【課題】光透過領域及び遮光領域からなる２値パターンのグレートーンマスクにおいても、多くの階調数を表現する。
【解決手段】光透過領域２２及び遮光領域２４を有し、かつ露光装置の分解能に対応する面積より小さい面積の小領域２０であって、光透過領域２２または遮光領域２４の面積を各々異ならせた複数の小領域２０を、階調毎に光透過領域２２または遮光領域２４の総面積が異なるように、組織的ディザ法によるベイヤーマトリックスを用いて、階調に応じた組み合わせで単位領域３０内に配列する。 （もっと読む）

【課題】フレア補正を短時間で正確に行うフレア補正方法を提供すること。
【解決手段】パターンデータに対応するフレア値のパターンデータ上での分布をフレアマップとして算出するフレアマップ算出ステップと、フレアマップを用いて、所定のフレア値を有したパターンのパターンデータ上での占有率をフレア値占有率としてフレア値毎に算出する占有率算出ステップと、フレア値占有率の分布に基づいて、フレア値の基準とする基準フレア値を決定する基準決定ステップと、基準フレア値でのパターン補正量を基準としてフレア値に応じたパターン補正を行うパターン補正ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】感光性材料層に波長λ（μｍ）の光で濃度分布マスクのパターンを露光・現像して、単位レンズをＸＹ方向に（λ／０．３６５）μｍ以上（２λ／０．３６５）μｍ以下のピッチｄ（μｍ）で格子状に配列したマイクロレンズアレイを形成する際の光の干渉効果による結像パターンの歪みを補正する。
【解決手段】単位レンズの中心を原点とするＸＹ座標であらわした濃度分布マスクの等濃度線の形が、パラメータｋと半径ｒによるスーパー楕円式Ｘ^ｋ ＋Ｙ^ｋ ＝ｒ^ｋであらわされ、前記パラメータｋが２．０５以上で２．４５以下であり、かつ、前記パラメータｋが1.16＋2.93(0.365ｄ/λ)−2.14(0.365ｄ/λ)^２＋0.448(0.365ｄ/λ)^３±0.5の範囲内にある濃度分布マスクを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く測定できるようにする。
【解決手段】露光マスク上には、投影露光装置の投影光学系を介して基板上に転写されるマスクパターンが設けられている。マスクパターンは、孤立線状の遮光領域であるメインパターン３０３と、メインパターン３０３の一側方に配置された複数の微小位相シフターから構成されるアシストパターン３０１と、メインパターン３０１の他側方に配置された開口領域３０２とを有するパターン群を含む。基板上には、パターン群を通過する回折光によって１本の転写パターンが形成される。基板上における投影露光装置のデフォーカス量によって、基板上における転写パターンが形成される位置が変動する。 （もっと読む）

【課題】寸法精度が高い露光用マスク及びこの露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】露光によりウェーハ上にパターンを転写する露光用マスク１において、基板１１上に、ウェーハ上で解像限界以上となるサイズのパターン１６が形成されたパターン形成領域１５と、ウェーハ上で解像限界未満となるサイズのサブパターン１９が形成されたサブパターン形成領域１８とを設ける。サブパターン形成領域１８はパターン形成領域１５を囲むように枠状に設け、サブパターン１９がパターン１６に光近接効果を及ぼさない距離だけパターン形成領域１５から離隔させる。 （もっと読む）

【課題】 被転写体上に形成するレジストパターンの段差形状をより精緻に制御する。
【解決手段】 透明基板上に、遮光部、透光部、第１半透光部及び第２半透光部を含む転写パターンが形成された多階調フォトマスクであって、露光光に対する第１半透光部の透過率が、露光光に対する第２半透光部の透過率よりも小さく、第１半透光部を透過する露光光と、第２半透光部を透過する露光光との干渉によって形成される光強度が、第１半透光部を透過する露光光の強度以上となるように、第１半透光部を透過する露光光と、第２半透光部を透過する露光光との位相差が制御されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多重半透過部を形成する半透過物質の数及び工程数を減らすことによって時間及びコストを低減できるハーフトーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクは、基板と、該基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を透過させる透過領域と、前記基板上に少なくとも２つの半透過物質が交互に積層された多数層で形成され、前記半透過物質の積層された数によって互いに異なる透過率を有する多重半透過部を有する半透過領域と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程が効率的であって異物等の付着の可能性を低減し、ユーザーのニーズに迅速に応じて提供できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】半透光部と透光部は互いに所定の位相差を有する多階調フォトマスクの製造方法であって、透明基板上に少なくとも半透光膜と遮光膜がこの順に形