【課題】 二重露光プロセスにおけるレジスト・パターンの限界寸法（ＣＤ）変動を緩和する方法を提供すること。
【解決手段】 二重露光プロセスにおけるレジスト・パターンの限界寸法（ＣＤ）変動を緩和する方法は、一般に、基板の上を覆ってフォトレジスト層を形成するステップと、フォトレジスト層を第１の放射に露光するステップと、フォトレジスト層を現像してフォトレジスト層内に第１のパターンを形成するステップと、フォトレジスト層の上を覆ってトップコート層を形成するステップと、トップコート層及びフォトレジスト層を第２の放射に露光するステップと、トップコート層を除去するステップと、フォトレジスト層を現像してフォトレジスト層内に第２のパターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】露光部における指紋部の画像抜けや、空気中の水分、塩（Ｎａｃｌ）などによる画像故障が改善された平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】支持体上に、（Ａ）光又は熱により分解して酸を発生する化合物、（Ｂ）酸により架橋する架橋剤、（Ｃ）バインダーポリマー、（Ｄ）赤外線吸収剤、及び（Ｅ）（ａ）側鎖にフッ素原子の数が９以上のフルオロアルキル基等含有置換基を有する（メタ）アクリレート（１）と、（ｂ）下記一般式（２）で示される側鎖に、カルボキシル基含有の炭素数３〜３０の脂肪族環状構造を有する（メタ）アクリレート（２）と、を共重合成分として有する高分子化合物、を含有する画像記録層を有するネガ型平版印刷版原版。
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【課題】従来の方法では、微細化と同時に、パターンの断面形状の点でも十分なレベルを達成することが困難であった。
【解決手段】以下の（１）の工程：
（１）レジスト膜を形成し、これを露光すること、
を行うこと等によりパターン化されたレジスト膜を形成する工程を、ｎ回繰り返して、パターン化されたｎ個の上記レジスト膜ら構成されるレジストパターン３を得る、レジストパターンの製造方法であって、レジスト膜を形成するｎ回の上記工程のうち少なくとも１回における上記（１）の工程で露光される上記レジスト膜が、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂であって重量平均分子量が７０００〜１００００でガラス転移点が１５０〜２００℃である樹脂（Ｂ）と、光酸発生剤（Ａ）と、架橋剤（Ｃ）とを含有するレジスト組成物を成膜して形成される膜である、製造方法。 （もっと読む）

【課題】記録層表面に付着した水分、塩分の影響、特に、手指接触領域における画像故障の発生が抑制されたネガ型平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｅ）の各成分を含有する画像記録層を備えるネガ型平版印刷版原版。（Ａ）光又は熱により分解して酸を発生する化合物、（Ｂ）架橋剤、（Ｃ）バインダーポリマー、（Ｄ）赤外線吸収剤及び（Ｅ）下記一般式（１）で表されるモノマーと、エチレンオキシド鎖及びプロピレンオキシド鎖を有するモノマーとを共重合成分として含む共重合体。一般式（１）中、Ｒｆは、フッ素原子の数が９以上のフルオロアルキル基またはパーフルオロアルキル基を含む置換基であり、ｘは１または２を表し、Ｒ¹は水素またはメチル基を表す。
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【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた１００ｎｍ以下の微細なレジストパターンを形成し得るレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板上に特定の構造を有する表面処理剤を塗布し、前記基板を表面処理する工程、（ｉｉ）前記表面処理された基板上に、フェノール系樹脂を含む感光性組成物を塗布した後、加熱処理し、レジスト層を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記レジスト層を電子線、ＥＵＶ、又はＸ線で露光し、加熱、現像する工程、を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、ラクトンがフェノールにおけるＯＨ基の水素と置換された基と酸脱離基とを含むポリマーを有する化学増幅型レジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。その後、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターンニングにおいて、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止する。
【解決手段】基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成する。ただし、第１レジスト膜形成処理後に行われる塗布後加熱処理、もしくは、第１レジスト膜に対する露光処理後に行われる露光後熱処理において、第１レジスト膜が形成された基板を第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する。そして、第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性が維持され、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香族環を有する重合体と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子などであり、Ｒのうち、１又は２つがアダマンチル基、１又は２つがグリシジルエーテル基である。ｎは０〜３の整数である） （もっと読む）

