【課題】投影像が反転する露光装置と投影像が反転しない露光装置間におけるディストーションマッチングを正確に行い得るようにする。
【解決手段】第１パターンをその投影像が反転する第１投影光学系により投影した像又はこれに相当する転写像と、第２パターンをその投影像が反転しない第２投影光学系により投影した像又はこれに相当する転写像との差であるディストーション差を計測する第１工程（Ｓ１５）と、前記第１パターンの描画誤差と前記第２パターンの描画誤差の差である描画誤差差を計測する第２工程（Ｓ１６）と、前記第１工程で計測されたディストーション差から、前記第２工程で計測された前記描画誤差差を差し引いた値をディストーションマッチングデータとして管理する第３工程（Ｓ１７）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された薄膜に存在する欠陥の正確な検出を可能とする標準基板を提供すること。
【解決手段】清浄表面を有する基板１の表面に粒径が既知の粒度が揃った微粒子４、５を付着させる。このような微粒子としては、ポリスチレン、ポリアクリレート、シリカ等のものを使用し得る。続いて、微粒子が付着した状態の基板表面上に薄膜を形成する。これにより、人工的に形成されたモデル欠陥となる微粒子が含まれた薄膜が得られる。このような薄膜の形成に続いて、薄膜２から微粒子の少なくとも一部を脱離させて欠損部３を形成する。このような微粒子の脱離は、超音波洗浄やスクラブ洗浄により実行することができる。得られた欠損部３は薄膜２に形成される径の揃ったピンホールとなり、微粒子が脱離しなかった部分は突起状のモデル欠陥となる。 （もっと読む）

【課題】効率よくフォトマスクを製造することが可能な汎用フォトマスクおよびこれを用いたフォトマスクの製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明の汎用フォトマスクは、フォトレジスト法によるパターン形成に使用するフォトマスクであって、必要とするパターン部分以外の汎用部分のパターンのみを形成し、必要とするパターン部分を空白部としてなる。 （もっと読む）

【課題】高いスループットと高い重ね合わせ精度を有する露光装置を提供する。
【解決手段】１枚のレチクル２を用いて、各モジュールでショット形状或いはフォーカス成分を測定し、その測定結果を用いて重ね合わせ露光を行うマルチモジュール型露光装置１００を提供する。レチクル２及び投影光学系３の熱的変化成分を測定して個々の変動成分を合わせることによって、高精度な重ね合わせやフォーカス制御が可能となり、高スループット且つ高精度な位置合わせが可能となる。 （もっと読む）

【課題】急峻なプロファイルを持つレジストパターンを得ることができる多階調フォトマスク及びパターン転写方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板１１上に設けられた、露光光を一部透過させる半透光膜を各々パターン加工することにより、透光部及び半透光部を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透光部は、前記透明基板に対して相対的に低い位相シフト量を持つ第１半透光膜１２と、前記第１半透光膜１２に対して相対的に高い位相シフト量を持つ第２半透光膜１３と、から構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トップハーフ型の多階調フォトマスクにおける遮光膜及び半透光膜の形状精度を高め、かつ膜構成を簡単にする。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多階調フォトマスク２７は、透明基板２１上に形成され、露光光の一部を透過させる半透光部Ａ、露光光の全部を遮光する遮光部Ｂと、露光光の全部を透過させる透光部Ｃとを含んでいる。そして、遮光部Ｂは、少なくとも２層の遮光膜のパターン２３ａ，２４ａが上下に積層された積層構造による遮光膜のパターンを有している。上層遮光膜のパターン２４ａの材質は、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、下層遮光膜のパターン２３ａの材質は、鉄又は鉄を含む金属で構成され、透明基板２１の一部及び上層遮光膜２４のパターンの表面に半透光膜のパターン２２ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】エッチング液、成膜工程、フォトプロセス等の製造工程をできるだけ少なくして、生産性の高い湿式エッチングにより微細なパターンを高精度に形成可能な階調フォトマスク基板及び階調フォトマスク、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１０と、透明基板１０上に形成されて照射光に対する透過率を制御可能な半透過層２０と、実質的に照射光を遮光する遮光層４３とを有する階調フォトマスク用基板であって、前記遮光層４３と半透過層２０とを形成する物質が、同一の金属又はその化合物で構成され、遮光層４３と半透過層２０との間に、遮光層４３および半透過層２０とエッチング耐性の異なる物質でストッパー層３０が設けられ、ストッパー層３０が半透過層２０の上に積層形成される。 （もっと読む）

