【課題】効果的に汚染物質の発生を抑制できる反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板４０上に形成され、入射した入射光を第１方向に反射する第１反射部４１と、第１反射部４１上に形成され、かつ所定のパターンの形状を有し、入射した入射光を第１方向とは異なる第２方向に反射する第２反射部４３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング用フォトマスクの欠陥判定及び欠陥影響度を検証するフォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトマスクを使って描画パターンを形成するためのフォトマスク群の検査方法であって、複数のフォトマスクについてフォトマスク画像を取得するフォトマスク画像取得工程と、フォトマスク画像を重ね合わせ、重ね合わせ画像を取得する画像重ね合わせ工程と、重ね合わせ画像から描画パターンへの影響を検査する検査工程と、を備えることを特徴とするフォトマスク群の検査方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング回数を３回として５階調を得ることができる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上にエッチング選択性のある第１半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去し、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去し、基板全面に第１半透光膜とエッチング選択性のある第２半透光膜を形成する工程と、第２半透光膜上に第３レジストパターンを形成する工程と、第３レジストパターンをマスクとして第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有することにより、エッチング回数を３回として５階調を得る。 （もっと読む）

【課題】コンタクトを高密度に形成することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１において、単一の層間絶縁膜中に形成された全てのコンタクト、すなわち、ビット線コンタクトＣＢ及び非ビット線コンタクトＣＮを、方向Ｖ１に沿って周期Ｐ１で配列されると共に方向Ｖ２に対して交差する方向Ｖ２に沿って周期Ｐ２で配列された２次元格子Ｌの複数の格子点ＬＰの一部に配置する。そして、アクティブエリアが延びる一方向におけるビット線コンタクトＣＢの位置を、連続して配列された３本以上のアクティブエリアを基本単位として周期的に変位させる。また、同一の電位が供給される導電性部材に、２以上のコンタクトを接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、寸法変換差予測の精度を向上させることができるフォトマスクの設計方法を提供する。
【解決手段】設計パターンデータを所定の領域に分割する手順と、前記分割された領域におけるパターンの周囲長を求める手順と、前記手順を繰り返すことで設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長を求める手順と、前記設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長と、予め求められたパターンの周囲長と寸法変換差との相関関係と、から前記設計パターンデータ全域における寸法変換差を求める手順と、前記求められた寸法変換差の値を用いて設計パターンデータのプロセス変換差補正を行う手順と、前記補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する手順と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの設計方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】適切な補助パターンの配設を行うことができるフォトマスクの設計方法およびフォトマスクの設計プログラムを提供する。
【解決手段】設計パターンの周辺に複数の評価パターンを配設する手順と、前記設計パターンの結像面上における結像特性に関する評価指標を設定する手順と、前記設計パターンによる光強度分布と、前記評価パターンによる光強度分布と、を組み合わせて、前記設計パターンの結像面上における光強度分布を求める手順と、前記設計パターンの結像面上における光強度分布を、前記評価指標を用いて評価することで、有効な評価パターンが設けられた領域を求める手順と、前記有効な評価パターンが設けられた領域に基づいて前記補助パターンの配設条件を求める手順と、前記配設条件に基づいて、前記設計パターンの周辺に補正パターンを配設してパターンレイアウトを作成する手順と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの設計方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、寸法変換差予測の精度を向上させることができるフォトマスクの設計方法を提供する。
【解決手段】寸法変換差予測の精度に関係する解析指標に基づいて寸法変換差を求める手順と、前記求められた寸法変換差の値を用いて、設計パターンデータに対するプロセス処理後のプロセス変換差の補正を行う手順と、前記補正を行った後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する手順と、を備え、前記解析指標は、形成するパターンの形状に関するもの、形成するパターンが基体面に占める割合に関するもの、前記プロセス処理を行う空間のガス成分の拡散性に関するものからなる群より選ばれた少なくとも１種であること、を特徴とするフォトマスクの設計方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】露光不良の発生を抑制できる透過型マスクを提供する。
【解決手段】リソグラフィー用の透過型マスクは、第１面、及び第２面を有し、露光光が透過可能なマスク基板と、第１面に設けられ、第２面側から入射して、マスク基板を透過した露光光の一部を反射して、第１位相状態の第１露光光を生成する第１部分、及び第１位相状態と異なる第２位相状態の第２露光光を生成する第２部分を有するパターン部とを備えている。 （もっと読む）

基材上に完成パターンを像形成させるレーザーアブレーションプロセスで用いられるための分散したパターンを有するマスク。このマスクは、光を透過するための複数の開口と、この開口の周囲の非透過区域とを有する。分散したパターンのための開口が基材上に繰り返し像形成される場合に、分散したパターン内の構造は、像形成されたパターンの様々な領域内で合併し、レーザーアブレーションにおけるスティッチング効果を軽減又は除去するために、分散したスティッチ線を使用して完成パターンを生成する。まばらでかつ分散したパターンもまた形成し得るマスクは、完成パターンの合併部分を個別に形成し、かつ分散したパターンを総じて形成する開口を含む。
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【課題】パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成され、レジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、現像処理を行い、遮光部とグレートーン部とで残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、レジストが除去された領域に露出する遮光膜をエッチングする工程と、透光部を形成すべき部分上の半透光膜と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を同時に除去する工程と、レジスト膜を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンを形成することができる露光方法を提供すること。
【解決手段】光透過領域が遮光部Ａ０，Ｂ０，Ｃ０を介して隣接して形成され、隣接した光透過領域を透過するそれぞれの光の位相差がφ≠πとなる位相シフトマスクを用いて、基板上のレジストに第１のフォーカス位置で露光を行う第１の露光ステップと、第１の露光ステップの後、レジストに位相シフトマスクを用いて第１のフォーカス位置と異なる第２のフォーカス位置で露光を行う第２の露光ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ドットパターンの対称性の劣化を抑えること。
【解決手段】マイクロレンズ１００３を形成するためのフォトマスクのマスクパターンデータを生成する方法では、前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割し、前記フォトマスクフォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得して（Ｓ１０〜Ｓ１２）、前記透過光量分布が得られるように、前記パターン形成面の中心からの距離が近い格子又は遠い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定し（Ｓ１３）、前記決定する工程での結果に基づいて前記複数の遮蔽部が配置されたマスクパターンデータを生成する（Ｓ１４）。 （もっと読む）