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、少なくとも半透光膜と遮光膜とをそれぞれパターニングすることによって、透明基板表面又は透明基板の掘り込み面が露出した透光部、透明基板上に形成された半透光膜の膜厚の一部が除去された半透光部、半透光膜と遮光膜が積層した遮光部とを形成するパターニング工程を有し、半透光部における半透光膜の残存膜厚は所定の透過率が得られるものとされ、かつ半透光部における半透光膜の残存膜厚と、透光部の透明基板表面又は掘り込み面位置は、所定の位相差が得られるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一つの半透過物質を用いて多重半透過部を備えることができるハーフトーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクは、基板と、前記基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を透過させる透過領域と、一つの半透過物質を使用し、前記半透過物質の厚さまたは積層数によって、前記基板上に照射される所定波長帯の光を多数個の互いに異なる透過率で透過させる多重半透過部を有する半透過領域と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多重半透過部を有するハーフトーンマスクの工程数を減らすることによって、時間及びコストを低減できるハーフトーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクは、基板と、該基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を透過させる透過領域と、少なくとも２つの半透過物質を用いて、前記基板上に照射される所定波長帯の光を２つ以上の互いに異なる透過率で透過させる多重半透過部を有する半透過領域と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半透過領域を形成するハーフトーンマスクにおいて微細パターンのパターン密度を調節して透過率調節の効率性を図ることができるハーフトーンマスクを提供する。
【解決手段】本発明は、多数の半透過領域を備えたハーフトーンマスクに関するもので、少なくとも１つ以上の半透過領域を備えたハーフトーンマスクにおいて、半透過領域を形成する微細パターンのパターン密度を調節して透過率を調節することを特徴とする。本発明によれば、スリット型または積層型半透過部やこれらの組み合わせにより半透過領域を形成するハーフトーンマスクにおいて微細パターンのパターン密度を調節して透過率調節の効率性を図ることができる。特に、別の製造工程を追加することなくパターン密度の調節を通じて半透過領域の透過率を精密に制御でき、製造工程の簡素化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】使用後のフォトマスクからペリクルを容易に除去できるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】透明基板上のパターン領域の外周におけるペリクルフレーム装着領域に遮光膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。前記フォトマスクは、ネガ型レジスト用であることが好ましい。また、前記フォトマスクにおける前記ペリクルフレーム装着領域に形成されている遮光膜と前記透明基板とが直接接していることが好ましい。また、前記フォトマスクにおける前記透明基板が、石英ガラス基板であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】上層パターンよりも微細な種々のパターンを容易に形成できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上へのパターン形成方法において、基板上で、所望パターンの形成に用いるパターン形成層４Ｘの上層側にレジスト層３Ｘを積層するレジスト層積層ステップと、所定のピッチｐで開口した開口部を有するとともに露光光を回折させる回折パターン１Ａを、レジスト層３Ｘよりも上層側に形成する回折パターン形成ステップと、波長λの露光光を回折パターン１Ａ上から照射して回折パターン１Ａで回折された回折光で、露光光に対する屈折率がｎとなるレジスト層３Ｘへの全面露光を行う全面露光ステップと、を含み、回折パターン１Ａの所定ピッチｐ、露光光の波長λ及び屈折率ｎが、ｐ＞λ／ｎを満たす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透明領域間の透過率差が小さい場合であっても、透過率差が精度良く調整された半透明領域を容易に形成することができる階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に直接形成され、遮光膜形成材料からなる遮光膜と、上記透明基板上に形成され、半透明膜形成材料からなる半透明膜と、上記半透明膜上に直接形成された透過率調整層形成材料からなる透過率調整層と、を有する階調マスクであって、上記透明基板からなる透過領域と、上記透明基板および上記遮光膜を少なくとも含む遮光領域と、上記透明基板および上記半透明膜からなる第１半透明領域と、上記透明基板、上記半透明膜および上記透過率調整層からなる第２半透明領域とを備え、上記透過率調整層の波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の平均透過率が６０％以上であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 多階調のハーフ露光をした後、現像して得られる感光性材料膜の形状不良の発生を未然に防ぐ。