【課題】ボトムハーフ型の多階調フォトマスクにおける遮光膜及び半透光膜の形状精度を高め、かつ膜構成を簡単にする。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多階調フォトマスクは、透明基板１１上に形成され、露光光の全部を透過させる透光部Ｃと、露光光の全部を遮光する遮光部Ｂと、露光光の一部を透過させる半透光部Ａとを含んでいる。そして、遮光部Ｂは、前記半透光膜の上層に設けられ、少なくとも２層の遮光膜が上下に積層された積層構造による遮光膜のパターン１３ａ、１４ａを有している。上層遮光膜のパターン１４ａは、チタン又はチタンを含む金属で構成され、下層遮光膜のパターン１３ａは、鉄又は鉄を含む金属で構成される。また、透明基板１１と下層遮光膜１３ａとの間には半透光膜のパターン１２ａが設けられ、半透光膜のパターン１２ａと下層遮光膜のパターン１３ａとは、他の層を介することなく接している部分を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光光をマスクに対して斜め入射してスキャン露光を行う方式において、レイアウト上でのパターン比較によるマスク検査を実施できる反射型マスクおよびその検査方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクは、マスク表面に対して斜め入射する露光光を所定の露光エリアで照射し、マスク表面で反射した光をウエハへ投影してスキャン露光を行うものであって、同一のマスクパターンを含む複数の矩形状のチップ領域１１ａ〜１１ｆがスキャン方向１２に沿って配置される。露光エリア２１の中心線からの距離（アジマス角θ）に応じて形状補正を施した場合、２個のチップ領域１１ａ，１１ｂは、形状補正後のマスクパターンが互いに同一となり、レイアウト上で同一パターン同士を比較してマスクパターンの欠陥検査を行うダイツーダイ検査が実施できる。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造できる真空紫外光用メタルマスクを提供する。
【解決手段】パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造する方法に用いられる真空紫外光用メタルマスク１０であって、金属薄板からなり、開口部２を有するメタルマスク本体１と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分３とを有し、かつ、上記パターン形成用基板１０１上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されている。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光を用いて浮島パターン状に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造する。
【解決手段】パターン形成用基板１０１のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理する方法に用いられる真空紫外光用メタルマスク１０であって、金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体１と、上記メタルマスク本体の開口部内に配置された浮島部分２と、上記浮島部分およびメタルマスク本体を接続するブリッジ部分３とを有し、かつ、上記パターン形成用基板上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に機能性層が分解除去されたパターン形成体を、高感度で製造する。
【解決手段】真空紫外光を照射することにより分解可能な機能性材料の機能性層１ｂを有するパターン形成用基板１を用い、機能性層上にメタルマスク１０を配置する工程と、反応性ガスの存在下で、メタルマスクを介して機能性層の表面に真空紫外光を照射して、機能性層の一部をパターン状に除去する工程とを有するパターン形成体の製造方法であって、メタルマスクが、金属薄板からなり、開口部１２を有するメタルマスク本体１１と、開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分１３とを有し、かつ、機能性層上に配置された際に、機能性層とブリッジ部分との間に反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、ブリッジ部分が形成されていることを特徴とする、パターン形成体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクにおける面内での透過率のばらつきを小さくすることができる多階調フォトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクの製造方法は、透明基板上に、遮光膜と、露光光の一部を透過する半透光膜とをそれぞれ形成し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことによって、遮光部、露光光の一部を透過する半透光部、及び透光部を含む転写パターンを形成する方法であって、前記半透光膜及び前記遮光膜にそれぞれウェットエッチングによるパターニングを施して前記転写パターンを形成し、前記転写パターンにおける半透光膜の少なくとも一部に対して表面改質処理を行って、前記半透光膜の露光光透過率を変化させ、前記転写パターン中に存在する半透光部の透過率面内分布レンジを減少することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ステップ露光の際、回路パターン領域と多重露光領域との境界部の露光量の差を抑えることが可能なフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、フォトマスク１はマスク基板１１の中央部に回路パターン形成領域１３を有し、マスク基板１１の各辺に対向する第１領域部分１５ａ及び４つの角部に対向する第２領域部分１５ｂに、繰り返しパターンを有する。そして、パターン形成膜の透過率又は反射率をＴ、パターンピッチｐに対するパターンスペースｓの割合をａとし、開口数ＮＡ、光源波長λ、前記フォトマスクに入射する露光光の入射角をθ、コヒーレンスファクタがσの露光装置を用いるとき、繰り返しパターンは、Ｔ／（１＋Ｔ）＜ａ＜２Ｔ／（１＋Ｔ）及びｐ＝λ／（１＋σ）ＮＡなる関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】３階調を越えるフォトマスクとして用いることが可能な多階調フォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、遮光部、透光部、及び露光光透過率を所定量低減させる半透光部からなるマスクパターンを有し、上記遮光部は、少なくとも前記透明基板上に形成された遮光膜により形成され、上記透光部は、露出した前記透明基板により形成され、上記半透光部は、前記透明基板上に形成された半透光膜によりなる第１半透光部と、前記半透光膜で形成された露光条件下における解像限界以下の微細パターンによりなる第２半透光部と、前記遮光膜で形成された露光条件下における解像限界以下の微細パターンによりなる第３半透光部とを有している多階調フォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。その結果、レジスト膜の薄膜化（３００ｎｍ以下）が可能となり、パターンの解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上できる。更に、ドライエッチング時間の短縮化により、断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターン３ａをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成した。 （もっと読む）

