【課題】 改良された位相シフトリソグラフィと、狭いトラック幅Ｄの書き込み極を画定するためのハーフトーン位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】 磁気書き込みヘッドの書き込み磁極等の重要な対称２次元構造を生産できる、位相シフト光リソグラフィを使用するウェハのパターニング方法。本発明の１つの態様において、光リソグラフィマスクは、不透明部分を有し、この不透明部分の両側に狭い、透明の位相シフト領域がある。非位相シフト領域は、構造の両側の狭い位相シフト部分を越えて延びる。位相シフト領域は、不透明領域に関して対称であり、ウェハ上に生成される像は、完全に対称となる。本発明の他の態様において、透明媒体に位相シフト領域が形成され、位相シフト領域の両側に非位相シフト領域がある。位相シフト領域と非位相シフト領域の間の遷移だけで、ウェハ上のパターンを画定するため、マスク上の不透明構造は不要となる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム露光が必要な部分にのみ電子ビーム露光を適用し、残りの部分に対してはレチクル露光を適用する露光方法を提供する。
【解決手段】露光方法は、レチクル露光パターンに基づいてリソグラフィーシミュレーションを実行することにより、レチクル露光により形成されるレジストのパターンを模擬計算により求めたシミュレーションパターンを生成し、目標パターンとシミュレーションパターンとの差分データを生成し、差分データに基づいて第１の電子ビーム露光パターンを生成し、レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、レチクルを用いて光による露光処理を行ない、第１の電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう各段階を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光層のサイドエッチングを抑制することでパターニング精度の高いハーフトーンマスクを作成することが可能なマスクブランクス及び当該マスクブランクスから形成されるパターニング精度の高いハーフトーンマスクを提供すること
【解決手段】本発明に係るマスクブランクスは、この順に積層された透明基板と、半透光層と、エッチングストッパ層と、遮光層とを具備する。半透光層は第１の光学濃度を有し、エッチングストッパ層は第２の光学濃度を有する。遮光層は２０ｎｍ以上９５．２ｎｍ以下の厚さを有し、第１の光学濃度及び第２の光学濃度との和が３．０以上である第３の光学濃度を有する。遮光層の厚さを当該範囲内とすることにより、半透光層がエッチングされる際の遮光層のサイドエッチング量を低減し、かつ、製造されたハーフトーンマスクの遮光部において、入射光を十分に遮蔽することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】撮像デバイスの基板上にレンズのピッチが１μｍ以下のマイクロレンズアレイを、濃度分布マスクを用いて形成する際に、光の干渉効果による光の結像パターンの歪みを補正した露光をする濃度分布マスクを得る。
【解決手段】凸レンズ状の単位レンズを配列させたマイクロレンズアレイを露光・現像して形成するための濃度分布マスクであって、前記濃度分布マスクの遮光パターンの等濃度線が、１より小さいスーパー楕円のパラメータｋとＶＷ軸切片パラメータｒを用いるＶＷ座標系のスーパー楕円式の形状を４５度回転させた上で、Ｘ方向及びＹ方向に拡大し、凸レンズ状の単位レンズの底面の等濃度線の対角方向に突出した四隅を囲む矩形のＸ方向の長さを前記マイクロレンズアレイのＸ方向のピッチにし、また、その矩形のＹ方向の長さを前記マイクロレンズアレイのＹ方向のピッチに等しくした等濃度線を有することを特徴とする濃度分布マスクを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マ
スク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細く
ならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光に用いられ、露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形
成された配線が並列に配置されているレジスト材料からなる配線パターンを形成するため
の露光用マスク１９において、片側にのみ隣接する配線形成用マスク部分が存在する部分
１８ａ２の配線幅を、両側に隣接する配線形成用マスク部分が存在する部分１８ａ１の配
線幅よりも太くする。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズ間の境界部がなだらかになることを防止する。
【解決手段】フォトマスクは、２次元状に配置された複数の矩形領域２１０のそれぞれに、マイクロレンズを形成するための遮光部と非遮光部とからなるマイクロレンズパターンを有する。各矩形領域２１０は、当該矩形領域２１０の４つの辺を外縁とする枠領域２３０と、枠領域２３０の内縁を境界とする主領域２４０とを含む。枠領域２３０は、４つの辺のうちの１つの辺をそれぞれ輪郭線の一部とする４つの帯状領域２３１〜２３４からなり、枠領域２３０の外縁と内縁との間の幅Ｗは、フォトリソグラフィーにおいて使用する露光光の波長の１／２以下である。（遮光部の面積）／（（遮光部の面積）＋（非遮光部の面積））として定義される遮光部密度が０以上１５パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】中間層を用いることなく、回折格子の寸法誤差を大きくすることのできる露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】平板状の支持部３１と、支持部３１と屈折率の異なる断面矩形状の部分３２ｂが支持部３１と交互に周期的に形成された回折部３２と、を有する回折格子３の入射面３ａへ、垂直にレーザ光を入射させる露光方法であって、回折部３２の断面矩形状の部分３２ｂの高さを回折格子３の０次及び±２次以上の高次の回折光の強度が±１次の回折光の強度の１１％以下となるよう設定して、対象物へ露光を行う。 （もっと読む）