【解決手段】 基板の上に形成した未感光の感光性材料膜を露光、現像して、前記基板の上に、厚さが２通り以上の前記感光性材料膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、当該工程は、前記感光性材料膜を露光するときに、ＣＡＤで作成されたレイアウトデータに基づいて、当該感光性材料膜を、完全に感光させる領域と、全く感光させない領域と、前記完全に感光させる領域に対する露光条件とは異なる条件で露光するハーフ露光領域とに分け、前記ハーフ露光領域は、感光させる厚さと感光させない厚さの比が異なる複数の露光条件のうちのいずれかを選択して露光し、前記レイアウトデータは、前記ハーフ露光領域を示す図形が当該領域に対する露光条件と対応した文字情報を有するパターンで塗りつぶされている表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】遮光膜のドライエッチング加工時において、従来の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。
【解決手段】透明基板１上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、透明基板１上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜２と、遮光膜２上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜４と、エッチングマスク膜上に形成された反射防止膜３とを有するフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】基板上に、互いに高さが異なる２種以上の層状パターンが組み合わされてなる凹凸パターン層を高い生産性かつ低コストで、高い精度で製造する。
【解決手段】（ａ）最表面にネガ型のフォトレジストが塗布された基板を準備し、（ｂ）該フォトレジストが塗布された表面に、所定の切り欠きパターンからなる複数の開口部を有するフォトマスクを介して、一定の露光量で露光し、（ｃ）フォトマスクを、（ｂ）工程で露光した領域と、露光されるべき次の開口部とが部分的に重なるように、所定のスライド方向に平行移動し、（ｄ）前記（ｂ）および（ｃ）工程をこの順序でさらに複数回繰り返し、（ｅ）前記露光済の基板表面を現像液で現像処理して、露光回数に応じた膜厚を生じさせて、凹凸パターン層を得る。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を追加せずに、パターン間（例えば、ゲート電極間）の間隔を可及的に小さくすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン膜からなる被加工膜Ｐ上にレジスト層Ｒを形成する。フォトリソグラフィの限界値よりも狭く、かつスリットの一部が接続されている転写パターンを有する露光マスクを用ることにより、第１および第２のパターンと、第１および第２のパターンを接続し、かつ第１および第２のパターンより膜厚が薄い第３のパターンとをレジスト層に形成する。第１および第２のパターンをエッチングマスクとして被加工膜をエッチングするとともに、第３のパターンを除去し、第３のパターンの除去により露出した被加工膜をエッチングし、間隔の小さいゲート電極パターン７ａ、７ｄ。 （もっと読む）

【課題】滑らかな曲面を効率よく形成可能な露光用マスクを提供する。
【解決手段】本発明の露光用マスクは、レジストに三次元形状のパターニングを行うための露光用マスクであって、露光装置の解像限界より小さい第１サイズの複数の開口パターン１ａが配置された第１領域と、第１サイズより小さい第２サイズの複数の開口パターン１ｂが配置された第２領域と、第１領域と第２領域との間に第１サイズの複数の開口パターン１ａと第２サイズの複数の開口パターン１ｂとが混在して配置された第３領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】試料に形成された段差を有する基準マークのエッジラフネスの影響を受けることなく、基準マークの位置を再現性良く検出することが可能な荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ステージをＸＹ方向に動かして該ステージに載置された試料Ｍに形成された段差を有する基準マークＦＭ’に対して光てこ式の高さ測定器の投光光を走査し、その反射光の強度の変化を検出し、その反射光の強度が変化したときのステージのＸＹ位置を検出し、検出したＸＹ位置を基準マークＦＭ’の位置Ｃとして検出し、検出した基準マークＦＭ’の位置Ｃから試料Ｍに存在する位相欠陥Ｄの位置を特定し、特定した位相欠陥Ｄの位置との関係で描画位置を決定する。 （もっと読む）