液晶表示装置及びその製造方法
【課題】大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板２０及び第２基板３０、第１電極２０Ｂ、第１電極２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、第１配向膜２２、第２電極３０Ｂ、第２電極３０Ｂに設けられた第２配向規制部３１、第２配向膜３２、液晶分子４１を含む液晶層４０を有する画素が、複数、配列されて成り、液晶層４０は、更に、重合した高分子化合物を含み、液晶分子４１Ａ，４１Ｂには、配向膜２２，３２と接する重合した高分子化合物によってプレチルトが付与されている。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板２０及び第２基板３０、第１電極２０Ｂ、第１電極２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、第１配向膜２２、第２電極３０Ｂ、第２電極３０Ｂに設けられた第２配向規制部３１、第２配向膜３２、液晶分子４１を含む液晶層４０を有する画素が、複数、配列されて成り、液晶層４０は、更に、重合した高分子化合物を含み、液晶分子４１Ａ，４１Ｂには、配向膜２２，３２と接する重合した高分子化合物によってプレチルトが付与されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、対向面に配向膜を有する一対の基板の間に液晶層が封止された液晶表示素子を備えた液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶テレビジョン受像機やノート型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置等の表示モニタとして、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が多く用いられている。この液晶ディスプレイは、基板間に挟持された液晶層中に含まれる液晶分子の分子配列（配向）によって様々な表示モード（方式）に分類される。表示モードとして、例えば、電圧をかけない状態で液晶分子がねじれて配向しているＴＮ（Twisted Nematic；ねじれネマティック）モードがよく知られている。ＴＮモードでは、液晶分子は、正の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて大きい性質を有している。このため、液晶分子は、基板面に対して平行な面内において、液晶分子の配向方位を順次回転させつつ、基板面に垂直な方向に整列させた構造となっている。
【０００３】
この一方で、電圧をかけない状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向しているＶＡ（Vertical Alignment）モードに対する注目が高まっている。ＶＡモードでは、液晶分子は、負の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて小さい性質を有しており、ＴＮモードに比べて広視野角を実現できる。
【０００４】
このようなＶＡモードの液晶ディスプレイでは、電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子が、負の誘電率異方性により、基板に対して平行方向に倒れるように応答することによって、光を透過させる構成となっている。ところが、基板に対して垂直方向に配向した液晶分子の倒れる方向は任意であるため、電圧印加により液晶分子の配向が乱れ、よって、電圧に対する応答特性を悪化させる要因となっていた。
【０００５】
そこで、応答特性を向上させるために、液晶分子が電圧に応答して倒れる方向を規制する技術が検討されている。具体的には、基板面に対して斜め方向から直線偏光の紫外光を照射することにより形成された配向膜を用いて、液晶分子に対してプレチルトを付与する技術（光配向技術）等である。光配向技術として、例えば、カルコン構造を含むポリマーから成る膜に対して、紫外光の直線偏光の光を基板面に対して斜め方向から照射し、カルコン構造中の二重結合部分が架橋することにより配向膜を形成する技術が知られている（特許文献１〜特許文献３参照）。また、この他に、ビニルシンナメート誘導体高分子とポリイミドとの混合物を用いて配向膜を形成する技術がある（特許文献４参照）。更に、ポリイミドを含む膜に対して波長２５４ｎｍの直線偏光の光を照射して、ポリイミドの一部を分解することにより配向膜を形成する技術（特許文献５参照）等も知られている。また、光配向技術の周辺技術として、直線偏光の光あるいは斜め光を照射した、アゾベンゼン誘導体等の二色性光反応性構成単位を含むポリマーから成る膜上に、液晶性高分子化合物から成る膜を形成することにより液晶性配向膜とする技術もある（特許文献６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−０８７８５９号公報
【特許文献２】特開平１０−２５２６４６号公報
【特許文献３】特開２００２−０８２３３６号公報
【特許文献４】特開平１０−２３２４００号公報
【特許文献５】特開平１０−０７３８２１号公報
【特許文献６】特開平１１−３２６６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した光配向技術では、応答特性は、従来のＭＶＡモードやＰＶＡモードよりは向上するものの、配向膜を形成する際に、直線偏光の光を基板面に対して斜め方向から照射する装置といった大がかりな光照射装置が必要とされるという問題がある。また、より広い視野角を実現するために、画素内に複数のサブ画素を設けて液晶分子の配向を分割したマルチドメインを有する液晶ディスプレイを製造するためには、より大がかりな装置が必要とされる上、製造工程が複雑になるという問題もある。具体的には、マルチドメインを有する液晶ディスプレイでは、サブ画素毎、プレチルトが異なるように配向膜が形成されている。従って、マルチドメインを有する液晶ディスプレイの製造において上記の光配向技術を用いる場合、サブ画素毎に光照射することになるため、サブ画素毎のマスクパターンが必要となり、更に光照射装置が大がかりとなる。
【０００８】
従って、本開示の目的は、大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の液晶表示装置は、
第１基板及び第２基板を備え、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成り、
液晶層は、更に、重合した高分子化合物（『重合高分子化合物』と呼ぶ場合がある）を含み、
液晶分子には、配向膜と接する重合した高分子化合物（重合高分子化合物）によってプレチルトが付与されている。
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の液晶表示装置の製造方法（液晶表示素子の製造方法を含み、以下においても同様）は、
第１基板及び第２基板を備え、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成る液晶表示装置の製造方法であって、
第１基板に第１配向膜を形成し、第２基板に第２配向膜を形成した後、
第１基板及び第２基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、重合し得る化合物（重合し得る低分子化合物又は重合し得る高分子化合物であり、『未重合化合物』と呼ぶ場合がある）及び液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
化合物（未重合化合物）を重合させて液晶分子にプレチルトを付与する、
各工程を含む。
【００１１】
本開示の液晶表示装置の製造方法にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して化合物（未重合化合物）を重合させる形態とすることができるし、あるいは又、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、加熱することで化合物（未重合化合物）を重合させる形態とすることができる。ここで、エネルギー線として、紫外線、Ｘ線、電子線を挙げることができる。
【００１２】
本開示の液晶表示装置、あるいは、上記の好ましい形態を含む本開示の液晶表示装置の製造方法にあっては、各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置する形態とすることができる。ここで、第２基板の法線方向から重複領域の中心領域を眺めたとき、第２基板の法線方向に沿って重複領域の中心領域を占める液晶分子群（より具体的には、第１基板から第２基板までの微小な柱状領域を占める液晶分子群）の長軸は、略、同一仮想垂直面内に位置している。
【００１３】
『重複領域の中心領域』とは、重複領域の中心と一致する中心を有し、重複領域と相似の形状であって、重複領域の面積の２５％の面積を有する領域を意味する。また、『液晶層における液晶分子群の長軸は、略、一仮想平面内に位置する』とは、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度が±５度以内であることを意味する。云い換えれば、液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内であることを意味する。更には、画素が複数の副画素から構成される場合、画素を副画素と読み替えればよい。
【００１４】
このように、各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸が、略、同一仮想平面内に位置していることで、即ち、重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群は、それらの液晶分子群の長軸が一方の電極側から他方の電極側に向かって捩れた状態（ツイストした状態）にはないので、一対の電極に電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、同一面内での応答ができるため、応答特性の一層の改善を図ることができる。
【００１５】
尚、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度、あるいは又、液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキの測定方法として、全反射減衰振動法（全反射減衰法とも呼ばれる）あるいは位相差測定法を挙げることができる。ここで、全反射減衰振動法とは、試料表面の吸収スペクトルを測定する方法であり、高屈折率媒質（プリズム）に試料を密着させ、プリズムから僅かに浸み出し、反射する全反射光を測定する。そして、このサンプルの方位を回転させることで、１００ｎｍ付近（液晶／配向膜）の分子の吸収の情報（配向方向）を求める方法である。また、位相差測定法は、ＲＥＴＳ１００（大塚電子株式会社製）を用いて、液晶セルを所望の角度だけ傾けた状態での位相差を測定し、プレチルトが付与された状態での理想の配向状態での位相差を予め算出しておき、フィッティングをかけることでプレチルトを算出する方法である。また、このサンプルをサンプル面内で回転させることで、プレチルトの付与された方位角を求めることができる。
【００１６】
上記の好ましい形態を含む本開示の液晶表示装置あるいは本開示の液晶表示装置の製造方法において、液晶分子は負の誘電率異方性を有する構成とすることができる。
【００１７】
更には、上記の好ましい形態、構造を含む本開示の液晶表示装置あるいは本開示の液晶表示装置の製造方法において、高分子化合物は、更に、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、ビニルオキシ基、プロペニルエーテル基、エポキシ基、オキセタン基及びスチリル基から成る群から選択された少なくとも１種類の基を含む高分子化合物から成る形態とすることができ、あるいは又、高分子化合物（重合高分子化合物）は、メソゲン基を含む高分子化合物から成る形態とすることができる。
【００１８】
ここで、未重合化合物の一般式を示すと以下のとおりである。
【００１９】
Ａ1−Ｓ1−Ｐ1−（Ｓ2−Ｐ2）n−Ｓ3−Ａ2 （１）
【００２０】
基Ａ1及び基Ａ2は、同じ又は異なる重合性官能基である。具体的には、例えば、ラジカル基；イオン重合、重付加、重縮合等の重合反応に適する基；例えば、ポリマー主鎖への付加あるいは縮合といった、ポリマー類似反応に適する基であり、好ましくは、連鎖重合のための基、特に、Ｃ＝Ｃ二重結合あるいはＣ≡Ｃ三重結合を含有する基、例えば、オキセタン基あるいはエポキシド基等の開環重合に適する基を挙げることができる。
【００２１】
より具体的には、基Ａ1あるいはＡ2として、
ＣＨ2＝ＣＸ1−ＣＯＯ−
ＣＨ2＝ＣＸ1−ＣＯ−
ＣＨ2＝ＣＸ2−（Ｏ）n−
ＣＸ1＝ＣＨ−ＣＯ−（Ｏ）n−
ＣＸ1＝ＣＨ−ＣＯ−ＮＨ−
ＣＨ2＝ＣＸ1−ＣＯ−ＮＨ−
ＣＨ3−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−
（ＣＨ2＝ＣＨ）2ＣＨ−ＯＣＯ−
（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2）2ＣＨ−ＯＣＯ−
（ＣＨ2＝ＣＨ）2ＣＨ−Ｏ−
（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2）2Ｎ−
（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2）2Ｎ−ＣＯ−
ＨＯ−ＣＸ2Ｘ3−
ＨＳ−ＣＸ2Ｘ3−
ＨＸ2Ｎ−
ＨＯ−ＣＸ2Ｘ3−ＮＨ−
ＣＨ2＝ＣＨ−（ＣＯＯ）n−Ｐｈ−（Ｏ）n−
ＣＨ2＝ＣＨ−（ＣＯ）n−Ｐｈ−（Ｏ）n−
Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−
ＨＯＯＣ−
ＯＣＮ−、及び、
Ｘ4Ｘ5Ｘ6Ｓｉ−
から成る群から選択された基を挙げることができる。
【００２２】
そして、
Ｘ1：Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＦ3、フェニル基、又は、炭素原子数１〜５を有するアルキル基を表し、特に好ましくは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、又は、メチル基を表す。
Ｘ2及びＸ3：それぞれ互いに独立に、Ｈ、又は、炭素原子数１〜５を有するアルキル基を表し、特に好ましくは、Ｈ、メチル基、エチル基、又は、ｎ−プロピル基を表す。
Ｘ4、Ｘ5及びＸ6：それぞれ互いに独立に、Ｃｌ、炭素原子数１〜５を有するオキサアルキル基、又は、炭素原子数１〜５を有するオキサカルボニルアルキル基を表す。
Ｘ7及びＸ8：それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｃｌ、又は、炭素原子数１〜５を有するアルキル基を表す。
Ｐｈ：Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、又は、直鎖状若しくは分岐状で炭素原子数１〜１２を有し、単フッ素化若しくは多フッ素化されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ基によって１箇所以上置換されていてもよい、フェニル環を表す。
ｎ：０又は１を表す。
【００２３】
基Ｓ1及び基Ｓ3は、それぞれスペーサーを表し、基Ｓ1、Ｓ3は、上記の式（１）における基Ａ−Ｓ−における「Ｓ」が式Ｓ’−Ｘ’−に対応するように、式Ｓ’−Ｘ’から選択される。ここで、
Ｓ’：炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１２を有するアルキレン基を表すが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＣＮで単置換又は多置換されていてもよい。また、これに加えて、１つ以上の隣接していない−ＣＨ2−が、Ｏ原子及び／又はＳ原子が互いに直接連結せず、それぞれ互いに独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ0−、−ＳｉＲ1Ｒ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＮＲ2−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ2−、−ＮＲ2−ＣＯ−ＮＲ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよい。
Ｘ’：−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＲ2−、−ＮＲ2−ＣＯ−、−ＮＲ2−ＣＯ−ＮＲ2−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2−、−ＣＨ2Ｓ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｓ−、−ＳＣＦ2−、−ＣＦ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＦ2−、−ＣＦ2ＣＦ2−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ0−、−ＣＹ2＝ＣＹ3−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、又は、単結合を表す。
【００２４】
ここで、
Ｒ0、Ｒ1及びＲ2：それぞれ互いに独立に、Ｈ、又は、炭素原子数１〜１２を有するアルキル基を表す。
Ｙ2及びＹ3：それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、又は、ＣＮを表す。
【００２５】
基Ｓ2もスペーサーを表し、それぞれの出現において同一又は異なって、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2−、−ＣＨ2Ｓ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｓ−、−ＳＣＦ2−、−（ＣＨ2）n1−、−ＣＦ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＦ2−、−（ＣＦ2）n1−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＲ1Ｒ2、又は、単結合を表し、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、又は、炭素原子数１〜１２個を有するアルキル基を表し、ｎ１は、１、２、３又は４を表す。
【００２６】
基Ｐ1及び基Ｐ2は、それぞれ互いに独立に、好ましくは、４〜２５個の環原子を有する芳香族、ヘテロ芳香族、脂環式又はヘテロ環式基を表し、縮合環を含有していてもよく、基Ａ−Ｓ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ2ＯＨ、ハロゲン、ＳＦ5、ＮＯ2、炭素基又は炭化水素基で単置換又は多置換されていてもよい。そして、より好ましくは、基Ｐ1及び基Ｐ2は、
１，４−フェニレン（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
ナフタレン−１，４−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
ナフタレン−２，６−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