【課題】ダークフィールド二重双極子リソグラフィを実行する方法を提供する。
【解決手段】水平および垂直フィーチャを含む複数のフィーチャを有するターゲットパターンを識別するステップと、前記ターゲットパターンに基づいて水平マスクを作成するステップを含み、水平マスクは低コントラスト垂直フィーチャを含む。水平マスク作成は、水平マスクに含まれる低コントラスト垂直フィーチャのバイアスを最適化するステップ９１と、散乱バーを水平マスクに適用するステップ９３とを含む。この方法は、ターゲットパターンに基づいて垂直マスクを作成するステップをさらに含み、垂直マスクは低コントラスト水平フィーチャを含む。垂直マスク作成は、垂直マスクに含まれる低コントラスト水平フィーチャのバイアスを最適化するステップ９２と、散乱バーを垂直マスクに適用するステップ９４とを含む。 （もっと読む）

【課題】１度の描画で立体的なレジストパターンを形成することができる電子線描画用マスクブランクを提供する。
【解決手段】電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであって、
基板と、
前記基板上に形成された薄膜と、
前記薄膜上に形成された電子線レジスト膜と、を備え、
前記電子線レジスト膜は、少なくとも下層レジスト膜と上層レジスト膜とを含む積層膜からなり、
前記下層レジスト膜と前記上層レジスト膜とは、電子線に対する感度が互いに異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクの有効露光領域内のチップ数を削減し、空き領域が形成される場合のマスクの製造方法において、マスクの電子線描画負荷を著しく上げずにマスク価格の低減を図り、フルチップの時と同一の製造条件で、デバイスパターンの寸法均一性が保証されたマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】マスクの有効露光領域内の空き領域にダミーパターンを形成し、デバイスパターン形成領域とダミーパターン形成領域との間に遮光帯を設け、ダミーパターンが複数の矩形パターンからなり、ダミーパターンの被覆率が、デバイスパターンの被覆率と略同じであり、矩形パターンの最小パターン寸法が、デバイスパターンの最小パターン寸法よりも大きく、矩形パターンの最大パターン寸法が、パターンの描画に用いる電子線描画装置の最大ショットサイズ以下の大きさとなるように形成することを特徴とする。 （もっと読む）

ＥＵＶリソグラフィ装置のマスクをその高い反射率について改善するために、ＥＵＶ域内の作業波長用に構成された該作業波長で屈折率の異なる実数部を有する少なくとも２つの材料の層を備える積層体を有する反射多層膜系を基板上に備え、前記反射多層膜系（Ｖ）は、固定波長のＥＵＶ放射によって２１°までの最小及び最大入射角間の角度範囲で照射されるとき、アポダイゼーションが３０％未満になるように構成されているＥＵＶリソグラフィ用の反射マスクが提案される。
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【課題】半導体リソグラフィにおいて、１レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明によると、ウェハ上のレジストに複数の異なるパターンを有するチップパターンを形成する方法において、複数の領域に前記複数の異なるパターンを形成したレチクルを用い、前記複数の領域から第１の領域を選択し、前記第１の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第１の領域の一部に光を照射して、前記レジストに第１のパターンを形成し、前記複数の領域から前記第１の領域と異なる第２の領域を選択し、前記第２の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第２の領域の一部に光を照射して、前記レジストにパターンを形成することを特徴とする第２のパターン形成方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、基板（Ｓ）及び層構成体を備えるＥＵＶ波長域用のミラー（１ａ；１ａ’；１ｂ；１ｂ’；１ｃ；１ｃ’）であって、層構成体は、個別層の少なくとも２つの周期（Ｐ_３）の周期的配列からなる少なくとも１つの表面層システム（Ｐ’’’）を含み、周期（Ｐ_３）は、高屈折率層（Ｈ’’’）及び低屈折率層（Ｌ’’’）に関して異なる材料から構成される２つの個別層を含み、層構成体は、基板と個別層の少なくとも２つの周期の周期的配列との間に、２０ｎｍを超える、特に５０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの表面保護層（ＳＰＬ、Ｌ_ｐ）又は少なくとも１つの表面保護層システム（ＳＰＬＳ）を含む、ミラーに関する。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを形成できるレベンソン型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】レベンソン型マスクの製造方法は、第１パターンの両側に、同位相開口部および反転位相開口部を定める開口部設定工程を含む。この開口部設定工程は、対同士の距離が近い順または、所定の値以下のものに、対同士が対向する開口部の少なくとも一方に、同位相開口部を設定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】各トランジスタの特性を均一化することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】フォトマスク１００には、複数のチャネルパターン１０１と、配線パターン１０２と、補助パターン１０３とが形成されている。複数のチャネルパターン１０１は、半導体基板上に形成された拡散層２１１の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を形成するために、並列に配されている。配線パターン１０２は、チャネル部から延びたゲート配線部を形成するために、チャネルパターン１０１から延びている。補助パターン１０３は、各々のチャネル部の、拡散層の縁部２１２から一定の距離だけ離れた部分を、該チャネル部が延びている方向と直交する方向Ｔ２に広げるように、各々のチャネルパターン１０１に対して設けられている。各々のチャネルパターンに対して設けられた補助パターン１０３は、互いに同一形状になっている。 （もっと読む）

