【課題】フォトマスク面内での露光光の照度にムラがある場合でも、ウエハ上のレジスト線幅の細りや膜減りが生じるのを回避できるフォトマスクを得る。
【解決手段】露光パターンを感光性材料に転写するためのフォトマスク１００において、ガラス基板などの透明基板１０１と、該透明基板上に、該露光パターンを有する光透過領域が形成されるよう選択的に形成されたクロムなどの遮光膜１０とを備え、該遮光膜１０を、レジストパターン欠陥が検出されたウエハ上領域に対応するマスク領域Ａ内の遮光膜２０ａの膜厚が、レジストパターン欠陥が検出されなかったウエハ領域に対応するマスク領域Ｂ内の遮光膜１０ｂの膜厚に対して厚くなるように再加工したものである。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理により基板上に設計データ通りの配線パターンを形成できるようにする、レジストパターンのデータを生成するデータ生成方法を実現する。
【解決手段】レジストパターンのデータ生成方法は、基板面に相当する仮想平面上において、設計データに規定された配線の外郭上の或るポイントを基準点として所定形状を有し、当該ポイント上に位置するエッチング液によって銅箔がエッチングされ得るエッチング影響エリアを含む第１の基準エリアを設定する設定ステップS101と、レジストパターンの外郭の位置を、第１の基準エリアに占めるエッチング影響エリアの面積を表わすエリア面積パラメータに応じて決定する決定ステップS102と、設計データに規定された配線の外郭上の任意の位置に順次設定されるポイントに対して設定ステップS101および決定ステップS102を繰り返し実行することで、レジストパターンの外郭を画定する画定ステップS103と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＦ配置が困難なレイアウトパターンを含んで構成されるメインパターンに対してもＳＲＡＦを短時間で配置すること。
【解決手段】実施の形態の補助パターン配置方法では、基板上に形成するメインパターンの解像度を向上させる補助パターンの配置方法の種類として、ルールに従ったルールベースと、モデルを用いたモデルベースと、の何れを、前記メインパターンに対応するパターンデータ上の何れのパターン領域に設定するかを選択する配置方法選択ステップと、前記ルールベースに設定されたパターン領域であるルールベース領域に、前記ルールベースによる補助パターンをルールベース補助パターンとして配置するとともに、前記モデルベースに設定されたパターン領域であるモデルベース領域に、前記モデルベースによる補助パターンをモデルベース補助パターンとして配置する補助パターン配置ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも内側で輪郭Ｘに沿った第１のラインＬ１より内側の第１領域に形成され、ボンディングパッド１２の表面が露出した第１の開口部２１Ａと、第１の開口部２１Ａ上に第１の開口部２１Ａよりも大きい開口面積で形成され、ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも外側で輪郭Ｘに沿った第２のラインＬ２より内側の第２領域に形成された第２の開口部２１Ｂとからなる開口部２１を有する保護膜２１を備えた半導体装置を製造効率良く低コストに製造する。
【解決手段】露光工程において、フォトマスクとして、第１のラインＬ１より内側の領域と、第１のラインＬ１から第２のラインＬ２までの領域と、第２のラインＬ２より外側の領域の光透過量がそれぞれ異なるレチクル５１を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の設計ＴＡＴの増大や歩留まり低下の要因となるホットスポットが生じにくい、標準セルの端子に係る配線構造を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、第１方向に隣接配置された第１および第２の標準セル１０，２０を含む。第１方向に直交する第２方向に延びる出力端子部１１および入力端子部２１を電気的に接続するように、接続配線２５が第１方向に延びるように配置されている。出力端子部１１は接続配線２５が接続された領域を基点として、第２方向における第１の向きに延びている一方、その逆の第２の向きに延びておらず、入力端子部２１は接続配線２５が接続された領域を基点として、第２方向における第２の向きに延びている一方、第１の向きに延びていない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法において、ゲート電極部の幅及びゲート電極部からの突き出し長のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極部及び突き出し部を有する実パターン４３１と、実パターン４３１に並んで配置されるダミーパターン４３３とを含む複数のラインパターンを備える。２つのダミーパターン４３３と、これらに挟まれ且つ実パターン４３２を含むラインパターンとにより、同一間隔を空けて並走するラインパターン並走部が構成される。ラインパターン並走部の各ラインパターンは、同一の幅を有すると共に、互いに実質的に面一なライン終端部４１４を有する。各ライン終端部４１４の延長線上に、同一の終端部間距離４０３を空けて、ライン終端部均一化ダミーパターン４２０が形成される。ライン終端部均一化ダミーパターン４２０は、ラインパターンと同一幅で且つ同一間隔に形成された複数のライン状のパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程で生じる光近接効果に起因するゲート長のばらつきとゲートの寄生容量のばらつきを抑制し、標準セルの実際の特性を反映させたライブラリを設計可能とし、これにより設計マージンを小さくして高性能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】標準セルＳｃ１を配列して半導体集積回路を設計する方法において、標準セルＳｃ１を構成するゲートパターン５の端部に、該ゲートパターン５と垂直な方向にダミーパターン３を配置し、該ダミーパターン３の配置により、ゲートパターン５の端部での該ゲートパターンの占有密度の低下を補う。 （もっと読む）