フェナントレン−２，７−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
アントラセン−２，７−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
フルオレン−２，７−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
クマリン（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
フラボン（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
シクロヘキサン−１，４−ジイル（１つ以上の隣接していない−ＣＨ2−はＯ及び／又はＳで置き換えられていてもよい）
１，４−シクロヘキセニレン
ビシクロ［１．１．１］ペンタン−１，３−ジイル
ビシクロ［２．２．２］オクタン−１，４−ジイル
スピロ［３．３］ヘプタン−２，６−ジイル
ピペリジン−１，４−ジイル
デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル
１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル
インダン−２，５−ジイル、又は、
オクタヒドロ−４，７−メタノインダン−２，５−ジイル
を表す（但し、これら全ての基は無置換であっても、以下に記載する置換基によって単置換又は多置換されていてもよく、ここで、係る置換基として、基Ａ、基Ａ−Ｓ−、ＯＨ、ＣＨ2ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＮ、−ＮＯ2、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒx）2、−Ｃ（＝Ｏ）Ｙ1、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒx、−Ｎ（Ｒx）2、置換されていてもよいシリル基、置換されていてもよく、炭素原子数６〜２０を有するアリール基、又は、直鎖状又は分岐状で炭素原子数１〜２５を有するアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ基を挙げることができる。但し、加えて、１つ以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｐ、又は、基Ａ−Ｓ−で置き換えられていてもよい。尚、
基Ａ及び基Ｓ：基Ａ1及び基Ａ2、基Ｓ1、基Ｓ2、基Ｓ3を参照。
Ｙ1：ハロゲンを表す。
Ｒx：基Ａ、基Ａ−Ｓ−、Ｈ、ハロゲン、又は、直鎖状、分岐状若しくは環状で炭素原子数１〜２５を有するアルキル基（但し、加えて、１つ以上の隣接していない−ＣＨ2−は、Ｏ及び／又はＳ原子が互いに直接結合しないようにして−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−で置き換えられていてもよいし、あるいは又、加えて、１つ以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｐ、又は、基Ａ−Ｓ−で置き換えられていてもよい）、置換されていてもよい炭素原子数６〜４０を有するアリール基又はアリールオキシ基、又は、置換されていてもよい炭素原子数２〜４０を有するヘテロアリール基又はヘテロアリールオキシ基を表す。
【００２７】
具体的には、未重合化合物として、以下に示す化合物を例示することができる。
【００２８】
第１配向膜及び第２配向膜を構成する材料は、周知の垂直配向膜を形成するための材料から適宜選択すればよい。
【００２９】
以上の説明した好ましい形態、構成を含む本開示の液晶表示装置あるいは本開示の液晶表示装置の製造方法（以下、これらを総称して、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある）において、第１配向膜及び第２配向膜の表面粗さＲａは１ｎｍ以下である構成とすることができる。ここで、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に規定されている。
【００３０】
また、本開示において、
第１配向規制部は、第１電極に形成された第１スリット部から成り、
第２配向規制部は、第２電極に形成された第２スリット部から成り、
第１スリット部及び第２スリット部の幅は、２μｍ以上１０μｍ未満であり、
第１スリット部及び第２スリット部のピッチは、１０μｍ乃至１８０μｍ、好ましくは３０μｍ乃至１８０μｍ、より好ましくは６０μｍ乃至１８０μｍである構成とすることができる。
【００３１】
一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されている。即ち、第１基板を画素電極を有する基板とし、第２基板を対向電極を有する基板とする形態、あるいは又、第２基板を画素電極を有する基板とし、第１基板を対向電極を有する基板とする形態とすることができる。ここで、画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが好ましい。一般に、対向電極を有する基板側にはカラーフィルタが形成されており、このカラーフィルタによってエネルギー線が吸収され、化合物（未重合化合物）の重合が生じ難くなる可能性があるが故に、カラーフィルタが形成されていない画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが好ましい。尚、画素電極を有する基板側にカラーフィルタが形成されている場合、対向電極を有する基板側からエネルギー線を照射すればよい。
【００３２】
高分子化合物（重合高分子化合物）は、一対の基板に対して、即ち、第１基板のみならず第２基板に対しても、液晶分子を所定の方向に配列させるが、第１配向膜近傍の液晶分子に付与される第１プレチルト角θ1と第２配向膜近傍の液晶分子に付与される第２プレチルト角θ2とは、同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。基本的に、プレチルトが付与されるときの液晶分子の方位角（偏角）は、電場の強さ及び方向、並びに、第１配向規制部及び第２配向規制部の構成、構造によって規定され、極角（天頂角）は、電場の強さによって規定される。第１プレチルト角θ1と第２プレチルト角θ2とを異なる値とするためには、例えば、第１配向規制部と第２配向規制部との構成、構造を相違させればよい。
【発明の効果】
【００３３】
本開示の液晶表示装置あるいはその製造方法において、液晶分子には、配向膜と接する重合した高分子化合物（重合高分子化合物）によってプレチルトが付与されており、あるいは又、化合物（未重合化合物）を重合させて液晶分子にプレチルトを付与する。そして、このように、液晶分子が配列した状態で化合物を重合させるので、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。しかも、第１配向規制部及び第２配向規制部が第１電極及び第２電極に形成されているので、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、応答速度の向上を図ることができ、良好な表示特性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本開示の液晶表示装置の模式的な一部断面図である。
【図２】図２の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の模式図であり、図２の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の模式図である。
【図３】図３の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の変形例の模式図であり、図３の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の変形例の模式図である。
【図４】図４の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の別の変形例の模式図であり、図４の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の別の変形例の模式図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）の状態を模式的に示す図である。
【図６】図６は、液晶分子のプレチルトを説明するための模式図である。
【図７】図７は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図８】図８は、図７に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図９】図９は、図８に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示した液晶表示装置の回路構成図である。
【図１１】図１１は、オーダーパラメータを説明するための断面模式図である。
【図１２】図１２は、比較例１の液晶表示装置における第１電極の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、図面を参照して、発明の実施の形態、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は発明の実施の形態、実施例に限定されるものではなく、発明の実施の形態、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．［本開示の液晶表示装置における共通の構成、構造に関する説明］
２．［発明の実施の形態に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明］
３．［実施例に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明、その他］
【００３６】
［本開示の液晶表示装置（液晶表示素子）における共通の構成、構造に関する説明］
本開示の液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の模式的な一部断面図を、図１に示す。この液晶表示装置は、複数の画素１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・）を有している。そして、この液晶表示装置（液晶表示素子）においては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板２０とＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）基板３０との間に、配向膜２２，３２を介して液晶分子４１を含む液晶層４０が設けられている。この液晶表示装置（液晶表示素子）は、所謂透過型であり、表示モードは垂直配向（ＶＡ）モードである。図１では、駆動電圧が印加されていない非駆動状態を表している。尚、画素１０は、実際には、例えば、赤色の画像を表示する副画素、緑色の画像を表示する副画素、青色の画像を表示する副画素等の副画素から構成されている。
【００３７】
ここで、ＴＦＴ基板２０が第１基板に相当し、ＣＦ基板３０が第２基板に相当する。また、第１基板（ＴＦＴ基板）２０に設けられた画素電極２０Ｂ及び配向膜２２が、第１電極及び第１配向膜に相当し、第２基板（ＣＦ基板）３０に設けられた対向電極３０Ｂ及び配向膜３２が、第２電極及び第２配向膜に相当する。
【００３８】
即ち、この液晶表示装置は、
第１基板（ＴＦＴ基板）２０及び第２基板（ＣＦ基板）３０を備え、
第２基板３０と対向する第１基板２０の対向面に形成された第１電極（画素電極）２０Ｂ、
第１電極（画素電極）２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、
第１電極（画素電極）２０Ｂ、第１配向規制部２１及び第１基板（ＴＦＴ基板）２０の対向面を覆う第１配向膜２２、
第１基板（ＴＦＴ基板）２０と対向する第２基板（ＣＦ基板）３０の対向面に形成された第２電極（対向電極）３０Ｂ、
第２電極（対向電極）３０Ｂに設けられた第２配向規制部３１、
第２電極（対向電極）３０Ｂ、第２配向規制部３１及び第２基板（ＣＦ基板）３０の対向面を覆う第２配向膜３２、並びに、
第１配向膜２２及び第２配向膜３２の間に設けられ、液晶分子４１を含む液晶層４０、
を有する画素１０が、複数、配列されて成る。
【００３９】
ガラス基板から成るＴＦＴ基板２０には、ガラス基板から成るＣＦ基板３０と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極２０Ｂが配置されている。更に、複数の画素電極２０Ｂをそれぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴスイッチング素子や、これらＴＦＴスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等（図示せず）が設けられている。画素電極２０Ｂは、画素分離部５２によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する材料により構成されている。画素電極２０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第１スリット部２１（電極の形成されない部分）が設けられている。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第１スリット部２１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第１配向規制部であり、ここでは、この第１スリット部２１によって駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さ及び方向、並びに、第１配向規制部２１及び第２配向規制部３１の構成、構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。
【００４０】
ＣＦ基板３０には、ＴＦＴ基板２０との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のストライプ状フィルタにより構成されたカラーフィルタ（図示せず）と、対向電極３０Ｂとが配置されている。対向電極３０Ｂは、画素電極２０Ｂと同様に、例えばＩＴＯ等の透明性を有する材料により構成されている。対向電極３０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第２スリット部３１（電極の形成されない部分）が設けられている。これによっても、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第２スリット部３１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第２配向規制部であり、ここでは、この第２スリット部３１によっても駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。
【００４１】
第２スリット部３１は、第１スリット部２１と基板間で対向しないように配置されている。より具体的には、複数の第１スリット部２１は互いに平行に設けられており、複数の第２スリット部３１も互いに平行に設けられている。また、１つの画素において、互いに直交する２つの方向に複数の第１スリット部２１は延びており、同様に、互いに直交する２つの方向に複数の第２スリット部３１は延びている。そして、第１スリット部２１は、これらの第１スリット部２１に対向する第２スリット部３１と平行に設けられており、第１スリット部２１の射影像は、２つの第２スリット部３１の対称線の射影像上に位置し、第２スリット部３１の射影像は、２つの第１スリット部２１の対称線の射影像上に位置する。１つの画素（副画素）を上方から眺めたときの第１電極（画素電極）２０Ｂ及び第１スリット部２１、並びに、第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２スリット部３１の配置図を図２の（Ａ）に示し、第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２スリット部３１の配置図を図２の（Ｂ）に示す。また、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の外形形状の変形例を図３の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。尚、図２の（Ａ）、図３の（Ａ）、図４の（Ａ）においては、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）を実線で示し、これらの上方に位置する第２配向規制部（第２スリット部３１）を点線で示した。また、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部と第２配向規制部（第２スリット部３１）とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域５０に斜線を付し、更には、中心領域５１を一点鎖線で囲み、且つ、斜線を付した。重複領域５０及び中心領域５１は、便宜上、１箇所のみを図示した。また、図２の（Ｂ）、図３の（Ｂ）、図４の（Ｂ）においては、画素における第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部を点線で示し、第２配向規制部（第２スリット部３１）を実線で示した。尚、第１配向規制部（第１スリット部２１）の形状を第２配向規制部（第２スリット部３１）の形状と置き換え、第２配向規制部（第２スリット部３１）の形状を第１配向規制部（第１スリット部２１）の形状と置き換えてもよい。
【００４２】
第１配向膜２２は、ＴＦＴ基板２０の液晶層４０側の表面に画素電極２０Ｂ及び第１スリット部２１を覆うように設けられている。第２配向膜３２は、ＣＦ基板３０の液晶層４０側の表面に対向電極３０Ｂを覆うように設けられている。配向膜２２，３２は、液晶分子４１の初期の配向状態を規制するものであり、液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配向させると共に、液晶層に含まれる化合物（未重合化合物）を重合させる以前において、基板近傍の液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）を基板面に対して垂直方向に配向させる機能を有している。
【００４３】
ここで、具体的には、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の幅は、それぞれ、５μｍ及び５μｍであり、第１スリット部２１及び第２スリット部３１のピッチは、それぞれ、１１３μｍ及び１１３μｍである。
【００４４】
そして、各画素（副画素）において、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部と第２配向規制部（第２スリット部３１）とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置している。即ち、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内である。
【００４５】
図１０は、図１に示した液晶表示装置の回路構成を表している。
【００４６】
