【課題】本発明は、リソグラフィ装置及びプロセスに関し、より具体的には、リソグラフィ装置の解像限界を超えてターゲットパターンを印刷するための多重パターニングリソグラフィに関する。ここではリソグラフィプロセスにより基板上に結像されるパターンを複数のサブパターンに分割する方法を開示する。
【解決手段】この方法は、サブパターンのうちの少なくとも１つと、リソグラフィプロセスに使用されるリソグラフィ装置の光学設定との間の共最適化の要件を認識するように構成された分割ステップを含む。回折シグネチャ解析に基づくインテリジェントパターン選択を含む、デバイス特徴最適化技術を、多重パターニングプロセスフローに統合することもできる。 （もっと読む）

【課題】各コラムセルの露光マスクの開口パターンの線幅が異なっている場合であっても、コラムセル間のパターンの仕上がり寸法のばらつきを抑制できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び露光マスクを提供することを目的とする。
【解決手段】試料の上方に配置され、電子ビームを照射して並列して前記試料の露光を行う複数のコラムセルを備えた電子ビーム露光装置において、各コラムセルに対応する部分に相似形状で線幅が異なる複数のパターン１６３が大きさ順に並べて配置された露光マスク１１０を用い、パターンの線幅の設計値と予め測定して求めたパターンの仕上がり寸法とのずれ量に相当する線幅Δｗだけ露光データで指定されたパターンと異なる線幅のパターン１６３を前記露光マスク１１０から選択するようにした。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の遮光膜パターンを有する基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するのに適したマスクブランクを提供する。
【解決手段】基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するために用いられるマスクブランク１００であって、透光性基板１上に、遮光膜８と、エッチングマスク膜５とが順に積層された構造である。ここで、遮光膜８は透光性基板１に接して形成され、タンタルを主成分とし、酸素を実質的に含有しない材料からなる。エッチングマスク膜５は、クロムの含有量が４５原子%以上であり、かつ酸素の含有量が３０原子％以下の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを決定し、サイドエッチング幅αと、膜パターンのライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓとに基づき、転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌ、スペース幅Ｍ_Ｓを決定し、更に、決定したライン幅Ｍ_Ｌ、スペース幅Ｍ_Ｓの転写用パターンをもつフォトマスクを用いた露光と、エッチングとによって、被加工体に、ライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓのライン・アンド・スペースの膜パターンが形成されるように、露光時に適用する露光条件と、半透光膜の光透過率とを決定する。 （もっと読む）

【課題】微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することが可能で、フォトマスクの生産性を向上させることができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクブランク１０として、このフォトマスクブランク１０を用いて形成するフォトマスク３０の非遮光部とする領域のクロム膜１３の膜厚を遮光部とする領域のクロム膜１３の膜厚よりも薄くしたフォトマスクブランク１０を作製して、そのフォトマスクブランク１０を使用してフォトマスク３０を作製する。非遮光部とする領域のクロム膜１３の膜厚をエッチングにより薄くしてもよく、遮光部とする領域のクロム膜１３の膜厚をスパッタリングによって厚くしてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１表面に形成された多層反射層２１と、多層反射層２１より上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランク１４０の製造工程において、吸収層５１に設ける転写回路パターン領域５よりも外側に位置する少なくとも多層反射層２１の部分に、基板１１の裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させて中間層による複合層３１を備えた遮光枠１を形成する。この遮光枠１において、多層反射層２１における反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠１を作製する。 （もっと読む）

【課題】吸収層や多層反射層の加工によるダメージや光学的性質の変化なく、高い遮光性を有する、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられる反射型マスクを提供する。
【解決手段】反射型マスクの回路パターン領域の外周部に、別体の部材からなる遮光領域を設けることにより、複雑な加工や処理をすることなく簡単な工程により、高い遮光性の遮光枠を有する反射型マスクを提供することを可能にした。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１１上に遮光膜１２、多層反射膜１３、保護膜１４、吸収膜１５ａ、裏面導電膜１６が形成された反射型マスクブランクス１０を準備する。吸収膜１５ａを選択的に除去することで回路パターンＡが形成され、回路パターンＡを除く回路パターンＡの周囲の部分に、吸収膜１５ａ，１５ｂと保護膜１４と多層反射膜１３とを選択的に除去した枠状の領域Ｂが形成される。したがって、枠状の領域Ｂに遮光膜１２が設けられることになる。 （もっと読む）

