【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。
【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】黒欠陥の発生を抑制できる転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜上にレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する準備工程と、前記レジスト膜に転写パターンを露光処理する露光工程と、前記露光処理されたレジスト膜に対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である現像液を用いて現像処理を行う現像工程と、前記現像処理されたマスクブランクに対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第１のリンス液を用いて処理を行う第１リンス工程と、前記第１リンス工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第２のリンス液を用いて処理を行う第２リンス工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 従来における有機系レジストとクロムの遮蔽膜を用いるフォトマスクは、製造工程が煩雑で、かつ、クロム金属のエッチング後の廃液処理が必要なため、環境負荷が大きく、かつ、コストが高くなるといった問題があり、また、有機系レジストに姻族が添加されている遮蔽膜を用いるフォトマスクにあっては、耐久性や遮蔽性が劣るといった問題があった。
【解決手段】 レーザー光のエネルギーによって表面電位差が生じる表面電位が変位し易い金属原子Ｘと、酸化されても変化し難い金属原子Ｙとの組み合わせによる金属レジスト２の遮蔽膜で構成したフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】陰イオン吸着作用を有する吸着材に吸着した塩化物イオンを、アルカリ性水溶液を用いることなく効果的に除去することができるキレート材再生方法及びキレート材再生機能を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、エッチング液Ｌが貯留された貯留槽１１、エッチング処理を行う基板処理機構１２、エッチング液再生装置１０などを備えており、エッチング液再生装置１０は、金属成分を吸着する吸着塔３２，３３と、貯留槽１１と吸着塔３２，３３との間でエッチング液Ｌを循環させる除去処理用循環機構３４と、吸着塔３２，３３に溶離液、洗浄液及び置換液をそれぞれ供給する溶離液供給機構４５、洗浄液供給機構５５及び置換液供給機構７０と、除去処理用循環機構３４、溶離液供給機構４５、置換液供給機構７０などの作動を制御する制御装置２８ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク製造における、現像工程のレジストパターン形成時に発生する現像ローディングを低減するための現像方法および現像装置を提供する。
【解決手段】実パターン１０５を形成したレジスト３１に現像液６１を塗布して現像処理するマスク基板１０１の現像方法において、マスク基板１０１に現像液濃度補正基板１００を対向させて、両者間に配置した現像液６１に、マスク基板１０１の実パターン１０５と現像液濃度補正基板１００のレジスト３１に形成した反転パターン１０６とをそれぞれ接触させ、現像液６１が現像処理するパターン１０５，１０６の密度分布を実パターン１０５及び反転パターン１０６により、マスク基板１０１及び現像液濃度補正基板１００のレジスト面延在方向において均一化させた状態で、それら実パターン１０５及び反転パターン１０６を同時に現像処理するようにした。 （もっと読む）

【課題】密なパターン領域を持つフォトマスクであっても、現像ローディングによる寸法変動を精度良く補正できる現像ローディング補正方法およびパターン描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の現像ローディング補正方法は、フォトマスク面内の回路パターン密度分布に加え、パターン面積密度と寸法変動量の関係式あるいはその基準テーブルを用いて照射エネルギー量を調整することと、照射エネルギー補正量と適正近接効果補正係数の関係式あるいはその基準テーブルを用いて近接効果補正係数を調整することで、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の面内位置によるパターン寸法の均一性向上およびパターン描画密度によるパターン寸法のバラツキを抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル２のスキャンを用いたパドル現像において、スリットノズル２の近傍に配置した複数のモニター装置３によって基板１の面内各所における現像液の現像進行度の情報を得て、この情報に基づきスリット内部が幾つかに区切られて各々流量制御ができるスリットノズル２を使用して、このスリットノズル２を吐出スキャンしながら面内各所における現像液吐出流量を制御して、面内の現像均一性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】加工ヘッドを対向するガラス基板に対して走査しながらエッチャントをガラス基板との隙間に供給しこれを吸引排出することでガラス基板の表面を加工する際、走査速度を速めても、平坦化のために算出した目的の除去量（計算値）と実際の加工における除去量にずれを生じさせることなくガラス基板の表面を加工する。
【解決手段】加工ヘッド２によりエッチャントをガラス基板３の表面に供給し吸引することにより、加工ヘッド２とガラス基板３との隙間に一定面積のエッチャント流路を形成し、加工ヘッド２とガラス基板３とを相対的に走査してガラス基板３の表面を加工する際、前記エッチャント流路を流れるエッチャントを該エッチャント流路の外側から前記エッチャント流路の外周を取り囲むようにして、全周方向からエッチャント流路の中心に向かって流れる乾燥ガスの加圧ガス流で加圧し、前記エッチャント流路内にエッチャントを封じ込める。 （もっと読む）

【課題】半透光部と透光部で形成される転写パターンを用いて、被加工体に微細なパターン形状を形成する場合に、マークパターンの読み取り不良を抑制できるフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、転写パターン部のパターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクであって、転写パターン部を透明基板上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部で設け、透明基板の前記転写パターン部と異なる領域に遮光膜で形成されるマークパターン形成部を設ける。 （もっと読む）

