【課題】パターンの解像度が高く、かつ、低露光の露光量を精密に制御することができる濃度分布マスクを得る。
【解決手段】微小網点図形の厚さが、透過光の位相を、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下位相シフトする厚さであり、前記微小網点図形の透過率が１％以上１０％以下であり、前記微小網点図形を透過する光量と前記微小網点図形間の微小間隙を通過する光量を同じ値にして光を相殺させた遮光領域を形成した濃度分布マスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】スクライブラインに大きな島状パターンが形成されることを抑制できるレチクル
を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るレチクル８は、基板上に形成され、製品チップパター
ンが形成された四角形の領域１１２と、前記基板上に形成され、前記四角形の領域１１２
に接して配置され、前記四角形の隣接する２辺の周囲に配置された第１のスクライブライ
ン１１３と、前記基板上に形成され、前記四角形の隣接する２辺以外の２辺それぞれに平
行に配置された第２及び第３のスクライブライン１，２と、前記基板上に形成され、前記
四角形の領域１１２及び前記第１及び第２及び第３のスクライブライン１１３，１，２を
囲むように配置された遮光体１４と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジストモデルの最適化の前に特徴量を抽出することができる特徴量抽出方法、テストパターン選択方法、レジストモデル作成方法および設計回路パターン検証方法を提供する。
【解決手段】レジスト像を予測するレジストモデルの説明変数として使用される特徴量を算出する特徴量抽出関数を用いてフォトマスクのパターンの光学像から特徴量を抽出する特徴量抽出方法であって、特徴量抽出パラメータを定める特徴量抽出パラメータ設定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）と、特徴量抽出パラメータ設定工程により定められた特徴量抽出パラメータが設定された特徴量抽出関数を光学像に作用させて該光学像から特徴量を算出する特徴量算出工程（ステップＳ１５）と、を含む。 （もっと読む）

計測ターゲット設計が、計測ターゲット設計情報、基板情報、プロセス情報および計測システム情報を含む入力を用いて最適化される。測定システムによる測定信号の獲得が、計測ターゲットの１または複数の光学的特徴を生成するために入力を用いてモデル化される。計測システムによりなされた計測ターゲットの測定の予測精度および正確さを決定するために計測アルゴリズムが特徴に適用される。計測ターゲット設計に関する情報の一部が修正され、また、信号のモデル化および計測アルゴリズムが、１または複数の測定の精度および正確さを最適化するために、繰り返される。計測ターゲット設計が、精度および正確さが最適化された後に表示または格納される。 （もっと読む）

【課題】レジスト厚さが低減されたときでさえ、正確な焦点値を得ることができる改善された焦点メトロロジーを提供する。
【解決手段】マスクのテストパターンは、基板表面上にマーカパターンを生じさせるように構成される。マーカパターンは、少なくとも２つの測定可能な側壁角度を有する構造体を含む。構造体の側壁角度間の非対称性は、露光装置からの露光放射の焦点（または焦点はずれ）に関連する。それによって、焦点はずれの大きさは、プリントされたマーカパターンの構造体の側壁角度の非対称性を測定することにより求めることができる。 （もっと読む）