【課題】 半透光部と透光部との境界部分におけるレジストパターン形状をより正確に制御する。
【解決手段】 遮光部は、半透光膜、位相シフト調整膜、及び遮光膜が透明基板上に積層されてなり、半透光部は、半透光膜、及び位相シフト調整膜が透明基板上に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなり、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長の光が半透光部を透過するときの位相シフト量が前記透光部に対して６０度以下となるように、半透光膜と位相シフト調整膜との材質及び厚さが設定されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の主表面上に薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法であって、
前記薄膜を形成する側の主表面の表面形状が凸形状である基板に対し、クロムを主成分とする材料からなり、引張応力を有する前記薄膜をスパッタリング法で形成することにより、前記薄膜の成膜前よりも主表面の平坦度が高いマスクブランクを得ることを特徴とするマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半透光部と透光部で形成される転写パターンを用いて、被加工体に微細なパターン形状を形成する場合に、マークパターンの読み取り不良を抑制できるフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、転写パターン部のパターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクであって、転写パターン部を透明基板上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部で設け、透明基板の前記転写パターン部と異なる領域に遮光膜で形成されるマークパターン形成部を設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、統計的欠陥処理手順、モデル、及びライブラリをリアルタイムで用いることによってプロセスの歩留まりを改善させる基板処理用装置及び方法を供する。
【解決手段】 本発明は、共有された統計に基づく分散データを用いて基板を処理する装置及び方法を供する。前記統計に基づく分散データは、マイクロブリッジ形成欠陥データ、LER欠陥データ、及びLWR欠陥データの決定に用いることのできる共有されたポリマー脱保護分散(PPDV)データを有して良い。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に転写されるダミーパターンを用いることなく、レジスト寸法特性を略一定とすることが可能なフォトマスク、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定幅の複数のライン状の第１パターンを、所定幅のライン状の第１パターンを、該第１パターンの幅方向に予め定められた第１の間隔で平行に複数形成したラインアンドスペースパターンと、前記ラインアンドスペースパターンが形成された領域とは異なる領域に、前記幅方向で、かつ前記第１パターンと平行に所定幅のライン状の第２パターンを予め定められた第２の間隔で複数形成し、さらに前記第２パターンの幅が、半導体基板に露光する際の露光解像限界以下となるように形成したアシストパターンと、を備えたフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】体格差による立体画像の視認性の違いを解消できる視差バリア、画像表示装置、視差バリアの製造方法及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】ステップバリア４は、左目用画像及び右目用画像を表示する表示手段と組み合わせて用いられ、当該表示手段に表示された左目用画像及び右目用画像を分離する。ステップバリア４には、光を通過させる開口部４３、及び光を遮断する遮光部４２が行方向、及び列方向に交互に設けられている。開口部４３は、行方向に沿った仮想線Ａ上のピッチが、列方向における開口部４３の上端部４３３から下端部４３４に向かって小さくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの設計・製造コストを低減する。