図１０に示すように、液晶表示装置は、表示領域６０内に設けられた複数の画素１０を有する液晶表示素子を含んで構成されている。この液晶表示装置では、表示領域６０の周囲には、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２を制御するタイミングコントローラ６３と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２に電力を供給する電源回路６４とが設けられている。
【００４７】
表示領域６０は、映像が表示される領域であり、複数の画素１０がマトリックス状に配列されることにより映像を表示可能に構成された領域である。尚、図１０では、複数の画素１０を含む表示領域６０を示しているほか、４つの画素１０に対応する領域を別途拡大して示している。
【００４８】
表示領域６０では、行方向に複数のソース線７１が配列されていると共に、列方向に複数のゲート線７２が配列されており、ソース線７１及びゲート線７２が互いに交差する位置に画素１０がそれぞれ配置されている。各画素１０は、画素電極２０Ｂ及び液晶層４０と共に、トランジスタ１２１及びキャパシタ１２２を含んで構成されている。各トランジスタ１２１では、ソース電極がソース線７１に接続され、ゲート電極がゲート線７２に接続され、ドレイン電極がキャパシタ１２２及び画素電極２０Ｂに接続されている。各ソース線７１は、ソースドライバ６１に接続されており、ソースドライバ６１から画像信号が供給される。各ゲート線７２は、ゲートドライバ６２に接続されており、ゲートドライバ６２から走査信号が順次供給される。
【００４９】
ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２は、複数の画素１０の中から特定の画素１０を選択する。
【００５０】
タイミングコントローラ６３は、例えば、画像信号（例えば、赤、緑、青に対応するＲＧＢの各映像信号）と、ソースドライバ６１の動作を制御するためのソースドライバ制御信号とを、ソースドライバ６１に出力する。また、タイミングコントローラ６３は、例えば、ゲートドライバ６２の動作を制御するためのゲートドライバ制御信号をゲートドライバ６２に出力する。ソースドライバ制御信号として、例えば、水平同期信号、スタートパルス信号あるいはソースドライバ用のクロック信号等が挙げられる。ゲートドライバ制御信号として、例えば、垂直同期信号や、ゲートドライバ用のクロック信号等が挙げられる。
【００５１】
この液晶表示装置では、以下の要領で第１電極（画素電極）２０Ｂと第２電極（対向電極）３０Ｂとの間に駆動電圧を印加することにより、映像が表示される。具体的には、ソースドライバ６１が、タイミングコントローラ６３からのソースドライバ制御信号の入力により、同じくタイミングコントローラ６３から入力された画像信号に基づいて所定のソース線７１に個別の画像信号を供給する。これと共に、ゲートドライバ６２が、タイミングコントローラ６３からのゲートドライバ制御信号の入力により所定のタイミングでゲート線７２に走査信号を順次供給する。これにより、画像信号が供給されたソース線７１と走査信号が供給されたゲート線７２との交差点に位置する画素１０が選択され、画素１０に駆動電圧が印加される。
【００５２】
以下、発明の実施の形態（『実施の形態』と略称する）及び実施例に基づき、本開示を説明する。
【００５３】
［実施の形態１］
実施の形態１は、本開示のＶＡモードの液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）、並びに、本開示の液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の製造方法に関する。実施の形態１において、液晶層４０は、液晶分子４１を含み、更に、重合した高分子化合物（重合高分子化合物）を含んでいる。そして、液晶分子４１には、配向膜２２，３２と接する重合した高分子化合物（重合高分子化合物）によってプレチルトが付与されている。ここで、第１基板２０に第１配向膜２２を形成し、第２基板３０に第２配向膜３２を形成した後、第１基板２０及び第２基板３０を、第１配向膜２２と第２配向膜３２とが対向するように配置し、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に、重合し得る化合物（重合し得る低分子化合物又は重合し得る高分子化合物であり、未重合化合物）及び液晶分子４１を含む液晶層４０を封止し、次いで、化合物（未重合化合物）を重合させて液晶分子４１にプレチルトを付与する。より具体的には、液晶層に対して所定の電場又は磁場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線（具体的には、例えば紫外線）を照射して化合物（未重合化合物）を重合させる。その結果、液晶分子４１を一対の基板（具体的には、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０）に対して所定の方向（具体的には、斜め方向）に配列させることができる。そして、このように、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１に対してプレチルトを付与できるため、しかも、第１配向規制部２１及び第２配向規制部３１が第１電極２０Ｂ及び第２電極３０Ｂに形成されているので、応答速度が早くなり、表示特性が向上する。
【００５４】
加えて、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができる。
【００５５】
液晶層４０は、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含んでいる。液晶分子４１は、例えば、互いに直交する長軸及び短軸をそれぞれ中心軸として回転対称な形状をなし、負の誘電率異方性を有している。
【００５６】
液晶分子４１は、第１配向膜２２との界面近傍において、第１配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａと、第２配向膜３２との界面近傍において第２配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂと、それら以外の液晶分子４１Ｃとに分類することができる。液晶分子４１Ｃは、液晶層４０の厚み方向における中間領域に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ｃの長軸方向（ダイレクタ）が第１基板２０及び第２基板３０に対してほぼ垂直になるように配列されている。ここで、駆動電圧がオンになると、液晶分子４１Ｃのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０に対して平行になるように傾いて配向する。このような挙動は、液晶分子４１Ｃにおいて、長軸方向の誘電率が短軸方向よりも小さいという性質を有することに起因している。液晶分子４１Ａ，４１Ｂも同様の性質を有することから、駆動電圧のオン・オフの状態変化に応じて、基本的には、液晶分子４１Ｃと同様の挙動を示す。但し、駆動電圧がオフの状態において、液晶分子４１Ａは重合高分子化合物によって第１プレチルト角θ1が付与され、そのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０の法線方向から傾斜した姿勢となる。同様に、液晶分子４１Ｂも重合高分子化合物によって第２プレチルト角θ2が付与され、そのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０の法線方向から傾斜した姿勢となる。尚、ここで、「保持される」とは、配向膜２２，３２と液晶分子４１Ａ，４１Ｃとが固着せずに、液晶分子４１の配向を規制していることを表している。また、「プレチルト角θ（θ1，θ2）」とは、図６に示すように、第１基板２０及び第２基板３０の表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度を指す。
【００５７】
液晶層４０では、プレチルト角θ1，θ2の双方が０°よりも大きな値を有している。この液晶層４０では、プレチルト角θ1，θ2は、同じ角度（θ1＝θ2）であってもよいし、異なる角度（θ1≠θ2）であってもよいが、中でも、プレチルト角θ1，θ2は、異なる角度であることが好ましい。これにより、プレチルト角θ1，θ2の双方が０°である場合よりも駆動電圧の印加に対する応答速度が向上すると共に、プレチルト角θ1，θ2の双方が０°である場合とほぼ同等のコントラストを得ることができる。よって、応答特性を向上させつつ、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを向上させることができる。プレチルト角θ1，θ2を異なる角度とする場合、プレチルト角θ1，θ2のうちの大きい方のプレチルト角θは、１°以上、４°以下であることがより望ましい。大きい方のプレチルト角θを上記した範囲内にすることにより、特に、高い効果が得られる。
【００５８】
次に、上記の液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法について、図７、図８及び図９に表した液晶表示装置等の模式的な一部断面図を参照して説明する。尚、図７、図８及び図９では、簡略化のため、一画素分についてのみ示す。
【００５９】
最初に、第１基板（ＴＦＴ基板）２０の表面に第１配向膜２２を形成すると共に、第２基板（ＣＦ基板）３０の表面に第２配向膜３２を形成する。
【００６０】
具体的には、先ず、第１基板２０の表面に、所定の第１スリット部２１を有する画素電極２０Ｂを例えばマトリクス状に設けることによりＴＦＴ基板２０を作製する。また、カラーフィルタが形成された第２基板３０のカラーフィルタ上に、所定の第２スリット部３１を有する対向電極３０Ｂを設けることによりＣＦ基板３０を作製する。
【００６１】
そして、配向膜材料を、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、画素電極２０Ｂ及び第１スリット部２１、並びに、対向電極３０Ｂ及び第２スリット部３１を覆うように塗布あるいは印刷した後、加熱処理をする。加熱処理の温度は、使用する配向膜材料に依り、適宜、最適な温度条件とすればよい。その後、必要に応じて、ラビング等の処理を施してもよい。こうして、垂直配向膜である第１配向膜２２及び第２配向膜３２を得ることができる。
【００６２】
次に、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを配向膜２２と配向膜３２とが対向するように配置し、配向膜２２と配向膜３２との間に、液晶分子４１を含む液晶層４０を封止する。具体的には、ＴＦＴ基板２０あるいはＣＦ基板３０のどちらか一方の、配向膜２２，３２の形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、スクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いてシール部を印刷する。その後、図７に示すように、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを、配向膜２２，３２が対向するように、スペーサ突起物及びシール部を介して貼り合わせ、液晶分子４１を含む液晶材料を注入する。次いで、加熱するなどしてシール部の硬化を行うことにより、液晶材料をＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に封止する。図７は、配向膜２２及び配向膜３２の間に封止された液晶層４０の断面構成を表している。
【００６３】
次に、図８に示すように、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、電圧印加手段を用いて、電圧Ｖ１を印加する。電圧Ｖ１は、例えば、３ボルト〜３０ボルトである。これにより、第１基板２０及び第２基板３０の表面に対して所定の角度をなす方向の電場（電界）が生じ、液晶分子４１が、第１基板２０及び第２基板３０の垂直方向から所定方向に傾いて配向する。即ち、このときの液晶分子４１の方位角（偏角）は、電場の強さ及び方向、並びに、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の構成、構造によって規定され、極角（天頂角）は、電場の強さ、並びに、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の構成、構造によって規定される。そして、第１配向膜２２との界面近傍において第１配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａ及び第２配向膜３２との界面近傍において第２配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂに付与されるプレチルト角θ1，θ2は、概ね等しくなる。従って、電圧Ｖ１の値を適宜調節することにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルト角θ1，θ2の値を制御することが可能である。
【００６４】
更に、図９に示すように、電圧Ｖ１を印加した状態のまま、エネルギー線（具体的には紫外線）を、例えば、ＴＦＴ基板２０の外側から液晶層４０に対して照射する。即ち、液晶分子４１を一対の基板２０，３０の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場又は磁場を印加しながら紫外線を照射する。これによって、液晶層４０に含まれる化合物（未重合化合物）が重合し、液晶分子４１にプレチルトが付与される。こうして、重合高分子化合物により液晶分子４１の応答すべき方向が記憶され、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１にプレチルトが付与される。そして、その結果、非駆動状態において、液晶層４０における配向膜２２，３２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂに、重合高分子化合物によってプレチルト角θ1，θ2が付与される。紫外線として、波長２９５ｎｍから波長３６５ｎｍ程度程度の光成分を多く含む紫外線が好ましい。これよりも短波長域の光成分を多く含む紫外線を用いると、液晶分子４１が光分解し、劣化する虞があるからである。尚、ここでは、紫外線をＴＦＴ基板２０の外側から照射したが、ＣＦ基板３０の外側から照射してもよく、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の双方の基板の外側から照射してもよい。この場合、透過率が高い方の基板側から紫外線を照射することが好ましい。また、ＣＦ基板３０の外側から紫外線を照射した場合、紫外線の波長域に依っては、カラーフィルタに吸収されて重合反応し難くなる虞がある。このため、ＴＦＴ基板２０の外側（画素電極を有する基板側）から照射することが好ましい。
【００６５】
また、液晶層４０に含まれる化合物（未重合化合物）が十分に重合し、未重合の化合物が出来る限り残存しないように、エネルギー線（具体的には、紫外線）の照射時間を十分に長く設定することが望ましい。具体的には、液晶層４０に含まれる化合物（未重合化合物）への紫外線照射量として１ジュール乃至２０ジュール、好ましくは５ジュール乃至１０ジュールを例示することができる。紫外線照射量が多すぎると、液晶層や他の有機物に損傷が生じる虞がある。
【００６６】
以上の工程により、図１に示した液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができる。
【００６７】
液晶表示装置（液晶表示素子）の動作において、選択された画素１０では、駆動電圧が印加されると、液晶層４０に含まれる液晶分子４１の配向状態が、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間の電位差に応じて変化する。具体的には、液晶層４０では、図１に示した駆動電圧の印加前の状態から、駆動電圧が印加されることにより、配向膜２２、２３の近傍に位置する液晶分子４１Ａ、４１Ｂが自らの傾き方向に倒れ、且つ、その動作がその他の液晶分子４１Ｃに伝播する。その結果、液晶分子４１は、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に対してほぼ水平（平行）となる姿勢をとるように応答する。これにより、液晶層４０の光学的特性が変化し、液晶表示素子への入射光が変調された出射光となり、この出射光に基づいて階調表現されることで、映像が表示される。
【００６８】
ここで、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示素子及びそれを備えた液晶表示装置では、液晶分子の配向を規制するためのスリット部等の配向規制部が基板に設けられていても、駆動電圧が印加されると、配向規制部から離れた領域では、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子は、そのダイレクタが基板の面内方向において任意の方位を向くように倒れる。このように駆動電圧に応答した液晶分子では、各液晶分子のダイレクタの方位がぶれた状態となり、全体としての配向に乱れが生じる。これにより、応答速度が遅くなり、応答特性が劣化し、その結果、表示特性を悪化させるという問題がある。また、初期の駆動電圧を表示状態の駆動電圧よりも高く設定して駆動（オーバードライブ駆動）させると、初期駆動電圧印加時において、応答した液晶分子と、殆ど応答していない液晶分子とが存在し、それらの間でダイレクタの傾きに大きな差が生じる。その後に表示状態の駆動電圧が印加されると、初期駆動電圧印加時に応答した液晶分子は、その動作が他の液晶分子に対して殆ど伝播しないうちに、表示状態の駆動電圧に応じたダイレクタの傾きとなり、この傾きが他の液晶分子に伝播する。その結果、画素全体として、初期駆動電圧印加時に表示状態の輝度に達するが、その後、輝度が低下し、再度、表示状態の輝度に達する。即ち、オーバードライブ駆動すれば、オーバードライブ駆動しない場合よりも見かけの応答速度は早くなるが、十分な表示品位が得られ難いという問題がある。尚、これらの問題は、ＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示素子では生じ難く、ＶＡモードの液晶表示素子において特有の問題と考えられる。
【００６９】
これに対して、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法では、上記した重合高分子化合物が液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対して所定のプレチルト角θ1，θ2を付与する。これにより、プレチルト処理が全く施されていない場合の問題が生じ難くなり、駆動電圧に対する応答速度が大幅に向上し、オーバードライブ駆動時における表示品位も向上する。その上、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０には、液晶分子４１の配向を規制するための配向規制部として第１スリット部２１及び第２スリット部３１が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上し、応答速度が大幅に向上する。しかも、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができる。尚、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）の状態を図５の（Ａ）及び（Ｂ）に模式的に示す。ここで、図５の（Ａ）及び（Ｂ）の最上段に示す液晶分子４１Ｂは、第２基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図５の（Ａ）及び（Ｂ）の最下段に示す液晶分子４１Ａは、第１基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図５の（Ａ）及び（Ｂ）の中段に示す液晶分子４１Ｃは、第１基板と第２基板の中間に位置する液晶分子を示す。また、液晶分子を横切る点線は液晶分子の長軸を示す。図５の（Ａ）に示す状態にあっては、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。一方、図５の（Ｂ）に示す状態にあっては、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にある。