【課題】濃度分布マスクにより、非対称な形状のマイクロレンズを含むマイクロレンズアレイを製造する。
【解決手段】単位レンズを配列したマイクロレンズアレイを形成するための、遮光パターンを格子上に設置した濃度分布マスクにおいて、個々の単位レンズの領域を、各単位レンズの中心からの距離が異なる階調境界円で分割した複数の環状領域に分割し、前記中心からの距離が同じ前記環状領域内の遮光パターンを全ての単位レンズで集合して一体化した遮光パターン群を複数形成し、前記遮光パターン群を前記マイクロレンズアレイの中心に関して対称に拡大縮小するシュリンク処理が行なわれ、前記単位レンズの中心に近い前記環状領域の前記遮光パターン群ほど大きく拡大縮小されることで前記遮光パターンの位置が移動している濃度分布マスクを用いてマイクロレンズアレイを製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造において、解像限界よりも微細なパターンを形成するために、波長の短い露光装置を用いると加工コストが増加する。
【解決手段】露光用フォトマスク２のパターン４を修正する。露光装置による投影像が解像限界に応じた大きさに形成される透光領域である基本パターン８に、透光領域内の一部を遮光して残りの透光領域を複数の部分透光領域１６に分割する補助パターン１０を合成する。例えば、矩形の基本パターン８の中心軸１２ｖ，１２ｈに沿って帯状の遮光領域１４ｖ，１４ｈを配置して、十字型の補助パターン１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】露光波長の短波長化や露光光の透過率の高透過率化に対応し、高い加工精度を有するハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】位相シフトマスク１０は、１４０ｎｍから２００ｎｍの露光光波長範囲で使用されるものであり、位相シフター部５は、金属を１０原子％以下含有する、金属、珪素、酸素、及び窒素を主構成要素とする膜と、前記膜と透明基板との間に形成されたエッチングストッパー膜とからなり、前記位相シフター部５は、前記露光光波長における透過率が３〜４０％であり、前記エッチングストッパー膜は、前記露光光波長における透過率を調整する機能を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。 （もっと読む）

【課題】 マスクを通して基板表面上に照射される光の強度分布を、薄膜マスク近似計算と同様に短時間で測定でき、且つ薄膜マスク近似計算よりも正確に測定できる。
【解決手段】 半導体装置の製造に用いるシミュレーション方法であって、斜入射照明の点光源からマスクを見込んだときに、立体構造によって遮蔽部の側面により光の進行を妨げられない透過部分を、新たな開口部と考えた厚みのない透過率と位相分布を持つ仮想マスクを設定し（Ｓ５２）、仮想マスクを用いた際の投影光学系の瞳面上での回折光に対し、該瞳面上での０次回折光と１次回折光との距離、遮蔽部の厚さ、マスクに対する光源からの入射光が光軸となす角度、に応じた関係で決められた０次回折光と１次回折光との位相差を設定し（Ｓ５４）、設定された仮想マスク及び位相差を基に、マスクのパターンが転写される基板表面上での光強度をシミュレーションする（Ｓ５５）。 （もっと読む）