【課題】スループットを低下させることなく、荷電粒子ビームの補正照射量を精度良く求めることが可能な荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画における近接効果を補正する近接効果補正照射量を算出する。第１の領域のパターン分布に依存するローディング効果によるパターンの第１の寸法変動量を算出する。ビーム照射位置を含む領域の近接効果補正照射量に対する、この領域から所定距離離れた領域の近接効果補正照射量の比率を算出する。近接効果補正照射量、第１の寸法変動量及び比率に応じて、第１の寸法変動量と、第１の領域よりも小さい第２の領域のパターン分布に依存するローディング効果による寸法変動量との和である第２の寸法変動量を取得する。取得した第２の寸法変動量を補正するローディング効果補正照射量と、近接効果補正照射量とを合成する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィのマージンを増加させることが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】センスアンプは、半導体基板１０１上に形成された第１の層間絶縁膜１０２上に第１の方向に延びて形成された第１の下配線Ｍ０−１と、第１の層間絶縁膜１０２上に形成された第２の層間絶縁膜１０３と、半導体基板１０１の基板面に対して垂直な方向に第２の層間絶縁膜１０３を貫通して形成され、第１の下配線Ｍ０−１に接続されたコンタクト配線Ｖ１と、第２の層間絶縁膜１０３上に形成され、下方に位置するコンタクト配線Ｖ１と接続された第１の上配線Ｍ１−１と、半導体基板１０１の基板面に対して垂直な方向に第２の層間絶縁膜１０３に形成され、コンタクト配線Ｖ１と隣接するダミーコンタクト配線Ｖｄと、第２の層間絶縁膜１０３上に、第１の方向に延びて形成され、下方に位置するダミーコンタクト配線Ｖｄと接続された第２の上配線Ｍ１−２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】非解像パターンを形成するためのレジストパターンが所望の形状とは異なった状態となり、その状態でフォトマスク上の金属膜に転写されることを防止することで、所望のパターン形状の非解像パターンを備えたフォトマスクを提供する。
【解決手段】配線用解像パターン１と、配線用解像パターン１の光隣接効果を補正するために配線用解像パターン１に離間して配置された非解像パターン２とを具備してなり、非解像パターン２の平面視形状が、その長手方向に沿って湾曲した形状とされていることを特徴とするフォトマスクを採用する。 （もっと読む）

【課題】露光による膜劣化を抑制するために遮光膜の酸化を制御して、透過部を形成する基板に存在する硫酸等のＨＡＺＥ発生要因物質を露光により凝集させない、環境に由来するアンモニア等との結合を防ぎ長寿命化を図るフォトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透過部である基板を準備し、基板上に遮光部である遮光膜を形成し、遮光膜の表面に有機シリコーンを吸着させ、オゾン等活性種が共存する雰囲気下で所望の波長で照射することでＳｉＯ_２化することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に用いるパターンの補正処理で、高速でしかも高精度に補正処理を行うことができるパターン補正装置を提供する。
【解決手段】透過率または反射率を変化させることが可能なドット状のセルが複数配列して形成されるパターン形状可変マスク１２と、光を検出するドット状の光センサセルが複数配列して形成され、パターン形状可変マスク１２のセルによって形成されるマスクパターンの光学像を検出する受光素子部１４と、パターン形状可変マスク１４に照明部１１から照射された光を受光素子部１４に結像させる投影光学系１３と、設計レイアウトの形状に対応してパターン形状可変マスク１２のセルを制御してマスクパターンを形成し、マスクパターンに照射された光によって受光素子部１４で得られる光学像と設計レイアウトとの差分が所定の範囲内となるようにマスクパターンの補正量を決定する制御部２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】例えばシアリング干渉方式で波面計測を行う場合の計測誤差を求める。
【解決手段】計測用パターン及び投影光学系ＰＯを通過した照明光ＥＬを回折格子１０を介して分割し、分割した光束を干渉させて得られる干渉縞２２に基づいて投影光学系ＰＯの波面収差を計測する波面計測装置８の校正方法であって、投影光学系ＰＯの物体面側に校正用パターン７を配置し、投影光学系ＰＯの像面側にその計測用パターンに対応するパターンが形成された校正用格子１１を配置し、校正用パターン７及び投影光学系ＰＯを通過した光束を校正用格子１１及び回折格子１０を介して受光し、この受光結果に基づいて計測誤差を求める。 （もっと読む）