【００７０】
また、従来の液晶表示装置の製造方法（光配向技術）では、配向膜は、基板面上に設けられた所定の高分子材料を含む前駆体膜に対して直線偏光の光や基板面に対する斜め方向の光（以下、『斜め光』と呼ぶ）を照射して形成され、これによりプレチルト処理が施される。このため、配向膜を形成する際に、直線偏光の平行光を斜めから照射する装置といった大がかりな光照射装置が必要とされるという問題がある。また、より広い視野角を実現するためのマルチドメインを有する画素の形成には、マスクが必要とされる上、製造工程が複雑になるという問題もある。特に、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、基板上にスペーサ等の構造物あるいは凹凸があると、構造物等の陰になり、斜め光が届かない領域が生じ、この領域において液晶分子に対する所望の配向規制が難しくなる。この場合、例えば、画素内にマルチドメインを設けるためにフォトマスクを用いて斜め光を照射するには、光の回り込みを考慮した画素設計が必要となる。即ち、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、高精細な画素形成が難しいという問題もある。
【００７１】
更に、従来の光配向技術の中でも、高分子材料として架橋性高分子化合物を用いる場合、前駆体膜中において架橋性高分子化合物に含まれる架橋性官能基又は重合性官能基は、熱運動によりランダムな方位（方向）を向いているため、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づく確率が低くなる。その上、ランダム光（非偏光）を照射した場合、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づくことにより反応するが、直線偏光の光を照射して反応する架橋性官能基又は重合性官能基は、偏光方向と反応部位の方向とが所定の方向に揃う必要がある。また、斜め光は、垂直光と比較して、照射面積が広がる分だけ、単位面積当たりの照射量が低下する。即ち、直線偏光の光あるいは斜め光に反応する架橋性官能基又は重合性官能基の割合は、ランダム光（非偏光）を基板面に対して垂直方向から照射した場合と比較して低くなる。よって、形成された配向膜中における架橋密度（架橋度合い）が低くなり易い。
【００７２】
これに対して、実施の形態１では、液晶層４０に未重合化合物が含まれた状態で、配向膜２２と配向膜３２の間に液晶層４０を封止する。次いで、液晶層４０に電圧を印加することにより、液晶分子４１が所定の配向をとると共に、液晶分子４１によって基板あるいは電極に対する側鎖の末端構造部の方向が規定されながら、液晶層４０中の未重合化合物を重合させる。こうして、重合高分子化合物によって液晶分子４１Ａ，４１Ｂにプレチルト角θ1，θ2を付与することができる。即ち、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法によれば、大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることができる。その上、未重合化合物を重合させる際に、紫外線の照射方向に依存することなく液晶分子４１に対してプレチルト角θを付与することができるため、高精細な画素を形成することができる。そして、長時間駆動しても、駆動中に重合構造が新たに形成され難いため、液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルト角θ1，θ2が製造時の状態に維持され、信頼性を向上させることもできる。
【００７３】
また、液晶層４０を封止した後に液晶層４０に含まれる未重合の化合物の重合によりプレチルト処理が施される実施の形態１では、配向膜２２，３２近傍における液晶分子４１の配向を規制するための第１スリット部２１及び第２スリット部３１によって、駆動時の液晶分子４１の配向方向に応じて、プレチルトが付与される。よって、図１１に示すように、液晶分子４１のプレチルトの方向が揃い易いため、オーダーパラメータが大きくなる（１に近づく）。これにより、液晶表示素子の駆動時において、液晶分子４１が均一な挙動を示すため、透過率が連続的に増加する。
【００７４】
尚、実施の形態１では、第１スリット部２１及び第２スリット部３１を設けることにより、配向分割させて視野角特性を向上させるようにしたが、それに限定されるものではない。例えば、第１スリット部２１の代わりに、画素電極２０Ｂ上に配向規制部としての突起を設けてもよい。このように突起を設けることによっても、第１スリット部２１を設けた場合と同様の効果を得ることができる。更に、ＣＦ基板３０の対向電極３０Ｂ上に配向規制部としての突起を設けてもよい。この場合、ＴＦＴ基板２０上の突起とＣＦ基板３０上の突起とは、基板間で対向しないように配置されている。そして、これらの突起を設けることでも、上記と同様の効果を得ることができる。
【実施例１】
【００７５】
実施例１は、本開示の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法に関する。実施例１にあっては、以下の手順により、図１に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を作製した。
【００７６】
先ず、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を準備した。ＴＦＴ基板２０として、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０Ａの一面側に、スリットパターン（第１スリット部２１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第１スリット部２１が形成された第１電極２０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第１電極２０Ｂと第１電極２０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る画素電極２０Ｂが形成された基板を用いた。また、ＣＦ基板３０として、カラーフィルタが形成された厚さ０．７ｍｍのガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、スリットパターン（第２スリット部３１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第２スリット部３１が形成された第３電極３０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第２電極３０Ｂと第２電極３０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る対向電極３０Ｂが形成された基板を用いた。この画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂに形成されたスリットパターンによって、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に斜め電界が加わる。その後、ＴＦＴ基板２０の上に３．５μｍのスペーサ突起物を形成した。尚、スリットパターンとして、図３の（Ａ）及び（Ｂ）に示したスリットパターンを用いた。
【００７７】
次いで、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、市販の垂直配向膜材料（ＪＳＲ株式会社製ＡＬ１Ｈ６５９）をスピンコーターを用いて塗布した後、塗布膜を８０゜Ｃのホットプレートで８０秒間乾燥させた。その後、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を、窒素ガス雰囲気下、２００゜Ｃのオーブンで１時間加熱した。これにより、画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂ上における厚さが９０ｎｍの配向膜２２，３２を形成した。
【００７８】
次に、ＣＦ基板３０上の画素部周縁に、粒径３．５μｍのシリカ粒子を含む紫外線硬化型樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶であるＭＬＣ−７０２９（メルク社製）から成る液晶材料と、ＢＡＳＦジャパン株式会社製のアクリルモノマーＬＣ２４２［式（１−６）で示される］から成る未重合化合物の混合物を滴下注入した。尚、混合物における液晶材料／未重合化合物の質量比を、１００／０．３とした。その後、画素電極２０Ｂのライン部分の中央と、対向電極３０Ｂの第２スリット部３１とが対向するようにＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。次に、１２０゜Ｃのオーブンで１時間加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層４０が封止され、液晶セルを完成させることができた。
【００７９】
次いで、このように作製された液晶セルに対して、実効値電圧４ボルトの矩形波の交流電界（６０Ｈｚ）を印加した状態で、５００ｍＪ（波長３６５ｎｍでの測定）の均一な紫外線を照射し、液晶層４０に含まれる未重合化合物を重合させ、重合高分子化合物を得た。以上により、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０側の液晶分子４１Ａ，４１Ｂがプレチルトをなす図１に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。
【００８０】
尚、こうして得られた液晶表示装置を、実施例１Ａの液晶表示装置と呼ぶ。
【００８１】
式（１−１）にて示した未重合化合物を使用し、混合物における液晶材料／未重合化合物の質量比を、１００／０．３とした以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。こうして得られた液晶表示装置を、実施例１Ｂの液晶表示装置と呼ぶ。
【００８２】
比較例１として、図１２に示すように、第１基板（ＴＦＴ基板）における第１電極（画素電極）の構造を、幅８μｍの幹電極部、及び、幹電極部から斜め横方向に延びる枝配線部（幅４μｍ、枝配線部と枝配線部との間の隙間４μｍ）とし、第２基板（ＣＦ基板）における第２電極（対向電極）には、スリット部を設けず、所謂ベタ電極とした構造を有する液晶表示装置を製造した。尚、第１電極及び第２電極の構成、構造以外は、実施例１Ａと同じ液晶表示装置の構成、構造とした。
【００８３】
実施例１Ａ、実施例１Ｂ及び比較例１、並びに、後述する実施例２の液晶表示装置（液晶表示素子）について、応答時間及び第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を測定した。その結果を以下の表１に示すが、第１プレチルト角θ1＝第２プレチルト角θ2であった。それ故、表１にあっては、第１プレチルト角θ1及び第２プレチルト角θ2を纏めてプレチルト角θで表す。応答時間を測定する際には、測定装置としてＬＣＤ５２００（大塚電子株式会社製）を用いて、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、駆動電圧（７．５ボルト）を印加し、輝度１０％からその駆動電圧に応じた階調の９０％の輝度となるまでの時間を測定した。また、液晶分子４１のプレチルト角θを調べる際には、公知の方法（T.J.Scheffer等，J.Appl.Phys.，vol.19，２０１３頁，１９８０年に記載されている方法）に準拠し、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を用いた結晶回転法により測定した。尚、プレチルト角θは、上述し、図６に示したように、ガラス基板２０Ａ，３０Ａの表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度である。
【００８４】
［表１］
プレチルト角θ（度） 応答時間（ミリ秒）
実施例１Ａ ２．０ ７．４
実施例１Ｂ ２．７ ３．２
比較例２ ２．１ １８．７
比較例 ３．０ １２．１
【００８５】
以上に説明したように、実施例１あるいは実施例２にあっては、液晶層４０を設けた状態で、液晶層４０に含まれる高分子化合物がその近傍の液晶分子４１に対してプレチルト角θを付与するように、液晶層４０に含まれる化合物を重合させる。しかも、第１配向規制部２１及び第２配向規制部３１が第１電極２０Ｂ及び第２電極３０Ｂに形成されているので、応答速度を大幅に向上させることができる。この場合、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対してプレチルトを付与することが可能であることが確認された。しかも、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置していた。云い換えれば、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内にあった。即ち、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはなかった。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができた。しかも、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内にあり、各種の配線（ソース線やゲート線等）による配向の乱れを制御することができ（即ち、配向の乱れを少なくすることができ）、透過率の向上を図ることができる。
【実施例２】
【００８６】
実施例２は実施例１の変形である。実施例２にあっては、実施例１にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して化合物（未重合化合物）を重合させた。一方、実施例２にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、加熱することで化合物（未重合化合物）を重合させる。
【００８７】
実施例２にあっては、式（１−１９）にて示した未重合化合物を使用し、混合物における液晶材料／未重合化合物の質量比を１００／０．３とした。以上の点以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。こうして得られた液晶表示装置の応答時間及び第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を測定結果を表２に示す。
【００８８】
以上、好ましい実施の形態及び実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能であるし、第１配向規制部及び第２配向規制部の構成、構造、配置状態も、適宜、変更することができる。例えば、実施の形態及び実施例ではＶＡモードの液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示は必ずしもこれに限定されず、ＥＣＢモード（水平配向でポジ液晶のモード；ツイスト無し）、ＩＰＳ（In Plane Switching ）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードあるいはＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モード等の、他の表示モードにも適用可能である。この場合においても同様の効果が得られる。但し、本開示では、プレチルト処理が施されていないものと比較すると、ＶＡモードにおいて、ＩＰＳモードやＦＦＳモードよりも、特に高い応答特性の改善効果を発揮することができる。
【００８９】
また、実施の形態及び実施例では、専ら透過型の液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示では必ずしも透過型に限られず、例えば、反射型としてもよい。反射型とした場合には、画素電極がアルミニウム等の光反射性を有する電極材料により構成される。
【符号の説明】
【００９０】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・画素、２０・・・第１基板（ＴＦＴ基板）、２０Ａ，３０Ａ・・・ガラス基板、２０Ｂ・・・第１電極（画素電極）、２１・・・第１配向規制部（第１スリット部）、２２・・・第１配向膜、３０・・・第２基板（ＣＦ基板）、３０Ｂ・・・第２電極（対向電極）、３１・・・第２配向規制部（第２スリット部）、３２・・・第２配向膜、４０・・・液晶層、４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ・・・液晶分子、５０・・・重複領域、５１・・・中心領域、５２・・・画素分離部、６０・・・表示領域、６１・・・ソースドライバ、６２・・・ゲートドライバ、６３・・・タイミングコントローラ、６４・・・電源回路、７１・・・ソース線、７２・・・ゲート線、１２１・・・トランジスタ、１２２・・・キャパシタ
【技術分野】
【０００１】
本開示は、対向面に配向膜を有する一対の基板の間に液晶層が封止された液晶表示素子を備えた液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶テレビジョン受像機やノート型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置等の表示モニタとして、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が多く用いられている。この液晶ディスプレイは、基板間に挟持された液晶層中に含まれる液晶分子の分子配列（配向）によって様々な表示モード（方式）に分類される。表示モードとして、例えば、電圧をかけない状態で液晶分子がねじれて配向しているＴＮ（Twisted Nematic；ねじれネマティック）モードがよく知られている。ＴＮモードでは、液晶分子は、正の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて大きい性質を有している。このため、液晶分子は、基板面に対して平行な面内において、液晶分子の配向方位を順次回転させつつ、基板面に垂直な方向に整列させた構造となっている。
【０００３】
この一方で、電圧をかけない状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向しているＶＡ（Vertical Alignment）モードに対する注目が高まっている。ＶＡモードでは、液晶分子は、負の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて小さい性質を有しており、ＴＮモードに比べて広視野角を実現できる。
【０００４】
