【課題】良好な結像性能を与える露光条件及びマスクパターンを決定することができるプログラム及び方法を提供する。
【解決手段】露光条件及びマスクパターンを設定する第１ステップと、前記露光条件を用いて、投影光学系により基板上に形成されるマスクパターンの像の良否についての指標を示す第１評価関数を用いて前記マスクパターンを仮決定する第２ステップと、仮決定された前記マスクパターンと前記露光条件とを用いて、前記投影光学系により基板上に形成されるマスクパターンの像の良否についての指標を示す第２評価関数の値を算出する第３ステップと、前記第２評価関数の値に基づいて前記露光条件及び前記マスクパターンを変更する第４ステップと、前記露光条件及び前記マスクパターンを初期値として前記第２ステップ及び前記第３ステップを繰り返す処理を実行するか否かを判定する処理を含む第５ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの算出精度を向上させる、コンピュータを用いてレジストパターンを算出する方法を提供する。
【解決手段】レチクルのパターンおよび露光条件に基づいて、レジストに形成される光学像の光強度分布を算出する第１工程と、前記第１工程で算出された光強度分布を第１の拡散長で畳み込み積分する第２工程と、前記第１工程で算出された光強度分布又は前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布から前記レジストの面内における各点について該点を含む所定の大きさの領域における光強度を代表する代表光強度を算出する第３工程と、補正関数を前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布に加算することによって、前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布を補正する第４工程と、前記第４工程で補正された光強度分布と予め設定されたスライスレベルとに基づいて前記レジストパターンを算出する第５工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、フレア補正されたＥＵＶリソグラフィ用のマスクを用いることにより、所望する電気的特性を有し、微細でかつ寸法精度の高い集積回路を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲートマスクパターンとフレア補正用ダミーマスクパターンとを有する転写用ゲート層マスクパターンが形成されたマスクを用いて、半導体基板１の主面に形成された導電体膜上にレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして導電体材料をエッチングすることにより、ゲート電極５およびダミーパターン６を形成するが、ダミーパターン６は、アイソレーション２上のみに配置し、アイソレーション２により画された活性領域上には形成しない。 （もっと読む）

【課題】ショット形状毎にドーズ量を対応付けたショット形状配列描画データを利用してマスクパターン等を製造する場合に、実際に電子線描画することなく、パターンの形状を確認できるパターン形状予測プログラム、パターン形状予測システムを提供する。
【解決手段】パターン形状予測装置５０は、段付データ２を記憶する段付データ記憶部５５ｅと、ドーズ量と補正量とを対応付けて記憶する辺補正テーブル５５ａ−１と、段付データ２の矩形３を、辺補正テーブル５５ａ−１の矩形３のドーズ量及び辺補正テーブル５５ａ−１の補正量に基づいて補正した形状を作成するショット形状補正部５６ａと、ショット形状補正部５６ａが形状に基づいて、パターン予測形状１４を作成する外形作成部５６ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを擁するフォトマスクにおいて、レジスト膜および遮光膜の薄膜化が可能であり、パターン形成プロセスにおいて生じるマイクロローディング現象や微細パターンの倒壊を回避して、微細かつ高精度なパターンが得られるフォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板上の一方の面にパターニングされた単層または複数の層からなる第一の膜を備え、かつ前記透明基板の反対面にパターニングされた単層または複数の層からなる第二の膜を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光法において、機械的強度を保ちつつ、効率良く露光に用いるパターンを具備したステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン領域と、前記メンブレン領域を取り囲むバルク領域１０２とからなるステンシルマスクである。１メンブレンの領域内に偏向領域１０３に対応したステンシルパターン群を複数個配置する。 （もっと読む）

【課題】表面から内部方向に向かって深い不純物層を短時間で形成することができる不純物層の形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１５の表面上にレジスト材料１６を形成する工程と、このレジスト材料１６を、互いに透過率が異なる複数の微小な透過部１３Ａ乃至１３Ｄによって構成された単位透過領域１４を複数有し、これらの単位透過領域１４が２次元状に配列された透過領域１１を有するグレーティングマスク１０を用いて露光する工程と、露光されたレジスト材料１６を現像することにより、半導体基板１５の表面上に、透過領域１１の透過率に対応した膜厚の薄膜領域１７を有するレジスト層１８を形成する工程と、薄膜領域１７を介して半導体基板１５にイオンを注入する工程と、同一の深さに注入された複数のイオン群２１Ａ´、２１Ｂ´２１Ｃ´２１Ｄ´が、横方向に接合且つ均一化するように拡散させる工程と、を具備する不純物層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクの製造工程において、基板裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させ、多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠を作製する。 （もっと読む）