【課題】透明基板に回折光学素子パターンが形成されている両面フォトマスクの作製方法において、透明基板のエッチング状態を正確に把握して、回折光学素子パターンのエッチング深さおよびパターン寸法を高精度に形成し、所望の光学特性を得ることが可能な両面フォトマスクの作製方法および両面フォトマスクを提供する。
【解決手段】両面フォトマスクの作製方法であって、透明基板の他方の主面上に形成された遮光膜の開口部に露出した透明基板をエッチングして回折光学素子パターンを形成するに際し、両面フォトマスクのパターン露光時の有効面外にある前記透明基板の他方の主面上に形成された遮光膜の開口部に、回折光学素子パターンを作製するときのモニターパターンを形成し、前記モニターパターンのエッチング状態を参照しながら回折光学素子パターンを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】或る角度範囲のフレア情報を正確に計測できるフレア計測方法を提供する。
【解決手段】投影光学系のフレア情報を計測する方法において、その投影光学系の物体面に、第１辺３Ａａと、第１辺３Ａａに対して所定角度Δφで傾斜する第２辺３Ａｂと、第１辺３Ａａの両端部と第２辺３Ａｂの両端部とを連結する内径部３Ａｃ及び外径部３Ａｄとで囲まれる扇型パターン３Ａを配置する工程と、扇型パターン３Ａの像を投影光学系を介して投影する工程と、その扇型パターン３Ａの像の光量とその像から離れた位置での光量との比に基づいてそのフレア情報を求める工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】両面フォトマスクの作製方法において、表面に遮光パターンを形成した後、裏面に遮光膜を成膜するときに、異常放電による表面側の遮光パターンへのダメージ発生の恐れがない両面フォトマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】透明基板の一方の主面上に第１の遮光膜と第１のレジスト膜を順に形成した後、前記透明基板の外縁部の第１のレジスト膜を除去し、外縁部の第１の遮光膜を露出させる工程と、前記第１のレジスト膜をパターン描画し、現像し、第１の遮光膜をエッチングし、第１のレジスト膜を剥離して、第１の遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板の他方の主面上に第２の遮光膜と第２のレジスト膜を順に形成し、第２のレジスト膜をパターン描画し、現像した後、第２の遮光膜をエッチングし、第２のレジスト膜を剥離して、第２の遮光パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空間周波数成分によって半導体ウェハ上の単一構造（１１）を規定するための方法および装置を提供する。
【解決手段】空間周波数成分の幾つか（１２〜１６）は光学リソグラフィーによって得られ、あるものは、干渉リソグラフィー技術によって得られる。干渉リソグラフィーは高周波数成分を結像し、光学リソグラフィーは低周波数成分を結像する。オプティックスによって、多くの空間周波数を収集し、干渉によって、空間周波数を高い空間周波数にシフトする。従ってマスクが高い空間周波数を提供する必要がないので、マスクは低い周波数成分のみを生成するように構成され、これにより、より大きな構造を有するより単純なマスクの製造が可能になる。これらの方法および装置は、より複雑な反復的および非反復的パターンを公知の光学リソグラフィーのみを用いた場合に現在利用可能な解像度よりも高い解像度で、１回の露光によって書き込むことを容易にする。 （もっと読む）

