【課題】ＣＤ均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】レジストパターンの製造方法であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂（Ａ）と酸発生剤（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、レジスト膜を温度Ｔ_PBでプリベーク（ＰＢ）する工程と、プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を温度Ｔ_PEBでポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）する工程と、ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、８５℃＜Ｔ_PEB、Ｔ_PEB＜Ｔ_PB、且つＴ_PB＜１００℃であることを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】１）酸の作用でアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位とラクトン構造含有繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を、基板上に塗布して第１レジスト膜を形成し、加熱処理後に露光し、加熱処理後にアルカリ現像して第１レジストパターンを形成する工程、
２）第１レジストパターン上にレジスト変性用組成物を塗布し、加熱して変性処理を行う工程、
３）その上に第２ポジ型レジスト材料を塗布し、加熱処理後に露光し、加熱処理後にアルカリ現像して第２レジストパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法に使用されるレジスト変性用組成物で、特定構造のベース樹脂とアルコール系溶剤を含む。
【効果】第１パターンの十分な不活性化、第２パターニング後の保持が可能となり、２回の露光と１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスが可能である。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ²は酸不安定基を示す。Ｒ³は水素原子又はＣＯ₂ＣＨ₃を示す。）
【効果】微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において高いマスク忠実性を有し、ライン幅ラフネスの極めて小さいパターンを与えることができ、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】赤外線レーザーによる直接描画が可能であり、高耐刷性及び耐汚れ性に優れ、明室下での取り扱いが簡便であるネガ型平版印刷版原版及びその製造方法、並びに、平版印刷版の製版方法を提供すること。
【解決手段】平均開口径０．５〜５μｍの中波構造と平均開口径０．０１〜０．２μｍの小波構造とを重畳した構造の砂目形状を表面に有し、かつ有機ホスホン酸化合物により親水化処理を施した支持体上に、（Ａ）赤外線吸収剤、（Ｂ）オニウム塩、（Ｃ）分子内にウレタン結合及び複数のエチレン性不飽和基を有する重合性化合物、並びに、（Ｄ）ポリウレタンバインダーを含有する記録層と、保護層と、をこの順に有することを特徴とするネガ型平版印刷版原版及びその製造方法、並びに、前記ネガ型平版印刷版原版を使用した平版印刷版の製版方法。 （もっと読む）

【課題】３００ｎｍ以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成するレジスト組成物、および液浸リソグラフィーにおけるトップコート組成物に使用する樹脂であって、撥水性、特に後退接触角の大きい樹脂を提供する。
【解決手段】 下記一般式（２）で示される繰り返し単位（ａ）を含む質量平均分子量１，０００〜１，０００，０００の含フッ素高分子化合物。
【化】


（式中、Ｒ¹は、重合性二重結合含有基を表し、
Ｒ²は、フッ素原子または含フッ素アルキル基を表し、
Ｒ⁸は、置換もしくは非置換のアルキル基などを表し、
Ｗ¹は、単結合、非置換もしくは置換メチレン基などを表す。 （もっと読む）

【課題】低線膨張係数および低吸湿膨張係数を両立し、パターン形成する際の階調性およびＰＩエッチング性に優れたネガ型感光性材料およびそれを用いた感光性基材を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の構造単位を有するポリイミド前駆体および（Ｂ）特定のピリジン誘導体を含有するネガ型感光性材料、さらに、支持基材の表面に、上記ネガ型感光性材料からなる塗膜層が形成されてなる感光性基材。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａ１を有するポリフルオレンを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】レジスト膜上に設けられて、前記レジスト膜を保護するトップコート組成物であって、現像液溶解性の制御が可能であって、且つ、高い撥水性を有するトップコート組成物の提供。
【解決手段】レジスト膜上に設けられて、前記レジスト膜を保護するトップコート組成物であって、下記一般式（１）で表される繰返し単位を有する含フッ素重合体を含むことを特徴とするフォトレジスト用トップコート組成物。
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【課題】フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、液浸露光時の媒体に溶出することなく安定な被膜を維持し、液浸媒体に対する接触角が７０°以上と大きく、さらに液浸露光でないドライ露光を行なった場合からのパターン形状劣化がなく、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を用いる。
【解決手段】液浸上層膜用共重合体がカルボキシル基を有する繰返し単位を、全繰返し単位の２０〜６０モル％含み、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が２，０００〜１００，０００であり、また、フッ素原子を含む基をその側鎖に有する（メタ）アクリル酸エステルを共重合して得られ、さらに、水酸基含有（メタ）アクリル酸アルキルエステルを共重合して得られる上層膜組成物を用いてパターン形成する。 （もっと読む）