このようなＶＡモードの液晶ディスプレイでは、電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子が、負の誘電率異方性により、基板に対して平行方向に倒れるように応答することによって、光を透過させる構成となっている。ところが、基板に対して垂直方向に配向した液晶分子の倒れる方向は任意であるため、電圧印加により液晶分子の配向が乱れ、よって、電圧に対する応答特性を悪化させる要因となっていた。
【０００５】
そこで、応答特性を向上させるために、液晶分子が電圧に応答して倒れる方向を規制する技術が検討されている。具体的には、基板面に対して斜め方向から直線偏光の紫外光を照射することにより形成された配向膜を用いて、液晶分子に対してプレチルトを付与する技術（光配向技術）等である。光配向技術として、例えば、カルコン構造を含むポリマーから成る膜に対して、紫外光の直線偏光の光を基板面に対して斜め方向から照射し、カルコン構造中の二重結合部分が架橋することにより配向膜を形成する技術が知られている（特許文献１〜特許文献３参照）。また、この他に、ビニルシンナメート誘導体高分子とポリイミドとの混合物を用いて配向膜を形成する技術がある（特許文献４参照）。更に、ポリイミドを含む膜に対して波長２５４ｎｍの直線偏光の光を照射して、ポリイミドの一部を分解することにより配向膜を形成する技術（特許文献５参照）等も知られている。また、光配向技術の周辺技術として、直線偏光の光あるいは斜め光を照射した、アゾベンゼン誘導体等の二色性光反応性構成単位を含むポリマーから成る膜上に、液晶性高分子化合物から成る膜を形成することにより液晶性配向膜とする技術もある（特許文献６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−０８７８５９号公報
【特許文献２】特開平１０−２５２６４６号公報
【特許文献３】特開２００２−０８２３３６号公報
【特許文献４】特開平１０−２３２４００号公報
【特許文献５】特開平１０−０７３８２１号公報
【特許文献６】特開平１１−３２６６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した光配向技術では、応答特性は、従来のＭＶＡモードやＰＶＡモードよりは向上するものの、配向膜を形成する際に、直線偏光の光を基板面に対して斜め方向から照射する装置といった大がかりな光照射装置が必要とされるという問題がある。また、より広い視野角を実現するために、画素内に複数のサブ画素を設けて液晶分子の配向を分割したマルチドメインを有する液晶ディスプレイを製造するためには、より大がかりな装置が必要とされる上、製造工程が複雑になるという問題もある。具体的には、マルチドメインを有する液晶ディスプレイでは、サブ画素毎、プレチルトが異なるように配向膜が形成されている。従って、マルチドメインを有する液晶ディスプレイの製造において上記の光配向技術を用いる場合、サブ画素毎に光照射することになるため、サブ画素毎のマスクパターンが必要となり、更に光照射装置が大がかりとなる。
【０００８】
従って、本開示の目的は、大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の液晶表示装置は、
第１基板及び第２基板を備え、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成り、
液晶層は、更に、重合した高分子化合物（『重合高分子化合物』と呼ぶ場合がある）を含み、
液晶分子には、配向膜と接する重合した高分子化合物（重合高分子化合物）によってプレチルトが付与されている。
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の液晶表示装置の製造方法（液晶表示素子の製造方法を含み、以下においても同様）は、
第１基板及び第２基板を備え、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成る液晶表示装置の製造方法であって、
第１基板に第１配向膜を形成し、第２基板に第２配向膜を形成した後、
第１基板及び第２基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、重合し得る化合物（重合し得る低分子化合物又は重合し得る高分子化合物であり、『未重合化合物』と呼ぶ場合がある）及び液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
化合物（未重合化合物）を重合させて液晶分子にプレチルトを付与する、
各工程を含む。
【００１１】
本開示の液晶表示装置の製造方法にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して化合物（未重合化合物）を重合させる形態とすることができるし、あるいは又、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、加熱することで化合物（未重合化合物）を重合させる形態とすることができる。ここで、エネルギー線として、紫外線、Ｘ線、電子線を挙げることができる。
【００１２】
本開示の液晶表示装置、あるいは、上記の好ましい形態を含む本開示の液晶表示装置の製造方法にあっては、各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置する形態とすることができる。ここで、第２基板の法線方向から重複領域の中心領域を眺めたとき、第２基板の法線方向に沿って重複領域の中心領域を占める液晶分子群（より具体的には、第１基板から第２基板までの微小な柱状領域を占める液晶分子群）の長軸は、略、同一仮想垂直面内に位置している。
【００１３】
『重複領域の中心領域』とは、重複領域の中心と一致する中心を有し、重複領域と相似の形状であって、重複領域の面積の２５％の面積を有する領域を意味する。また、『液晶層における液晶分子群の長軸は、略、一仮想平面内に位置する』とは、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度が±５度以内であることを意味する。云い換えれば、液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内であることを意味する。更には、画素が複数の副画素から構成される場合、画素を副画素と読み替えればよい。
【００１４】
このように、各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸が、略、同一仮想平面内に位置していることで、即ち、重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群は、それらの液晶分子群の長軸が一方の電極側から他方の電極側に向かって捩れた状態（ツイストした状態）にはないので、一対の電極に電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、同一面内での応答ができるため、応答特性の一層の改善を図ることができる。
【００１５】
尚、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度、あるいは又、液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキの測定方法として、全反射減衰振動法（全反射減衰法とも呼ばれる）あるいは位相差測定法を挙げることができる。ここで、全反射減衰振動法とは、試料表面の吸収スペクトルを測定する方法であり、高屈折率媒質（プリズム）に試料を密着させ、プリズムから僅かに浸み出し、反射する全反射光を測定する。そして、このサンプルの方位を回転させることで、１００ｎｍ付近（液晶／配向膜）の分子の吸収の情報（配向方向）を求める方法である。また、位相差測定法は、ＲＥＴＳ１００（大塚電子株式会社製）を用いて、液晶セルを所望の角度だけ傾けた状態での位相差を測定し、プレチルトが付与された状態での理想の配向状態での位相差を予め算出しておき、フィッティングをかけることでプレチルトを算出する方法である。また、このサンプルをサンプル面内で回転させることで、プレチルトの付与された方位角を求めることができる。
【００１６】
上記の好ましい形態を含む本開示の液晶表示装置あるいは本開示の液晶表示装置の製造方法において、液晶分子は負の誘電率異方性を有する構成とすることができる。
【００１７】
更には、上記の好ましい形態、構造を含む本開示の液晶表示装置あるいは本開示の液晶表示装置の製造方法において、高分子化合物は、更に、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、ビニルオキシ基、プロペニルエーテル基、エポキシ基、オキセタン基及びスチリル基から成る群から選択された少なくとも１種類の基を含む高分子化合物から成る形態とすることができ、あるいは又、高分子化合物（重合高分子化合物）は、メソゲン基を含む高分子化合物から成る形態とすることができる。
【００１８】
ここで、未重合化合物の一般式を示すと以下のとおりである。
【００１９】
Ａ1−Ｓ1−Ｐ1−（Ｓ2−Ｐ2）n−Ｓ3−Ａ2 （１）
【００２０】
基Ａ1及び基Ａ2は、同じ又は異なる重合性官能基である。具体的には、例えば、ラジカル基；イオン重合、重付加、重縮合等の重合反応に適する基；例えば、ポリマー主鎖への付加あるいは縮合といった、ポリマー類似反応に適する基であり、好ましくは、連鎖重合のための基、特に、Ｃ＝Ｃ二重結合あるいはＣ≡Ｃ三重結合を含有する基、例えば、オキセタン基あるいはエポキシド基等の開環重合に適する基を挙げることができる。
【００２１】
より具体的には、基Ａ1あるいはＡ2として、
ＣＨ2＝ＣＸ1−ＣＯＯ−
ＣＨ2＝ＣＸ1−ＣＯ−
ＣＨ2＝ＣＸ2−（Ｏ）n−
ＣＸ1＝ＣＨ−ＣＯ−（Ｏ）n−
ＣＸ1＝ＣＨ−ＣＯ−ＮＨ−
ＣＨ2＝ＣＸ1−ＣＯ−ＮＨ−
ＣＨ3−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−
（ＣＨ2＝ＣＨ）2ＣＨ−ＯＣＯ−
（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2）2ＣＨ−ＯＣＯ−
（ＣＨ2＝ＣＨ）2ＣＨ−Ｏ−
（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2）2Ｎ−
（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2）2Ｎ−ＣＯ−
ＨＯ−ＣＸ2Ｘ3−
ＨＳ−ＣＸ2Ｘ3−
ＨＸ2Ｎ−
ＨＯ−ＣＸ2Ｘ3−ＮＨ−
ＣＨ2＝ＣＨ−（ＣＯＯ）n−Ｐｈ−（Ｏ）n−
ＣＨ2＝ＣＨ−（ＣＯ）n−Ｐｈ−（Ｏ）n−
Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−
ＨＯＯＣ−
ＯＣＮ−、及び、
Ｘ4Ｘ5Ｘ6Ｓｉ−
から成る群から選択された基を挙げることができる。
【００２２】
そして、
Ｘ1：Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＦ3、フェニル基、又は、炭素原子数１〜５を有するアルキル基を表し、特に好ましくは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、又は、メチル基を表す。
Ｘ2及びＸ3：それぞれ互いに独立に、Ｈ、又は、炭素原子数１〜５を有するアルキル基を表し、特に好ましくは、Ｈ、メチル基、エチル基、又は、ｎ−プロピル基を表す。
Ｘ4、Ｘ5及びＸ6：それぞれ互いに独立に、Ｃｌ、炭素原子数１〜５を有するオキサアルキル基、又は、炭素原子数１〜５を有するオキサカルボニルアルキル基を表す。
Ｘ7及びＸ8：それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｃｌ、又は、炭素原子数１〜５を有するアルキル基を表す。
Ｐｈ：Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、又は、直鎖状若しくは分岐状で炭素原子数１〜１２を有し、単フッ素化若しくは多フッ素化されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ基によって１箇所以上置換されていてもよい、フェニル環を表す。
ｎ：０又は１を表す。
【００２３】
基Ｓ1及び基Ｓ3は、それぞれスペーサーを表し、基Ｓ1、Ｓ3は、上記の式（１）における基Ａ−Ｓ−における「Ｓ」が式Ｓ’−Ｘ’−に対応するように、式Ｓ’−Ｘ’から選択される。ここで、
Ｓ’：炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１２を有するアルキレン基を表すが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＣＮで単置換又は多置換されていてもよい。また、これに加えて、１つ以上の隣接していない−ＣＨ2−が、Ｏ原子及び／又はＳ原子が互いに直接連結せず、それぞれ互いに独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ0−、−ＳｉＲ1Ｒ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＮＲ2−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ2−、−ＮＲ2−ＣＯ−ＮＲ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよい。
Ｘ’：−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＲ2−、−ＮＲ2−ＣＯ−、−ＮＲ2−ＣＯ−ＮＲ2−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2−、−ＣＨ2Ｓ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｓ−、−ＳＣＦ2−、−ＣＦ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＦ2−、−ＣＦ2ＣＦ2−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ0−、−ＣＹ2＝ＣＹ3−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、又は、単結合を表す。
【００２４】
ここで、
Ｒ0、Ｒ1及びＲ2：それぞれ互いに独立に、Ｈ、又は、炭素原子数１〜１２を有するアルキル基を表す。
Ｙ2及びＹ3：それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、又は、ＣＮを表す。
【００２５】
基Ｓ2もスペーサーを表し、それぞれの出現において同一又は異なって、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2−、−ＣＨ2Ｓ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｓ−、−ＳＣＦ2−、−（ＣＨ2）n1−、−ＣＦ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＦ2−、−（ＣＦ2）n1−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＲ1Ｒ2、又は、単結合を表し、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、又は、炭素原子数１〜１２個を有するアルキル基を表し、ｎ１は、１、２、３又は４を表す。
【００２６】
基Ｐ1及び基Ｐ2は、それぞれ互いに独立に、好ましくは、４〜２５個の環原子を有する芳香族、ヘテロ芳香族、脂環式又はヘテロ環式基を表し、縮合環を含有していてもよく、基Ａ−Ｓ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ2ＯＨ、ハロゲン、ＳＦ5、ＮＯ2、炭素基又は炭化水素基で単置換又は多置換されていてもよい。そして、より好ましくは、基Ｐ1及び基Ｐ2は、
１，４−フェニレン（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
ナフタレン−１，４−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
ナフタレン−２，６−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
フェナントレン−２，７−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
アントラセン−２，７−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
フルオレン−２，７−ジイル（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
クマリン（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
フラボン（１つ以上の−ＣＨ−はＮで置き換えられていてもよい）
シクロヘキサン−１，４−ジイル（１つ以上の隣接していない−ＣＨ2−はＯ及び／又はＳで置き換えられていてもよい）
１，４−シクロヘキセニレン
ビシクロ［１．１．１］ペンタン−１，３−ジイル
ビシクロ［２．２．２］オクタン−１，４−ジイル
スピロ［３．３］ヘプタン−２，６−ジイル
ピペリジン−１，４−ジイル
デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル
１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル
インダン−２，５−ジイル、又は、
オクタヒドロ−４，７−メタノインダン−２，５−ジイル
を表す（但し、これら全ての基は無置換であっても、以下に記載する置換基によって単置換又は多置換されていてもよく、ここで、係る置換基として、基Ａ、基Ａ−Ｓ−、ＯＨ、ＣＨ2ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＮ、−ＮＯ2、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒx）2、−Ｃ（＝Ｏ）Ｙ1、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒx、−Ｎ（Ｒx）2、置換されていてもよいシリル基、置換されていてもよく、炭素原子数６〜２０を有するアリール基、又は、直鎖状又は分岐状で炭素原子数１〜２５を有するアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ基を挙げることができる。但し、加えて、１つ以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｐ、又は、基Ａ−Ｓ−で置き換えられていてもよい。尚、
基Ａ及び基Ｓ：基Ａ1及び基Ａ2、基Ｓ1、基Ｓ2、基Ｓ3を参照。
Ｙ1：ハロゲンを表す。
Ｒx：基Ａ、基Ａ−Ｓ−、Ｈ、ハロゲン、又は、直鎖状、分岐状若しくは環状で炭素原子数１〜２５を有するアルキル基（但し、加えて、１つ以上の隣接していない−ＣＨ2−は、Ｏ及び／又はＳ原子が互いに直接結合しないようにして−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−で置き換えられていてもよいし、あるいは又、加えて、１つ以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｐ、又は、基Ａ−Ｓ−で置き換えられていてもよい）、置換されていてもよい炭素原子数６〜４０を有するアリール基又はアリールオキシ基、又は、置換されていてもよい炭素原子数２〜４０を有するヘテロアリール基又はヘテロアリールオキシ基を表す。
【００２７】