【課題】被転写体上に所望のレジスト残膜値を得るために煩雑な条件出しが不要であり、しかも線幅が異なっても露光量をほぼ等しくして均一な残膜値を得ることができる多階調フォトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板上に、それぞれ所定の透過率をもつ第１半透光膜及び第２半透光膜をそれぞれ形成し、それぞれ所定のパターニングを施すことにより、透光部、膜構成の異なる第１半透光部及び第２半透光部を含む少なくとも２つの半透光部と、を含む転写パターンを形成してなる多階調フォトマスクにおいて、前記第１半透光部のｉ線〜ｇ線の範囲内の波長に対する透過率波長依存性と、前記第２半透光部のｉ線〜ｇ線の範囲内の波長に対する透過率波長依存性とがほぼ等しいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のフィーチャを有するターゲット設計を結像するために使用されるリソグラフィプロセスの結像性能を増す効率的なＯＰＣ方法を提供する。
【解決手段】この方法は、シミュレート像を生成するための、リソグラフィプロセスに関連するプロセス変動を説明する関数を決定するステップと、この関数に基づいて各ＯＰＣ反復において各評価点に関するターゲットグレーレベルを最適化するステップとを含む。所与の一実施形態では、この関数は、輪郭に関するＴ＋Ｖεというしきい値を有する焦点及び露光の多項式関数、すなわちＲ（ε，ｆ）＝Ｐ₀＋ｆ²・Ｐ_bとして近似値が求められ、式中、Ｐ₀が公称焦点における像強度、ｆが公称焦点に対するデフォーカス値、εが露光変化、Ｖが露光変化のスケーリング、パラメータ「Ｐ_b」が２次派生像を表す。所与の他の実施形態では、焦点及び露光変動の確率分布がガウス分布になると仮定して、最良焦点のために分析的最適グレーレベルが与えられる。 （もっと読む）

【課題】光学系の光学特性をより正確に計測する技術を提供する。
【解決手段】テストパターンを有するテストマスクをマスク保持部によって保持して光学系の物体面に配置し、前記光学系の像面に形成される前記テストパターンの像の位置を計測し、その計測結果を処理することによって前記光学系の光学特性を決定する方法において、前記テストマスクの変形量を計測し、前記像の位置の計測結果を処理して決定されうる前記光学系の光学特性を前記変形量に基づいて補正する。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩやＴＦＴ−ＬＣＤ等の製造において、ＴＦＴ等の電子デバイスのパターンをより精度よく製造することができるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】描画機のステージ１０上に配置された場合のフォトマスクブランク１３の表面形状の変形を高さ測定手段１２で測定し、描画データ作成手段１５により、その表面形状の変形要因の中でフォトマスクが露光装置で使用される際には無くなる変形要因に起因する描画のずれについて、設計描画データを補正して描画データを得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上にハーフピッチ５５ｎｍ以下のパタンを形成するためのマスクにおいて、マスク立体効果がマスクパタン転写特性に与える影響を良い方向に制御し、コントラストが高く、ＭＥＥＦの値が小さい良好な転写画像が得られるハーフトーンマスクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、高ＮＡレンズで四重極偏光照明による液浸露光に用いられるマスクにおいて、該マスクが透明基板上に露光光を所定の透過率で透過し位相を変える単層の半透明膜でパタンを形成したハーフトーンマスクであって、前記マスクパタンが、ウェハ上に転写されたときにハーフピッチ３８ｎｍ〜５５ｎｍノードの範囲となるパタンであり、前記半透明膜のマスクパタンを透過した透過光と前記透明基板を透過した透過光との位相差が１６１°以上１７２°以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体のレイアウトパターンのシミュレーションモデルの精度を適切に検証する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置のパターンの設計データに基づいて、複数のリソグラフィシミュレーションモデルを用いたシミュレーションを実行することにより複数のシミュレーションパターンを生成する。半導体装置のパターンに対して、２以上の指定領域と、それらの指定領域の各々に対して互いに異なる重みとを指定する。複数のシミュレーションパターンの各々について半導体装置の実パターンとのずれの重み付け平均値を算出する。 （もっと読む）