【課題】横電界駆動方式の反射モードを含む液晶表示装置において、コントラスト比を向上できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１０は、反射領域２１を含む。ＴＦＴ基板１４上には、反射領域２１に対応して、断面形状が凹凸を有するように形成された反射板１６が形成される。反射板１６上の絶縁層４１上には、液晶層１３を駆動するための画素電極３５及び共通電極３７が形成される。反射板１６の画素電極３５及び共通電極３７の下に対応する領域における凹凸の傾斜角は、画素電極３５と共通電極３７との間に対応する領域における凹凸の傾斜角よりも小さく設定される。これにより、液晶が動かない電極上を反射し通過する光が、観察者側に出射せず、コントラスト比を向上できる。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】半透明膜中の位相差調整および透過率制御を容易化することが可能な構成のフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】半透明積層膜１２は、第１の半透明膜１３と第２の半透明膜１４の積層構造とされ、これらの半透明膜の膜厚ｄ、ならびに露光光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、その一方が位相先行膜となり他方が位相遅延膜となるように設計される。位相進行膜の膜厚（ｎｍ）をｄ⁽⁺⁾、屈折率をｎ⁽⁺⁾、消衰係数をｋ⁽⁺⁾とし、位相遅延膜の膜厚をｄ^(-)、屈折率をｎ^(-)、消衰係数をｋ^(-)としたときに、位相進行膜はｋ⁽⁺⁾＞ａ₁・ｎ⁽⁺⁾＋ｂ₁、位相遅延膜はｋ^(-)＜ａ₂・ｎ^(-)＋ｂ₂となるように設計される。係数ａおよびｂは、ａ₁＝０．１１３・ｄ⁽⁺⁾＋０．７７４、ｂ₁＝−０．１１６・ｄ⁽⁺⁾−０．２８１、ａ₂＝０．１１３・ｄ^(-)＋０．７７４、ｂ₂＝−０．１１６・ｄ^(-)−０．２８１、である。 （もっと読む）

【課題】露光マスクを用いる際にマスクパターンにおける静電破壊を防止し得る配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板１０の製造方法では、所定の導体層４４の下層に感光性樹脂層を形成し、導電性遮光膜が形成されたマスクパターンを有する露光マスクを感光性樹脂層の表面に配置した状態で露光・現像を行ってめっきレジストを形成し、めっきレジストの開口部に導体パターンとなる金属めっき層を形成した後、エッチングにより金属めっき層の表面を除去する。マスクパターンは、製品形成領域に対応する第１導電性パターンと、枠部に対応する第２導電性パターンと、第１及び第２導電性パターンを電気的に接続する第３導電性パターンを含む。第３導電性パターンはエッチングで除去可能な細い線幅を有し、導体パターンが形成されない領域に配置できるため、マスクパターンの帯電時に図形パターン間の放電による静電破壊を防止可能となる。 （もっと読む）

【課題】個々のエラーが総合された影響を考慮して精度の高いリソグラフィ検証を実行するリソグラフィ検証装置を提供する。
【解決手段】各種情報（シミュレーション結果、エラー規格等）を入力する（ステップＳ２０）。ばらつき分布値Ｄを計算する（ステップＳ２２）。ばらつき分布値Ｄとばらつき分布エラー規格δとを比較して、ばらつき分布値Ｄがエラー規格δよりも小さいか否かを判断する（ステップＳ２４）。ばらつき分布エラー規格δは、寸法ずれの標準偏差等に関わる値等の規格である。ステップＳ２４において、ばらつき分布値Ｄがエラー規格δよりも小さいと判断した場合には、エラーなしと判断して処理を終了する（エンド）。ばらつき分布値Ｄがエラー規格δよりも小さくないと判断した場合には、エラーありと判断して、エラーリストと、ばらつき分布値Ｄを出力する（ステップＳ２６）。 （もっと読む）