【課題】レジスト残膜の膜厚にばらつきがあっても、所望の製品特性を満足することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電荷の転送方向に向かって透過率が低下する透過領域１７Ａを有するグレーティングマスク１７を用いて、半導体基板１１上に一様に形成されたレジスト層１６を露光する工程と、露光されたレジスト層１６を現像することにより、グレーティングマスク１７の透過率に応じて膜厚が変化するレジスト残膜１８を形成する工程と、レジスト残膜１８を介して半導体基板１１に、イオン注入装置１９を用いてイオン２０を注入することにより、半導体基板１１内に、所定の基準ポテンシャルＰｂおよび段差ポテンシャルＰｓを有する内部ポテンシャルを形成する複数の不純物層１３を形成する工程と、を具備し、イオン注入装置１９の加速電圧およびドーズ量を、レジスト残膜１８の膜厚誤差による内部ポテンシャルの誤差が、許容範囲内となるような加速電圧、およびドーズ量とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基材の基板の表面に繰り返し凹凸パターンを形成するためのエッチングマスクをレジスト膜の露光現像により形成する際、レジスト膜に対する繰り返し露光による隣接する露光領域の隣接する部分での過剰露光による現像パターンの歪みを防止する。
【解決手段】半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを用いて製造したバス電極の電極ピッチを精度よく形成可能なプラズマディスプレイパネル用フォトマスクを提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマディスプレイパネルの前面板に配置されたバス電極を形成するためのプラズマディスプレイパネル用のフォトマスク４０であって、このフォトマスク４０は、バス電極を露光するためマスクを有し、マスクに形成した電極ピッチは、前面板に配置されたバス電極の電極ピッチとは異なる電極ピッチとした構成である。 （もっと読む）

【課題】補助パターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、補助パターンの欠けや基板表面からの剥離、あるいは補助パターンの倒れを防止し、マスク製作が比較的容易で高精度のパターン転写が可能となる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され前記反射層へのエッチング損傷を防止するバッファ層と、前記バッファ層上に形成され前記ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用反射型マスクであって、前記ＥＵＶ露光用反射型マスクのマスクパターンが、ウェハ上に転写される主パターンと、前記主パターンの近傍に設けられ投影光学系の解像限界以下の大きさの補助パターンとからなり、前記補助パターンがバッファ層で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい電圧の変化を減らすことにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる半導体装置のレイアウト方法及びその半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された少なくとも１つの第１電極と第２電極を有する複数個のトランジスタのアクチブ領域を配置する段階と、前記複数個のトランジスタのアクチブ領域のそれぞれの少なくとも１つの第１電極と第２電極との間に位置し、前記半導体基板上に所定の幅と長さを有する１つ以上の実質的に同一間隔に分離された前記複数個のトランジスタのゲートを配置する段階と、前記複数個のトランジスタの間に、所定の幅と長さを有し、前記半導体基板上に前記複数個のトランジスタの分離されたゲートの間隔と実質的に同一間隔に配置された複数個のダミーゲートを配置する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率よくウェットエッチング法により製造され、遮光膜の端部の形状
に荒れのない階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光膜と
、上記遮光膜上および上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記
透明基板が露出した透過領域、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域、およ
び上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域を有する階調マスクであっ
て、上記遮光膜および上記半透明膜の結晶構造が、いずれも柱状である、またはいずれも
粒状であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】設計期間の短縮を図ること。
【解決手段】設計装置は、補正パターンにより生じるエラーのうち、コーナー部の丸まりの影響を受ける箇所のエラーについては、コーナー部のエラー抽出処理（ステップ３５）と検証処理（ステップ３６）において、その妥当性を検証する。そして、設計装置は、補正パターンによるエラーのうち、コーナー部の丸まりによりマスク上又は基板上において問題とならない（線幅が規定以上となる）箇所のエラーは、疑似エラーと判定する。一方、設計装置は、コーナー部において、マスク上又は基板上において問題となる（線幅が規定未満となる）箇所のエラーは、真性エラーと判定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上に微細パターン、特にハーフピッチ４５ｎｍ以下の細密パターンを形成するための半導体素子のフォトリソグラフィ工程において、露光裕度を向上させることができるバイナリ型のフォトマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、定数ｋ₁が０．５４５以下であり、瞳フィルタを用いた変形照明により液浸露光するフォトリソグラフィ技術に用いられるフォトマスクにおいて、該フォトマスクが透明基板上に露光光を遮光する遮光膜でマスクパターンを形成したバイナリ型のフォトマスクであって、前記マスクパターンのエッジの形状がテーパー状に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ面内における金属配線の抵抗分布のばらつきを抑え、得られるデバイスの特性や精度を面内で均一化させることが可能なマスクを提供する。
【解決手段】本発明のマスクは、金属配線を有するデバイス１０を基板２の一面上に多数形成する際に、該基板の一面に対向配置されて用いられるマスクであって、個々の前記デバイスが配される前記基板上の位置に応じて、それぞれのデバイスが有する前記金属配線に対応する部位の形状を変えたこと、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の露光光に対する薄膜の耐光性の向上、マスク寿命の改善を
顕著に図ることができるマスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法、並びに
マスクブランク及び転写用マスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、
前記透光性基板上に、遷移金属を含有する材料からなる薄膜を成膜する工程と、
前記薄膜に過熱水蒸気処理を施す工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの
製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来と同様の製造プロセスを用いた場合でも、従来よりも間隔の狭い（各マイクロレンズ間のスペースが少ない）マイクロレンズを得ることのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マイクロレンズの製造において、基板上の感光性のマイクロレンズ材料に、パターン化された光線を照射するためのマスクであって、メインレイアウト、および、該メインレイアウトの周囲に設けられたサブレイアウトを有し、該マスクに光線を照射したときに、前記メインレイアウトによってマイクロレンズの中央部に相当する位置に第１の光線パターンが得られ、前記サブレイアウトによって前記第１の光線パターンの周囲に前記第１の光線パターンとは分離された（解像された）第２の光線パターンが得られることを特徴とするマスクである。 （もっと読む）