【課題】エッチングを利用してパターン形成を行う場合に、形成すべき微細パターンの狭ピッチ化が進展しても、当該パターン形成を高精度に行えるようにする。
【解決手段】基板２上にハードマスク層３を有するマスクブランクス１において、前記ハードマスク層１は、前記基板２の側から第一層５と第二層６とが配される積層構造を有する。前記第一層５は、前記基板２に対してエッチングを行う際にマスクとなる層である。前記第二層６は、前記第一層５に対してエッチングを行う際にマスクとなるとともに、前記ハードマスク層３上に形成されるレジストパターン４をマスクにしてエッチングが行われる層である。そして、前記第一層５に対するエッチングの間は前記第二層６が当該第一層５のマスクとして機能するエッチング選択比を有した材料によって、当該第二層６を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング回数を３回として５階調を得ることができる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上にエッチング選択性のある第１半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去し、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去し、基板全面に第１半透光膜とエッチング選択性のある第２半透光膜を形成する工程と、第２半透光膜上に第３レジストパターンを形成する工程と、第３レジストパターンをマスクとして第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有することにより、エッチング回数を３回として５階調を得る。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの付着がないフォトマスクとその製造方法を提供する。
【解決手段】位相シフト層１１上に接着層１２とエッチングストッパ層１３と遮光層１４を積層し、エッチング液によって遮光層１４を部分的にエッチングする際、エッチングの進行をエッチングストッパ層１３で止め、次いで、遮光層１４に形成された開口底面のエッチングストッパ層を酸素プラズマで除去する。位相シフト領域となる開口２４はレジストで覆い、透光領域となる開口底面の位相シフト層１１をエッチング液で除去する。遮光層１４が残った部分で遮光領域が形成され、フォトマスクが得られる。各層１１〜１４を全部形成した後、エッチング液を用いたエッチングを行なっているので、パーティクルの付着が無い。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程において、レジストパターンの形状制御を正確に行い、再現性や安定性を向上させることができる多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】透光部、遮光部及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定の転写パターンを有し、エッチング加工がなされる被転写体上に形成されたレジスト膜に対して所定のパターンを転写させ、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなす多階調フォトマスクの製造方法において、レジスト膜に使用するレジストの露光光に対するレジスト特性を把握する工程と、レジスト特性に基づいて半透光部の露光光に対する実効透過率を決定する工程と、実効透過率に基づいて少なくとも透明基板上に形成された遮光膜をパターニングすることにより半透光部を形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高さおよび形状の異なる部材を自由度高く効率的に形成することができる階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に直接形成され、遮光膜形成材料からなる遮光膜と、上記透明基板上に形成され、第１半透明膜形成材料からなる第１半透明膜と、上記透明基板上に形成され、第２半透明膜形成材料からなる第２半透明膜と、を有し、上記透明基板からなる透過領域と、上記透明基板および上記遮光膜を少なくとも含む遮光領域と、上記透明基板および上記第１半透明膜からなる第１半透明領域と、上記透明基板および上記第２半透明膜からなる第２半透明領域と、を備える階調マスクであって、上記第２半透明膜形成材料が、上記第１半透明膜形成材料とはエッチング液に対する耐性が異なるものであることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること
【解決手段】透光層２、半透光層３及び遮光層４がこの順で積層されたマスクブランクス１’上にフォトレジストＲを塗布し、露光することで第１のレジスト領域Ｒ１と、第２のレジスト領域Ｒ２と、第３のレジスト領域Ｒ３を形成し、第１のレジスト領域Ｒ１を現像液で除去することで、第１の遮光層領域４ａをエッチングするためのマスクを形成し、第１の遮光層領域４ａをエッチングし、半透光層領域３ａをエッチングし、第２のレジスト領域Ｒ２を現像液で除去することで、第２の遮光層領域４ｂをエッチングするためのマスクを第３のレジスト領域Ｒ３によって形成し、第２の遮光層領域４ｂをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングが適用される液晶表示装置製造用のグレートーンマスクブランクを提供する。
【解決手段】ウェットエッチングが適用される液晶表示装置製造用のグレートーンマスクブランクであって、合成石英ガラスからなる透光性基板と、該透光性基板の表面に形成された半透光膜と、該半透光膜の上に形成された遮光膜とからなる。前記半透光膜は、モリブデンとシリコンとを含有する材料とし、前記半透光膜に含まれる前記モリブデンと前記シリコンの比率（モリブデン：シリコン）は、１：２〜１：１９である。また、前記遮光膜は、クロムと窒素を含む材料としている。 （もっと読む）

【課題】遮光膜パターンの寸法制御をより正確に行う。
【解決手段】基板の主面上に遮光膜とレジスト膜とが順次積層されたマスクブランクを準備する工程と、レジスト膜に描画することにより、遮光膜上に遮光膜パターンの形成予定領域を覆うレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜のエッチングを開始し、レジストパターンに覆われていない遮光膜が除去された後にエッチングを停止する工程と、レジストパターンの一部を除去して遮光膜を部分的に露出させる工程と、露出させた遮光膜のエッジ位置を把握し、把握されたエッジ位置を基に追加エッチング時間を決定し、決定された追加エッチング時間に基づき、遮光膜のサイドエッチングを行う工程と、を有する。 （もっと読む）