【課題】２個のビアを用いた配線接続構造を、ホットスポットが生じにくい構造によって実現する。
【解決手段】第１配線層において第１方向に延びる第１配線１１と、第１配線層の上層または下層の配線層に形成された接続対象配線３０とを電気的に接続するために、第１および第２のビア２１，２２が設けられている。そして、第１配線１１の第２端部１１ｂから、第１方向と直交する第２方向に第３配線１３が延びており、さらに第３配線１３から、第１方向において第１配線１１と反対の向きに第４配線１４が延びている。すなわち、第１、第３、第４配線１１，１３，１４によってクランク状の配線が形成されている。そして、第３配線１３の配線幅Ｗ３は、第１配線１１における端部１１ａ，１１ｂ間の部分の配線幅Ｗ１以上である。 （もっと読む）

【課題】短波長リソグラフィ装置において、広いフィールドサイズと高い解像力との両立が困難であった。
【解決手段】半導体集積回路１は、基板上の領域１１（第１の領域）に設けられた第１の配線と、基板上の領域１２（第２の領域）に設けられた第２の配線と、を備えている。領域１２は、領域１１を取り囲む領域である。第１の配線の配線幅の最小設計寸法は、第２の配線の配線幅の最小設計寸法よりも小さい。これにより、短波長リソグラフィにおいて充分な光強度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【目的】オーバーレイエラーを低減させる描画方法および描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画方法は、隣り合うマスク基板１０，２０の対応する各位置が同一のストライプ３０内に入るように、マスク基板１０，２０の領域を含む領域を短冊状の複数のストライプ３０に仮想分割する工程と、ストライプ３０毎に、マスク基板１０に対し第１のパターンを、マスク基板２０に対し第１のパターンを相補する第２のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、オーバーレイエラーを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、最適化する投影光学系を含むリソグラフィ投影装置を最適化する方法を提供する。
【解決手段】現行の実施形態は、光源、マスク、および投影光学系を最適化するいくつかの流れ、ならびに様々な投影光学系、マスクおよび光源のうち任意のものを組み合わせる順次の反復する最適化工程を含む。投影光学系は、「レンズ」と広義に称されることがあり、したがって、最適化プロセスは、光源、マスク、レンズの最適化（SMLO）と称されることがある。部分的には、最適化に投影光学系を含むと、投影光学系の複数の調節可能な特性を導入することにより、より大きなプロセスウィンドウをもたらすことができるので、ＳＭＬＯは、既存の光源およびマスクの最適化プロセス（SMO）または投影光学系の最適化を含まない他の最適化プロセスと比較して望ましいものであり得る。 （もっと読む）

【課題】無集光領域の縮小さらには解消を図る。
【解決手段】半導体基板上にマイクロレンズとするための樹脂層を形成し、樹脂層の上にフォトレジスト層を形成した後、同フォトレジスト層をフォトリソグラフィーによってパターンニングして、マトリクス状に相互に近接配置された平面視矩形の多数のフォトレジストパターンを形成する。ここで、フォトリソグラフィーに用いるマスクとしては、各フォトレジストパターンにそれぞれ対応する各マスクパターン１６が、各角部１８に、対角線方向で外側に延出するサブアイランドパターン２０を備えたマスク１４を用いる。その後、フォトレジストパターンを熱溶融させて凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、全面ドライエッチングを行って、転写用マイクロレンズパターンを転写してマイクロレンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】単純な形状のパターンをマスクに形成するだけで、反射型露光マスクを用いる露光においてシャドウイング効果によって生じる寸法ばらつきを低減する。
【解決手段】反射型露光マスク１は、円形もしくは八角形以上の多角形のホール形成用パターン２を有する。 （もっと読む）