【課題】超微細領域での高感度、高解像性、良好なパターン形状、残膜率を満足できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又はＥＵＶ光を用いて露光する工程（２）、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（４）をこの順番で有することを特徴とする、パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、現像欠陥を解消した電子デバイスを得るためのレジストパターン形成方法であって、簡便で低コスト、かつ高速スキャン可能な高撥水性を付与することが可能なプロセスを提供することを目的とする。
【解決手段】レジスト膜に液浸露光を施す工程と、液浸露光を施したレジスト膜を、アルカリ現像液に可溶化する工程と、アルカリ現像液に可溶化したレジスト膜をアルカリ浸漬により現像する工程と、現像したレジスト膜に対して純水リンス処理を行なう工程とをこの順で含み、アルカリ現像液に可溶化する工程は、液浸露光を施したレジスト膜を紫外線照射することなくオゾンガスに晒して行なう（以下、オゾン処理ということがある）ことを特徴とするレジストパターン形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】露光マスクなしに単純露光により２次フォトレジストパターンを形成可能な二重露光パターニング工程を用いた半導体素子の微細パターン形成方法が開示される。この半導体素子の微細パターン形成方法は、被エッチング層が形成された半導体基板の上に第１フォトレジストパターンを形成するステップと、前記第１フォトレジストパターンの上に層間鏡膜組成物をコーティングして層間鏡膜を成膜するステップと、前記結果物の上に第２フォトレジスト膜を成膜するステップと、前記第２フォトレジスト膜に露光マスクなしに第２フォトレジスト膜のしきい値エネルギーＥ_ｔｈよりも低い値のエネルギーを有する光により露光および現像を行うことにより、前記第１フォトレジストパターンの間に層間鏡膜の乱反射による第２フォトレジストパターンを形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を形成する際の基板の反りや伸びが抑えられ、且つ優れた解像性、感度、電気絶縁性等を有する感光性絶縁樹脂組成物、及びこの組成物が硬化されてなる絶縁膜等の硬化物、並びに絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、（Ａ）架橋性単量体由来の構造単位（ａ１）、及びフェノール性水酸基を有する構造単位（ａ２）を含有するアルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）架橋剤と、（Ｃ）光感応性化合物と、（Ｄ）溶剤と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の構造を有する酸分解性の繰り返し単位を有し、酸の作用によりネガ現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に優れた、トリミング法によるパターン形成方法を簡易に実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に光酸発生剤を含むポジ型のレジスト膜１０２を形成する。その後、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射してパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２に第１の加熱を行い、加熱されたレジスト膜１０２に第１の現像を行って、第１のレジストパターン１０２ａを形成する。続いて、第１のレジストパターン１０２ａを、熱酸発生剤を含み且つポリマー及び架橋剤を含まない溶液１０４にさらし、溶液１０４にさらされた第１のレジストパターン１０２ａに第２の加熱を行う。その後、加熱された第１のレジストパターン１０２ａに第２の現像を行って、第１のレジストパターン１０２ａが縮小された第２のレジストパターン１０２ｂを得る。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、形成したレジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。レジスト膜１０２を構成するレジスト材料には、イオン性の光酸発生剤と、酸脱離基と親水性基とを含む第１のポリマーと、第１のポリマーと比べて光酸発生剤に対する親和性が小さい分子又は第２のポリマーとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】液浸露光用として好適なレジスト組成物、および当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と下記一般式（ｆ２−１）［式中、Ｗは多環式の脂肪族環式基を含む基である。］で表される構成単位（ｆ２）とを有する含フッ素高分子化合物（Ｆ１）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】パターンの不良が減少した薄膜トランジスタ表示板の製造方法およびこれに使用されるネガティブフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】基板上に導電性物質からなる導電膜を形成する段階と、導電膜上にネガティブフォトレジスト組成物からなるエッチングパターンを形成する段階と、エッチングパターンをエッチングマスクとして利用して導電膜をエッチングし、導電膜パターンを形成する段階とを含み、ネガティブフォトレジスト組成物は、アルカリ現像液に溶解性を有するヒドロキシル基を含有するノボラック樹脂１０〜５０重量部、第１光酸発生剤（特定構造のスルホニルオキシイミド化合物）０．５〜１０重量部、第２光酸発生剤（第１光酸発生剤とは構造の異なる特定構造のスルホニルオキシイミド化合物）０．５〜１０重量部、架橋結合剤１〜２０重量部および溶媒１０〜９０重量部を含む。 （もっと読む）

【課題】ｐＨ８.５〜１０.５の水溶液による１液処理においても、優れた面状性、現像性及び処理能力を示す、平板印刷版現像用処理液及びそれを用いた平版印刷版の作製方法を提供する。
【手段】特定の含窒素ベタイン化合物を２種含有する平板印刷版現像用処理液、及び、ネガ型平版印刷版原版を、画像露光した後、該処理液で現像することを特徴とする平版印刷版の作製方法。 （もっと読む）

【課題】露光ラチチュード、ラインエッジラフネス性能、パターン倒れ性能、現像欠陥性能に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射によりノルボルニル構造を有する特定の酸を発生する化合物、及び、（Ｂ）樹脂側鎖に連結基を介してラクトン構造を有する特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）