【課題】実際の転写条件を用いて、多階調フォトマスクが被転写体上に形成するレジストパターンを正確に反映した画像データで多階調フォトマスクを評価することができる多階調フォトマスクの評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクの評価方法は、透明基板上に形成された少なくとも遮光膜がパターニングされていることによって、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を含む転写パターンを備え、評価対象とする前記転写パターンについて、露光条件下における前記転写パターンの空間像データを取得し、前記空間像データに対して、所定の実効透過率のしきい値を決定し、前記しきい値を用いて、前記空間像データを二値化し、前記二値化した空間像データを用いて、前記転写パターンを評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの剥離を抑制し、黒欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 透光性基板上に半透光膜と遮光膜とがこの順に形成され、最上層に第１のレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成すると共に、第１のレジストパターン又は遮光膜パターンをマスクとして半透光膜をエッチングして透光部を形成する工程と、第１のレジストパターンを除去して得られた基板の全面を覆う第２のレジスト膜を形成する工程と、第２のレジストパターンをマスクとして遮光膜パターンをエッチングして半透光部及び遮光部を形成する工程と、を有し、第２のレジスト膜を形成する工程は、第２のレジスト膜の形成に先立ち、透光部を形成することで露出した透光性基板の表面にＳｉ含有有機化合物による表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられ、補助パターンとしての焦点深度拡大効果を保ちながら、補助パターンを解像させず、主パターンのコントラストの高い転写画像を形成できる補助パターンを有するハーフトーンマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクが、投影露光により転写対象面に転写される主パターンと、主パターンの近傍に形成され転写されない補助パターンとを設けたフォトマスクであって、主パターンと補助パターンとが同一材料よりなる半透明膜で構成されており、主パターンを透過する光と透明基板の透明領域を透過する光に１８０度の位相差を生じさせ、かつ補助パターンを透過する光と透明基板の透明領域を透過する光に７０度〜１１５度の範囲の所定の位相差を生じさせることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スクライブラインデータの設計時に、アライメントマークや計測マークなどのスクライブライン上に配置されるマークの配置ミスを低減することができるマーク配置検査方法を提供する。
【解決手段】マークの所定角度単位の回転またはミラー反転を検出するためのベクトル情報を有し、マスクに描画されない検査目印と、マークデータと、を有するマーク種データを作成し、マスクのスクライブライン上にマーク種データを配置したマスクデータを作成し、マスクデータ内のマーク種データごとに、マスクデータに設定された基準位置からの検査目印の座標を算出し、算出した座標と検査目印のベクトル情報とを用いて、検査目印の基準位置に対する配置状態を検出し、検査目印の配置状態を、マスクにおけるマーク種データの配置状態を規定した配置チェックルールと比較して、マーク種データがスクライブライン上に正しく配置されているかを判定する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単なフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスク基板の作製方法は、透明基板１００の第１面１１０に第１面遮光層１１１を設ける工程と、前記第１面遮光層１１１に所定の第１面開口パターン１１２を形成する工程と、前記透明基板１００の第２面１２０に第２遮光層１２１を設ける工程と、前記第２遮光層１２１に所定の第２面開口パターン１２２を形成する工程と、前記第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】補助パターン同士に重なりが生じうることを考慮して原版データを生成する。
【解決手段】原版データ生成方法は、目標パターンが投影光学系の物体面に配置されたときに前記投影光学系の像面に形成される空中像に基づいて前記主パターンを決定するステップと、前記目標パターンまたは前記主パターンが前記物体面に配置されたときに前記像面に形成される空中像に基づいて前記第１補助パターンおよび前記第２補助パターンを決定するステップ（Ｓ５１、Ｓ５２、Ｓ５３、Ｓ５４）と、前記第１補助パターンおよび前記第２補助パターンが重なり合う場合に、前記第１補助パターンおよび前記第２補助パターンの一方を削除し、または、前記第１補助パターンおよび前記第２補助パターンの一方または双方を変形させるステップ（Ｓ５５）とを含む。 （もっと読む）

トレンチ・シールドされた電力用半導体デバイス等の性能を改良するための種々の構造および方法について記載されている。
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【目的】カラーフィルタのマスクプロセスにおける短寸法補正領域を改善する。
【構成】まず、カラーフィルタのプロセス特性に起因する設計値に対する変化量を線幅及び座標で表した変化領域マップを取得する。次に、カラーフィルタ用フォトマスクの初期設計値に対し、変化領域マップに基づいて変化量を補正する。次に、その変化量をフォトマスクに補正する際、前記変化領域マップにおける短寸法補正領域の変化が大きい領域から小さい領域までの変化量を前記マスクの初期設計値に対して補正を行う。 （もっと読む）

【課題】パターンの解像度が高く、かつ、低露光の露光量を精密に制御することができる濃度分布マスクを得る。
【解決手段】微小網点図形の厚さが、透過光の位相を、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下位相シフトする厚さであり、前記微小網点図形の透過率が１％以上１０％以下であり、前記微小網点図形を透過する光量と前記微小網点図形間の微小間隙を通過する光量を同じ値にして光を相殺させた遮光領域を形成した濃度分布マスクを製造する。 （もっと読む）