【課題】計測用の光学系を大型化することなく、マスクの面形状の情報を効率的にかつ高精度に計測する。
【解決手段】レチクルの形状情報を計測する計測装置において、投影光学系ＰＬの物体面側に配置され、複数の位相マーク２０が形成されたパターン面を有するレチクルＲと、投影光学系ＰＬの像面側に配置され、位相マーク２０に対応して複数の周期パターン３９が形成された蛍光膜３５と、位相マーク２０、投影光学系ＰＬ、及び周期パターン３９を通過した照明光ＩＬから生成される検出光ＤＬを検出するＦＯＰ３７及び撮像素子３８と、撮像素子３８の検出信号からそのパターン面の形状情報を求める演算装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】ステッパのショットサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う際に、形成するストライプ状パターンの幅の寸法のばらつきを低減する。
【解決手段】ショットパターン幅いっぱいに伸びる、先端が段階的に先細りとなったくさび型となっている端部を有するストライブ状のマスクパターン５を備えるショットパターンを、ショットパターン幅の１／ｎピッチで送ってショット露光を行い、ｎ回重ねた露光を行うことにより、形成したストライプ状パターンに途切れ、くびれ、および太りが生じるのを防ぎ、ストライプ状パターンの寸法のばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】加工不良となるか否かをパターン形成前に容易かつ迅速に判定するパターン判定方法を提供すること。
【解決手段】パターン判定の対象となる加工後パターンよりも前の工程で形成されるレジストパターンＰ１のエッジライン上に、パターン判定を行う位置として代表点Ｒ１を設定する代表点設定ステップと、代表点Ｒ１から周辺レジストパターンＰ２までの最小距離であるＳ１を算出する最小距離算出ステップと、代表点Ｒ１から所定の範囲内にある領域のうち、レジストパターンＰ１と周辺レジストパターンＰ２とで挟まれたパターンの無い領域の開口面積をＡ１として算出する開口面積算出ステップと、代表点Ｒ１が加工後パターンとなった際に代表点Ｒ１が加工不良となるか否かを、Ｓ１およびＡ１を用いて判定する加工不良判定ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】半透光部の透過率を微調整でき、露光光に対する半透光部の透過率の波長依存性を選択できる。
【解決手段】遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、透明基板上に半透光膜及び遮光膜が積層されてなり、透光部は透明基板が露出してなり、半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜が露出してなり、半透光膜は、第１半透光層と第１半透光層上に積層された第２半透光層を備え、半透光部を構成する第２半透光層の膜厚が、遮光部を構成する第２半透光層の膜厚より小さくなるように減膜されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲット寸法がより微細な寸法領域に突入しても、転写パターンの像コントラストの低下を抑制できる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光光に対して高反射領域となる多層反射膜２と、前記露光光を吸収するとともに、低反射領域となる吸収体パターン４Ｐとを具備し、前記多層反射膜２からの前記露光光の反射光と、前記吸収体パターン４Ｐからの前記露光光の反射光との位相差が１８０度±１０度以内となる反射型露光用マスクであって、前記吸収体パターン４Ｐは、長手方向が互いに９０度異なる第１および第２のライン状パターンを含み、かつ、前記第１および第２のライン状パターンの長手方向の一方と、前記主面の上から見た場合の前記主面に対する前記露光光の入射方向とが一致する時に、前記ウェハ上に形成される前記第１および第２のライン状パターンの光学像のコントラスト値がともに０．６以上となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの形状に影響を与える近接パターンをリソ検証前に評価するパターン評価方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成する回路パターンのターゲットパターンを用いて、回路パターンの解像性能に影響を与えるＳＲＡＦをターゲットパターンの周辺に作成する近接パターン作成ステップと、ターゲットパターンの周辺に所定のパターンを配置した場合に回路パターンの解像性能に与える影響度の分布に関する干渉マップを、ターゲットパターンを用いて作成する干渉マップ作成ステップと、干渉マップとＳＲＡＦとを比較することによって、ＳＲＡＦが回路パターンの解像性能に与える影響度をスコアとして算出するスコア算出ステップと、スコアに基づいて、ＳＲＡＦが回路パターンの形状に応じた適切な位置に配置されているか否かを評価する評価ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることができる荷電粒子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】電子銃６４から放射された電子ビームを所定サイズの矩形に成形する第１アパーチャ６５と、該第１アパーチャ６５で所定サイズの矩形に成形した電子ビームを任意サイズの矩形に成形する第２アパーチャ６６と、該第２アパーチャ６６で任意サイズの矩形に成形した電子ビームを一括露光用パターン形状に成形するブロックマスク６７とを設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過光量分布をより細かく制御できるフォトマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、露光波長では解像しない微細なドットパターンを有するマスクパターン層とを有し、上記ドットパターンの分布状態により、露光する際の透過光量分布を制御するフォトマスクであって、上記ドットパターンが、順位相透過、遮光および逆位相透過を用いて構成されたものであることを特徴とするフォトマスクを提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）