【課題】優れた透明性を有し、現像欠陥の極めて少ない感放射線レジスト材料の添加剤用樹脂を製造するための単量体を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される含フッ素単量体。
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【課題】
感度に優れると共に、ＭＥＥＦを良好に維持することが可能な化学増幅型レジストであるフォトレジスト組成物の提供
【解決手段】
下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体（Ａ）および感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有するフォトレジスト組成物。
【化１】
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【課題】浸漬リソグラフィ処理に適した、フォトレジスト組成物の上に適用されるバリアー層組成物を提供する。別の面において、浸漬リソグラフィ処理のための新規な方法を提供する。
【解決手段】浸漬リソグラフィ用のバリアー層として、少なくとも樹脂主鎖内にフッ素置換基を含有していない１種以上の樹脂をはじめとする、１種以上の非溶媒担体材料（成分）を含有する。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた場合であっても十分な気密封止性を得ることができる感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する熱圧着性を有し且つアルカリ現像が可能な感光性接着剤組成物１ａであって、露光後、更に加熱硬化された後の１１０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】酸の溶出、ラインエッジラフネス、現像欠陥、スカムの発生が改良され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であり、更にパーティクル抑制、パターン形状、バブル欠陥抑制の諸性能も良好なレジストパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び該感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）、及び、少なくとも２つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位（ｃ）を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂（Ｃ）を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

酸に対して不安定な保護基を有する側鎖をもつメタノフラーレン誘導体が記載される。このメタノフラーレン誘導体は、フォトレジスト材料、特にポジティブトーンのフォトレジストとしての用途がある。
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【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、（Ａ）実質的にアルカリ不溶性である樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【解決手段】フォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定するステップと、フォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定するステップと、酸に変換された酸発生剤の個数を判定するステップと、フォトレジスト体積内における酸とクエンチャとの反応の回数を判定するステップと、フォトレジスト体積の現像を計算するステップと、フォトレジスト体積の現像およびフォトレジストプロファイルの寸法特性の計測により形成された３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像をプロセッサを用いて生成するステップとによる、フォトレジストプロファイルの寸法特性を計測するための、プロセッサに基づく方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの寸法の変動を抑えた半導体装置の製造方法及び製造システムを提供する。
【解決手段】塗布現像装置１１において、ウェーハ上にレジスト膜を成膜し（ステップＳ１）、ウェーハをデバイス領域用の露光装置１２に搬送し（ステップＳ２）、露光装置１２において、レジスト膜のうちデバイス領域に形成された部分を露光し（ステップＳ３）、レジスト膜を加熱して未反応の酸を拡散長を制御しつつ反応させ（ステップＳ４）、ウェーハを塗布現像装置１１に戻し（ステップＳ５）、塗布現像装置１１において、レジスト膜のうち周縁領域に形成された部分を露光し（ステップＳ６）、レジスト膜を加熱し（ステップＳ７）、レジスト膜を現像する（ステップＳ８）。これにより、レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】反射防止効果が高く、耐酸素アッシング性に優れるシリコン含有膜を形成することができ、且つボトムに裾引きがないレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有膜形成用組成物は、下式（１）で表される化合物由来の構造単位（ａ１）を含有するポリシロキサンと、有機溶媒と、を含有する。


