界形成用対向電極をさらに有し、
前記第２の配線部は、複数の前記横電界形成用対向電極と各々共通接続された１本の対向電極用共通電極部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
（付記１１）
複数のバスラインを有する基板を備えた表示装置において、
前記基板に、付記１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置用基板が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【符号の説明】
【０１５４】
１、１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、１００１ アレイ基板１ａ 端部
１ｂ 端部
２ 対向基板
３ 表示領域
４ ゲートＴＡＢ端子
５ ドレインＴＡＢ端子
１０、１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０、
１０１０ ゲートバスライン
１１、１１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７１１ 屈曲部
２０、１２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、７２０、
１０２０ ドレインバスライン
３０、１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０、１０３０ 画素電極４０、１４０、２４０、３４０、４４０、５４０、６４０、７４０、１０４０ ＴＦＴ
４２ ソース電極
５０、１５０、２５０、３５０、４５０、５５０、１０５０ 蓄積容量素子
６０、１６０、２６０、３６０、５６０、１０６０ 蓄積容量バスライン
７０、１７０、２７０、３７０、４７０、１０７０ 蓄積容量共通電極部
７２、１７２、１７４、２７２、３７２、４７２、５７２ａ、５７２ｂ、６７２、
７７２ 開口部
３８０、４８０、５８０ バイパス配線
３８２、３８４、４８２、４８４、５８２、５８４ 接続部
６２０ 静電気保護部
６６０ 静電気保護用バスライン
６７０ 静電気保護用共通電極部
７４０ 横電界形成用対向電極
７５０ 対向電極用バスライン
７７０ 対向電極用共通電極部
Ｓ 短絡箇所
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域内方より外方に向けて引き出し形成される第１の配線部と、
前記表示領域外方の前記第１の配線部と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部と、
前記第２の配線部に形成され、少なくとも交差する前記第１の配線部と重なり合う領域に開口した開口部と、
前記開口部の両端に形成され、前記絶縁膜を介して前記第１及び第２の配線部が重なり合う重畳部と、
を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置用基板において、
前記第２の配線部は、前記表示領域内に形成される複数の蓄積容量素子に各々共通接続された蓄積容量共通電極部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示装置用基板において、
前記基板上に配設され、前記第１の配線部を構成する各バスラインに各々接続される複数の静電気保護部をさらに有し、
前記第２の配線部は、前記複数の静電気保護部に各々共通接続された１本の静電気保護用共通配線部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記表示領域内の画素電極との間で横電界を形成するために配設され、前記画素電極と対応して形成される横電界形成用対向電極をさらに有し、
前記第２の配線部は、複数の前記横電界形成用対向電極と各々共通接続された１本の対向電極用共通電極部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項５】
複数のバスラインを有する基板を備えた表示装置において、
前記基板に、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置用基板が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１】
基板上の表示領域内方より外方に向けて引き出し形成される第１の配線部と、
前記表示領域外方の前記第１の配線部と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部と、
前記第２の配線部に形成され、少なくとも交差する前記第１の配線部と重なり合う領域に開口した開口部と、
前記開口部の両端に形成され、前記絶縁膜を介して前記第１及び第２の配線部が重なり合う重畳部と、
を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置用基板において、
前記第２の配線部は、前記表示領域内に形成される複数の蓄積容量素子に各々共通接続された蓄積容量共通電極部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示装置用基板において、
前記基板上に配設され、前記第１の配線部を構成する各バスラインに各々接続される複数の静電気保護部をさらに有し、
前記第２の配線部は、前記複数の静電気保護部に各々共通接続された１本の静電気保護用共通配線部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記表示領域内の画素電極との間で横電界を形成するために配設され、前記画素電極と対応して形成される横電界形成用対向電極をさらに有し、
前記第２の配線部は、複数の前記横電界形成用対向電極と各々共通接続された１本の対向電極用共通電極部を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項５】
複数のバスラインを有する基板を備えた表示装置において、
前記基板に、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置用基板が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１３７７８５（Ｐ２０１２−１３７７８５Ａ）
【公開日】平成２４年７月１９日（２０１２．７．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−８０１０７（Ｐ２０１２−８０１０７）
【出願日】平成２４年３月３０日（２０１２．３．３０）
【分割の表示】特願２００９−２７１３１１（Ｐ２００９−２７１３１１）の分割
【原出願日】平成１６年７月１６日（２００４．７．１６）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月１９日（２０１２．７．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月３０日（２０１２．３．３０）
【分割の表示】特願２００９−２７１３１１（Ｐ２００９−２７１３１１）の分割
【原出願日】平成１６年７月１６日（２００４．７．１６）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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