【解決手段】
半導体デバイス（４００）を製造する方法は、半導体材質（４０２）の層及び半導体材質（４０２）の層の上の絶縁材質（４０４）の層を備える基板上に、ハードマスク材質（４０８）の層が絶縁材質（４０４）の層の上になるように、ハードマスク材質（４０８）の層を形成することによって開始する。多重露光フォトリソグラフィ手順が実行されて、ハードマスク材質（４０８）の層の上にフォトレジスト特徴部の結合されたパターンが作製され、またフォトレジスト特徴部の結合されたパターンを用いてハードマスク材質内に凹部線パターンが作製される。方法は、凹部線パターン（４２２）の指定された区画をフォトレジスト特徴部の遮断パターン（４４２）で覆い、そして溝（４５２）のパターンを絶縁材質（４０４）内に形成することによって継続し、ここで溝（４５２）のパターンは、フォトレジスト特徴部の遮断パターン（４４２）及びハードマスク材質（４０８）によって規定される。その後、電気伝導材質（４７２）が溝（４５２）内に堆積させられて、半導体デバイスのための導電線がもたらされる。 （もっと読む）

【課題】マスクエラーモデルと組み合わせ、デバイス設計の共通プロセス窓や露光ツールを最適化する方法、及びシステムを提供する。
【解決手段】ポストＯＰＣマスクレイアウトに従ってマスクが製造される（工程２１０）。マスクを検査しマスク検査データを生成、分析し、系統的マスクエラーパラメータを決定する（工程２１２）。検査されたマスクについて個別マスクエラーモデルが作成される（工程２１４）。個別マスクエラーモデルを使用してリソグラフィプロセスをシミュレートし、シミュレートパターンを生成する（工程２１６）。シミュレートパターンを工程２１８で得られたプレＯＰＣ設計レイアウトと比較し（工程２２０）、所望のパターニング性能を発揮するかどうかを判定する（工程２２２）。発揮できると判定された場合、工程２２８に進む。そうでない場合は工程２２４に進み、修復可能または作り直し可能かどうかを判定する。 （もっと読む）

【課題】光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられるマスクのパターンとマスクを照明する際の有効光源分布とを決定する決定方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】Ｓ１０２で、目標パターンに対応する仮パターンの形状を規定するためのパターンパラメータを設定する。Ｓ１０４で、転写パターンを評価するための評価位置、及び、かかる評価位置での評価項目を設定する。Ｓ１０６で、仮照明形状を規定するための照明形状パラメータを設定する。Ｓ１０８乃至Ｓ１１６では、Ｓ１０２で設定したパターンパラメータとＳ１０６で設定した照明形状パラメータとからなるパラメータ空間を構成し、かかるパラメータ空間においてパターンパラメータ及び照明形状パラメータを最適化する。 （もっと読む）

【課題】光近接効果補正フィーチャをリソグラフィにもたらす改善された方法を提供する。
【解決手段】グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと２次元補正カーネル又は２つの１次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのＯＰＣフィーチャを生成するS11ことによりマスク・パターンに追加される。その結果得られるパターンは、３つ以上の強度レベルを生成するように適合されたプログラム可能なパターン形成手段を備える投影リソグラフィ装置内で使用することができる。パターンにより出力されるであろう空間像をシミュレートS12し、シミュレーションを所望のパターンと比較しS14、ＯＰＣフィーチャを調整する反復処理工程S15を使用して、投影に最適なパターンを生成することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの製造で、基板のそり事前に測定し、そり量に応じたパターンを作成し、高精度なパターン作成を実現する。
【解決手段】上記目的のため、本発明のフォトマスクの製造方法は、ガラスを基板の主材料としたフォトマスクの製造方法において、前記基板のそり量を測定した後に、前記そり量に応じたフォトマスクのパターンを選択して形成することを特徴とする。ここで、基板のそり量が基準値に対して１００μｍ以上変化する毎に、パターンの幅を１μｍ〜５μｍ細く変更することが望ましい。また、本発明のＰＤＰの製造方法はこれらのフォトマスクを用いた製造法である。 （もっと読む）