【課題】露光量が少ない場合にも、露光により発生された酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成できるバイオチップ製造用樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）含窒素基を有する重合体と、（Ｂ）増感剤と、（Ｃ）感放射線性酸発生剤と、（Ｄ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｅ）溶媒とを含有するバイオチップ製造用樹脂組成物。
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【課題】 エッチング耐性および解像性に優れ、基板界面においても良好なパターン形状を与えるネガ型レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び／又は、アルカリ可溶性であり、酸の作用により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせ、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有し、５０〜１００ｎｍの膜厚Ｘ（ｎｍ）を有するレジスト膜を成膜するためのネガ型レジスト組成物であって、アルカリ現像液に対する溶解速度が、０．０３３３Ｘ−１．０（ｎｍ／ｓｅｃ）以上０．０６６７Ｘ−１．６（ｎｍ／ｓｅｃ）以下の値となるものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】露光光の反射を抑制し良好なパターン形成が可能であり、ケイ素含有反射防止膜の上層であるフォトレジスト膜、下層であるナフタレン骨格を有する有機膜との間で良好なドライエッチング特性を有し、保存安定性の良好なケイ素含有反射防止膜を形成するための、熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、この熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物から形成されるケイ素含有反射防止膜が形成された基板、更にこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、ナフタレン骨格を有する下層膜としての有機膜の上に、１９３ｎｍにおける屈折率ｎと消衰係数ｋが以下の式の関係を満たすケイ素含有反射防止膜を形成可能な熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物。２ｎ−３．０８≦ｋ≦２０ｎ−２９．４であり、０．０１≦ｋ≦０．５ （もっと読む）

【課題】優れた解像度、ラインエッジラフネス及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸発生剤と樹脂とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、前記樹脂が、酸に不安定な基及びラクトン環を有するモノマーに由来する構造単位（ｂ３−２）を含む樹脂である化学増幅型フォトレジスト組成物。構造単位（ｂ３−２）の好ましい例は、酸の作用によりカルボキシ基を生じ且つラクトン環を有するモノマーに由来する構造単位である。 （もっと読む）

【課題】、界面活性剤によるパターン倒れの防止効果を阻害することなく、ＣＤシフトの発生を抑制する、リソグラフィー用洗浄液及びこの洗浄液を用いたパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】アニオン性界面活性剤（Ａ）、アミン化合物（Ｂ）、及び水（Ｃ）を含有するリソグラフィー用洗浄液。本発明のリソグラフィー用洗浄液においては、アニオン系界面活性剤とアミン化合物とがリソグラフィー用洗浄液中で塩を形成し、アニオン系界面活性剤がレジスト膜に浸透することを抑制できる。このため、本発明のリソグラフィー用洗浄液を用いてレジストパターンの形成方法を行ったとしても、レジスト膜を溶解することがなく、ＣＤシフトの発生を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】感度、解像力、パターン形状、ラインウィズスラフネス、ブリッジマージン、倒れマージン、残膜率に優れるレジストパターン形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターンの提供。
【解決手段】架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を露光する工程（２）、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（４）をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターン。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性を向上することが可能なレジスト膜処理装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜処理装置６０は、現像によりパターン化された前記レジスト膜に紫外域光を照射する光源ＵＶと、前記光源ＵＶにより紫外域光が照射された前記レジスト膜を加熱するよう構成された加熱部６２Ｈと、前記加熱部６２Ｈにより加熱された又は加熱されている前記レジスト膜を、ベンゼン環を含有する溶剤を含む溶剤気体に晒すよう構成された溶剤処理部８３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より微細で線幅変動が制御されたレジストパターンを、ダメージの発生を軽減しつつ、簡便で効率的に形成可能なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位（Ｒ^１は水素原子等、Ｒ^２はメチレン基等を示す）を含む重合体、及び溶媒を含有するレジストパターン不溶化樹脂組成物を用いて不溶化レジストパターンを形成する工程（１）と、不溶化レジストパターンが形成された基板上にレジスト層を形成して選択的に露光する工程（２）と、第二のレジストパターンを形成する工程（３）と、を有するレジストパターン形成方法である。
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【課題】液浸リソグラフィにより得られるレジストパターンの形状を良好にできるようにする。
【解決手段】半導体製造装置は、ウエハ２０を保持する可動ステージ３１と、ウエハ２０上に形成されたレジスト膜と露光レンズ３２との間に液体を配してパターン露光を行なう露光部３０と、レジスト膜の上に液体２５を供給する液体供給部３３と、レジスト膜の上に配された液体２５をレジスト膜の上から排出する液体排出部３４とを備えている。さらに、可動ステージ３１の温度が液体２５の温度よりも低くなるように制御する温度制御部６０を備えている。 （もっと読む）

【課題】 二重露光プロセスにおけるレジスト・パターンの限界寸法（ＣＤ）変動を緩和する方法を提供すること。
【解決手段】 二重露光プロセスにおけるレジスト・パターンの限界寸法（ＣＤ）変動を緩和する方法は、一般に、基板の上を覆ってフォトレジスト層を形成するステップと、フォトレジスト層を第１の放射に露光するステップと、フォトレジスト層を現像してフォトレジスト層内に第１のパターンを形成するステップと、フォトレジスト層の上を覆ってトップコート層を形成するステップと、トップコート層及びフォトレジスト層を第２の放射に露光するステップと、トップコート層を除去するステップと、フォトレジスト層を現像してフォトレジスト層内に第２のパターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）