具体的には、未重合化合物として、以下に示す化合物を例示することができる。
【００２８】
第１配向膜及び第２配向膜を構成する材料は、周知の垂直配向膜を形成するための材料から適宜選択すればよい。
【００２９】
以上の説明した好ましい形態、構成を含む本開示の液晶表示装置あるいは本開示の液晶表示装置の製造方法（以下、これらを総称して、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある）において、第１配向膜及び第２配向膜の表面粗さＲａは１ｎｍ以下である構成とすることができる。ここで、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に規定されている。
【００３０】
また、本開示において、
第１配向規制部は、第１電極に形成された第１スリット部から成り、
第２配向規制部は、第２電極に形成された第２スリット部から成り、
第１スリット部及び第２スリット部の幅は、２μｍ以上１０μｍ未満であり、
第１スリット部及び第２スリット部のピッチは、１０μｍ乃至１８０μｍ、好ましくは３０μｍ乃至１８０μｍ、より好ましくは６０μｍ乃至１８０μｍである構成とすることができる。
【００３１】
一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されている。即ち、第１基板を画素電極を有する基板とし、第２基板を対向電極を有する基板とする形態、あるいは又、第２基板を画素電極を有する基板とし、第１基板を対向電極を有する基板とする形態とすることができる。ここで、画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが好ましい。一般に、対向電極を有する基板側にはカラーフィルタが形成されており、このカラーフィルタによってエネルギー線が吸収され、化合物（未重合化合物）の重合が生じ難くなる可能性があるが故に、カラーフィルタが形成されていない画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが好ましい。尚、画素電極を有する基板側にカラーフィルタが形成されている場合、対向電極を有する基板側からエネルギー線を照射すればよい。
【００３２】
高分子化合物（重合高分子化合物）は、一対の基板に対して、即ち、第１基板のみならず第２基板に対しても、液晶分子を所定の方向に配列させるが、第１配向膜近傍の液晶分子に付与される第１プレチルト角θ1と第２配向膜近傍の液晶分子に付与される第２プレチルト角θ2とは、同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。基本的に、プレチルトが付与されるときの液晶分子の方位角（偏角）は、電場の強さ及び方向、並びに、第１配向規制部及び第２配向規制部の構成、構造によって規定され、極角（天頂角）は、電場の強さによって規定される。第１プレチルト角θ1と第２プレチルト角θ2とを異なる値とするためには、例えば、第１配向規制部と第２配向規制部との構成、構造を相違させればよい。
【発明の効果】
【００３３】
本開示の液晶表示装置あるいはその製造方法において、液晶分子には、配向膜と接する重合した高分子化合物（重合高分子化合物）によってプレチルトが付与されており、あるいは又、化合物（未重合化合物）を重合させて液晶分子にプレチルトを付与する。そして、このように、液晶分子が配列した状態で化合物を重合させるので、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。しかも、第１配向規制部及び第２配向規制部が第１電極及び第２電極に形成されているので、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、応答速度の向上を図ることができ、良好な表示特性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本開示の液晶表示装置の模式的な一部断面図である。
【図２】図２の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の模式図であり、図２の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の模式図である。
【図３】図３の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の変形例の模式図であり、図３の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の変形例の模式図である。
【図４】図４の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の別の変形例の模式図であり、図４の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の別の変形例の模式図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）の状態を模式的に示す図である。
【図６】図６は、液晶分子のプレチルトを説明するための模式図である。
【図７】図７は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図８】図８は、図７に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図９】図９は、図８に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示した液晶表示装置の回路構成図である。
【図１１】図１１は、オーダーパラメータを説明するための断面模式図である。
【図１２】図１２は、比較例１の液晶表示装置における第１電極の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、図面を参照して、発明の実施の形態、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は発明の実施の形態、実施例に限定されるものではなく、発明の実施の形態、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．［本開示の液晶表示装置における共通の構成、構造に関する説明］
２．［発明の実施の形態に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明］
３．［実施例に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明、その他］
【００３６】
［本開示の液晶表示装置（液晶表示素子）における共通の構成、構造に関する説明］
本開示の液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の模式的な一部断面図を、図１に示す。この液晶表示装置は、複数の画素１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・）を有している。そして、この液晶表示装置（液晶表示素子）においては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板２０とＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）基板３０との間に、配向膜２２，３２を介して液晶分子４１を含む液晶層４０が設けられている。この液晶表示装置（液晶表示素子）は、所謂透過型であり、表示モードは垂直配向（ＶＡ）モードである。図１では、駆動電圧が印加されていない非駆動状態を表している。尚、画素１０は、実際には、例えば、赤色の画像を表示する副画素、緑色の画像を表示する副画素、青色の画像を表示する副画素等の副画素から構成されている。
【００３７】
ここで、ＴＦＴ基板２０が第１基板に相当し、ＣＦ基板３０が第２基板に相当する。また、第１基板（ＴＦＴ基板）２０に設けられた画素電極２０Ｂ及び配向膜２２が、第１電極及び第１配向膜に相当し、第２基板（ＣＦ基板）３０に設けられた対向電極３０Ｂ及び配向膜３２が、第２電極及び第２配向膜に相当する。
【００３８】
即ち、この液晶表示装置は、
第１基板（ＴＦＴ基板）２０及び第２基板（ＣＦ基板）３０を備え、
第２基板３０と対向する第１基板２０の対向面に形成された第１電極（画素電極）２０Ｂ、
第１電極（画素電極）２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、
第１電極（画素電極）２０Ｂ、第１配向規制部２１及び第１基板（ＴＦＴ基板）２０の対向面を覆う第１配向膜２２、
第１基板（ＴＦＴ基板）２０と対向する第２基板（ＣＦ基板）３０の対向面に形成された第２電極（対向電極）３０Ｂ、
第２電極（対向電極）３０Ｂに設けられた第２配向規制部３１、
第２電極（対向電極）３０Ｂ、第２配向規制部３１及び第２基板（ＣＦ基板）３０の対向面を覆う第２配向膜３２、並びに、
第１配向膜２２及び第２配向膜３２の間に設けられ、液晶分子４１を含む液晶層４０、
を有する画素１０が、複数、配列されて成る。
【００３９】
ガラス基板から成るＴＦＴ基板２０には、ガラス基板から成るＣＦ基板３０と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極２０Ｂが配置されている。更に、複数の画素電極２０Ｂをそれぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴスイッチング素子や、これらＴＦＴスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等（図示せず）が設けられている。画素電極２０Ｂは、画素分離部５２によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する材料により構成されている。画素電極２０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第１スリット部２１（電極の形成されない部分）が設けられている。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第１スリット部２１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第１配向規制部であり、ここでは、この第１スリット部２１によって駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さ及び方向、並びに、第１配向規制部２１及び第２配向規制部３１の構成、構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。
【００４０】
ＣＦ基板３０には、ＴＦＴ基板２０との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のストライプ状フィルタにより構成されたカラーフィルタ（図示せず）と、対向電極３０Ｂとが配置されている。対向電極３０Ｂは、画素電極２０Ｂと同様に、例えばＩＴＯ等の透明性を有する材料により構成されている。対向電極３０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第２スリット部３１（電極の形成されない部分）が設けられている。これによっても、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第２スリット部３１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第２配向規制部であり、ここでは、この第２スリット部３１によっても駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。
【００４１】
第２スリット部３１は、第１スリット部２１と基板間で対向しないように配置されている。より具体的には、複数の第１スリット部２１は互いに平行に設けられており、複数の第２スリット部３１も互いに平行に設けられている。また、１つの画素において、互いに直交する２つの方向に複数の第１スリット部２１は延びており、同様に、互いに直交する２つの方向に複数の第２スリット部３１は延びている。そして、第１スリット部２１は、これらの第１スリット部２１に対向する第２スリット部３１と平行に設けられており、第１スリット部２１の射影像は、２つの第２スリット部３１の対称線の射影像上に位置し、第２スリット部３１の射影像は、２つの第１スリット部２１の対称線の射影像上に位置する。１つの画素（副画素）を上方から眺めたときの第１電極（画素電極）２０Ｂ及び第１スリット部２１、並びに、第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２スリット部３１の配置図を図２の（Ａ）に示し、第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２スリット部３１の配置図を図２の（Ｂ）に示す。また、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の外形形状の変形例を図３の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。尚、図２の（Ａ）、図３の（Ａ）、図４の（Ａ）においては、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）を実線で示し、これらの上方に位置する第２配向規制部（第２スリット部３１）を点線で示した。また、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部と第２配向規制部（第２スリット部３１）とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域５０に斜線を付し、更には、中心領域５１を一点鎖線で囲み、且つ、斜線を付した。重複領域５０及び中心領域５１は、便宜上、１箇所のみを図示した。また、図２の（Ｂ）、図３の（Ｂ）、図４の（Ｂ）においては、画素における第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部を点線で示し、第２配向規制部（第２スリット部３１）を実線で示した。尚、第１配向規制部（第１スリット部２１）の形状を第２配向規制部（第２スリット部３１）の形状と置き換え、第２配向規制部（第２スリット部３１）の形状を第１配向規制部（第１スリット部２１）の形状と置き換えてもよい。
【００４２】
第１配向膜２２は、ＴＦＴ基板２０の液晶層４０側の表面に画素電極２０Ｂ及び第１スリット部２１を覆うように設けられている。第２配向膜３２は、ＣＦ基板３０の液晶層４０側の表面に対向電極３０Ｂを覆うように設けられている。配向膜２２，３２は、液晶分子４１の初期の配向状態を規制するものであり、液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配向させると共に、液晶層に含まれる化合物（未重合化合物）を重合させる以前において、基板近傍の液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）を基板面に対して垂直方向に配向させる機能を有している。
【００４３】
ここで、具体的には、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の幅は、それぞれ、５μｍ及び５μｍであり、第１スリット部２１及び第２スリット部３１のピッチは、それぞれ、１１３μｍ及び１１３μｍである。
【００４４】
そして、各画素（副画素）において、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部と第２配向規制部（第２スリット部３１）とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置している。即ち、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内である。
【００４５】
図１０は、図１に示した液晶表示装置の回路構成を表している。
【００４６】
図１０に示すように、液晶表示装置は、表示領域６０内に設けられた複数の画素１０を有する液晶表示素子を含んで構成されている。この液晶表示装置では、表示領域６０の周囲には、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２を制御するタイミングコントローラ６３と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２に電力を供給する電源回路６４とが設けられている。
【００４７】
表示領域６０は、映像が表示される領域であり、複数の画素１０がマトリックス状に配列されることにより映像を表示可能に構成された領域である。尚、図１０では、複数の画素１０を含む表示領域６０を示しているほか、４つの画素１０に対応する領域を別途拡大して示している。
【００４８】
表示領域６０では、行方向に複数のソース線７１が配列されていると共に、列方向に複数のゲート線７２が配列されており、ソース線７１及びゲート線７２が互いに交差する位置に画素１０がそれぞれ配置されている。各画素１０は、画素電極２０Ｂ及び液晶層４０と共に、トランジスタ１２１及びキャパシタ１２２を含んで構成されている。各トランジスタ１２１では、ソース電極がソース線７１に接続され、ゲート電極がゲート線７２に接続され、ドレイン電極がキャパシタ１２２及び画素電極２０Ｂに接続されている。各ソース線７１は、ソースドライバ６１に接続されており、ソースドライバ６１から画像信号が供給される。各ゲート線７２は、ゲートドライバ６２に接続されており、ゲートドライバ６２から走査信号が順次供給される。
【００４９】
ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２は、複数の画素１０の中から特定の画素１０を選択する。
【００５０】
タイミングコントローラ６３は、例えば、画像信号（例えば、赤、緑、青に対応するＲＧＢの各映像信号）と、ソースドライバ６１の動作を制御するためのソースドライバ制御信号とを、ソースドライバ６１に出力する。また、タイミングコントローラ６３は、例えば、ゲートドライバ６２の動作を制御するためのゲートドライバ制御信号をゲートドライバ６２に出力する。ソースドライバ制御信号として、例えば、水平同期信号、スタートパルス信号あるいはソースドライバ用のクロック信号等が挙げられる。ゲートドライバ制御信号として、例えば、垂直同期信号や、ゲートドライバ用のクロック信号等が挙げられる。
【００５１】
この液晶表示装置では、以下の要領で第１電極（画素電極）２０Ｂと第２電極（対向電極）３０Ｂとの間に駆動電圧を印加することにより、映像が表示される。具体的には、ソースドライバ６１が、タイミングコントローラ６３からのソースドライバ制御信号の入力により、同じくタイミングコントローラ６３から入力された画像信号に基づいて所定のソース線７１に個別の画像信号を供給する。これと共に、ゲートドライバ６２が、タイミングコントローラ６３からのゲートドライバ制御信号の入力により所定のタイミングでゲート線７２に走査信号を順次供給する。これにより、画像信号が供給されたソース線７１と走査信号が供給されたゲート線７２との交差点に位置する画素１０が選択され、画素１０に駆動電圧が印加される。
【００５２】
以下、発明の実施の形態（『実施の形態』と略称する）及び実施例に基づき、本開示を説明する。
【００５３】
［実施の形態１］