【解決手段】フォトマスク製造設計装置が表示手段と処理指令入力手段と、前記処理指令入力手段が制御する、改善マスクパターン作成手段と、ウェハ転写シミュレーション手段と、ウェハ転写形状差異判定手段と、ＥＢ描画図形数判定手段を有し、前記ウェハ転写形状差異判定手段が、ウェハ転写シミュレーションの結果のパターンとターゲットパターンとの差異をあらわす、ターゲットパターンの幅の最小寸法データ（ＣＤ）と、ターゲットとするパターン間のスペースの最小寸法データ（Ｓｐａｃｅ）と、ＣＤの光強度の傾きデータ（ＣＤ＿ＮＩＬＳ）と、Ｓｐａｃｅの光強度の傾きデータ（Ｓｐａｃｅ＿ＮＩＬＳ）と、焦点深度データ（ＤＯＦ）と、マスク誤差拡大率データ（ＭＥＥＦ）とから成るパターン形状差異データを作成し前記表示手段に表示することによりフォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】ポテンシャルディップの発生を抑制することが可能な不純物層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のドットパターン３により構成された第１の領域２−１と、この領域２−１のパターンよりも大きい面積の複数のドットパターン４により構成され、第１の領域２−１に隣接する第２の領域２−２と、を具備し、これらの領域２−１、２−２の境界部分で光の透過率が不連続的に変化するグレーティングマスク１であって、第１の領域２−１のドットパターン３と第２の領域２−２のドットパターン４との間に、これらのドットパターンの中間の面積を有するドットパターン６を設けたグレーティングマスク１を用いて、半導体基板８上に塗布されたレジスト材料９を露光する工程と、露光されたレジスト材料９を現像することによりレジスト膜１０を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして用いて半導体基板８にイオンを注入することにより、不純物層１１を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 描画回数の削減効果の大きいＣＰ描画データを作成する方法の提供。
【解決手段】 回路パターン中に多数存在する各パターンを多数の矩形に分割し、分割した多数の矩形のうち互いに隣接する任意の矩形を組み合わせて得られる各パターンの一部を構成する部分パターンのうち、形状及び大きさが同一の部分パターンだけでなく類似する部分パターンをも含めてそれらを代表する１つの代表パターンを決定する。前記代表パターンに基づきＣＰ描画データを生成する。この代表パターンによって類似する部分パターンの全てを同じパターンに共通化することで、同一部分パターンと類似部分パターンとを含めた中から汎用性が高く適用個所が多い繰り返しパターンを抽出できるようになる。したがって、微細かつ多様な形状及び大きさのパターンを回路パターン中に多数含んでなる描画データであっても、描画回数の削減効果の大きいＣＰ描画データを作成することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンずれの少ない高精度な中間調フォトマスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
透明基板１上のデバイスパターン部に、相対的に反射率が高く透過率が極めて低い遮光膜４の上に相対的に反射率が極めて低く透過率が高い半透過膜５が積層されている遮光部と、半透過膜５が透明基板上に直接堆積された半透過部と、遮光部又は半透過部の一部が除去され透明基板が露出した透光部７とを備える。一方、透明基板１上の非デバイスパターン部に設けられたアライメントマーク部に、遮光膜及び半透過膜がいずれも存在せず透明基板が露出した透光部と表面に反射防止膜が形成されていない遮光膜が最表面に露出した遮光部とによってアライメントマーク２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】並列に並ぶゲートパターンを有する半導体装置において、ゲートパターンのレイアウトを工夫することによって、光近接効果を補正しつつ、集積度を向上させる。
【解決手段】並列に並ぶゲートパターン２１，２２の端部と、並列に並ぶゲートパターン２３，２４の対向端部とにおいて、ゲートパターン２１の端部はゲートパターン２２の端部よりもゲートパターン２３，２４の方に突き出ており、ゲートパターン２４の対向端部はゲートパターン２３の対向端部よりも、ゲートパターン２１，２２の方に突き出ている。引っ込んでいる方の、ゲートパターン２２の端部およびゲートパターン２３の対向端部について、仕上がり形状において後退が生じない程度に、補正量を大きく設定することができる。 （もっと読む）

【課題】周期端パターンに対してデフォーカスによる光学像のばらつきを抑制するフォトマスクを提供すること。
【解決手段】遮光部１３Ａを一定のピッチで透明基板上に繰り返し配置したことによって形成されたパターンであり且つ斜入射照明による露光によってウエハ上にパターン転写される周期パターン２１Ａと、遮光部１３０Ｂを遮光部１３Ａのピッチと同じピッチで周期パターン２１Ａの周辺に繰り返し配置したことによって形成されたパターンであり且つ斜入射照明による露光によってウエハ上にパターン転写されることのないＳＲＡＦ部２１０Ｃと、を有し、ＳＲＡＦ部２１０Ｃを介してウエハ上に照射される０次回折光の回折光強度と１次回折光の回折光強度とが等しくなるよう、ＳＲＡＦ部２１０Ｃのうち露光光を透過させる透過部１２０Ｃの透過率と、透過部１２０Ｃの位相と、透過部１２０Ｃのパターン幅と、の組合せが調整されている。 （もっと読む）