【課題】酸の拡散の選択性及び除去性に優れた酸転写樹脂膜が得られる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】イミノスルホネート系感放射線性酸発生剤、及び式（１）に示す構成単位を有する重合体、を含有する組成物。この組成物を用いてなる酸転写樹脂膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、上記酸転写樹脂膜としての第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。
【化１】
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【課題】液浸リソグラフィーに有用な新規のフォトレジスト組成物が提供される
【解決手段】本発明の好ましいフォトレジスト組成物は、１種以上のブロックコポリマーを含む。特に好ましい本発明のフォトレジストは液浸リソグラフィー処理中にレジスト層に接触する液浸流体中にレジスト物質が漏出するのを低減することを示すことができる。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するためのパターン形成において欠陥を著しく低減できる有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びその方法に用いるリンス液。
【解決手段】酸の作用により極性が増大し、有機溶剤を含有する現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有する有機溶剤系現像用レジスト組成物によりレジスト膜を形成する工程、露光工程、有機溶剤を含有する現像液を用いた現像工程、並びに、溶剤Ｓ１及びＳ２の少なくともいずれかを含有するリンス液を用いた洗浄工程（Ｓ１：分岐及び環状構造の少なくもいずれかを含むアルキル鎖を有し、該アルキル鎖における２級又は３級炭素原子が水酸基と結合している、炭素数が少なくとも５であるアルコール、Ｓ２：炭素数が少なくとも５であるアルキル基及び炭素数が少なくとも５であるシクロアルキル基の少なくともいずれかを有するジアルキルエーテル）を用いるパターン形成方法及び該リンス液。 （もっと読む）

【課題】優れた形状及びラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができる化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】２３℃における水への溶解度が０．１％以下である酸発生剤と、樹脂とを含有する液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）テトラアルコキシシラン由来の構造単位（ａ１）、及びヘキサアルコキシジシラン由来の構造単位（ａ２）を含有しており、前記構造単位（ａ１）の含有割合を１００モル％とした場合に、前記構造単位（ａ２）の含有割合が１０〜３０モル％であるポリシロキサンと、（Ｂ）有機溶媒と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーに有用な新規のフォトレジスト組成物が提供される
【解決手段】好ましい態様において、提供されるフォトレジスト組成物は、（ｉ）光酸不安定基を含む１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）前記１種以上の樹脂とは異なっていて、光酸不安定基を含む１種以上の物質を含み；前記１種以上の物質の光酸不安定基の脱保護活性化エネルギーが、前記１種以上の樹脂の光酸不安定基の脱保護活性化エネルギーより低いかまたはこれとほぼ同じである。別の好ましい態様において、提供されるフォトレジスト組成物は、（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）少なくとも１オングストローム／秒のダークフィールド溶解速度を提供するのに充分な量の酸性基を含む１種以上の物質を含む。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に酸不安定基を有する繰り返し単位を有し、酸不安定基の脱離によりアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物でレジスト膜を形成する工程、該膜に高エネルギー線の繰り返し密集パターンを露光し、未露光部を露光、加熱し、発生酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応させた後、現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光又は加熱して、樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋を形成させてポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成工程、上記架橋形成ポジ型パターンを溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたレジストパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターン上に反転用膜を成膜し、パターンにダメージを与えずにポジ型パターンの間隙に反転用膜形成用材料を埋め込められ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行える。 （もっと読む）

【課題】微細な反転パターンを、少ない工程数で、良好な形状で形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布して前記レジストパターンの高さと同じかそれよりも薄い膜厚のパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、前記反転パターン形成用材料は、シリコン含有量が１５質量％超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の溶解性が良好であり、優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるアルコール系有機溶剤を用いたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とが、有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、前記有機溶剤（Ｓ）がアルコール系有機溶剤であり、前記樹脂成分（Ａ）が、側鎖に、ＯＨ基を有する炭素数４〜６の環状エーテルを有する構成単位（ａ０−１）、側鎖に、ＯＨ基を有するアルキレン基または脂肪族環式基を有する構成単位（ａ０−２）、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた形状及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される構造単位を有する樹脂を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。


［Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^０は、２価のＣ_１-17飽和炭化水素基を表す。Ｙ^１は、炭素数３〜３６の飽和環状炭化水素基を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｘ^２は、単結合又は−［ＣＨ_２］_ｋ−を表す。ｋは、１〜８の整数を表す。Ｙ^２は、炭素数４〜３６の飽和環状炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】
レジストパターン形成時の露光におけるフォーカス深度マージンが広く、且つレジスト下層膜上に所望の形状のレジストパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
ヒドロキシ基を少なくとも表面に有するレジスト下層膜が形成された基板を用意し、前記レジスト下層膜の表面上にビニルエーテル類を含有する層を形成し、前記レジスト下層膜の表面からヒドロキシ基を消滅又は減少させる処理を行い、その後前記ビニルエーテル類を洗浄し、前記処理が行われたレジスト下層膜の表面上にレジスト膜を形成し、少なくとも前記レジスト膜に対し露光及び現像を行う、レジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、１個または２個のフッ素原子を有する酸を発生する光酸発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能な感光性レジスト組成物、及び該感光性レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）主鎖にエーテル結合及びフッ素原子を有する樹脂、を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ｐ１）を含むレジスト保護膜材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^2a及びＲ^2bは水素原子、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ^2aとＲ^2bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成することもできる。Ｒ³は単結合、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ⁴は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基であり、−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでもよい。）
【効果】上記レジスト保護膜材料はヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護された構造を含み、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有する。 （もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細なレジストパターンを高精度で安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された、その膜厚５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光し、現像した後、表面張力が６７×１０^−３Ｎ／ｍ以下のリンス液で洗浄することを含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】近年のパターンの更なる微細化要求に対応しうるパターン微細化用被覆剤及びこれを用いた微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成されたレジストパターンを被覆し、微細パターンを形成するために用いられるパターン微細化用被覆剤であって、水溶性ペプチドと、水溶性樹脂と、を含有するパターン微細化用被覆剤。本発明のパターン微細化用被覆剤は水溶性ペプチドを含有するので、パターン微細化用被覆剤による処理の後にディフェクトが発生することなく、従来のパターン微細化用被覆剤に比べて大きな狭小化量により、パターンの狭小化を行うことができる。 （もっと読む）

【解決手段】(Ａ)一般式(１)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(Ｂ)ラクトン環及び／又は水酸基及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(Ｃ)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(Ｄ)有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明のレジスト材料は、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂構造の選択により液浸リソグラフィーにおける各種性能の調整が可能で、入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光法において用いられる上層膜形成組成物であって、焦点深度を向上させることができ、且つ、良好なパターンを得ることができる上層膜形成組成物および該上層膜形成組成物から得られる上層膜並びに該上層膜を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、該組成物は、前記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂成分（Ａ）とアミド基含有化合物（Ｂ）とを含有する上層膜形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】 高性能の印刷版をえるために感光性樹脂自身によってインカールすることを解決した凸版印刷用感光性樹脂組成物および凸版印刷用感光性樹脂原板を提供する。
【解決手段】 少なくとも可溶性高分子化合物、光重合性化合物及び光重合性開始剤を含有する凸版印刷用感光性樹脂組成物において、該可溶性高分子化合物が６−ナイロンを構成成分する水溶性又は水分散性ポリアミドであり、且つ感光性樹脂組成物中のε−カプロラクタムの含有率が２質量％以下であることを特徴とする凸版印刷用感光性樹脂組成物及びそれから得られる水現像性凸版印刷用感光性樹脂原版。 （もっと読む）