実施の形態１は、本開示のＶＡモードの液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）、並びに、本開示の液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の製造方法に関する。実施の形態１において、液晶層４０は、液晶分子４１を含み、更に、重合した高分子化合物（重合高分子化合物）を含んでいる。そして、液晶分子４１には、配向膜２２，３２と接する重合した高分子化合物（重合高分子化合物）によってプレチルトが付与されている。ここで、第１基板２０に第１配向膜２２を形成し、第２基板３０に第２配向膜３２を形成した後、第１基板２０及び第２基板３０を、第１配向膜２２と第２配向膜３２とが対向するように配置し、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に、重合し得る化合物（重合し得る低分子化合物又は重合し得る高分子化合物であり、未重合化合物）及び液晶分子４１を含む液晶層４０を封止し、次いで、化合物（未重合化合物）を重合させて液晶分子４１にプレチルトを付与する。より具体的には、液晶層に対して所定の電場又は磁場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線（具体的には、例えば紫外線）を照射して化合物（未重合化合物）を重合させる。その結果、液晶分子４１を一対の基板（具体的には、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０）に対して所定の方向（具体的には、斜め方向）に配列させることができる。そして、このように、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１に対してプレチルトを付与できるため、しかも、第１配向規制部２１及び第２配向規制部３１が第１電極２０Ｂ及び第２電極３０Ｂに形成されているので、応答速度が早くなり、表示特性が向上する。
【００５４】
加えて、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができる。
【００５５】
液晶層４０は、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含んでいる。液晶分子４１は、例えば、互いに直交する長軸及び短軸をそれぞれ中心軸として回転対称な形状をなし、負の誘電率異方性を有している。
【００５６】
液晶分子４１は、第１配向膜２２との界面近傍において、第１配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａと、第２配向膜３２との界面近傍において第２配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂと、それら以外の液晶分子４１Ｃとに分類することができる。液晶分子４１Ｃは、液晶層４０の厚み方向における中間領域に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ｃの長軸方向（ダイレクタ）が第１基板２０及び第２基板３０に対してほぼ垂直になるように配列されている。ここで、駆動電圧がオンになると、液晶分子４１Ｃのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０に対して平行になるように傾いて配向する。このような挙動は、液晶分子４１Ｃにおいて、長軸方向の誘電率が短軸方向よりも小さいという性質を有することに起因している。液晶分子４１Ａ，４１Ｂも同様の性質を有することから、駆動電圧のオン・オフの状態変化に応じて、基本的には、液晶分子４１Ｃと同様の挙動を示す。但し、駆動電圧がオフの状態において、液晶分子４１Ａは重合高分子化合物によって第１プレチルト角θ1が付与され、そのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０の法線方向から傾斜した姿勢となる。同様に、液晶分子４１Ｂも重合高分子化合物によって第２プレチルト角θ2が付与され、そのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０の法線方向から傾斜した姿勢となる。尚、ここで、「保持される」とは、配向膜２２，３２と液晶分子４１Ａ，４１Ｃとが固着せずに、液晶分子４１の配向を規制していることを表している。また、「プレチルト角θ（θ1，θ2）」とは、図６に示すように、第１基板２０及び第２基板３０の表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度を指す。
【００５７】
液晶層４０では、プレチルト角θ1，θ2の双方が０°よりも大きな値を有している。この液晶層４０では、プレチルト角θ1，θ2は、同じ角度（θ1＝θ2）であってもよいし、異なる角度（θ1≠θ2）であってもよいが、中でも、プレチルト角θ1，θ2は、異なる角度であることが好ましい。これにより、プレチルト角θ1，θ2の双方が０°である場合よりも駆動電圧の印加に対する応答速度が向上すると共に、プレチルト角θ1，θ2の双方が０°である場合とほぼ同等のコントラストを得ることができる。よって、応答特性を向上させつつ、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを向上させることができる。プレチルト角θ1，θ2を異なる角度とする場合、プレチルト角θ1，θ2のうちの大きい方のプレチルト角θは、１°以上、４°以下であることがより望ましい。大きい方のプレチルト角θを上記した範囲内にすることにより、特に、高い効果が得られる。
【００５８】
次に、上記の液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法について、図７、図８及び図９に表した液晶表示装置等の模式的な一部断面図を参照して説明する。尚、図７、図８及び図９では、簡略化のため、一画素分についてのみ示す。
【００５９】
最初に、第１基板（ＴＦＴ基板）２０の表面に第１配向膜２２を形成すると共に、第２基板（ＣＦ基板）３０の表面に第２配向膜３２を形成する。
【００６０】
具体的には、先ず、第１基板２０の表面に、所定の第１スリット部２１を有する画素電極２０Ｂを例えばマトリクス状に設けることによりＴＦＴ基板２０を作製する。また、カラーフィルタが形成された第２基板３０のカラーフィルタ上に、所定の第２スリット部３１を有する対向電極３０Ｂを設けることによりＣＦ基板３０を作製する。
【００６１】
そして、配向膜材料を、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、画素電極２０Ｂ及び第１スリット部２１、並びに、対向電極３０Ｂ及び第２スリット部３１を覆うように塗布あるいは印刷した後、加熱処理をする。加熱処理の温度は、使用する配向膜材料に依り、適宜、最適な温度条件とすればよい。その後、必要に応じて、ラビング等の処理を施してもよい。こうして、垂直配向膜である第１配向膜２２及び第２配向膜３２を得ることができる。
【００６２】
次に、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを配向膜２２と配向膜３２とが対向するように配置し、配向膜２２と配向膜３２との間に、液晶分子４１を含む液晶層４０を封止する。具体的には、ＴＦＴ基板２０あるいはＣＦ基板３０のどちらか一方の、配向膜２２，３２の形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、スクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いてシール部を印刷する。その後、図７に示すように、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを、配向膜２２，３２が対向するように、スペーサ突起物及びシール部を介して貼り合わせ、液晶分子４１を含む液晶材料を注入する。次いで、加熱するなどしてシール部の硬化を行うことにより、液晶材料をＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に封止する。図７は、配向膜２２及び配向膜３２の間に封止された液晶層４０の断面構成を表している。
【００６３】
次に、図８に示すように、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、電圧印加手段を用いて、電圧Ｖ１を印加する。電圧Ｖ１は、例えば、３ボルト〜３０ボルトである。これにより、第１基板２０及び第２基板３０の表面に対して所定の角度をなす方向の電場（電界）が生じ、液晶分子４１が、第１基板２０及び第２基板３０の垂直方向から所定方向に傾いて配向する。即ち、このときの液晶分子４１の方位角（偏角）は、電場の強さ及び方向、並びに、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の構成、構造によって規定され、極角（天頂角）は、電場の強さ、並びに、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の構成、構造によって規定される。そして、第１配向膜２２との界面近傍において第１配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａ及び第２配向膜３２との界面近傍において第２配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂに付与されるプレチルト角θ1，θ2は、概ね等しくなる。従って、電圧Ｖ１の値を適宜調節することにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルト角θ1，θ2の値を制御することが可能である。
【００６４】
更に、図９に示すように、電圧Ｖ１を印加した状態のまま、エネルギー線（具体的には紫外線）を、例えば、ＴＦＴ基板２０の外側から液晶層４０に対して照射する。即ち、液晶分子４１を一対の基板２０，３０の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場又は磁場を印加しながら紫外線を照射する。これによって、液晶層４０に含まれる化合物（未重合化合物）が重合し、液晶分子４１にプレチルトが付与される。こうして、重合高分子化合物により液晶分子４１の応答すべき方向が記憶され、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１にプレチルトが付与される。そして、その結果、非駆動状態において、液晶層４０における配向膜２２，３２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂに、重合高分子化合物によってプレチルト角θ1，θ2が付与される。紫外線として、波長２９５ｎｍから波長３６５ｎｍ程度程度の光成分を多く含む紫外線が好ましい。これよりも短波長域の光成分を多く含む紫外線を用いると、液晶分子４１が光分解し、劣化する虞があるからである。尚、ここでは、紫外線をＴＦＴ基板２０の外側から照射したが、ＣＦ基板３０の外側から照射してもよく、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の双方の基板の外側から照射してもよい。この場合、透過率が高い方の基板側から紫外線を照射することが好ましい。また、ＣＦ基板３０の外側から紫外線を照射した場合、紫外線の波長域に依っては、カラーフィルタに吸収されて重合反応し難くなる虞がある。このため、ＴＦＴ基板２０の外側（画素電極を有する基板側）から照射することが好ましい。
【００６５】
また、液晶層４０に含まれる化合物（未重合化合物）が十分に重合し、未重合の化合物が出来る限り残存しないように、エネルギー線（具体的には、紫外線）の照射時間を十分に長く設定することが望ましい。具体的には、液晶層４０に含まれる化合物（未重合化合物）への紫外線照射量として１ジュール乃至２０ジュール、好ましくは５ジュール乃至１０ジュールを例示することができる。紫外線照射量が多すぎると、液晶層や他の有機物に損傷が生じる虞がある。
【００６６】
以上の工程により、図１に示した液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができる。
【００６７】
液晶表示装置（液晶表示素子）の動作において、選択された画素１０では、駆動電圧が印加されると、液晶層４０に含まれる液晶分子４１の配向状態が、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間の電位差に応じて変化する。具体的には、液晶層４０では、図１に示した駆動電圧の印加前の状態から、駆動電圧が印加されることにより、配向膜２２、２３の近傍に位置する液晶分子４１Ａ、４１Ｂが自らの傾き方向に倒れ、且つ、その動作がその他の液晶分子４１Ｃに伝播する。その結果、液晶分子４１は、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に対してほぼ水平（平行）となる姿勢をとるように応答する。これにより、液晶層４０の光学的特性が変化し、液晶表示素子への入射光が変調された出射光となり、この出射光に基づいて階調表現されることで、映像が表示される。
【００６８】
ここで、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示素子及びそれを備えた液晶表示装置では、液晶分子の配向を規制するためのスリット部等の配向規制部が基板に設けられていても、駆動電圧が印加されると、配向規制部から離れた領域では、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子は、そのダイレクタが基板の面内方向において任意の方位を向くように倒れる。このように駆動電圧に応答した液晶分子では、各液晶分子のダイレクタの方位がぶれた状態となり、全体としての配向に乱れが生じる。これにより、応答速度が遅くなり、応答特性が劣化し、その結果、表示特性を悪化させるという問題がある。また、初期の駆動電圧を表示状態の駆動電圧よりも高く設定して駆動（オーバードライブ駆動）させると、初期駆動電圧印加時において、応答した液晶分子と、殆ど応答していない液晶分子とが存在し、それらの間でダイレクタの傾きに大きな差が生じる。その後に表示状態の駆動電圧が印加されると、初期駆動電圧印加時に応答した液晶分子は、その動作が他の液晶分子に対して殆ど伝播しないうちに、表示状態の駆動電圧に応じたダイレクタの傾きとなり、この傾きが他の液晶分子に伝播する。その結果、画素全体として、初期駆動電圧印加時に表示状態の輝度に達するが、その後、輝度が低下し、再度、表示状態の輝度に達する。即ち、オーバードライブ駆動すれば、オーバードライブ駆動しない場合よりも見かけの応答速度は早くなるが、十分な表示品位が得られ難いという問題がある。尚、これらの問題は、ＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示素子では生じ難く、ＶＡモードの液晶表示素子において特有の問題と考えられる。
【００６９】
これに対して、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法では、上記した重合高分子化合物が液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対して所定のプレチルト角θ1，θ2を付与する。これにより、プレチルト処理が全く施されていない場合の問題が生じ難くなり、駆動電圧に対する応答速度が大幅に向上し、オーバードライブ駆動時における表示品位も向上する。その上、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０には、液晶分子４１の配向を規制するための配向規制部として第１スリット部２１及び第２スリット部３１が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上し、応答速度が大幅に向上する。しかも、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができる。尚、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）の状態を図５の（Ａ）及び（Ｂ）に模式的に示す。ここで、図５の（Ａ）及び（Ｂ）の最上段に示す液晶分子４１Ｂは、第２基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図５の（Ａ）及び（Ｂ）の最下段に示す液晶分子４１Ａは、第１基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図５の（Ａ）及び（Ｂ）の中段に示す液晶分子４１Ｃは、第１基板と第２基板の中間に位置する液晶分子を示す。また、液晶分子を横切る点線は液晶分子の長軸を示す。図５の（Ａ）に示す状態にあっては、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。一方、図５の（Ｂ）に示す状態にあっては、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にある。
【００７０】
また、従来の液晶表示装置の製造方法（光配向技術）では、配向膜は、基板面上に設けられた所定の高分子材料を含む前駆体膜に対して直線偏光の光や基板面に対する斜め方向の光（以下、『斜め光』と呼ぶ）を照射して形成され、これによりプレチルト処理が施される。このため、配向膜を形成する際に、直線偏光の平行光を斜めから照射する装置といった大がかりな光照射装置が必要とされるという問題がある。また、より広い視野角を実現するためのマルチドメインを有する画素の形成には、マスクが必要とされる上、製造工程が複雑になるという問題もある。特に、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、基板上にスペーサ等の構造物あるいは凹凸があると、構造物等の陰になり、斜め光が届かない領域が生じ、この領域において液晶分子に対する所望の配向規制が難しくなる。この場合、例えば、画素内にマルチドメインを設けるためにフォトマスクを用いて斜め光を照射するには、光の回り込みを考慮した画素設計が必要となる。即ち、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、高精細な画素形成が難しいという問題もある。
【００７１】
更に、従来の光配向技術の中でも、高分子材料として架橋性高分子化合物を用いる場合、前駆体膜中において架橋性高分子化合物に含まれる架橋性官能基又は重合性官能基は、熱運動によりランダムな方位（方向）を向いているため、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づく確率が低くなる。その上、ランダム光（非偏光）を照射した場合、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づくことにより反応するが、直線偏光の光を照射して反応する架橋性官能基又は重合性官能基は、偏光方向と反応部位の方向とが所定の方向に揃う必要がある。また、斜め光は、垂直光と比較して、照射面積が広がる分だけ、単位面積当たりの照射量が低下する。即ち、直線偏光の光あるいは斜め光に反応する架橋性官能基又は重合性官能基の割合は、ランダム光（非偏光）を基板面に対して垂直方向から照射した場合と比較して低くなる。よって、形成された配向膜中における架橋密度（架橋度合い）が低くなり易い。
【００７２】