【課題】島状に独立した遮光パターンを有するフォトマスクにおいて、静電破壊によるパターンの変形を防ぐことができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】基体と、基体に金属材料による遮光パターンが形成されている複数のチップパターン領域と、チップパターン領域同士の間に形成されている遮光パターンからなるスクライブ領域とを備えるフォトマスクを構成する。そして、フォトマスクに、チップパターン領域を囲み、金属材料が形成されていない領域であるスリットを設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層は、上記吸収層が部分的に除去された吸収体転写パターンが形成された吸収体転写パターン領域を有し、上記吸収体転写パターン領域の外周の少なくとも一部には、上記多層膜、中間層および吸収層が除去されて上記基板が露出している遮光枠部が形成されており、上記遮光枠部内の上記多層膜が露出した側面のみに、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する保護用酸化皮膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透過膜の反射率特性によらず、描画機による位置合わせの際に、アライメントマークの検出を精度高く行うことができるフォトマスクブランクス、フォトマスクブランクスの製造方法、および上記フォトマスクブランクスを用いたフォトマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された半透過膜と、上記半透過膜上に形成された遮光膜とを有するフォトマスクブランクスであって、上記半透過膜が、少なくとも当該フォトマスクブランクスを用いて形成されるフォトマスクにて、露光に用いられる有効露光領域には形成され、かつ、上記有効露光領域の外周に位置し、露光に用いられない領域である非有効露光領域内で、アライメントマークが形成されるアライメントマーク形成部を含むアライメント領域には形成されていないことを特徴とするフォトマスクブランクスを提供する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成特徴部の幅とパターン形成特徴部の間の間隔（トレンチ幅）の双方を集積回路内で変化させつつ単一高解像度フォトマスクを用いた標準フォトリソグラフィ処理技術を用いて可能であるものと比較して高密度（即ち、低ピッチ）を持つ基板上にパターン形成特徴部を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の上にコア層と保護層を形成し２５２、レジストパターンをコア層に転写２５６、レジスト除去自己制限的エッチングにより狭いパターン上の保護層すべてと、広いパターンの保護層の一部を除去２６０し、コンフォーマル誘電体層を形成、方向性エッチング２６４後、狭いパターン構造からコア層を除去２６８してパターン形成特徴部が形成される。 （もっと読む）

【課題】鋸歯型パターンを安価かつ容易に製造するためのフォトマスク及びこのフォトマスクを用いた鋸歯型パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク２７には、格子方向３３が一定の向きに順に傾斜するように、小領域４１ａ〜４１ｈが隣接して設けられている。小領域４１ａ〜４１ｈは、格子方向３３に平行な方向に電場が振動する直線偏光を透過し、格子方向３３に垂直な方向に電場が振動する直線偏光を反射するフォトニック結晶３１からなる。 （もっと読む）

【課題】下地段差を考慮したリソグラフィマージンを確保しつつ、高集積度と歩留り向上との両立を図ることを可能とした、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ後の層間絶縁膜ＩＤ１１が、第１面ＳＦ１１とこの第１面ＳＦ１１よりも基板側に位置する第２面ＳＦ１２を有し、第１面ＳＦ１１に形成される第１ホールＣＨ１１の最上部の径（Ｄ１１ｄ）が、第２面ＳＦ１２に形成される第２ホールＣＨ１２の最上部の径（Ｄ１２ｄ）よりも大きく設けられる。 （もっと読む）

【課題】第１面本パターンと第２面本パターンとの位置ずれを小さくする両面フォトマスク基板の作製方法。
【解決手段】電子線描画装置により両面フォトマスク基板１０の第１面に第１面本パターンと共に第１面アライメントマークを描画する工程と、第２面アライメントマーク型と重ね合わせ用アライメントマーク型とが形成されたマスター基板３０を光学観測装置により観測し、前記第２面アライメントマーク型の光学観測像の観測位置が所定位置となるように調整する工程と、前記光学観測装置により観測し、前記観測位置と、前記第１面アライメントマークとが合致するように前記両面フォトマスク基板を配置する工程と、前記マスター基板に形成された前記第２面アライメントマーク型と前記重ね合わせ用アライメントマーク型に基づいて、前記両面フォトマスク基板に第２面アライメントマークと重ね合わせ用アライメントマークとを転写露光する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】第１面本パターンと第２面本パターンとの位置ずれを簡便に小さくすることが可能となるフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板の第１面と第２面の両方に遮光パターンが形成されるフォトマスク基板を作製する方法であって、第１面に第１面本パターンと共に第１面アライメント専用マークを露光する工程と、第２面に第２面アライメント専用マークを露光する工程と、前記第１面アライメント専用マークと前記第２面アライメント専用マークと基づいてずれ量を計算する工程と、ずれ量分を補正して基板を位置決めする工程と、第２面に第２面本パターンを露光する工程と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）