〔式中、Ｒ^１は、ｂ価の置換されてもよい芳香族炭化水素基又は置換されてもよい複素環基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立して１価の有機基を表す。ａは０〜１の数であり、ｂは２又は３である。Ｘ^１は、単結合、置換されてもよいメチレン基、炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又はフェニレン基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能が良好であり、且つ塗布欠陥が抑制されたパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｄ）を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）特定構造のスルホニウム塩系である、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する極性変換基を有する樹脂、及び（Ｄ）２種以上の溶剤からなる混合溶剤であり、特定構造を有する溶剤群より選択される少なくとも１種の溶剤を含有し、該溶剤の合計の含有率が全溶剤中の1〜２０質量％である混合溶剤。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングにおいて、第二のレジスト剤に第一のレジスト剤が溶解することなく、第一のレジストパターンを保持したまま第二のレジストパターンを形成することができ、更には第一のレジストパターンの線幅変動を抑制することができ、液浸露光プロセスにも好適に採用されるレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】重合体（Ａ１）及び重合体（Ａ１）が可溶な溶媒を含有する第一の感放射線性樹脂組成物を用いて、第一のレジストパターンを基板上に形成する工程（１）と、第一のレジストパターンが形成された基板上に、重合体（Ａ２）及び重合体（Ａ２）が可溶なアルコール系溶媒を含有する第二の感放射線性樹脂組成物を用いて第二のレジストパターンを形成する工程（２）とを含み、かつ重合体（Ａ１）及び第一のレジストパターンが、アルコール系溶媒に不溶である、レジストパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い層間絶縁膜の形成が可能であり、反射率１．０％以上の高反射性の下地基板上においても、定在波の少ない良好なパターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、硬化パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明は、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ〔Ｒ^１は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基又はアルキルカルボニルオキシ基、Ｒ^２は、１価の有機基、ａは１〜３の整数〕で表される加水分解性シラン化合物、及び、一般式Ｓｉ（ＯＲ^３）_４〔Ｒ^３は、１価の有機基〕で表される加水分解性シラン化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物を加水分解縮合させて得られる重合体と、感放射線性酸発生剤と、酸増殖剤と、溶剤とを含有するネガ型感放射線性組成物である。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー用共重合体の、リソグラフィー用組成物としたときのリソグラフィー特性を、実際にリソグラフィー用組成物を調製しなくても評価できる方法を提供する。
【解決手段】下記工程を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法：
（１）リソグラフィー用共重合体を溶媒に溶解させて試験溶液を調製する工程；
（２）動的光散乱法を用いて、前記試験溶液の粒径分布における散乱強度を測定する工程；
（３）前記試験溶液に貧溶媒を添加し、動的光散乱法を用いて、前記貧溶媒添加後の試験溶液の粒径分布における散乱強度を測定する工程；
（４）前記（２）工程において測定される、粒径分布の任意のピーク（ａ）の散乱強度を基準とした場合に、貧溶媒の添加により、前記（３）工程において測定される、前記ピーク（ａ）の散乱強度が、前記基準に対して所定の強度に減少するまでに要する貧溶媒添加量を求める工程；
（５）前記貧溶媒添加量の差異により、前記リソグラフィー用共重合体を含む組成物のリソグラフィー特性を評価する工程。 （もっと読む）

【課題】熱板又は冷却板を備え、基板の受け渡しの際に動く部分を備える場合において、基板の受け渡しの際に発生するパーティクルを効率よく捕集することができる加熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱処理装置において、基板を加熱処理する加熱処理部７０と、加熱処理部７０の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレート７７を、加熱処理部７０の上方の第１の位置において保持する保持台７６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 化学増幅フォトレジスト組成物及びそれを使用するプロセスを提供する。
【解決手段】 フォトレジスト組成物は、フェノール系ポリマーと、エーテル含有部分及び／又はカルボン酸含有部分を含まない（メタ）アクリレート・ベースのコポリマーとのブレンド、及び、光酸発生剤とを含む。前記コポリマーは、アルキルアクリレート、置換アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、置換アルキルメタクリレート、及びこれらの混合物からなる群から選択される第１のモノマー、並びにアクリレート、メタアクリレート及びこれらの混合物からなる群から選択され、酸開裂性エステル置換基を有する第２のモノマーを含む。当該フォトレジスト組成物を用いて基板上にフォトレジスト像を形成するプロセスも開示される。 （もっと読む）

【課題】微細細線再現性に優れるフレキソ印刷版作成方法の提供。
【解決手段】支持体上に、少なくとも感光性樹脂層、保護層、感熱マスク層が順次積層されてなる感光性印刷原版を用いて、少なくとも（Ａ）〜（Ｄ）の工程を経てフレキソ印刷版を作成する作成方法。（Ａ）赤外線レーザー光により、感熱マスク層を像様融除する工程（Ｂ）４０℃以上の温度雰囲気下で版を水平な状態で静置する工程（Ｃ）化学線で全面露光する工程（Ｄ）現像工程 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ（ＬＷＲ）、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）及びパターン形状に優れるパターン形成方法、並びにこれに好適なレジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物による膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、
（Ａ）酸の作用により、有機溶剤を含む現像液現像液に対する溶解度が減少する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物
を含有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】高エネルギー線又は熱に感応し、一般式（１）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト材料。


（Ｒは芳香環あるいは炭素数５以上の脂環式炭化水素構造を有する一価の炭化水素基。Ｒ’はＨ又はトリフルオロメチル基。Ａ¹はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。ｎは１〜３の整数。）
【効果】本発明の光酸発生剤より生ずる酸は、スルホネートに嵩高い環式構造で酸拡散を抑制しつつ、直鎖状炭化水素基の存在によって適度な機動性も有していることから、適度な酸拡散挙動を示す。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程に問題なく使用でき、解像性能、ＬＷＲ、露光余裕度といった問題も解決できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】レジストパターンの製造方法であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂（Ａ）と酸発生剤（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、レジスト膜を温度Ｔ_PBでプリベーク（ＰＢ）する工程と、プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を温度Ｔ_PEBでポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）する工程と、ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、Ｔ_PEB≦８５℃且つ０℃＜Ｔ_PB−Ｔ_PEB＜２５℃であることを特徴とする製造方法。 （もっと読む）