これに対して、実施の形態１では、液晶層４０に未重合化合物が含まれた状態で、配向膜２２と配向膜３２の間に液晶層４０を封止する。次いで、液晶層４０に電圧を印加することにより、液晶分子４１が所定の配向をとると共に、液晶分子４１によって基板あるいは電極に対する側鎖の末端構造部の方向が規定されながら、液晶層４０中の未重合化合物を重合させる。こうして、重合高分子化合物によって液晶分子４１Ａ，４１Ｂにプレチルト角θ1，θ2を付与することができる。即ち、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法によれば、大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることができる。その上、未重合化合物を重合させる際に、紫外線の照射方向に依存することなく液晶分子４１に対してプレチルト角θを付与することができるため、高精細な画素を形成することができる。そして、長時間駆動しても、駆動中に重合構造が新たに形成され難いため、液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルト角θ1，θ2が製造時の状態に維持され、信頼性を向上させることもできる。
【００７３】
また、液晶層４０を封止した後に液晶層４０に含まれる未重合の化合物の重合によりプレチルト処理が施される実施の形態１では、配向膜２２，３２近傍における液晶分子４１の配向を規制するための第１スリット部２１及び第２スリット部３１によって、駆動時の液晶分子４１の配向方向に応じて、プレチルトが付与される。よって、図１１に示すように、液晶分子４１のプレチルトの方向が揃い易いため、オーダーパラメータが大きくなる（１に近づく）。これにより、液晶表示素子の駆動時において、液晶分子４１が均一な挙動を示すため、透過率が連続的に増加する。
【００７４】
尚、実施の形態１では、第１スリット部２１及び第２スリット部３１を設けることにより、配向分割させて視野角特性を向上させるようにしたが、それに限定されるものではない。例えば、第１スリット部２１の代わりに、画素電極２０Ｂ上に配向規制部としての突起を設けてもよい。このように突起を設けることによっても、第１スリット部２１を設けた場合と同様の効果を得ることができる。更に、ＣＦ基板３０の対向電極３０Ｂ上に配向規制部としての突起を設けてもよい。この場合、ＴＦＴ基板２０上の突起とＣＦ基板３０上の突起とは、基板間で対向しないように配置されている。そして、これらの突起を設けることでも、上記と同様の効果を得ることができる。
【実施例１】
【００７５】
実施例１は、本開示の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法に関する。実施例１にあっては、以下の手順により、図１に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を作製した。
【００７６】
先ず、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を準備した。ＴＦＴ基板２０として、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０Ａの一面側に、スリットパターン（第１スリット部２１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第１スリット部２１が形成された第１電極２０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第１電極２０Ｂと第１電極２０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る画素電極２０Ｂが形成された基板を用いた。また、ＣＦ基板３０として、カラーフィルタが形成された厚さ０．７ｍｍのガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、スリットパターン（第２スリット部３１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第２スリット部３１が形成された第３電極３０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第２電極３０Ｂと第２電極３０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る対向電極３０Ｂが形成された基板を用いた。この画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂに形成されたスリットパターンによって、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に斜め電界が加わる。その後、ＴＦＴ基板２０の上に３．５μｍのスペーサ突起物を形成した。尚、スリットパターンとして、図３の（Ａ）及び（Ｂ）に示したスリットパターンを用いた。
【００７７】
次いで、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、市販の垂直配向膜材料（ＪＳＲ株式会社製ＡＬ１Ｈ６５９）をスピンコーターを用いて塗布した後、塗布膜を８０゜Ｃのホットプレートで８０秒間乾燥させた。その後、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を、窒素ガス雰囲気下、２００゜Ｃのオーブンで１時間加熱した。これにより、画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂ上における厚さが９０ｎｍの配向膜２２，３２を形成した。
【００７８】
次に、ＣＦ基板３０上の画素部周縁に、粒径３．５μｍのシリカ粒子を含む紫外線硬化型樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶であるＭＬＣ−７０２９（メルク社製）から成る液晶材料と、ＢＡＳＦジャパン株式会社製のアクリルモノマーＬＣ２４２［式（１−６）で示される］から成る未重合化合物の混合物を滴下注入した。尚、混合物における液晶材料／未重合化合物の質量比を、１００／０．３とした。その後、画素電極２０Ｂのライン部分の中央と、対向電極３０Ｂの第２スリット部３１とが対向するようにＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。次に、１２０゜Ｃのオーブンで１時間加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層４０が封止され、液晶セルを完成させることができた。
【００７９】
次いで、このように作製された液晶セルに対して、実効値電圧４ボルトの矩形波の交流電界（６０Ｈｚ）を印加した状態で、５００ｍＪ（波長３６５ｎｍでの測定）の均一な紫外線を照射し、液晶層４０に含まれる未重合化合物を重合させ、重合高分子化合物を得た。以上により、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０側の液晶分子４１Ａ，４１Ｂがプレチルトをなす図１に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。
【００８０】
尚、こうして得られた液晶表示装置を、実施例１Ａの液晶表示装置と呼ぶ。
【００８１】
式（１−１）にて示した未重合化合物を使用し、混合物における液晶材料／未重合化合物の質量比を、１００／０．３とした以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。こうして得られた液晶表示装置を、実施例１Ｂの液晶表示装置と呼ぶ。
【００８２】
比較例１として、図１２に示すように、第１基板（ＴＦＴ基板）における第１電極（画素電極）の構造を、幅８μｍの幹電極部、及び、幹電極部から斜め横方向に延びる枝配線部（幅４μｍ、枝配線部と枝配線部との間の隙間４μｍ）とし、第２基板（ＣＦ基板）における第２電極（対向電極）には、スリット部を設けず、所謂ベタ電極とした構造を有する液晶表示装置を製造した。尚、第１電極及び第２電極の構成、構造以外は、実施例１Ａと同じ液晶表示装置の構成、構造とした。
【００８３】
実施例１Ａ、実施例１Ｂ及び比較例１、並びに、後述する実施例２の液晶表示装置（液晶表示素子）について、応答時間及び第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を測定した。その結果を以下の表１に示すが、第１プレチルト角θ1＝第２プレチルト角θ2であった。それ故、表１にあっては、第１プレチルト角θ1及び第２プレチルト角θ2を纏めてプレチルト角θで表す。応答時間を測定する際には、測定装置としてＬＣＤ５２００（大塚電子株式会社製）を用いて、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、駆動電圧（７．５ボルト）を印加し、輝度１０％からその駆動電圧に応じた階調の９０％の輝度となるまでの時間を測定した。また、液晶分子４１のプレチルト角θを調べる際には、公知の方法（T.J.Scheffer等，J.Appl.Phys.，vol.19，２０１３頁，１９８０年に記載されている方法）に準拠し、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を用いた結晶回転法により測定した。尚、プレチルト角θは、上述し、図６に示したように、ガラス基板２０Ａ，３０Ａの表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度である。
【００８４】
［表１］
プレチルト角θ（度） 応答時間（ミリ秒）
実施例１Ａ ２．０ ７．４
実施例１Ｂ ２．７ ３．２
比較例２ ２．１ １８．７
比較例 ３．０ １２．１
【００８５】
以上に説明したように、実施例１あるいは実施例２にあっては、液晶層４０を設けた状態で、液晶層４０に含まれる高分子化合物がその近傍の液晶分子４１に対してプレチルト角θを付与するように、液晶層４０に含まれる化合物を重合させる。しかも、第１配向規制部２１及び第２配向規制部３１が第１電極２０Ｂ及び第２電極３０Ｂに形成されているので、応答速度を大幅に向上させることができる。この場合、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対してプレチルトを付与することが可能であることが確認された。しかも、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置していた。云い換えれば、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内にあった。即ち、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはなかった。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができた。しかも、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内にあり、各種の配線（ソース線やゲート線等）による配向の乱れを制御することができ（即ち、配向の乱れを少なくすることができ）、透過率の向上を図ることができる。
【実施例２】
【００８６】
実施例２は実施例１の変形である。実施例２にあっては、実施例１にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して化合物（未重合化合物）を重合させた。一方、実施例２にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、加熱することで化合物（未重合化合物）を重合させる。
【００８７】
実施例２にあっては、式（１−１９）にて示した未重合化合物を使用し、混合物における液晶材料／未重合化合物の質量比を１００／０．３とした。以上の点以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。こうして得られた液晶表示装置の応答時間及び第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を測定結果を表２に示す。
【００８８】
以上、好ましい実施の形態及び実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能であるし、第１配向規制部及び第２配向規制部の構成、構造、配置状態も、適宜、変更することができる。例えば、実施の形態及び実施例ではＶＡモードの液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示は必ずしもこれに限定されず、ＥＣＢモード（水平配向でポジ液晶のモード；ツイスト無し）、ＩＰＳ（In Plane Switching ）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードあるいはＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モード等の、他の表示モードにも適用可能である。この場合においても同様の効果が得られる。但し、本開示では、プレチルト処理が施されていないものと比較すると、ＶＡモードにおいて、ＩＰＳモードやＦＦＳモードよりも、特に高い応答特性の改善効果を発揮することができる。
【００８９】
また、実施の形態及び実施例では、専ら透過型の液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示では必ずしも透過型に限られず、例えば、反射型としてもよい。反射型とした場合には、画素電極がアルミニウム等の光反射性を有する電極材料により構成される。
【符号の説明】
【００９０】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・画素、２０・・・第１基板（ＴＦＴ基板）、２０Ａ，３０Ａ・・・ガラス基板、２０Ｂ・・・第１電極（画素電極）、２１・・・第１配向規制部（第１スリット部）、２２・・・第１配向膜、３０・・・第２基板（ＣＦ基板）、３０Ｂ・・・第２電極（対向電極）、３１・・・第２配向規制部（第２スリット部）、３２・・・第２配向膜、４０・・・液晶層、４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ・・・液晶分子、５０・・・重複領域、５１・・・中心領域、５２・・・画素分離部、６０・・・表示領域、６１・・・ソースドライバ、６２・・・ゲートドライバ、６３・・・タイミングコントローラ、６４・・・電源回路、７１・・・ソース線、７２・・・ゲート線、１２１・・・トランジスタ、１２２・・・キャパシタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び第２基板を備え、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成り、
液晶層は、更に、重合した高分子化合物を含み、
液晶分子には、配向膜と接する重合した高分子化合物によってプレチルトが付与されている液晶表示装置。
【請求項２】
各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
液晶分子は負の誘電率異方性を有する請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
高分子化合物は、更に、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、ビニルオキシ基、プロペニルエーテル基、エポキシ基、オキセタン基及びスチリル基から成る群から選択された少なくとも１種類の基を含む高分子化合物から成る請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
高分子化合物は、メソゲン基を含む高分子化合物から成る請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
第１基板及び第２基板を備え、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成る液晶表示装置の製造方法であって、
第１基板に第１配向膜を形成し、第２基板に第２配向膜を形成した後、
第１基板及び第２基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、重合し得る化合物及び液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
化合物を重合させて液晶分子にプレチルトを付与する、
各工程を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して化合物を重合させる請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、加熱することで化合物を重合させる請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１】
第１基板及び第２基板を備え、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成り、
液晶層は、更に、重合した高分子化合物を含み、
液晶分子には、配向膜と接する重合した高分子化合物によってプレチルトが付与されている液晶表示装置。
【請求項２】
各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
液晶分子は負の誘電率異方性を有する請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
高分子化合物は、更に、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、ビニルオキシ基、プロペニルエーテル基、エポキシ基、オキセタン基及びスチリル基から成る群から選択された少なくとも１種類の基を含む高分子化合物から成る請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
高分子化合物は、メソゲン基を含む高分子化合物から成る請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
第１基板及び第２基板を備え、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成る液晶表示装置の製造方法であって、
第１基板に第１配向膜を形成し、第２基板に第２配向膜を形成した後、
第１基板及び第２基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、重合し得る化合物及び液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
化合物を重合させて液晶分子にプレチルトを付与する、
各工程を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して化合物を重合させる請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、加熱することで化合物を重合させる請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−１９８４４３（Ｐ２０１２−１９８４４３Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６３６７４（Ｐ２０１１−６３６７４）
【出願日】平成２３年３月２３日（２０１１．３．２３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２３日（２０１１．３．２３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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